平成２２年２月２４日判決言渡
同日原本領収
裁判所書記官
平成２０年（ワ）第８０８６号
特許権侵害差止等請求事件
口頭弁論終結日
平成２１年１１月４日
判決
東京都千代田区＜以下略＞
原告
古河電気工業株式会社
同訴訟代理人弁護士
片山英二同北原潤一同黒田薫
同訴訟代理人弁理士
山崎京介同補佐人弁理士黒川恵
横浜市＜以下略＞
被告
日本オプネクスト株式会社
同訴訟代理人弁護士
古城春実同堀籠佳典同石井健同仁瓶善太郎同玉城光博同補佐人弁理士中村守主文
原告の請求を棄却する。
訴訟費用は，原告の負担とする。
事実及び理由
第１
請求
被告は，原告に対し，金３億円及びこれに対する平成２０年４月２日から支払済みまで年５分の割合による金員を支払え。
第２
事案の概要
本件は，量子井戸半導体レーザ素子についての特許権を有する原告が，被告に対し，被告が製造・販売する量子井戸半導体レーザー素子（発光レーザモジュールの構成部材であるものを含む。）は，原告の特許発明の技術的範囲に属し，原告の特許権を侵害しているとして，民法７０９条及び特許法１０２条３項に基づき，損害賠償金４７億９５００万円の一部請求として金３億円及びこれに対する訴状送達の日の翌日である平成２０年４月２日から支払済みまで民法所定の年５分の割合による遅延損害金の支払を求める事案である。争いのない事実等（争いのない事実以外は証拠等を末尾に記載する。）(1)
当事者
ア
原告は，半導体光デバイス，光関連部品等の製造・販売を含む，各種の事業を営む株式会社である。
イ
被告は，光通信関連部品及び半導体素子等の製造・販売等を業とする株式会社である。
⑵
原告の特許権
ア
原告は，次の特許権（以下「本件特許権」という。）を有していた（以下，下記の特許請求の範囲の請求項１に係る発明を「本件発明」と，本件発明に係る特許を「本件特許」と，本件特許権に係る明細書を「本件明細書」といい，本件特許の特許公報を，末尾に添付する。）。なお，本件特許権の存続期間は，平成２０年１１月１１日の経過により，満了している（弁論の全趣旨）。
特許番号
特許第２８９８６４３号
発明の名称
量子井戸半導体レーザ素子
出願日
昭和６３年１１月１１日
出願番号
特願昭６３－２８５５４９
登録日
平成１１年３月１２日
特許請求の範囲
【請求項１】ＩｎＰ基板上に，量子井戸層とバリア層からなる活性層を含むⅢ－Ｖ族化合物半導体層を有する量子井戸半導体レーザ素子において，量子井戸層はその格子定数がＩｎＰの格子定数よりも大きい膜厚２．５ｎｍ～３０ｎｍのＧａ
Ｉｎ
Ａｓ
Ｐ
(０＜x1，y1＜１）であり，
ｘ１
１－ｘ１
ｙ１
１－ｙ１
ｘ２
バリア層はその格子定数がＩｎＰの格子定数よりも小さいＧａ
Ｉｎ
Ａｓ
Ｐ
(０＜x2，y2＜１)であることを特徴とする１．３～１．
ｘ２
ｙ２
１－ｙ２
５５μｍ用量子井戸半導体レーザ素子。
イ
本件発明の構成要件を分説すると，次のとおりである（以下，分説した構成要件を，それぞれ「構成要件Ａ」等という。）。
Ａ
ＩｎＰ基板上に，量子井戸層とバリア層からなる活性層を含むⅢ－Ｖ族化合物半導体層を有する量子井戸半導体レーザ素子において，Ｂ
量子井戸層はその格子定数がＩｎＰの格子定数よりも大きい膜厚２．５ｎｍ～３０ｎｍのＧａ
Ｉｎ
Ａｓ
Ｐ
(０＜x1，y1＜１）であ
ｘ１
１－ｘ１
ｙ１
１－ｙ１
り，
Ｃ
バリア層はその格子定数がＩｎＰの格子定数よりも小さいＧａ
Ｉｎ
ｘ２
Ａｓ
Ｐ
(０＜x2，y2＜１)であることを特徴とする
１－ｘ２
ｙ２
１－ｙ２
Ｄ
１．３～１．５５μｍ用量子井戸半導体レーザ素子。
(3)
本件特許に係る特許出願（以下「本件特許出願」という。）の経過は，次のとおりである（甲１，２，乙２の１ないし１５）
ア
事実経過
特許出願
昭和６３年１１月１１日（特願昭６３－２８５
５４９）
出願公開
平成２年５月１８日（特開平２－１３０９８
８）
拒絶理由通知（第１回）
平成８年８月１日付け拒絶理由通知
手続補正（第１回）
平成８年１１月５日付け手続補正書及び同日付
け意見書
拒絶理由通知（第２回）
平成８年１２月１７日付け拒絶理由通知
拒絶査定
平成９年４月２１日
拒絶査定不服審判請求
平成９年７月１０日（平成９年審判第１１５５
３号）
手続補正（第２回）
平成９年８月１１日付け手続補正書
審判請求理由補充
平成９年９月２２日付け審判請求理由補充書
前置報告
平成１０年６月２５日（拒絶相当）
拒絶理由通知（第３回）
平成１０年１２月１１日付け拒絶理由通知
手続補正（第３回）
平成１０年１２月１1日付け手続補正書及び同日
付け意見書
審決
平成１０年１２月２４日（原査定取消し）
登録
平成１１年３月１２日
特許異議申立て
平成１１年１２月２日（平成１１年異議第７４
４６７号）
異議の決定
平成１２年２月２４日（特許を維持する。）
イ
本件特許出願の願書に最初に添付した明細書及び図面（以下「本件当初明細書」という。）は，別紙本件当初明細書記載のとおりである。ウ
手続補正（第１回）（以下「第１回補正」という。）の内容（乙２の４）
第１回補正の内容は，以下のとおりである。
(ア)
特許請求の範囲を，次のとおり，改めた。
「(1)ＩｎＰ基板上に，量子井戸層とバリア層からなる活性層を含むⅢ－Ⅴ族化合物半導体層を有する量子井戸半導体レーザ素子において，組成Ｃの量子井戸層の格子定数ａ（Ｃ），ＩｎＰの格子定数ａ（ＩｎＰ）Ｗ
Ｗ
および組成Ｃのバリア層の格子定数ａ（Ｃ）が，ａ（Ｃ）＜ａ（ＩｎＢ
Ｂ
Ｂ
Ｐ）＜ａ（Ｃ）であることを特徴とする量子井戸半導体レーザ素子。Ｗ
(2)量子井戸層は，ａ（Ｇａ
Ｉｎ
Ａｓ
Ｐ
）＞ａ（ＩｎＰ）で
ｘ１
１－ｘ１
ｙ１
１－ｙ１
あるＧａ
Ｉｎ
Ａｓ
Ｐ
（０≦x1，y1≦１）であり，バリア層
ｘ１
１－ｘ１
ｙ１
１－ｙ１
は，Ｇａ
Ｉｎ
Ａｓ
Ｐ
（０≦x2，y2≦１）であることを特徴
ｘ２
１－ｘ２
ｙ２
１－ｙ２
とする請求項１記載の量子井戸半導体レーザ素子。
(3)～(5)
（略）」
(イ)
本件当初明細書１１頁２ないし５行（第２の実施例の記載）の「バリア層（21）が歪のない，ＩｎＰより小さい格子定数をもつＧａＩｎＡｓＰ化合物であり，量子井戸層（20）は歪のない，ＩｎＰより大きい格子定数をもつものである。」とあるのを，「バリア層（21）がＩｎＰより小さい格子定数をもつＧａＩｎＡｓＰ化合物であり，量子井戸層（20）はＩｎＰより大きい格子定数をもつものである。」と改めた。エ
手続補正（第２回）（以下「第２回補正」という。）の内容（乙２の９）
第２回補正においては，明細書の全部を別紙第２回補正明細書記載のとおりに改めた。
オ
手続補正（第３回）（以下「第３回補正」という。）の内容（乙２の１３）
第３回補正においては，特許請求の範囲中「０≦x1，y1≦１」，「０≦x2，y2≦１」とあるのを，それぞれ「０＜x1，y1＜１」，「０＜x2，y2＜１」とするとともに，レーザ素子の波長につき「１．３～１．５５μｍ用」に限定する等の補正を行った。
(4)
被告は，量子井戸半導体レーザ素子及びこれを構成部材として含む発光レーザモジュールを製造・販売している（以下，被告が製造・販売する量子井戸半導体レーザ素子及び被告が製造・販売する発光レーザモジュールの構成部材である量子井戸半導体レーザ素子を「被告レーザ素子」という。）。(5)
平成５年法律第２６号附則２条２項により本件特許権について適用され得る同法による改正前の特許法４０条（以下「旧特許法４０条」という。）は，次のとおり，規定していた。
（明細書等の補正と要旨変更）
第４０条
願書に添附した明細書又は図面について出願公告をすべき旨の決定の謄本の送達前にした補正がこれらの要旨を変更するものと特許権の設定の登録があつた後に認められたときは，その特許出願は，その補正について手続補正書を提出した時にしたものとみなす。
争点
(1)
被告レーザ素子は，本件発明の技術的範囲に含まれるか（特に，構成要件Ｃの充足性）。
(2)
本件特許は，特許無効審判により無効にされるべきものか。
ア
明細書の要旨変更の有無
イ
明細書の要旨変更による出願日繰下げを前提とする新規性及び進歩性の欠如
ウ
現実の出願日を基準とする進歩性の欠如
エ
特許法３６条違反
(3)
原告の損害の有無及びその額
第３
争点についての当事者の主張
争点(1)（被告レーザ素子は，本件発明の技術的範囲に含まれるか）について（原告の主張）
(1)
被告が製造・販売するレーザ素子
ア
被告は，遅くとも平成１３年２月から，別紙物件目録１記載の物件（以下「本件対象製品１」といい，本件対象製品１の構成を有する量子井戸半導体レーザ素子を「本件対象レーザ素子」という。）及び本件対象レーザ素子を主要な構成部材とする同目録２記載の物件（以下「本件対象製品２」といい，本件対象製品１及び本件対象製品２を併せて「本件対象各製品」という。）を製造・販売している。
イ
本件対象各製品に該当するものとしては，例えば，被告が製造・販売する発光レーザモジュールの型番ＬＥ７６０２－Ｌ（甲３，４。以下「ＬＥ７６０２」という。），ＴＲＦ７０５２ＢＮ－ＧＡ０００（甲１５。以下「ＴＲＦ７０５２」という。），ＨＬ１５１３ＣＰ（甲２７。以下「ＨＬ１５１３」という。），ＨＬ１５９４ＣＰ－Ｗ（甲２８。以下「ＨＬ１５９４」という。）がある。
(2)
被告レーザ素子の構成要件充足性
ア
構成要件Ａについて
被告レーザ素子は，ＩｎＰ基板上に，量子井戸層とバリア層からなる活性層を含むⅢ－Ⅴ族化合物半導体層を有する量子井戸半導体レーザ素子であり，構成要件Ａを充足する。
イ
構成要件Ｂについて
被告レーザ素子中の量子井戸層の格子定数は，ＩｎＰの格子定数よりもｘ１
１－ｘ１
ｙ１
大きい（甲４）。また，当該量子井戸層の組成は，Ｇａ
Ｉｎ
Ａｓ
Ｐ
(０＜x1，y1＜１）で，その膜圧は約８ｎｍである。
１－ｙ１
したがって，被告レーザ素子は，構成要件Ｂを充足する。
ウ
構成要件Ｃについて
後記のとおり，被告レーザ素子中のバリア層の格子定数は，ＩｎＰの格子定数よりも小さい。また，当該バリア層の組成は，Ｇａ
Ｉｎ
Ａｓ
ｘ２
１－ｘ２
Ｐ
(０＜x2，y2＜１)である。
ｙ２
１－ｙ２
したがって，被告レーザ素子は，構成要件Ｃを充足する。
エ
構成要件Ｄについて
被告レーザ素子は，１．５５μm用レーザ素子である。
(3)
構成要件Ｃの解釈について
ア
特許発明の技術的範囲は，特許請求の範囲の記載に基づいて定められ，その記載から離れてこれを定めることはできない。特許請求の範囲の語義等の明確化のために，発明の詳細な説明の参酌が許されることもあるが，本件発明の構成要件は，組成や膜厚，格子定数の大小によって特定されており，その技術的意義は，一義的かつ明確である。
したがって，本件発明の技術的範囲を定めるに当たって，発明の詳細な説明を参酌することを要しない。
イ
活性層の平均的な格子定数をＩｎＰの格子定数と等しくする旨の本件当初明細書の記載は，転位の発生を防ぐメカニズムのベストモードを引き合いに出して説明するものである。原告は，本件発明をこれに限定しない趣旨で，〔課題を解決するため手段〕欄や特許請求の範囲の記載をしており，本件当初明細書には，本件発明の構成要素が，その目的・構成・効果の関連の下で，全体を貫いて，完結した一つの技術思想として，明確に記載されている。
そして，本件当初明細書の〔作用〕欄の記載は，「高性能である量子井戸半導体レーザが得られる」という本件発明の効果を得るための一態様として，転位の発生そのものを防止するためのベストモードを記載したにすぎない。
また，本件当初明細書の第２の実施例も，「活性層は，ｎが数百の量子井戸層およびバリア層数まで，歪の誘起する転位を生じることなく成長させることができる。」という点で，当初の発明の「高性能」との効果を更に高めるものであり，第２の実施例は，格子定数関係式②（バリア層の格子定数＜ＩｎＰの格子定数＜量子井戸層の格子定数をいう。以下同じ。）に係る発明の単なる実施例であって，格子定数関係式②に係る発明の要旨であるということはできない。
したがって，本件当初明細書における格子定数関係式②は，「活性層全体としての平均的な格子定数がＩｎＰの格子定数に等し」いとの条件を要旨とするものではなく，これに対応する本件発明の構成要件Ｃも，「活性層の平均格子定数＝ＩｎＰの格子定数」という事項を内在的に含んでいるものではないから，これを内在的に条件としているとの被告の主張は，理由がない。
（長文のため、ここでは本文の冒頭のみを掲載しています。全文はこのページの表示後に読み込まれます。原本は原本PDFをご覧ください。）
出典：裁判所ウェブサイト「裁判例検索」（https://www.courts.go.jp/hanrei/38663/detail7/index.html）。本文は同サイト掲載の判決書PDFからTaiLexi AIがテキスト化・整形したもの（正確な文言は原本PDFを参照）。判示事項・裁判要旨・参照法条は裁判所の公表どおり。