平成２２年５月１９日判決言渡
同日原本領収
裁判所書記官
平成２０年（ワ）第１０６５７号
職務発明に対する対価支払請求事件
口頭弁論終結日
平成２２年２月２６日
判決
横浜市＜以下略＞
原告
Ａ
同訴訟代理人弁護士
梶山正三
東京都港区＜以下略＞
被告株式会社東芝
同訴訟代理人弁護士
竹田稔同高橋雄一郎同服部謙太朗同補佐人弁理士望月尚子主文
原告の請求をいずれも棄却する。
訴訟費用は，原告の負担とする。
事実及び理由
第１
請求
被告は，原告に対し，金１億３０００万円及び内金１億円に対する平成２０年４月１日から，内金３０００万円に対する平成２１年２月１１日から，それぞれ支払済みまで年５分の割合による金員を支払え。
第２
事案の概要
本件は，被告の従業員であった原告が，被告に在職中に行った発明に係る特許１７件についての特許を受ける権利を被告に承継させたことによる相当の対価の一部請求として，平成１６年法律第７９号附則２条１項，同法による改正前の特許法３５条３項及び４項に基づき，金１億３０００万円及び内金１億円に対する訴状送達の日の翌日である平成２０年４月１日から，内金３０００万円に対する訴えの変更申立書送達の日の翌日である平成２１年２月１１日から，それぞれ支払済みまで，民法所定の年５分の割合による遅延損害金の支払を求める事案である。
争いのない事実等（争いのない事実以外は証拠等を末尾に記載する。）⑴
原告は，被告の元従業員であって，被告に在職中，その職務に属する発明として，⑶記載の各特許に係る発明（以下「本件各発明」という。）を行ったものであり，本件各発明は，職務発明に該当する。なお，(3)の各特許につき，発明者の記載がないものは，いずれも原告のみが発明者である（(3)の各特許に記載された各証拠参照）。
(2)
被告は，原告の使用者として，本件各発明に係る特許を受ける権利を承継した。
⑶
被告は，本件各発明に基づき，特許の出願をし，それぞれ特許を受けた（以下，各特許，各特許に係る特許権及び各特許に係る発明を，それぞれの登録番号の末尾３桁により特定し（例えば，アの特許については，それぞれ「９９９号特許」，「９９９号特許権」及び「９９９号発明」という。），これらの各特許，各特許権を総称して，それぞれ「本件各特許」，「本件各特許権」という。）。
ア
９９９号特許（甲１３，乙１，２の１及び２）
(ア)
登録番号
第１０６８９９９号
出願日
昭和５３年８月２５日
出願番号
特願昭５３－１０２８５７
登録日
昭和５６年１０月２３日
発明の名称
ガラスの潜傷除去方法
特許請求の範囲
「ガラスをエツチング処理した後，加熱しそのままもしくは冷却後不活性ガスに接触させることを特徴とするガラスの潜傷除去方
法。」
(イ)
被告は，平成元年２月１日，東芝ライテック株式会社に対し，９９９号特許権を譲渡し，その移転登録をした。なお，東芝ライテック株式会社は，平成元年４月１日，東芝電材株式会社と合併して解散し，東芝電材株式会社は，同日，その商号を東芝ライテック株式会社に変更した（以下では，当該合併前の東芝ライテック株式会社と当該合併・商号変更後の東芝ライテック株式会社とを区別せずに，いずれも「東芝ライテック」という。）。
(ウ)
東芝ライテックは，平成４年２月２０日，９９９号特許権を放棄（特許料不納による消滅をいう。以下同じ。）した。
イ
３２１号特許（甲１４，乙３）
(ア)
登録番号
第１１４５３２１号
出願日
昭和５４年３月３０日
出願番号
特願昭５４－３６９６６
登録日
昭和５８年５月１２日
発明の名称
ハロゲンランプ用バルブガラスの潜傷除去方法
特許請求の範囲
「ハロゲンランプ用バルブガラスをエツチング処理した後，加熱しそのままもしくは冷却後ハロゲンガスに接触させることを特徴とするバルブガラスの潜傷除去方法。」
(イ)
被告は，平成８年７月２９日，３２１号特許権を放棄した。
ウ
３５９号特許（甲１，乙４）
(ア)
登録番号
第１１４９３５９号
出願日
昭和５２年１０月１２日（東レ株式会社との共同出願）
出願番号
特願昭５２－１２２２３３
登録日
昭和５８年６月１４日
発明者
原告外６名
発明の名称
二重管形高圧放電灯
特許請求の範囲
「１
発光管を，内面に被膜を有しないガラス製外管内に収容して二
重管構造とした高圧放電灯において，上記外管の少なくとも内表面はエツチングされていることを特徴とする二重管形高圧放電灯。上記外管のエツチング層の厚さは５μ以上であることを特徴と
する上記特許請求の範囲第１項記載の二重管形高圧放電灯。
上記発光管は石英ガラス製バルブを用い，このバルブ内に水銀
と稀ガスと少なくともアルカリ金属ハロゲン化物を含む金属ハロゲン化物を封入してあることを特徴とする前記特許請求の範囲第１項または第２項記載の二重管形高圧放電灯。」
(イ)
被告は，平成元年２月１日，東芝ライテックに対し，３５９号特許権に係る被告の持分を譲渡し，その移転登録をした。
(ウ)
東芝ライテック及び東レ株式会社は，平成９年８月９日，３５９号特許権を放棄した。
エ
３８７号特許（甲２，乙５）
(ア)
登録番号
第１２３５３８７号
出願日
昭和５３年１２月２６日
出願番号
特願昭５３－１５９２６３
登録日
昭和５９年１０月１７日
発明の名称
ガラスの潜傷除去方法
特許請求の範囲
「ガラスをエツチング処理した後，加熱しそのままもしくは冷却後不活性ガスに接触させる前もしくは後の少なくともいずれかの段階で排気処理を施すことを特徴とするガラスの潜傷除去方法。」
(イ)
被告は，平成元年２月１日，東芝ライテックに対し，３８７号特許権を譲渡し，その移転登録をした。
(ウ)
東芝ライテックは，平成４年３月２日，３８７号特許権を放棄した。オ
１０３号特許（甲３，乙６）
(ア)
登録番号
第１３９９１０３号
出願日
昭和５３年１１月２９日
出願番号
特願昭５３－１４６６３１
登録日
昭和６２年９月７日
発明の名称
ガラスの表面処理法
特許請求の範囲
「ガラスの表面に残存する傷の大きさを１０μ以下０．５μ以上にする研麿工程と，前記研麿したガラスを１００℃／sec以下の昇温速度で軟化点より低い温度まで加熱する加熱工程と，次に前記加熱処理したガラスをイオン交換するイオン交換処理工程とを具備して成るガラスの表面処理法。」
(イ)
被告は，平成８年１２月１１日，１０３号特許権を放棄した。
カ
４６９号特許（甲４，乙７）
(ア)
登録番号
第１４３６４６９号
出願日
昭和５５年４月２１日
出願番号
特願昭５５－５１７１２
登録日
昭和６３年４月２５日
発明の名称
ガラスの表面処理法
特許請求の範囲
「粒度１００メッシュ以下の研磨材を含有する不水溶性切油剤を用いガラス研磨処理を施し表面に残存する潜傷を除去又はてい減する工程と，前記研磨したガラスを１００℃／sec以下の昇温速度で軟化点より低い温度まで加熱する工程と，前記加熱処理したガラスについてイオン交換処理を施す工程とを具備して成るガラスの表面処理法。」
(イ)
被告は，平成８年８月２７日，４６９号特許権を放棄した。
キ
８４９号特許（甲１５，乙８）
(ア)
登録番号
第１５１３８４９号
出願日
昭和５４年８月１０日
出願番号
特願昭５４－１０１３５８
登録日
平成元年８月２４日
発明の名称
ガラスの表面処理法
特許請求の範囲
「ガラスに研磨処理を施し表面に残存する傷の大きさを１０μ以下にする工程と，前記研磨したガラスを１００℃／sec以下の昇温速度でガラスの軟化点より低い温度まで加熱する工程と，前記加熱処理したガラスについて所定の比較的高温下でイオン交換処理を施す工程と，前記イオン交換処理面上に金属系の膜を形成する工程とを具備して成るガラス表面処理法。」
(イ)
被告は，平成９年１０月１７日，８４９号特許権を放棄した。
ク
７６２号特許（甲１６，乙９）
(ア)
登録番号
第１５４８７６２号
出願日
昭和５６年３月１１日
出願番号
特願昭５６－３３８２５
登録日
平成２年３月９日
発明の名称
ガラスの表面処理方法
特許請求の範囲
「ガラス表面の傷の大きさを１０μ以下に加工する工程とこのガラスを１００℃／sec以下の昇温速度かつ軟化点より低い温度で加熱する工程と，加熱したガラスをイオン交換する工程と，イオン交換処理面を光照射する工程とを具備して成るガラスの表面処理方法。」(イ)
被告は，平成９年６月２９日，７６２号特許権を放棄した。
ケ
２４７号特許（甲５，乙１０）
(ア)
登録番号
第１６３８２４７号
出願日
昭和５７年３月３１日
出願番号
特願昭５７－５３４８９
登録日
平成４年１月３１日
発明の名称
ガラスの加工処理方法
特許請求の範囲
「ガラス素材を加熱溶融しガラス溶融体の粘性係数を１×１０〔poise〕以下に保持した状態で，上記ガラス溶融体を引き上げ法或いは引き下げ法によつて固化し徐冷したのち，上記固化されたガラス体の表面を化学的にエツチングし，かつガラス体の表面に光照射処理を施すことを特徴とするガラスの加工処理方法。」
(イ)
被告は，平成９年１月７日，２４７号特許権を放棄した。
コ
２８６号特許（甲６，乙１１）
(ア)
登録番号
第１６７２２８６号
出願日
昭和５９年１１月１５日
出願番号
特願昭５９－２３９４７５
登録日
平成４年６月１２日
発明の名称
半導体デバイスの製造方法
特許請求の範囲
「ＺｎＯ，ＳｉＯ，ＢＯを必須成分とするガラスの熱膨張系数が４０×１０
／ｃから５０×１０
／ｃの範囲にあるガラス粉末を，
電解質液体の中に懸濁させると共に前記電解質液体中にモル分極率が１から２．５の前記ガラス成分と異なるイオンを分散させて電気泳動によつて半導体デバイスの表面に前記ガラスを付着させた後，前記ガラスの流動点以上の温度で流動化及び固化し，徐冷したことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。」
(イ)
２８６号特許権は，平成１６年１１月１５日，存続期間の満了によって消滅した。
サ
５３４号特許（甲７，乙１２）
登録番号
第１９７７５３４号
出願日
昭和６３年６月６日
出願番号
特願昭６３－１３９０８８
登録日
平成７年１０月１７日
発明の名称
半導体装置
特許請求の範囲
「【請求項１】多層構造の配線を有する半導体装置において，各配線層間に介在する層間絶縁膜が酸化膜からなる第１の絶縁層と，モル分極率が１．０以下である第２の絶縁層を含むようにしたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】多層構造の配線を有する半導体装置において，各配線層間に介在する層間絶縁膜が酸化膜からなる第１の絶縁層と，水酸基（ＯＨ基）濃度が８００ｐｐｍ以下である第２の絶縁層を含むようにしたことを特徴とする半導体装置。」
シ
２８８号特許（甲３３）
登録番号
第１６７２２８８号
出願日
昭和５９年１１月２８日
出願番号
特願昭５９－２５０７４２
登録日
平成４年６月１２日
発明の名称
半導体装置およびその製造方法
特許請求の範囲
「１
所定の素子領域の形成された基板の表面を覆う第１のガラス層からなる第１のパツシベーシヨン膜と，前記第１のパツシベーシヨン膜上に形成され，コンタクトホールを介して前記素子領域にコンタクトする配線層と，前記配線層の上層に形成され，前記第１のガラス層よりも発生応力の大なる第２のガラス層からなる第２のパツシベーシヨン膜とを具備したことを特徴とする半導体装置。
前記配線層は，その一部にスリツト状の凹部を具備していることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
前記第１のガラス層はガラス構造の網目修飾イオンの位置にイオンを導入した構造をなすとともに，熱膨張係数が第２のガラス層よりも大きいことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。所定の素子領域の形成された基板上に表面を覆うようにガラス構造の網目修飾イオンの位置にイオンを導入した構造をなす第１のガラス層からなる第１のパツシベーシヨン膜を形成する第１のパツシベーシヨン膜形成工程と，前記第１のパツシベーシヨン膜上に，コンタクトホールを介して前記素子領域にコンタクトする配線層を形成する配線層形成工程と，前記配線層の上層に，前記第１のガラス層よりも発生応力の大なる第２のガラス層からなる第２のパツシベーシヨン膜を形成する第２のパツシベーシヨン膜形成工程と，熱処理により少なくとも前記第１のガラス層を流動化させる流動化工程とを具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
ス
（長文のため、ここでは本文の冒頭のみを掲載しています。全文はこのページの表示後に読み込まれます。原本は原本PDFをご覧ください。）
出典：裁判所ウェブサイト「裁判例検索」（https://www.courts.go.jp/hanrei/80305/detail7/index.html）。本文は同サイト掲載の判決書PDFからTaiLexi AIがテキスト化・整形したもの（正確な文言は原本PDFを参照）。判示事項・裁判要旨・参照法条は裁判所の公表どおり。