平成１３年(ワ)第１７７７２号特許権持分確認等請求事件
（中間判決の口頭弁論終結の日平成１４年６月２７日）
（終局判決の口頭弁論終結の日平成１５年１０月２４日）
判決
原告Ｎ
訴訟代理人弁護士升永英俊
復代理人弁護士荒井裕樹
同江口雄一郎
被告日亜化学工業株式会社
訴訟代理人弁護士品川澄雄
同吉利靖雄
同内田敏彦
同宮原正志
主文
１ 被告は，原告に対し，２００億円及びこれに対する平成１３年８月２３日から支払済みまで年５分の割合による金員を支払え。
２ 原告のその余の請求を棄却する。
３ 訴訟費用はこれを１０分し，その１を原告の負担とし，その余を被告の負担とする。
４ この判決の第１項は，仮に執行することができる。
事実及び理由
第一 原告の請求
一主位的請求
１ 被告は，原告に対し，別紙特許権目録記載の特許権につき，持分１０００分の１の移転登録手続をせよ。
２ 被告は，原告に対し，１億円及びこれに対する平成１３年８月２３日（訴訟提起の日）から支払済みまで年５分の割合による金員を支払え。
二予備的請求（その１）
１ 被告は，原告に対し，別紙特許権目録記載の特許権につき，持分１０００分の１の移転登録手続をせよ。
２ 被告は，原告に対し，１億円及びこれに対する平成１３年８月２３日（訴訟提起の日）から支払済みまで年５分の割合による金員を支払え。
三予備的請求（その２）
主文第１項と同じ。
第二 事案の概要
一請求の要旨
原告は，被告会社の元従業員であり，被告会社在職中に窒化物半導体結晶膜の成長方法の発明（以下「本件特許発明」という。）をした。この発明は，平成２年１０月２５日，被告会社により特許出願され，平成９年４月１８日，発明者を原告，権利者を被告会社として設定登録された（特許第２６２８４０４号。以下，この特許権を「本件特許権」という。）。
原告は，本件特許発明についての特許を受ける権利（以下「本件特許を受ける権利」という。）は，同発明の完成と同時に発明者である原告に原始的に帰属し，現在に至るまで被告に承継されていないと主張して，被告に対し，主位的に，一部請求として本件特許権の一部（共有持分）の移転登録を求めるとともに，被告が本件特許権を過去に使用して得た利益を不当利得であるとして，その一部である１億円の返還及び遅延損害金の支払を求めている（前記第一，一）。
原告は，予備的に，仮に本件特許を受ける権利が職務発明として被告に承継されている場合には，特許法３５条３項に基づき，発明の相当対価の一部請求として，本件特許権の一部（共有持分）の移転登録並びに１億円及び遅延損害金の支払を求めると主張している（前記第一，二）。
また，仮に，特許法３５条３項に基づく対価請求として，特許権の一部（共有持分）の移転登録を求めることが許されない場合には，同項に基づき，発明の相当対価の一部請求として，２００億円及び遅延損害金の支払を求めると主張している（前記第一，三）。
二本件訴訟の経緯
原告は，平成１３年８月２３日，第一，一ないし三記載の裁判を求めて本件訴訟を提起した（ただし，訴訟提起時における予備的請求（その２）（第一，三）の請求額は，２０億円であった。）。
当裁判所は，平成１４年６月２７日に口頭弁論を終結し，同年９月１９日，第一，一記載の主位的請求につき，本件特許を受ける権利が被告会社に承継された旨の被告の主張は理由がある旨の中間判決をした（本判決末尾添付。以下，単に「中間判決」という。）。
中間判決以後は，本件特許権が被告会社に帰属することを前提に，特許法３５条３項，４項に基づき本件特許発明の相当対価を請求する予備的請求（第一，二及び三）についての審理がされ，原告は，上記予備的請求（その２）の請求額を，平成１５年６月１７日に提出された同日付け原告準備書面(28)により５０億円に，同月１９日に提出された同日付け原告準備書面(29)により１００億円に拡張し，さらに同年９月１９日に提出された同日付け原告準備書面(46)により２００億円に拡張した。
当裁判所は，平成１５年１０月２４日に再び口頭弁論を終結した。
三前提となる事実（当事者間に争いがないか，あるいは当該箇所に掲げた証拠及び弁論の全趣旨により容易に認められる事実）
１ 当事者
被告は，蛍光体や電子工業製品の部品・素材の製造販売及び研究開発等を目的とする株式会社である。
原告は，被告会社の元従業員であり，現在，米国カリフォルニア大学サンタバーバラ校の教授である。
２ 原告の就職
原告は，昭和５４年３月，徳島大学工学部修士課程を卒業した後，被告会社に就職した。
被告会社は，従来，蛍光体原料（リン酸カルシウム）及び蛍光体の製造販売を主たる業務としていたが，原告の就職当時には，蛍光体以外に新規開拓すべき分野として，赤色ＬＥＤ（発光ダイオード）等の半導体結晶膜の原料となるＧａメタル（ガリウムメタル）の精製に取り組んでいた。
原告は，就職後間もないころから，ＧａＰ（ガリウム燐）の研究開発・製品化に従事し，また，赤外及び赤色ＬＥＤの原料となるＧａＡｓ（ガリウム砒素）の研究開発・製品化に従事した。さらには，赤色ＬＥＤのチップを製造するため，ＧａＡｌＡｓ（ガリウムアルミ砒素）結晶膜の液相エピタキシャル成長方法の研究開発に取り組んだ（甲４，９３～９６等）。
３ 青色ＬＥＤ研究開発の着手
原告は，昭和６３年ころ，当時誰も開発に成功しておらず，実用化は２１世紀になるだろうといわれていた青色ＬＥＤ（発光ダイオード）を新たな研究開発テーマにしたいと考え，ＬＥＤ（発光ダイオード）の半導体結晶膜を成長させる方法として有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）を学ぶため，被告会社の許可を得て，同社の費用で米国フロリダ州立大学に約１年間留学した（甲９６等）。
４ ＭＯＣＶＤ装置
原告は，平成元年４月ころに帰国した後，被告会社に納入されていた市販のＭＯＣＶＤ装置（訴外株式会社日本酸素製）を用いて，ＧａＮ（窒化ガリウム）の結晶膜の成長に取り組み始めた。
ただし，同装置は，原料となる元素（Ｎ，Ｇａ等）を供給するガスの配管や反応装置部分の構造が複雑である上に，ガスの供給条件（流速，角度等）や反応温度の設定によって，無数の反応条件の組み合わせがあり，製品化に耐え得る質のＧａＮ結晶膜を成長させるのは容易なことではなかった。原告も，当初は，上記市販装置に添付されたマニュアルを参照するなどして結晶膜の成長を試みたが，満足のいく質のＧａＮ結晶膜を得ることはできず，自らガス配管の形状を改造し，基板を加熱するヒーターを設計して自作するなど，試行錯誤を繰り返した。
５ 本件特許発明
原告は，平成２年９月ころ，上記市販装置の反応装置部分を改造し，基板に対して概ね平行な方向から反応ガスを，実質的に垂直な方向から不活性ガスを，それぞれ供給するように自作したＭＯＣＶＤ装置（以下「ツーフロー方式１号機」という。）を用いて，窒素化合物半導体結晶膜の成長方法に関する本件特許発明を発明した。
被告会社は，同年１０月２５日，本件特許発明につき原告を発明者，被告会社を出願人として特許出願をした。この特許出願に際して願書に添付された明細書における特許請求の範囲の記載は，下記のとおりであった（以下，この出願を「本件特許出願」といい，本件特許出願に際して願書に添付された上記明細書を「当初明細書」という。乙１０２［特開平成４－１６４８９５号］参照）。
「基板の表面に反応ガスを噴射して，加熱された基板表面に半導体結晶膜を成長させる方法において，基板の表面に，平行ないし傾斜して反応ガスを噴射すると共に，基板に向かって押圧拡散ガスを噴射することを特長とする半導体結晶膜の成長方法。」
６ 被告社規
ところで，被告会社には，昭和５６年に取締役会で制定され，昭和６０年に改正された社規第１７号が存在する。同社規は，昭和６０年の改正により名称を「発明・考案及び業務改善提案規定」と改め，昭和６０年６月１０日から平成８年ころまで施行された（乙７の１。以下，昭和６０年改正後の社規第１７号を単に「被告社規」という。）。したがって，本件特許発明がされた平成２年９月ころには，被告社内における職務発明及び考案等の扱いを定めるものとして，上記被告社規が施行されていた。
被告社規には，次のような条項が置かれている。
第１条（目的）
従業員が行なう発明・考案及び業務改善の取扱いについて定め，創意
工夫の意欲を高め，社業の向上に資する。
第２条（発明・提案の内容）
発明・考案，改善提案の内容は，次の通りとする。
１．発明・考案は，その性質上会社の職務範囲とする。
２．（省略）
第３条（資格）
従業員は，すべてこの規定により発明・考案及び改善提案を行なうこ
とができる。
第４条（職制の義務）
部課長は常に部署の業務内容を把握し，発明・改善及び特許問題等の
発掘に努め適切な対策と指導を行い，特許，実用新案に関する権利の侵害を防ぐため，公報の閲覧等を行い必要な対策を講ずる。
第５条（提出方法）
提出方法は次の通りとする。
１．発明・考案を行なった時は，その案を所属長を経て特許担当部門に提出する。
２．（省略）
第６条（業務分担）
担当部門は，次の業務を行う。
１．特許担当部門
①発明・考案の受付及び出願手続の点検と弁護士・弁理士への委嘱
②特許委員の選任及び委員会の招集
③表彰手続及び決定事項の報告
④その他特許に関する必要事項
２．（省略）
第７条（委員会）
発明・考案及び改善提案の推進と効果の拡大を図るため，各委員会を
置き，委員会は原則として毎月１回以上開催し，次の業務を行う。
１．特許委員会
①特許出願及び技術保全に関する審議
②異議申立及び特許係争に関する審議
③特許情報管理及び啓発に関する審議
④特許・考案の内容評価
２．（省略）
３．（省略）
第８条，第９条（省略）
第１０条（表彰及び褒賞）
従業員が行った発明・考案及び改善提案に対し，別に定める基準（付
則－１）により表彰及び褒賞金を支給する。
そして，第１０条を受けて定められた社規第１７号付則－１には，次の条項が置かれている。
Ⅰ（省略）
Ⅱ発明・考案関係
１．審査及び表彰基準
発明・考案の評価は，下記事項に基づき特許委員会が審査を行
い，上長の承認を受け表彰する。賞金はその都度決定する。
①特許出願件数
②権利取得状況
③内容の検討
２．褒賞金支給基準
①特許出願１件につき１０，０００円
②権利成立１件につき１０，０００円
③認証１件につき５，０００円
④実用新案出願１件につき５，０００円
⑤実用新案成立１件につき５，０００円
７ 出願補償金の受領
原告は，本件特許発明が出願された平成２年１０月２５日ころ，上記被告社規１０条及び社規第１７号付則－１，Ⅱ，２．①の規定に基づき，被告会社から１万円の支払を受けた。
８ ＧａＮ系バッファ層及びｐ型化アニーリングの各発明
原告は，本件特許発明をした後も，ツーフロー方式１号機を用いて，より結晶性の高いＧａＮ結晶膜を成長させる方法の研究開発に努めた。そして，平成３年３月ころには，ＬＥＤ素子の基板となるサファイア基板の上にＧａＮ系の化合物からなるバッファ層を成長させることを特徴とするＧａＮ系化合物半導体の結晶成長方法に係る発明（特開平成８年－８２１７号）をした。被告会社は，そのころ，同発明を特許出願した（以下，この発明を「ＧａＮ系バッファ層の発明」という。甲６３，１６１等）。
また，原告は，同年１２月ころには，当時原告の部下であった被告会社従業員Ｂと共に，有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）によりｐ型不純物（例えばＭｇ）をドープしたＧａＮ系化合物半導体を成長させた後，４００℃以上の温度でアニーリング（熱処理）を行うことを特徴とするｐ型ＧａＮ系化合物半導体の製造方法に係る発明をした。被告会社は，そのころ，同発明を特許出願した（後の特許第２５４０７９１号。以下，この発明を「ｐ型化アニーリングの発明」という。甲６３，１６１等）。
９ ＩｎＧａＮ結晶膜の成長
平成４年に入ると，被告会社は，前記市販のＭＯＣＶＤ装置（訴外株式会社日本酸素製）を更に数台購入し，反応装置部分をツーフロー方式１号機と同様に改造して（以下，これらのＭＯＣＶＤ装置を「ツーフロー方式２号機等」という。），同１号機と共に稼働させ，ＧａＮ系化合物半導体の開発製造を進めた。原告は，同年３月ころには，いわゆるｐｎ接合型のＬＥＤを試作し，同年６月ころには，いわゆるダブルへテロ構造のＬＥＤの発光層を形成する，結晶性の高いＩｎＧａＮ結晶膜を成長させることに成功した。
（長文のため、ここでは本文の冒頭のみを掲載しています。全文はこのページの表示後に読み込まれます。原本は原本PDFをご覧ください。）
出典：裁判所ウェブサイト「裁判例検索」（https://www.courts.go.jp/hanrei/10544/detail7/index.html）。本文は同サイト掲載の判決書PDFからTaiLexi AIがテキスト化・整形したもの（正確な文言は原本PDFを参照）。判示事項・裁判要旨・参照法条は裁判所の公表どおり。