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平成１７年（行ケ）第１０６６９号審決取消請求事件
平成１８年７月２６日判決言渡，平成１８年２月１５日口頭弁論終結
判決
原告シャープ株式会社
訴訟代理人弁理士山崎宏，仲倉幸典，森川淳
被告Ｙ
主文
原告の請求を棄却する。
訴訟費用は原告の負担とする。
事実及び理由
本判決においては，「ウェハ」，「ウエハ」について，前者の表記に統一した。
第１ 原告の求めた裁判
「特許庁が無効２００４－８０２０９号事件について平成１７年７月２２日にし
た審決のうち特許第３５１５９１７号の請求項１ないし４，７に係る部分を取り消
す。」との判決。
第２ 事案の概要
本件は，特許を無効とした審決の取消しを求める事案であり，原告は無効とされ
た特許の特許権者，被告は無効審判の請求人である。
１ 特許庁における手続の経緯
(1) 原告は，発明の名称を「半導体装置の製造方法」とする特許第３５１５９
１７号（請求項の数７。平成１０年１２月１日に出願，平成１６年１月２３日に設
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定登録。以下「本件特許」という。）の特許権者である。
(2) 被告は，平成１６年１１月１日，本件特許について無効審判の請求をした
ところ（無効２００４－８０２０９号事件として係属），特許庁は，平成１７年７
月２２日，「特許第３５１５９１７号の請求項１ないし４，７に係る発明について
の特許を無効とする。特許第３５１５９１７号の請求項５，６に係る発明について
の特許に対する審判請求は，成り立たない。」との審決をし，同年８月３日，その
謄本を原告に送達した。
２ 特許請求の範囲の記載
【請求項１】半導体素子が作り込まれた半導体ウェハの表面側における外周の面
取り部と平坦部との境界に切り込みを形成した後に，上記半導体ウェハの板厚が上
記切り込み深さよりも薄くなるまで上記半導体ウェハに対して裏面研削を行うこと
を特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】請求項１に記載の半導体装置の製造方法において，
上記裏面研削に先立って，上記半導体ウェハの表面側における面取り部と平坦部
との境界に形成する切り込みは，
先ず，上記半導体ウェハの表面側における面取り部と平坦部との境界に，ダイシ
ング用の高速回転外周刃加工装置の刃を上記表面に垂直な方向に切り込み，
その後，上記半導体ウェハを当該半導体ウェハの中心を回転中心として回転させ
ることによって形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】請求項２に記載の半導体装置の製造方法において，
上記高速回転外周刃加工装置の刃は，上記半導体ウェハの面取り部の幅よりも広
い幅を有する刃であり，
上記面取り部と平坦部との境界より中心寄りの位置に当該刃の軸方向外側面の位
置を合わせて当該刃を切り込んだ後，上記半導体ウェハを回転させることによって
上記半導体ウェハの上記面取り部を所定の深さで除去することを特徴とする半導体
装置の製造方法。
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【請求項４】請求項２に記載の半導体装置の製造方法において，
上記高速回転外周刃加工装置の刃は，上記半導体ウェハの面取り部の幅よりも狭
い幅を有する刃であり，
上記面取り部と平坦部との境界より中心寄りの位置に当該刃の軸方向外側面の位
置を合わせて当該刃を切り込んだ後，上記半導体ウェハを回転させつつ徐々に当該
刃を上記軸方向面取り部側に移動させることによって，上記半導体ウェハの上記面
取り部を所定の深さで除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】請求項２に記載の半導体装置の製造方法において，
上記半導体ウェハの表面側における面取り部と平坦部との境界に上記高速回転外
周刃加工装置の刃を切り込むに際して，上記平坦部の外径が表面に向かうに連れて
大きくなるように上記平坦部の外周面を逆テーパ状に成すことを特徴とする半導体
装置の製造方法。
【請求項６】請求項５に記載の半導体装置の製造方法において，
上記高速回転外周刃加工装置の刃は，先端に向かうに連れて内径が大きくなるテ
ーパ状の刃が形成されたカップ型砥石であり，
上記カップ型砥石を軸方向に上記半導体ウェハの外周側から中心に向かって移動
させて，上記半導体ウェハにおける外周側から上記面取り部と平坦部との境界より
中心寄りの位置まで所定の深さで上記カップ型砥石を切り込んだ後に，上記半導体
ウェハを回転させることによって，上記半導体ウェハの面取り部を上記所定の深さ
で除去し，且つ，上記平坦部の外周面を逆テーパ状に成すことを特徴とする半導体
装置の製造方法。
【請求項７】請求項１に記載の半導体装置の製造方法において，
上記裏面研削に先立って，上記半導体ウェハにおける上記切り込みが形成された
表面に半導体素子保護テープを貼り，
上記表面における上記平坦部の外周面の位置に刃物を位置させ，上記半導体ウェ
ハを当該半導体ウェハの中心を回転中心として回転させて余分な半導体素子保護テ
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ープを切り取ることによって，上記半導体素子保護テープの外径が上記平坦部の外
径よりも大きくならないようにすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
３ 審決の理由の要点（請求項１ないし４，７に係る発明に係るもの）
審決の理由は，要するに，請求項１ないし４，７に係る発明（以下，各発明は請
求項の番号に従い「本件発明１」のようにいう。）についての特許は，特許法２９
条２項の規定に違反してされたもので，特許法１２３条１項２号に該当し，無効と
すべきものである，というのであり，本件の争点である相違点１及び２（本件発明
１ないし４，７に共通する相違点である。）に関係する箇所は，以下のとおりであ
る。
( ) 審判甲各号証記載の発明（事項）1
ア 審判甲１
審判甲１（特開平４－８５８２７号公報，本訴甲２の１，以下「甲２の１」という。）には，「面取り部を有する第１の半導体基板の一方の面における周辺部を研削し，中央部よりも薄い厚さにした後に，前記第１の半導体基板の他方の面を研削し，前記第１の半導体基板の一方の面の中央部のみ残存させること」（以下「甲２の１記載の事項」という。）が記載されていると認められる。
イ 審判甲２
審判甲２（特開平７－４５５６８号公報，本訴甲２の２，以下「甲２の２」という。）には，「集積回路が表面に形成された半導体ウェハ１１の外周面１１ａを集積回路の形成面に対して略直角に研削した後に，たとえば半導体ウェハ１１の厚さが約２００μｍ程度になるように，上記半導体ウェハ１１に対してその裏面１１ｂを研削する半導体集積回路装置の製造方法」の発明（以下「甲２の２記載の発明」という。）及び「裏面研削時における半導体ウェハの割れや欠けを防止する」との課題が記載されていると認められる。
( ) 対比・判断2
本件発明１と甲２の２記載の発明とを対比すると，後者の「集積回路が表面に形成された半導体ウェハ１１」の「集積回路の形成面」は，前者の「半導体素子が作り込まれた半導体ウェハの表面」に相当する。
そして，前者の「外周の面取り部と平坦部との境界に切り込みを形成」することは，被請求人も認--5
めるごとく，請求項３等に記載の「外周の面取り部と平坦部との境界に切り込んだ後，面取り部を所定の深さで除去する」ことを含む。そして，本件発明１において，面取り部を除去することの技術的意義は，裏面研削時の割れ，欠けの原因となる面取り部を一部除くことにあり（本件明細書（本訴甲５）の段落【０００５】を参照），当該技術的意義は甲２の２記載の発明における外周面を除去することの技術的意義と同等のものであって，しかも，被請求人も認めているように（第１回口頭審理調書（本訴乙１）の被請求人の項５），甲２の２記載の発明における外周面は，甲２の２の図３から，面取り部であることが看取できる。そうすると，前者の「外周の面取り部と平坦部との境界に切り込みを形成」することと後者の「外周面１１ａを集積回路の形成面に対して略直角に研削」することとは，「面取り部の少なくとも一部除去」の限りで共通する。
また，後者の「半導体ウェハ１１に対してその裏面１１ｂを研削する」が前者の「半導体ウェハに対して裏面研削を行う」に，後者の「半導体集積回路装置」が前者の「半導体装置」に，それぞれ相当することは明らかである。
したがって，両者の一致点及び相違点は，以下のとおりである。
〈一致点〉半導体素子が作り込まれた半導体ウェハの表面側における面取り部を少なくとも一部除去した後に，上記半導体ウェハに対して裏面研削を行う半導体装置の製造方法である点。〈相違点１〉前者は，除去する対象が，面取り部の表面側の一部であるのに対して，後者は，除去する対象が，面取り部の全部である点。
〈相違点２〉前者は，裏面研削を，半導体ウェハの板厚が切り込み深さよりも薄くなるまで行うのに対して，後者は，裏面研削を，半導体ウェハ１１の厚さが約２００μｍ程度になるまで行う点。そこで，上記相違点１，２について検討する。
〈相違点１について〉
そもそも，裏面研削に先立って，裏面研削時の割れ，欠けの原因となる表面側の面取り部を除去する手法としては，甲２の２記載の発明のように，表面側のみならず面取り部全体を除去する手法と，本件発明１のように，面取り部の表面側のみを除去しておき，除去されなかった面取り部の残部を裏面研削で除去する手法の２通りしか存在しない。
ところで，半導体基板の一方の面の中央部のみを残存させる手法として，他方の面の研削に先立って，一方の面側の一部の周辺部のみを除去し，除去されなかった周辺部の残部を他方の面の研削で除去する手法は，甲２の１に示されている。
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そして，甲２の１記載の上記手法と甲２の２記載の発明とは，半導体基板の一方の面の中央部のみを残存させる点で共通するものであるから，甲２の２記載の発明に甲２の１記載の手法を適用して，本件発明１の相違点１に係る構成とすることは，当業者が容易になし得ることである。ところで，請求人は，相違点１に関して，
( ) ＳＯＩ基板の作成に特有な課題を解決することを目的とし，半導体素子が作り込まれていなiい半導体ウェハにおける半導体素子が形成されるべき面である表面側を研削することを技術的思想とする甲２の１を，半導体素子が作り込まれている半導体ウェハの裏面研削時に生ずる課題を解決することを目的とし，半導体素子が作り込まれている半導体ウェハの表面側に対して裏面側を研削することを技術的思想とする甲２の２に対して適用することなど到底できるものではない，( ) 甲２の１記載の第１の半導体基板の周辺部を研削したものは，甲２の２の段落【０００６】iiに記載の，問題点がある「半導体ウェハの外周断面をあらかじめナイフエッジ状に加工した」ものに該当し，したがって，上記「ナイフエッジ状に加工した」ものに該当する甲２の１記載の技術を甲２の２記載の発明に適用することを妨げる事情が存在する，
( ) 本件各発明の切り込み後の裏面研削は，甲２の２記載の発明の切り落とし後の裏面研削に比iiiして，
裏面研削時に，大部分は平滑面Ｓの箇所を研削し，粗面Ｒの箇所の研削が少ないので，粗面Ｒの悪影響を殆ど受けず，ウェハに割れ，欠けが生じにくい，
甲２の２記載の発明の面取り部の切り落とし時において，残っている面取り部が薄く鋭い鋭角になる切り落としの最後の段階で，ウェハに割れやカケが生じるのに対して，本件各発明では，ウェハ表面側に切り込みを入れるだけなので，割れ，欠けが生じない，
甲２の２記載の発明では，切り落としによってウェハの径が小さくなり，製造時の取り扱いが容易でないのに対して，切り込み部以外は除去しないので，ウェハの径を小さくすることがなく，上記取り扱い面での不都合がない，という効果を奏する，
と主張している。
そこで，上記( )～( )について検討するに，i iii
( ) 甲２の１記載の上記手法と甲２の２記載の発明とが，目的等の点で相違しているとしても，i上述したように，両者は，半導体基板の一方の面の中央部のみを残存させる点で共通するものである以上，両者を組み合わせることが当業者にとって容易でないとすることはできない。--7
( ) 甲２の２には，「本発明の半導体ウェハの研削方法によれば，最終研削位置において外周面iiと研削面とで形成される角は鈍角または直角となって偏荷重がかかることがないので，研削時における半導体ウェハ外周部の割れや欠けの発生を防止でき，完成した集積回路が破損されることはない。」と記載されている。一方，甲２の１記載の手法において，半導体基板の一方の面側周辺部を研削する際の上記一方の面と研削面とで形成される角がどの程度のものかについて，甲２の１には明記されていないものの，その第１図をみると，当該角が略直角であることが窺える。しかも，甲２の２の段落【０００６】で「半導体ウェハの外周断面をあらかじめナイフエッジ状」とする手法の出所文献とする特開昭６２－２７２５１７号公報（本訴甲３）の第１図に示される半導体ウェハの外周形状は，甲２の１の第１図に示される半導体基板の外周形状と大きく相違している。そうすると，甲２の１記載の手法における半導体基板の一方の面側周辺部の研削が，甲２の２で，問題点があるとする「半導体ウェハの外周断面をあらかじめナイフエッジ状に加工した」ものに該当するとは認め得ない。
( ) 仮に，本件各発明の切り込み後の裏面研削が，甲２の２記載の発明の切り落とし後の裏面研iii削に比して，優れた作用効果を奏するとする請求人の上記( )の主張が正しいとしても，本件各発明iiiと同様の研削手法が甲２の１には示されているから，本件各発明の作用効果が，甲２の２記載の発明の作用効果との対比ではなく，甲２の２記載の発明の作用効果と甲２の１記載の手法の作用効果との総和との対比において格別優れたものであることが示されていない以上，本件各発明の作用効果が顕著なものであるとすることはできない。
したがって，請求人の上記主張は採用できない。
〈相違点２について〉
本件明細書の段落【０００３】には，「半導体装置基板は，上記半導体前半プロセス終了後には，基板の電気抵抗の低減化や薄型実装のための薄板化を図るために裏面を研磨し，個々の集積回路毎に切断された後，実装工程(半導体後半プロセス)に移行することになる。」と記載され，また，甲２の２の図１にも，前工程，外周研削工程に続く裏面研削工程の後に，ダイシング工程，後工程が控えていることが示されている。これらの記載からみると，本件発明１及び甲２の２記載の発明における裏面研削の研削深さは，裏面研削後の実装工程（後工程）で求められる半導体装置の厚みとするものであり，したがって，相違点２は表現上の相違に過ぎない。
そして，本件発明１の作用効果は，甲２の２記載の発明及び甲２の１記載の事項から当業者が予測--8
可能な範囲内のものであって，格別のものではない。
したがって，本件発明１は，甲２の２記載の発明及び甲２の１記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
第３ 当事者の主張の要点
１ 原告主張の審決取消事由
(1) 取消事由１（相違点１の判断の誤り）
審決は，「甲２の２記載の発明に甲２の１記載の手法を適用して，本件発明１の
相違点１に係る構成とすることは，当業者が容易になし得ることである。」と判断
したが，審決の上記判断は，以下の誤った認定判断に基づくものであるから，誤り
である。
ア 審決は，「裏面研削に先立って，裏面研削時の割れ，欠けの原因となる表面
側の面取り部を除去する手法としては，甲２の２記載の発明のように，表面側のみ
ならず面取り部全体を除去する手法と，本件発明１のように，面取り部の表面側の
みを除去しておき，除去されなかった面取り部の残部を裏面研削で除去する手法の
２通りしか存在しない。」と認定した。
(ｱ) 本件発明１は，請求項１に記載のとおり，「切り込みを形成した」と規定
しているのであって，「面取り部の表面側のみを除去する」というものではないか
ら，「本件発明１のように，面取り部の表面側のみを除去して」との審決の認定は
不正確である。
(ｲ) 裏面研削に先立って表面側の面取り部を除去する手法としては，審決が認
定したもののほかに，例えば，①特開昭６２－２７２５１７号公報（甲３）の〔実
施例２〕及び第２図に記載されているように，表面側面取り部の一部と裏面側面取
り部の一部とを含むウェハ１の厚さ方向の中央部の面取り部を除去する手法（これ
により，面取り部の断面が二山状になる。），②本件発明１の実施の形態の１つで
あるが，ウェハの表面側の面取り部のうちの中心側の一部のみを環状の溝状に除去
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する手法（これにより，表面側の面取り部の外周部が残る。），③本件明細書の図
２(b)において，切り込み深さをｘよりも深くして，表面側のみならず，裏面側の相当部分を除去する手法があるから，少なくとも５通りはある。
そして，審決は，「２通りしか存在しない」ことの証拠を示さずに，本件発明１
の特許出願前には存在しない本件発明１自体を「２通りしか存在しない」ことの証
拠としている。
(ｳ) したがって，「裏面研削に先立って，裏面研削時の割れ，欠けの原因とな
る表面側の面取り部を除去する手法としては，・・・２通りしか存在しない。」と
した審決の認定は，誤りである。
イ 審決は，「半導体基板の一方の面の中央部のみを残存させる手法として，他
方の面の研削に先立って，一方の面側の一部の周辺部のみを除去し，除去されなか
った周辺部の残部を他方の面の研削で除去する手法は，甲２の１に示されてい
る。」と認定した。
(ｱ) 甲２の１の明細書（３頁右下欄５行目ないし４頁左上欄１５行目）及び第
１図には，「ＳＯＩ基板のための第１の半導体基板９は第１の半導体基板９の一方
の面における周辺部を研削し，中央部よりも薄い厚さにした後に，第２の半導体基
板１１に第１の半導体基板９の中央部１０を高温で貼り付けて一体化した後に，第
１の半導体基板９の他方の面を研削し，前記第２の半導体基板１１上に固定された
状態で前記第１の半導体基板９の一方の面の中央部のみ残存させる」手法が開示さ
れている。
(ｲ) 審決が甲２の１に示されていると認定した手法は，上記(ｱ)の「第２の半導体基板１１に第１の半導体基板９の中央部１０を高温で貼り付けて一体化」する工
程を欠いていて，第１の半導体基板９の一方の面の中央部のみを単独で残存させる
ものとなっているが，この貼付工程は，他の工程と一体不可分の関係にあって，甲
２の１記載の手法に必須のものである。
(ｳ) したがって，貼付工程を欠いた手法は，甲２の１に開示された手法とは異
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なるから，審決の上記認定は，誤りである。
ウ 審決は，「甲２の１の上記手法と甲２の２記載の発明とは，半導体基板の一
方の面の中央部のみを残存させる点で共通するものであるから，甲２の２記載の発
明に甲２の１記載の手法を適用して，本件発明１の相違点１に係る構成とすること
は，当業者が容易になし得ることである。」と認定判断した。
(ｱ) 上記イ(ｱ)のとおり，甲２の１記載の手法は，「第２の半導体基板１１上に固定された状態で前記第１の半導体基板９の一方の面の中央部のみ残存させる」も
のであるから，甲２の１記載の手法と甲２の２記載の発明とは，「半導体基板の一
方の面の中央部のみを残存させる点で共通する」ものではない。
(ｲ) 甲２の１記載の技術は，半導体素子が作り込まれる前の第１の半導体基板
９ａと第２の半導体基板１１とを強固に貼り合わせるＳＯＩ基板の製造方法で，裏
面研削時に面取り部の割れや欠けが問題になることはない。これに対し，本件発明
１や甲２の２記載の発明は，表面に既に半導体素子が作り込まれた１枚の半導体基
板に係るもので，ＳＯＩ基板に比べて薄く，かつ，表面側の半導体素子を保護する
ために半導体素子保護テープを介して柔軟に台に固定することから，裏面研削時
に，割れや欠けによる劈開が中央部に進行するというＳＯＩ基板にない問題があ
る。
(ｳ) 甲２の１記載の半導体基板９ａの切込みのある側の表面の中央部である凸
部１０の表面は，他方の半導体基板１１に強固に貼り付けられるものであるから，
極めて平滑で，凹凸がないものでなければならない。これに対し，甲２の２記載の
発明の半導体ウェハ１１の表面は，集積回路（半導体素子）があらかじめ作り込ま
れているから，必ず凹凸がある。
(ｴ) また，甲２の１記載の凸部１０は，他方の半導体基板１１に１０００℃の
条件で貼り付けられるものであるから，その表面に半導体素子を形成しておくこと
はできない（凸部１０の表面に半導体素子を形成しても，１０００℃の高温で破損
してしまう。）。これに対し，甲２の２記載の発明の半導体ウェハの表面１１は，
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集積回路（半導体素子）があらかじめ作り込まれている。
(ｵ) 上記(ｱ)ないし(ｴ)の事情に照らせば，甲２の１記載の手法と甲２の２記載の発明とを組み合わせることには阻害要因があるから，「甲２の２記載の発明に甲
２の１記載の手法を適用して，本件発明１の相違点１に係る構成とすることは，当
業者が容易になし得ることである。」とした審決の認定判断は，誤りである。
エ 審決は，「甲２の１記載の手法における半導体基板の一方の面側周辺部の研
削が，甲２の２で，問題点があるとする「半導体ウェハの外周断面をあらかじめナ
イフエッジ状に加工した」ものに該当するとは認め得ない。」とした。
(ｱ) 甲２の２の明細書の段落【０００５】ないし【００１０】によれば，甲２
の２記載の発明は，裏面研削時における半導体ウェハの割れや欠けを防止するこ
と，ウェハキャリア収容時における半導体ウェハ自体の割れや欠け及び半導体ウェ
ハによるウェハキャリアの切削を防止することとを目的として，裏面研削の前に外
周面１１ａの面取り部を表面側から裏面側にわたり厚さ方向に全て除去し（図３
(b)），又は，面取り部を滑らかな凹状の外周面１ａとする（図２(b)）ものであるから，甲２の２の「外周断面がナイフエッジ状等」とは，ウェハキャリアが切削さ
れるような半導体ウェハの外周部の形状，すなわち，外周断面を薄くしてウェハキ
ャリアが切削されるような面取り部の形状を意味する。
(ｲ) 甲２の１記載の手法は，半導体ウェハ９の外周部（面取り部）を部分的に
除去して薄くするという，甲２の２で問題点があるとする上記(ｱ)の構成を採用している（ウェハキャリアが切削されるという意味では，甲２の１の第１図(a)に示される面取り部が薄くなった形状と甲３（特開昭６２－２７２５１７号公報）に示
される面取り部がナイフエッジ状に薄くなった形状とは，同一である。）。
(ｳ) したがって，「甲２の１記載の手法における半導体基板の一方の面側周辺
部の研削が，甲２の２で，問題点があるとする「半導体ウェハの外周断面をあらか
じめナイフエッジ状に加工した」ものに該当するとは認め得ない。」とした審決
は，誤りである。
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オ 審決は，「本件各発明と同様の研削手法が甲２の１には示されている」と認
定した上，「本件各発明の作用効果が顕著なものであるとすることはできない。」
と判断した。
(ｱ) 上記イのとおり，甲２の１記載の手法は，「第２の半導体基板１１に第１
の半導体基板９の中央部１０を高温で貼り付けて一体化」する工程を必須のものと
しているのであって，１枚の半導体ウェハを研削する本件発明１とは全く異なる。
そして，甲２の１の第１の半導体基板９ａは，半導体素子が作り込まれる前のもの
で，全表面が粗面であるから，面取り部の一部を切除して他の一部を残しても，粗
面の影響を受けて，研削時に割れや欠けが生じやすいのに対し，本件発明１の半導
体ウェハ１は，半導体素子が作り込まれた後のもので，表面がＣＭＰ（化学的機械
研磨）により研磨された平滑面であるから，粗面の影響を受けることがほとんどな
く，研削時に割れや欠けが生じ難い。
(ｲ) したがって，本件発明１には，粗面の悪影響の解消という顕著な作用効果
があるから，審決の上記判断は，誤りである。
(2) 取消事由２（相違点２の判断の誤り）
審決は，「本件発明１及び甲２の２記載の発明における裏面研削の研削深さは，
裏面研削後の実装工程（後工程）で求められる半導体装置の厚みとするものであ
り，したがって，相違点２は表現上の相違に過ぎない。」と判断した。
本件発明１は，半導体ウェハに対する裏面研削の深さを切り込み深さとの関連で
定義しているが，甲２の２記載の発明は，切込みがなく，半導体ウェハに対する裏
面研削の深さを切り込み深さとの関連で定義することができないから，これをもっ
て，「表現上の相違に過ぎない。」ということはできない。
したがって，審決の上記判断は，誤りである。
２ 被告の反論
(1) 取消事由１（相違点１の判断の誤り）に対して
ア 原告の主張(1)アについて
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(ｱ) 原告は，審判における口頭審理において，本件発明１の「切込み」が本件
発明３等の「切り込んだ後，面取り部を所定の深さで除去する」ことを含むことを
自認しているから，「本件発明１のように，面取り部の表面側のみを除去して」と
の審決の認定が不正確であるということはできない。
(ｲ) 審決は，「外周の面取り部と平坦部との境界に切り込みを形成」すること
と「外周面を集積回路の形成面に対して略直角に研削」することを前提として，面
取り部を除去し，その後に裏面を研削する手法について認定している。そして，原
告主張の①は，表面側から「切り込みを形成」するものではないし，また，「略直
角に研削」するものでもなく，原告主張の②は，「表面側の面取り部の外周部を残
して」と記載されているから，面取り部を除去する手法ではなく，さらに，原告主
張の③は，本件発明１の「外周の面取り部と平坦部との境界に切り込みを形成」す
るに相当するのである。
(ｳ) したがって，「裏面研削に先立って，裏面研削時の割れ，欠けの原因とな
る表面側の面取り部を除去する手法としては，・・・２通りしか存在しない。」と
した審決の認定に誤りはない。
イ 原告の主張(1)イについて
甲２の１には，一方の面側の一部の周辺部のみを除去し，除去されなかった周辺
部の残部を他方の面の研削で除去する手法が示されている。
したがって，「半導体基板の一方の面の中央部のみを残存させる手法として，他
方の面の研削に先立って，一方の面側の一部の周辺部のみを除去し，除去されなか
った周辺部の残部を他方の面の研削で除去する手法は，甲２の１に示されてい
る。」とした審決の認定に誤りはない。
ウ 原告の主張(1)ウについて
(ｱ) 甲２の１記載の手法が，「第２の半導体基板１１に第１の半導体基板９の
中央部１０を高温で貼り付けて一体化」する工程を必須のものとしているとして
も，「第１の半導体基板９の他方の面を研削し，第１の半導体基板９の一方の面の
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中央部のみ残存させる」のであるから，甲２の１記載の手法と甲２の２記載の発明
とは，「半導体基板の一方の面の中央部のみを残存させる点で共通する」。
(ｲ) 甲２の１には，形成されたＳＯＩ基板に「半導体素子が作り込まれる」こ
とについて記載も示唆もなく，かえって，第２の発明の実施例には，半導体素子
（半導体領域２２ａ～２２ｄ）が作り込まれた第１の半導体基板１４が第２の半導
体基板２０に張り合わされているものが示されているから，甲２の１にいう半導体
装置とは，ＳＯＩ基板そのものを指称していると理解すべきである。
(ｳ) 半導体基板の裏面を研削して薄くすると，周縁部が「ナイフエッジ状」に
形成されることにより，周縁部に割れや欠けが生ずるところ，甲２の１記載の手法
も，甲２の２記載の発明も，これを解消しようとするものであって，課題を共通に
している。
(ｴ) 甲２の１記載の手法と甲２の２記載の発明とは同一技術分野に属するもの
であって，上記(ｱ)ないし(ｳ)の事情に照らすと，これらを組み合わせることに阻害要因はないから，「甲２の２記載の発明に甲２の１記載の手法を適用して，本件発
明１の相違点１に係る構成とすることは，当業者が容易になし得ることである。」
とした審決の認定判断に誤りはない。
エ 原告の主張(1)エについて
甲２の１の第１図(a)に示される表面側の周縁部を研削した形状と甲３の第１図
(a)に示される裏面側の周縁部をテーパー状に形成した形状とは，誰が見ても同一でない。
したがって，「甲２の１記載の手法における半導体基板の一方の面側周辺部の研
削が，甲２の２で，問題点があるとする「半導体ウェハの外周断面をあらかじめナ
イフエッジ状に加工した」ものに該当するとは認め得ない。」とした審決に誤りは
ない。
オ 原告の主張(1)オについて
上記イのとおり，甲２の１には，一方の面側の一部の周辺部のみを除去し，除去
--15
されなかった周辺部の残部を他方の面の研削で除去する手法が示されている。
したがって，これに基づき，「本件各発明の作用効果が顕著なものであるとする
ことはできない。」とした審決の判断に誤りはない。
(2) 取消事由２（相違点２の判断の誤り）
半導体ウェハに対する裏面研削の深さは，技術的にみて，適宜選択することがで
きる程度のものである。
したがって，「表現上の相違に過ぎない。」とした審決の判断に誤りはない。
第４ 当裁判所の判断
１ 取消事由１（相違点１の判断の誤り）について
(1) 相違点１の認定について
ア 甲２の２記載の発明は，審決が前記第２の３(1)イで認定するように，「裏
面研削時における半導体ウェハの割れや欠けを防止する」との課題を解決すること
を目的とした，「集積回路が表面に形成された半導体ウェハ１１の外周面１１ａを
集積回路の形成面に対して略直角に研削した後に，たとえば半導体ウェハ１１の厚
さが約２００μｍ程度になるように，上記半導体ウェハ１１に対してその裏面１１
ｂを研削する半導体集積回路装置の製造方法」である（このことは，原告も争わな
い。）。甲２の２の発明の詳細な説明には，従来の技術について，「この半導体ウ
ェハは，集積回路が形成されるまでの各工程においてウェハキャリアに収容される
ので，その際に外周部に欠けが生じないように断面が略円弧状に面取りされてい
る。このような断面が略円弧状の半導体ウェハを裏面研削すると，外周面と研削面
とで形成される角が最終研削位置に向かって鈍角から鋭角へと変化するために，研
削工程の後半で外周部に割れや欠けが生じやすくなり，完成した集積回路を破損し
てしまうという問題点がある。・・・」（段落【０００４】，【０００５】）との
記載があるから，上記課題の「裏面研削時における半導体ウェハの割れや欠け」と
は，断面が略円弧状に面取りされた半導体ウェハを裏面研削する際に，外周面と研
--16
削面とで形成される角が最終研削位置に向かって鈍角から鋭角へと変化することに
よって，研削工程の後半で外周部に生じる割れや欠けを意味するものである。
そうすると，甲２の２記載の発明の「集積回路が表面に形成された半導体ウェハ
１１の外周面１１ａを集積回路の形成面に対して略直角に研削」することの意義
は，裏面の研削工程の後半で外周面と研削面とで形成される角が鈍角から鋭角へと
変化することにより割れや欠けが生じる原因となる面取り部を，裏面研削に先立っ
て除去しておくところにあると解される（なお，甲２の２の図３は，実施例２によ
る半導体ウェハの研削方法で研削される半導体ウェハを示す断面図であるが，原告
は，審判における口頭審理（乙１）において，上記図３に，面取り部を除去するこ
とが示されていることを認めている。）。
イ 本件発明１の構成は，前記第２の２の【請求項１】のとおりである。本件発
明１の「外周の面取り部と平坦部との境界に切り込みを形成」するとは，本件発明
３等の「面取り部と平坦部との境界より中心寄りの位置に・・・切り込んだ後，・
・・面取り部を所定の深さで除去する」ことを含むと考えられるところ（原告も，
審判における口頭審理（乙１）において，このことを認めている。），本件明細書
（甲５）には，「上記構成（判決注；本件発明１の構成）によれば，半導体ウェハ
における表面の平坦部は，その外周にある面取り部とは境界に形成された切り込み
によって分離される。そのため，上記半導体ウェハに対して板厚が上記切り込み深
さよりも薄くなるまで裏面研削を行った場合に，薄板化された上記面取り部がひさ
し状（ナイフエッジ状）に半導体ウェハの周囲に残ることはない。したがって，板
厚が数十μｍ以下になるまで上記裏面研削を行っても，上記半導体ウェハの周囲で
割れや欠けは発生しない。」（段落【００１５】），「上記構成（判決注；本件発
明３の構成）によれば，極簡単な操作で，上記半導体ウェハの表面における上記面
取り部が所定の深さで除去される。そのために，上記半導体ウェハに対して板厚が
上記所定の深さよりも薄くなるまで裏面研削を行った場合に，上記面取り部がひさ
し状に半導体ウェハの周囲に残ることはない。」（段落【００１９】）との記載が
--17
あるから，本件発明１の「外周の面取り部と平坦部との境界に切り込みを形成」す
ることの意義は，裏面の研削工程で半導体ウェハの周囲にひさし状(ナイフエッジ
状)に残ることにより割れや欠けが生じる原因となる面取り部を，裏面研削に先立
って所定の深さで除去しておくところにあると解される。
ウ そして，甲２の２記載の発明にいう外周面と研削面とで形成される角が鋭角
の面取り部は，本件発明１にいう半導体ウェハの周囲にひさし状(ナイフエッジ状)に残る面取り部と同じことを意味すると認められるから，甲２の２記載の発明と本
件発明１とは，裏面の研削工程でひさし状の面取り部が残らないように，裏面研削
に先立ってひさし状になり得る部分を除去しておくという点で差異がない。
そうすると，審決が認定した本件発明１と甲２の２記載の発明との一致点に，
「表面側における面取り部を少なくとも一部除去」とあるのは，「少なくともひさ
し状になり得る部分を除去」するとの趣旨をいうものであり，また，審決が認定し
た本件発明１と甲２の２記載の発明との相違点１は，除去する対象が，本件発明１
では，面取り部のうちのひさし状になり得る部分であるのに対して，甲２の２記載
の発明では，ひさし状になり得る部分を含む面取り部の全部であるとの趣旨をいう
ものであると理解することができる。
(2) 相違点１の判断について
ア 甲２の１の特許請求の範囲には，「(1)第１の半導体基板の表面の周辺部を
研削し，中央部よりも薄い厚さにする工程と，・・・前記第１の半導体基板の裏面
を研削又はエッチングし，前記第１の半導体基板表面の中央部のみ・・・残存し，
・・・半導体層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方
法。」（１頁左下欄５行目ないし１８行目）との記載があり，発明の詳細な説明に
は，「〔従来の技術〕従来，ＳＯＩ基板を作成するため，２枚の半導体基板を貼り
合わせた後，一方の半導体基板を研削又はエッチングして必要な厚さだけ残すよう
にしている。しかし，接着に用いるＳＯＩ基板は保持具等と接触し，破損すること
を防ぐためにＲ面取りが施されている。そのため，ＳＯＩ基板の外周３～５mmは未--18
接着領域として残るため何らかの手段でこれらの領域を除去する必要がある。」
（２頁右上欄１６行目ないし左下欄５行目），「また，第４図（ａ）～（ｃ）に示
す特開平１－２２７４４１のように，２枚の半導体基板５，６を温度を印加しなが
ら行うよく知られた方法により貼り合わせた（第４図（ａ）～（ｃ））後，一方の
半導体基板５を所定の厚さに研削し（同図（ｄ）），その後，ＳＯＩ基板８ａの周
辺部の一方の半導体基板５ａを除去すると共に，他の半導体基板６を所定の厚さ残
すように研削することにより，ＳＯＩ基板８ｂの周辺部の形状を改善している（同
図（ｅ））。」（２頁左下欄１６行目ないし右下欄５行目）との記載がある。
また，第４図は，従来のＳＯＩ基板の作成方法について説明する断面図である
が，（ｄ）では，面取り部が半導体基板５ａの周辺部にひさし状に残っている状態
が示され，（ｅ）では，ひさし状に残った面取り部を除去した状態が示されてい
る。
イ 上記アによれば，甲２の１には，半導体基板の面取り部である表面周辺部を
研削し，その後，裏面を研削することによって表面の中央部のみが残存するように
して，裏面研削時において，半導体基板の周辺部にひさし状の部分が残らないよう
にする研削手法が記載されていると認められる。
ウ そうすると，甲２の１に記載された研削手法は，裏面の研削工程でひさし状
の面取り部が残らないように，裏面研削に先立ってひさし状になり得る部分を除去
しておくという点で甲２の２記載の発明と差異がないから，甲２の２記載の発明に
おいて，ひさし状になり得る部分を含む面取り部の全部を除去することに代えて，
甲２の１に記載された研削手法を適用して，面取り部のうちのひさし状になり得る
部分を除去すること，すなわち，相違点１に係る構成を本件発明１のとおりとする
ことは，当業者が容易になし得るものであると認められる。
(3) そこで，原告の主張について検討する。
ア 原告の主張(1)アについて
(ｱ) 原告は，本件発明１は，「切り込みを形成した」と規定しているのであっ
--19
て，「面取り部の表面側のみを除去する」というものではないから，「本件発明１
のように，面取り部の表面側のみを除去して」との審決の認定は不正確であると主
張する。
しかし，上記(1)イのとおり，本件発明１の「外周の面取り部と平坦部との境界
に切り込みを形成」するとは，本件発明３等の「面取り部と平坦部との境界より中
心寄りの位置に・・・切り込んだ後，・・・面取り部を所定の深さで除去する」こ
とを含むと考えられるのであって，原告自身も，審判における口頭審理において，
このことを認めている。そうであれば，「本件発明１のように，面取り部の表面側
のみを除去して」との審決の認定が不正確であるということはできない。
(ｲ) 原告は，裏面研削に先立って表面側の面取り部を除去する手法は，少なく
とも５通りあるところ，審決は，「２通りしか存在しない」ことの証拠を示さず
に，本件発明１の特許出願前には存在しない本件発明１自体を「２通りしか存在し
ない」ことの証拠としていると主張する。
しかし，第２の３の審決の説示によれば，審決は，裏面研削に先立ち表面側の面
取り部を除去する手法が２通りしか存在しないことを前提に，そのうちの甲２の２
記載の発明が採用しなかった手法（面取り部の表面側のみを除去しておき，除去さ
れなかった面取り部の残部を裏面研削で除去する手法）を甲２の２記載の発明に適
用して，本件発明１の相違点１に係る構成とすることが容易になし得ると判断した
というわけではなく，他方の面の研削に先立って，一方の面側の一部の周辺部のみ
を除去し，除去されなかった周辺部の残部を他方の面の研削で除去する手法が甲２
の１に示されているとして，これを甲２の２記載の発明に適用して，本件発明１の
相違点１に係る構成とすることが容易になし得ると判断したのである。
そうであれば，本件発明１の相違点１に係る構成とすることが容易になし得ると
の審決の判断は，裏面研削に先立ち表面側の面取り部を除去する手法が２通りしか
存在しないものであるか否かにかかわらないのであって，「２通りしか存在しな
い。」との審決の認定が誤りであるとしても，相違点１についての審決の判断を左
--20
右しない。
イ 原告の主張(1)イについて
原告は，審決が甲２の１に示されていると認定した手法は，「第２の半導体基板
１１に第１の半導体基板９の中央部１０を高温で貼り付けて一体化」する工程を欠
いていて，甲２の１に開示された手法とは異なると主張する。
確かに，甲２の１によれば，甲２の１に記載された半導体装置は，第１の半導体
装置の表面と第２の半導体装置の表面とを貼り合わせる工程を必須のものとしてい
るということができる。しかし，そうであるとしても，甲２の１に記載された事項
を，第１の半導体装置の表面と第２の半導体装置の表面とを貼り合わせる工程を有
する半導体装置であることに限定して理解しなければならないわけではないのであ
って，甲２の１の記載によれば，前記(2)イのとおり，甲２の１には，半導体基板の面取り部である表面周辺部を研削し，その後，裏面を研削することによって表面
の中央部のみが残存するようにして，裏面研削時において，半導体基板の周辺部に
ひさし状の部分が残らないようにする研削手法が記載されていると認めることがで
きるのである。そうであれば，審決の上記認定に誤りはない。
ウ 原告の主張(1)ウについて
原告は，①甲２の１記載の手法と甲２の２記載の発明とは，「半導体基板の一方
の面の中央部のみを残存させる点で共通する」というものではない，②甲２の１記
載の技術は，裏面研削時に面取り部の割れや欠けが問題になることはないのに対
し，本件発明１や甲２の２記載の発明は，裏面研削時に割れや欠けによる劈開が中
央部に進行するというＳＯＩ基板にない問題がある，③甲２の１記載の半導体基板
９ａの切込みのある側の表面の中央部である凸部１０の表面は，極めて平滑で，凹
凸がないものでなければならないのに対し，甲２の２記載の発明の半導体ウェハ１
１の表面は，必ず凹凸がある，④甲２の１記載の凸部１０は，その表面に半導体素
子を形成しておくことはできないのに対し，甲２の２記載の発明の半導体ウェハの
表面１１は，集積回路（半導体素子）があらかじめ作り込まれているから，甲２の
--21
１記載の手法と甲２の２記載の発明とを組み合わせることには阻害要因があると主
張する。
原告の上記主張は，甲２の１に記載された半導体装置が，第１の半導体装置の表
面と第２の半導体装置の表面とを貼り合わせる工程を必須のものとしていることを
前提とするものであるが，上記イのとおり，甲２の１に記載された事項を，第１の
半導体装置の表面と第２の半導体装置の表面とを貼り合わせる工程を有する半導体
装置であることに限定して理解しなければならないわけではないから，原告の上記
主張はその前提を欠くのである。しかも，上記(2)ウのとおり，甲２の１に記載された研削手法は，裏面の研削工程でひさし状の面取り部が残らないように，裏面研
削に先立ってひさし状になり得る部分を除去しておくという点，すなわち，「半導
体基板の一方の面の中央部のみを残存させる点」で甲２の２記載の発明と差異がな
く，甲２の１記載の手法と甲２の２記載の発明とが最も狭い意味における同一技術
分野に属することを併せ考えると，甲２の１記載の手法と甲２の２記載の発明とを
組み合わせることに容易想到性があるとする判断を左右するものではない。
エ 原告の主張(1)エについて
原告は，甲２の２の「外周断面がナイフエッジ状等」とは，外周断面を薄くして
ウェハキャリアが切削されるような面取り部の形状を意味するところ，甲２の１記
載の手法は，半導体ウェハ９の外周部（面取り部）を部分的に除去して薄くすると
いう，甲２の２で問題点があるとする「外周断面がナイフエッジ状等」の構成を採
用していると主張する。
甲２の２の発明の詳細な説明には，「・・・特開昭６２－２７２５１７号公報に
記載されているように，スライスされた半導体ウェハの外周断面をあらかじめナイ
フエッジ状，あるいは凹状に加工して所定の回路素子などを形成し，形成後に所定
の厚さに裏面研削を行って最終的に円弧状の凸状断面とするものが提案されてい
る。【発明が解決しようとする課題】しかし，このような前記した技術では，なお
次のような問題点があった。すなわち，外周断面がナイフエッジ状等に加工されて
--22
いるために，ウェハキャリアに収容した際，たとえば，半導体ウェハの外周部によ
ってウェハキャリアが切削されて塵埃となり，それが半導体ウェハに付着して形成
される阻止を破壊したり，あるいは，半導体ウェハの外周部に割れや欠けが生じ，
半導体ウェハ自体を破損してしまうというものである。」（段落【０００６】ない
し【０００８】），「また，本発明の半導体ウェハの研削方法によれば，集積回路
が形成されるまでの各工程においては，その外周断面は略円弧状に面取りされた状
態が維持されておりナイフエッジ状には形成されていないので，ウェハキャリアに
収容されたときに半導体ウェハ自体に割れや欠けが発生したり，あるいは，半導体
ウェハによってウェハキャリアが切削されることがない。」（段落【００１６】）
との記載がある。これによれば，従来技術におけるウェハキャリアに収容した際の
問題点は，集積回路が形成されるまでの各工程におけるものである。これに対し，
甲２の２記載の発明は，審決が前記第２の３(1)イで認定するように，「集積回路が表面に形成された半導体ウェハ１１の外周面１１ａを集積回路の形成面に対して
略直角に研削した後に，たとえば半導体ウェハ１１の厚さが約２００μｍ程度にな
るように，上記半導体ウェハ１１に対してその裏面１１ｂを研削する半導体集積回
路装置の製造方法」であって，半導体ウェハ１１の外周面１１ａを略直角に研削す
るのは，集積回路が形成された後である。
そうであれば，甲２の１記載の手法を甲２の２記載の発明に適用するのは，集積
回路が形成された後のことであって，集積回路が形成されるまでの各工程における
ウェハキャリアに収容した際の問題点とは何ら関係するものではないから，仮に甲
２の１記載の手法が甲２の２で問題点があるとする「外周断面がナイフエッジ状
等」の構成を採用しているものであるとしても，相違点１についての審決の判断を
左右するものではない。
オ 原告の主張(1)オについて
原告は，甲２の１記載の手法は，「第２の半導体基板１１に第１の半導体基板９
の中央部１０を高温で貼り付けて一体化」する工程を必須のものとしていて，１枚
--23
の半導体ウェハを研削する本件発明１とは全く異なるところ，本件発明１は，研削
時に割れや欠けが生じ難く，粗面の悪影響の解消という顕著な作用効果があると主
張する。
前記(2)イのとおり，甲２の１には，半導体基板の面取り部である表面周辺部を
研削し，その後，裏面を研削することによって表面の中央部のみが残存するように
して，裏面研削時において，半導体基板の周辺部にひさし状の部分が残らないよう
にする研削手法が記載されていると認められるところ，これは，裏面の研削工程で
半導体ウェハの周囲にひさし状(ナイフエッジ状)に残ることにより割れや欠けが生じる原因となる面取り部を，裏面研削に先立って所定の深さで除去しておくという
本件発明１と差異がない。
そして，研磨された平滑面を研削する本件発明１において，研削時に割れや欠け
が生じ難いとみるべき根拠はないし，また，甲２の１の第１の半導体基板９ａの表
面が粗面であり，本件発明１の半導体ウェハ１の表面が研磨された平滑面であると
しても，研削中の面は研削によって粗面に変化するから，この状態のときにおいて
は，両者に格別の差異はないのであって，研削開始時の表面が粗面であるか，平滑
面であるかとの点に起因して，作用効果に格別の差異が生じるとみるべき根拠もな
いから，甲２の１記載の研削手法と本件発明１との間で，研削時に生じる割れや欠
けに差異があるということはできない。
(4) 以上のとおりであって，相違点１についての審決の判断に誤りはないか
ら，原告主張の取消事由１は，理由がない。
２ 取消事由２（相違点２の判断の誤り）
(1) 本件明細書には，「半導体ウェハに対して板厚が上記切り込み深さよりも
薄くなるまで裏面研削を行った場合に，薄板化された上記面取り部がひさし状(ナ
イフエッジ状)に半導体ウェハの周囲に残ることはない。」（段落【００１５】）
との記載があるところ，これによれば，相違点２に係る本件発明の「裏面研削を，
半導体ウェハの板厚が切り込み深さよりも薄くなるまで行う」ことの技術的意義
--24
は，必要とされる半導体装置の厚みになるまで裏面研削を行った後において，半導
体ウェハの周囲にひさし状(ナイフエッジ状)の面取り部が残らないように切り込み深さを設定したことにあると認められる。
(2) これに対し，甲２の２記載の発明は，相違点１として認定するように，除
去する対象が面取り部の全部であるから，切り込み深さを設定するという発想はな
い。ところで，上記１(2)イのとおり，甲２の１に記載された研削手法は，半導体基板の面取り部である表面周辺部を研削し，その後，裏面を研削することによって
表面の中央部のみが残存するようにして，裏面研削時において，半導体基板の周辺
部にひさし状の部分が残らないようにするというものであり，「表面の中央部のみ
が残存する」とは，研削した表面周辺部の深さよりも半導体基板が薄くなるまで裏
面研削を行うことにほかならないから，甲２の２記載の発明に甲２の１記載の手法
を適用すれば，必然的に，相違点２に係る「裏面研削を，半導体ウェハの板厚が切
り込み深さよりも薄くなるまで行う」という本件発明の構成がもたらされるのであ
る。
(3) そうであれば，相違点２に係る本件発明１の構成とすることは，甲２の１
記載の事項に基づいて，当業者が容易になし得ることができる程度のことであると
認められる。
(4) 以上のとおりであって，相違点２について実質上格別の相違点ではないと
した審決の判断に誤りはないということができるから，原告主張の取消事由２は，
理由がない。
第５ 結論
よって，原告主張の審決取消事由はすべて理由がないから，原告の請求は棄却さ
れるべきである。
知的財産高等裁判所第４部
--25
裁判長裁判官
塚原朋一
裁判官
高野輝久
裁判官
佐藤達文
出典：裁判所ウェブサイト「裁判例検索」（https://www.courts.go.jp/hanrei/33385/detail7/index.html）。本文は同サイト掲載の判決書PDFからTaiLexi AIがテキスト化・整形したもの（正確な文言は原本PDFを参照）。判示事項・裁判要旨・参照法条は裁判所の公表どおり。