平成１５年（ワ）第２９８５０号職務発明等に対する相当対価等請求事件平成１８年３月２０日口頭弁論終結
判決
原告甲ⅰ
訴訟代理人弁護士宮國英男
同田島啓己
被告三菱電機株式会社
訴訟代理人弁護士大野聖二
同市橋智峰
補佐人弁理士加藤恒
同山田勇毅
主文
１ 原告の請求を棄却する。
２ 訴訟費用は原告の負担とする。
事実及び理由
第１ 原告の請求
被告は，原告に対し，金２億円及びこれに対する平成１５年１１月５日から支払済みまで年５分の割合による金員を支払え。
第２ 事案の概要
本件は，被告の元従業員である原告が，被告在職中にした半導体不揮発性記憶装置等に関する特許発明５件及び考案１件について，平成１６年法律第７９号による改正前の特許法３５条（以下，同条について「特許法」という場合，特に断らない限り，平成１６年法律第７９号による改正前の特許法をいう）。及び実用新案法１１条３項に基づき，職務発明及び職務考案の相当対価の一部請求として２億円及び遅延損害金の支払を求めている事案である。
１ 前提となる事実（当事者間に争いのない事実及び証拠により容易に認定され。，。）る事実証拠により認定した事実については該当箇所末尾に証拠を掲げた()当事者1
，，，ア原告は昭和５０年４月に被告に入社し同年から平成１３年５月まで被告の従業者の地位にあり，半導体メモリ製品の設計開発，事業化等の業務に従事していたものである。
イ 被告は，各種電気機械器具，電子応用機械器具，半導体素子集積回路その他一般機械器具及び部品の製造並びに販売等を業とする株式会社である。
( ) 原告がした職務発明等2
原告は被告の従業者であった間に以下の各特許発明及び考案をした一，，（部については，ほかに共同発明者がいる。。）
被告は，以下の各特許発明等について，職務発明及び職務考案であるとして，社内規程により原告から特許及び実用新案登録を受ける権利を承継し，それぞれ原告を発明者又は共同発明者，被告を出願人として，次のとおり，特許出願及び実用新案登録出願をし，特許及び登録実用新案を得た（以下，これらの特許権等を総称して「本件各特許権等」といい，その発明等を総，称して「本件各特許発明等」という。。）
，（，。（，。））ア本件第１第２特許乙２３以下原則として枝番は省略する) 特許第１８７８２１２号（以下「本件第１特許」といい，その発明a ，を「本件第１特許発明」という）。
① 出願年月日昭和５７年１月１２日
② 出願番号５７－００３５８４
③ 出願公告年月日平成４年１２月１８日
④ 登録年月日平成６年１０月７日
⑤ 存続期間満了日平成１４年１月１２日
⑥ 発明者原告
⑦ 発明の名称半導体不揮発性記憶装置の書き込み及び消去方法
⑧ 特許請求の範囲半導体基板の主面部に互いに所定間隔をおいて形成されたドレイン不純物拡散層及びソース不純物拡
散層と，上記半導体基板と上記ドレイン不純物拡散
層と上記ソース不純物拡散層の各表面上にわたって
形成された第１絶縁膜と，この第１絶縁膜上に配設
されたフローティングゲート導電体層と，このフロ
ーティングゲート導電体層上に第２絶縁膜を介して
対向配設された制御ゲート導電体層とを有した不揮
発性メモリセルの書き込み及び消去方法において，
上記フローティングゲート導電体層は上記ドレイン
不純物拡散層の上方から上記ドレイン不純物拡散層
及び上記ソース不純物拡散層間の上記半導体基板の
上方を通って上記ソース不純物拡散層の上方に達し
て設けられ，上記第１絶縁膜における上記フローテ
ィングゲート導電体層直下の厚さは１０～３００Å
の範囲内で同一厚さとし，上記制御ゲート導電体層
に正の電位を印加するとともに上記ドレイン不純物
拡散層及び上記ソース不純物拡散層の一方の不純物
拡散層に上記制御ゲート導電体層に印加する正の電
位より低い電位を印加し，かつ，他方の不純物拡散
層の電位を上記制御ゲート導電体層に印加される正
の電位との間で上記他方の不純物拡散層側に位置す
る上記第１絶縁膜に電子の移動が生じない電界とな
す電位として，上記他方の不純物拡散層側に位置す
る上記第１絶縁膜を介して上記フローティングゲー
ト導電体層への電子の注入がなく，上記一方の不純
物拡散層側に位置する上記第１絶縁膜を通り抜けさ
せて上記フローティングゲート導電体層に電子を蓄
積させ，上記制御ゲート導電体層に接地電位を印加
するとともに上記ドレイン不純物拡散層及び上記ソ
ース不純物拡散層の上記他方の不純物拡散層に正の
電位を印加し，かつ，上記一方の不純物拡散層の電
位を上記制御ゲート導電体層に印加される接地電位
との間で上記一方の不純物拡散層側に位置する上記
第１絶縁膜に電子の移動が生じない電界となす電位
として，上記一方の不純物拡散層側に位置する上記
第１絶縁膜を介して上記フローティングゲート導電
体層に蓄積された電子の引き抜きがなく，上記他方
の不純物拡散層と上記フローティングゲート導電体
層との間に介在する上記第１絶縁膜のトンネル現象
によって上記フローティングゲート導電体層に蓄積
された電子を上記他方の不純物拡散層に引き抜くこ
とを特徴とする半導体不揮発性記憶装置の書き込み
及び消去方法。
) 特許第２０４７５８３号（以下「本件第２特許」といい，その発明b ，を「本件第２特許発明」という。また，本件第１特許及び同第２特許を総称して本件第１第２特許といいその特許発明を総称して本，「，」，「件第１，第２特許発明」という）。
① 出願年月日昭和５７年１月１２日
② 出願番号０５－２３８０１１
③ 出願公告年月日平成７年９月６日
④ 登録年月日平成８年４月２５日
⑤ 存続期間満了日平成１４年１月１２日
⑥ 発明者原告
⑦ 発明の名称半導体不揮発性記憶装置の書き込み及び消去方法
⑧ 特許請求の範囲半導体基板の主面部に互いに所定間隔をおいて形成されたドレイン不純物拡散層及びソース不純物拡
散層と，上記半導体基板と上記ドレイン不純物拡散
層と上記ソース不純物拡散層の各表面上にわたって
形成された第１絶縁膜と，この第１絶縁膜上に配設
されたフローティングゲート導電体層と，このフロ
ーティングゲート導電体層上に第２絶縁膜を介して
対向配設された制御ゲート導電体層とを有し，上記
フローティングゲート導電体層は上記ドレイン不純
物拡散層の上方から上記ドレイン不純物拡散層及び
上記ソース不純物拡散層間の上記半導体基板の上方
を通って上記ソース不純物拡散層の上方に達して設
けられ，上記第１絶縁膜における上記フローティン
グゲート導電体層直下の厚さは１０～３００Åの範
囲内で同一厚さとされた不揮発性メモリセルの書き
込み及び消去方法において，上記制御ゲート導電体
層に正の電位を印加するとともに上記ソース不純物
拡散層及び半導体基板それぞれに上記制御ゲート導
電体層に印加する正の電位より低い電位を印加し，
かつ，上記ドレイン不純物拡散層の電位を上記制御
ゲート導電体層に印加される正の電位との間で上記
ドレイン不純物拡散層側に位置する上記第１絶縁膜
を介して電子の移動が生じない電界となす電位とし
て，上記ドレイン不純物拡散層側に位置する上記第
１絶縁膜を介して上記フローティングゲート導電体
層への電子の注入がなく，上記ソース不純物拡散層
側に位置する上記第１絶縁膜のトンネル現象によっ
て上記フローティングゲート導電体層に電子を蓄積
させ，上記ドレイン不純物拡散層に正の電位を印加
するとともに，上記制御ゲート導電体層に上記ドレ
イン不純物拡散層に印加する正の電位より低い電位
を印加し，かつ，上記ソース不純物拡散層の電位を
上記制御ゲート導電体層に印加される電位との間で
上記ソース不純物拡散層側に位置する上記第１絶縁
膜を介して電子の移動が生じない電界となす電位と
して，上記ソース不純物拡散層側に位置する上記第
１絶縁膜を介して上記フローティングゲート導電体
層に蓄積された電子の引き抜きがなく，上記ドレイ
ン不純物拡散層と上記フローティングゲート導電体
層との間に介在する上記第１絶縁膜のトンネル現象
によって上記フローティングゲート導電体層に蓄積
された電子を上記ドレイン不純物拡散層に引き抜く
ことを特徴とする半導体不揮発性記憶装置の書き込
み及び消去方法。
イ 本件第３，第４特許（乙４，５）
) 特許第１９５６１２７号（以下「本件第３特許」といい，その発明a ，を「本件第３特許発明」という）。
① 出願年月日昭和６０年２月２２日
② 出願番号６０－０３４８８８
③ 出願公告年月日平成４年１０月１日
④ 登録年月日平成７年７月２８日
⑤ 存続期間満了日平成１７年２月２２日
⑥ 発明者原告ほか２名
⑦ 発明の名称樹脂封止型半導体集積回路装置
⑧ 特許請求の範囲半導体基板に対して形成された回路素子を覆う絶縁膜と，該絶縁膜上に形成された上記回路素子或い
は電源電圧の信号を伝搬する金属配線とを有し，上
記半導体基板，絶縁膜及び絶縁膜上の金属配線を樹
脂で封止してなる樹脂封止型半導体集積回路装置に
おいて，上記金属配線は，上記絶縁膜の所定箇所に
この金属配線に沿って複数設けられた開孔を埋め込
む複数の釘状金属柱を有し，該釘状金属柱をもって
上記絶縁膜下部または内部に設けられた導体層に接
合固定され，この導体層は上記釘状金属柱を介して
上記金属配線のみに電気的に接続されていることを
特徴とする樹脂封止型半導体集積回路装置。
) 特許第１９７３８２０号（以下「本件第４特許」といい，その発明b ，を「本件第４特許発明」という。また，本件第３特許及び同第４特許を総称して本件第３第４特許といいその特許発明を総称して本，「，」，「件第３，第４特許発明」という）。
① 出願年月日昭和６０年９月２０日
② 出願番号６０－２０９５０５
③ 出願公告年月日平成６年１１月１４日
④ 登録年月日平成７年９月２７日
⑤ 存続期間満了日平成１７年９月２０日
⑥ 発明者原告ほか１名
⑦ 発明の名称半導体集積回路装置
⑧ 特許請求の範囲ゲート電極を有するトランジスタが形成される半導体基板上に，フィールド酸化膜，リンシリケート
酸化膜，金属配線，及びパッシベーション膜を順次
積層した半導体装置において，上記フィールド酸化
膜の平坦な表面上であって，金属配線を形成すべき
領域の間の下方に，上記トランジスタのゲート電極
と同一層にある導電体層を埋設し，上記導電体層に
よりリンシリケート酸化膜に生じた凹凸の段差にお
ける凹部に金属配線を配設したことを特徴とする半
導体集積回路装置。
) 米国特許第４７２９０６３号（本件第３特許の対応米国特許である。c以下「本件第３対応米国特許」という。甲５５。，）
① 特許日平成元年５月１日
② 発明の名称プラスチック樹脂封止の半導体集積回路装置におけるネイルセクション（くい打ち）
③ 発明者原告ほか２名
④ 概要プラスチック樹脂封止の半導体集積回路装置にお
いて，半導体基板に回路素子が作られ，半導体基板
上で提供される内部回路の電源電圧あるいは信号を
送信するための金属配線とそれらの配線下にある絶
縁フイルムに設けられた開口箇所中に金属配線と共
に全体に提供されるネイルセクション（くい打ち）
を有して，そのネイルセクション（くい打ち）は，
他の回路素子あるいは他の金属配線とも電気的に接
続関係がないということ。
⑤ 特許請求の範囲【請求項１】プラスチック樹脂封止の半導体集積回路装置において，半導体基板に回路素子が作られ，
半導体基板上で提供される内部回路の電源電圧ある
いは信号を送信するための金属配線とそれらの配線
下にある絶縁フィルムの部分で直接形成された口径
に金属配線と共に提供されるネイルセクション（く
い打ち）を有して，そのネイルセクション（くい打
ち）は，他の回路素子あるいは他の金属配線のどれ
からも電気的に独立していること。
【請求項２】プラスチック樹脂封止の半導体集積回
路装置において，半導体基板上で提供される内部回
路の電源電圧あるいは信号を送信するための金属配
線とその金属配線の電圧を受けることができる半導
体基板内の不純物拡散層とそれら金属配線下にある
絶縁フィルムを有して，前記金属配線は，直接半導
体基板にショートされることなく，電気的に金属配
線を接続するために前もって定義した間隔で絶縁フ
（長文のため、ここでは本文の冒頭のみを掲載しています。全文はこのページの表示後に読み込まれます。原本は原本PDFをご覧ください。）
出典：裁判所ウェブサイト「裁判例検索」（https://www.courts.go.jp/hanrei/33257/detail7/index.html）。本文は同サイト掲載の判決書PDFからTaiLexi AIがテキスト化・整形したもの（正確な文言は原本PDFを参照）。判示事項・裁判要旨・参照法条は裁判所の公表どおり。