平成２１年３月６日判決言渡
同日原本領収
裁判所書記官
平成２０年（ワ）第１４８５８号
特許権侵害差止請求事件
口頭弁論終結日
平成２１年１月２３日
判決
コリア〈以下略〉
原告
三星電子株式会社
訴訟代理人弁護士
大野聖二同井上義隆
訴訟代理人弁理士
片山健一同津田理
大阪市〈以下略〉
被告
シャープ株式会社
訴訟代理人弁護士
永島孝明同安國忠彦同明石幸二郎
訴訟代理人弁理士
深見久郎同森田俊雄同吉田昌司同荒川伸夫補佐人弁理士磯田志郎同和田吉樹主文
被告は，別紙イ号物件目録記載の製品を生産し，譲渡し，貸し渡し，輸出若しくは輸入し，又はその譲渡若しくは貸渡しの申出（譲渡若しくは貸渡しのための展示を含む。）をしてはならない。被告は，被告の占有にかかる前項の製品を廃棄せよ。
訴訟費用は被告の負担とする。
この判決の第１項は，仮に執行することができる。
事実及び理由
第１
請求
主文第１，２項と同旨
第２
事案の概要
事案の要旨
本件は，発明の名称を「液晶表示装置の製造方法」とする特許番号第３６２５５９８号の特許（以下，この特許を「本件特許」，この特許権を「本件特許権」という。）の特許権者である原告が，被告が別紙イ号物件目録記載の製品の製造，販売又はその販売の申出等をする行為が，本件特許権の侵害に当たる旨主張して，被告に対し，特許法１００条１項，２項に基づき，上記製品の生産，譲渡，輸出等の差止め及び廃棄を求めた事案である。争いのない事実
(1)
当事者
ア
原告は，半導体，携帯電話，液晶モニター等の製造，販売を業とする韓国法人である。
イ
被告は，液晶テレビ等電気機械器具の製造，販売等を業とする株式会社である。
(2)
原告の特許権
ア
原告は，平成８年１２月２７日，発明の名称を「液晶表示装置の製造方法」とする発明につき特許出願（優先権主張平成７年１２月３０日・平成８年１０月５日，特願平８－３５１４５６号。以下「本件出願」という。）をし，平成１６年１２月１０日，本件特許権の設定登録（請求項の数４）を受けた。
イ
本件特許に係る願書に添付した明細書（以下，図面を含めて「本件明細書」という。）の特許請求の範囲の請求項１ないし４の記載は，次のとおりである（以下，請求項１に係る発明を「本件発明１」，請求項２に係る発明を「本件発明２」，請求項３に係る発明を「本件発明３」，請求項４に係る発明を「本件発明４」という。）。
「【請求項１】
薄膜トランジスタ部及びパッド部を有する液晶表示装
置の製造方法において，基板上に第１金属膜及び第２金属膜を順番に積層した後，１次写真蝕刻して前記薄膜トランジスタ部及びパッド部にゲート電極及びゲートパッドをそれぞれ形成する段階と，前記ゲート電極及びゲートパッドの形成された基板の全面に絶縁膜及び半導体膜を順番に形成する段階と，前記半導体膜を２次写真蝕刻して前記薄膜トランジスタ部に半導体膜パターンを形成する段階と，前記半導体膜パターンの形成された基板の全面に第３金属膜を形成する段階と，前記第３金属膜を３次写真蝕刻して前記薄膜トランジスタ部にソース電極及びドレイン電極を形成する段階と，前記ソース電極及びドレイン電極の形成された基板の全面に保護膜を形成する段階と，前記保護膜及び絶縁膜を４次写真蝕刻して前記ドレイン電極の表面と，前記ゲートパッドの表面を露出させるコンタクトホールを形成し，前記ゲートパッドより内側にオープンされるように前記保護膜及び絶縁膜を蝕刻する段階と，前記コンタクトホールの形成された基板の全面に透明導電膜を形成する段階と，前記透明導電膜を５次写真蝕刻して，前記ドレイン電極と接続される第１画素電極パターンと，ゲートパッドと接続される第２画素電極パターンとを形成する段階と，を含み，前記半導体膜パターンを形成する段階及びソース電極及びドレイン電極を形成する段階のうち，少なくとも何れか一段階は，前記パッド部に形成されるコンタクトホールの縁の前記第２金属膜の上に，前記半導体膜あるいは第３金属膜のうち少なくとも何れか一つが残る段階からなることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。」
「【請求項２】
前記第１金属膜はアルミニウムあるいはアルミニウム
合金から形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。」
「【請求項３】
前記第２金属膜は耐火金属から形成されることを特徴
とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。」
「【請求項４】
前記画素電極パターンを形成する段階は，前記画素電
極パターンは前記パッド部の保護膜及び絶縁膜のオープンされた部分より大きく形成する段階からなることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。」
ウ(ア)
本件発明１を構成要件に分説すると，次のとおりである。
Ａ
薄膜トランジスタ部及びパッド部を有する液晶表示装置の製造方法において，
Ｂ
基板上に第１金属膜及び第２金属膜を順番に積層した後，１次写真蝕刻して前記薄膜トランジスタ部及びパッド部にゲート電極及びゲートパッドをそれぞれ形成する段階と，
Ｃ
前記ゲート電極及びゲートパッドの形成された基板の全面に絶縁膜及び半導体膜を順番に形成する段階と，
Ｄ
前記半導体膜を２次写真蝕刻して前記薄膜トランジスタ部に半導体膜パターンを形成する段階と，
Ｅ
前記半導体膜パターンの形成された基板の全面に第３金属膜を形成する段階と，
Ｆ
前記第３金属膜を３次写真蝕刻して前記薄膜トランジスタ部にソース電極及びドレイン電極を形成する段階と，
Ｇ
前記ソース電極及びドレイン電極の形成された基板の全面に保護膜を形成する段階と，
Ｈ
前記保護膜及び絶縁膜を４次写真蝕刻して前記ドレイン電極の表面と，前記ゲートパッドの表面を露出させるコンタクトホールを形成し，前記ゲートパッドより内側にオープンされるように前記保護膜及び絶縁膜を蝕刻する段階と，
Ｉ
前記コンタクトホールの形成された基板の全面に透明導電膜を形成する段階と，
Ｊ
前記透明導電膜を５次写真蝕刻して，前記ドレイン電極と接続される第１画素電極パターンと，ゲートパッドと接続される第２画素電極パターンとを形成する段階と，を含み，
Ｋ
前記半導体膜パターンを形成する段階及びソース電極及びドレイン電極を形成する段階のうち，少なくとも何れか一段階は，前記パッド部に形成されるコンタクトホールの縁の前記第２金属膜の上に，前記半導体膜あるいは第３金属膜のうち少なくとも何れか一つが残る段階からなることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。(イ)
本件発明２を構成要件に分説すると，次のとおりである。
Ａ～Ｋ（前記(ア)のとおり）
Ｌ
前記第１金属膜はアルミニウムあるいはアルミニウム合金から形成されることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
(ウ)
本件発明３を構成要件に分説すると，次のとおりである。
Ａ～Ｋ（前記(ア)のとおり）
Ｍ
前記第２金属膜は耐火金属から形成されることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
(エ)
本件発明４を構成要件に分説すると，次のとおりである。
Ａ～Ｋ（前記(ア)のとおり）
Ｎ
前記画素電極パターンを形成する段階は，前記画素電極パターンは前記パッド部の保護膜及び絶縁膜のオープンされた部分より大きく形成する段階からなることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
(3)
被告の行為
被告は，別紙イ号物件目録記載の製品（以下，同製品を「イ号液晶テレビ」といい，同製品に搭載された液晶モジュールを「イ号液晶モジュール」という。）を製造し，販売し，販売の申出をしている。争点
本件の争点は，イ号液晶モジュールの製造方法が本件発明１ないし４の構成要件を充足し，その技術的範囲に属するか否か（争点１），本件特許に無効理由があり，原告の本件特許権の行使が特許法１０４条の３第１項により制限されるかどうか（争点２）である。
第３
争点に関する当事者の主張
争点１（イ号液晶モジュールの製造方法の本件発明１ないし４の技術的範囲の属否）
(1)
原告の主張
ア
本件発明１の「薄膜トランジスタ部」，「パッド部」及び「ゲートパッド」の意義
(ア)
本件発明１の「薄膜トランジスタ部」とは，本件明細書（甲３）の図９，１１に図示されているように（図中の左側部分の「ＴＦＴ部」），画素領域に設けられ，ソース，ドレイン，ゲートにより構成される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及びドレイン電極の表面を露出させる「コンタクトホール」が形成された領域をいう。
(イ)
本件発明１の「ゲートパッド」とは，液晶表示装置の画素領域外（基板の周辺）の領域において，ゲートラインの一端（末端）に形成される電極をいい（本件明細書の段落【００３７】，図６），ゲート電極を構成する「第１金属膜」，「第２金属膜」により形成される。
そして，本件発明１の「パッド部」は，本件明細書の図９，１１に図示されているように（図中の右側部分の「パッド部」），上記「ゲートパッド」と「第２画素電極パターン」との接続が行われる領域をいう。この「パッド部」において行われる「ゲートパッド」と「第２画素電極パターン」の接続は，「ゲートパッドの表面を露出させるコンタクトホール」（請求項１）を介して行われる。
イ
イ号液晶モジュールの構造
イ号液晶モジュールは，次のように，「薄膜トランジスタ部」と「パッド部」を有している。
(ア)
薄膜トランジスタ部
ａ
イ号液晶モジュールの「薄膜トランジスタ部」（ＴＦＴ部）においては，薄膜トランジスタのドレイン電極は，ゲート電極・ソース電極の交点付近から右斜上方に向かって伸びるように形成されており，その端部にはコンタクトホールが形成されている。
ｂ
イ号液晶モジュールの薄膜トランジスタ部の構造の概要は，別紙１(1)のとおりである（甲５の写真５－６，甲６の写真５－６，５－１２等）。
すなわち，基板（ａ）上に，「チタン」を含む金属膜（ｂ），「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｃ）及び「チタン」を含む金属膜（ｄ）が基板側から順番に積層されて，その側壁が基板（ａ）に対して傾くようにゲート電極が形成され，このゲート電極上に絶縁膜（ｅ）が設けられている。
絶縁膜（ｅ）の上には，第１の非晶質シリコン（ａ－Ｓｉ）膜（ｆ）及び第２の非晶質シリコン（ａ－Ｓｉ）膜（ｇ）が順次積層されてパターニングされ，第２の非晶質シリコン膜（ｇ）の上に，「チタン」を含む金属膜（ｈ）と「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）を積層してなるソース電極及びドレイン電極が形成されている。
上記パターニングされた第２の非晶質シリコン膜（ｇ）全体の下部表面は第１の非晶質シリコン膜（ｆ）の表面と当接しており，第２の非晶質シリコン膜（ｇ）パターンの一部が第１の非晶質シリコン膜パターン（ｆ）と接触している。
そして，ソース電極，ドレイン電極及びソース－ドレイン電極間に形成されるチャネル領域（第２の非晶質シリコン膜（ｇ）が除去されることで露出する第１の非晶質シリコン膜（ｆ）の表面）は，保護膜（ｊ）より被覆されている。
ｃ
イ号液晶モジュールの薄膜トランジスタ部のコンタクトホール部の構造の概要は，別紙１(2)のとおりである（甲５の写真７－５等）。
すなわち，基板（ａ）上に絶縁膜（ｅ）が設けられており，この絶縁膜（ｅ）の上には，第１の非晶質シリコン膜（ｆ）及び第２の非晶質シリコン膜（ｇ）が順次積層されてパターニングされている。
第２の非晶質シリコン膜（ｇ）の上には，「チタン」を含む金属膜（ｈ）と「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）を積層してなるドレイン電極（の端部）が形成されており，当該ドレイン電極の一部を露出するように保護膜（ｊ）が形成され，ドレイン電極のうちの「チタン」を含む金属膜（ｈ）の一部が，透明導電膜（ｋ）に電気的に接続している。
なお，「アルミニウム合金膜」ないし「アルミニウム膜」（ｉ）の上には保護膜（ｊ）が形成されており，透明導電膜（ｋ）とは接していない。
(イ)
パッド部
ａ
イ号液晶モジュールには，画素領域外の基板周辺部に，「ゲート－パッド連結部１」及び「ゲート－パッド連結部２」が形成され，それぞれにおいて「ゲートパッド」と「第２画素電極パターン」との接続部である「パッド部」が形成されている。
すなわち，イ号液晶モジュールにおいて，画素領域外の基板周辺部に形成されたゲートラインは，「ゲート電極」の末端部分であり，「ゲートパッド」に相当する。そして，「ゲート－パッド連結部１」及び「ゲート－パッド連結部２」において，それぞれ上記「ゲートパッド」と「画素電極」である透明導電膜（ｋ）との接続が行われていることから，「ゲート－パッド連結部１」及び「ゲート－パッド連結部２」は，いずれも「パッド部」に該当する。ｂ
（長文のため、ここでは本文の冒頭のみを掲載しています。全文はこのページの表示後に読み込まれます。原本は原本PDFをご覧ください。）
出典：裁判所ウェブサイト「裁判例検索」（https://www.courts.go.jp/hanrei/37418/detail7/index.html）。本文は同サイト掲載の判決書PDFからTaiLexi AIがテキスト化・整形したもの（正確な文言は原本PDFを参照）。判示事項・裁判要旨・参照法条は裁判所の公表どおり。