平成２７年１１月５日判決言渡同日原本領収裁判所書記官
平成２６年（ネ）第１００８２号特許権侵害差止請求控訴事件
原審・東京地方裁判所平成２３年（ワ）第２３６５１号
口頭弁論終結日平成２７年９月２４日
判決
控訴人新日鐵住金株式会社
同訴訟代理人弁護士増井和夫
同橋口尚幸
同齋藤誠二郎
被控訴人東レ・ダウコーニング株式会社
同訴訟代理人弁護士大野聖二
同井上義隆
同訴訟代理人弁理士片山健一
主文
１ 原判決を取り消す。
２ 被控訴人は，控訴人に対し，平成２７年１２月８日までの間，別
紙物件目録記載のウエハの輸入，販売又は販売のための展示をして
はならない。
３ 訴訟費用は，第１，２審を通じて，被控訴人の負担とする。
事実及び理由
第１ 控訴の趣旨
主文同旨
第２ 事案の概要
１ 本件は，発明の名称を「４Ｈ型単結晶炭化珪素の製造方法」とする特許（特許番号第３５９０４６４号。以下「本件特許」という。）に係る特許権（以下「本件特許権」という。）を有する控訴人が，被控訴人が別紙物件目録記載のウエハ（以下「被控訴人製品」という。）を業として輸入し，販売し，又は販売のために展示する行為は，本件特許を侵害する行為であると主張し，被控訴人に対し，特許法１００条１項に基づき，特許権の存続期間満了日（平成２７年１２月８日）までの被控訴人製品の輸入販売等の差止めを求めた事案である。
原判決は，被控訴人製品の製造方法は，本件特許の特許請求の範囲請求項１に記載された発明（以下「本件発明」という。）の構成要件Ａを充足せず，その技術的範囲に属しないとして，控訴人の請求を棄却した。
そこで，控訴人が，原判決を不服として控訴したものである。
２ 前提事実（当事者間に争いがないか，弁論の全趣旨により認められる事実）
(1) 当事者等
ア 控訴人は，鉄鋼の製造，販売などを主たる目的とする会社である。
イ 被控訴人は，米国のダウコーニング社（ＤｏｗＣｏｒｎｉｎｇ社）と東レ株式会社との合弁会社であり，シリコーン製品，シラン製品やこれらを用いて製造される製品の購入，製造及び販売などを主たる目的とする会社である。
(2) 本件特許権
控訴人は，以下のとおりの本件特許権を有する。
特許番号第３５９０４６４号
発明の名称４Ｈ型単結晶炭化珪素の製造方法
出願日平成７年１２月８日
登録日平成１６年８月２７日
なお，本件特許出願には，特許法３０条１項の適用申請がある（平成７年７月１０日社団法人応用物理学会発行の応用物理第６４巻第７号（乙７）に発表）。
(3) 特許請求の範囲の記載
控訴人は，本件特許について訂正審判を請求し，平成２５年６月３日に，訂正明細書及び図面のとおり訂正することを認める旨の審決がされ（甲２９の１・２，甲３９，甲４１の２，甲４２の２。訂正２０１３－３９００３２），その頃確定した（以下「本件訂正」という。）。
本件訂正後の特許請求の範囲請求項１の記載は以下のとおりである。以下，請求項１に記載された発明（本件発明）に係る明細書（甲３９により訂正された甲２）を，図面を含めて「本件明細書」という。
【請求項１】種結晶を用いた昇華再結晶法により単結晶炭化珪素を成長させる際に，炭素原子位置に窒素を５×１０１８ｃｍ－３以上５×１０１９ｃｍ－３以下導入することを特徴とする４Ｈ型単結晶炭化珪素インゴットの製造方法。
(4) 本件発明の構成要件の分説
本件発明を構成要件に分説すると以下のとおりである（以下，分説した構成要件を付された符号により「構成要件Ａ」などという。）。
Ａ種結晶を用いた昇華再結晶法により
Ｂ単結晶炭化珪素を成長させる際に，
Ｃ炭素原子位置に窒素を５×１０１８ｃｍ－３以上５×１０１９ｃｍ
－３以下導入す
ることを特徴とする
Ｄ４Ｈ型単結晶炭化珪素インゴットの製造方法。
(5) 被控訴人の行為
ダウコーニング社は，別紙物件目録記載の製造方法（以下「被控訴人方法」という。）により製造された４Ｈ型単結晶炭化珪素インゴットから被控訴人製品を製造している。
被控訴人は，ダウコーニング社から，同社の製造した被控訴人製品を輸入し，販売し，又は販売のための展示をしている。
(6) 被控訴人方法は，本件発明の構成要件Ｂ及びＤを充足する。
３ 争点
(1) 被控訴人方法は，本件発明の技術的範囲に属するか
ア 構成要件Ａの「種結晶」の充足性
イ 構成要件Ａの「昇華再結晶法」の充足性
ウ 構成要件Ｃの「炭素原子位置」の充足性
エ 構成要件Ｃの「窒素を５×１０１８ｃｍ－３以上５×１０１９ｃｍ－３以下導入」
の充足性
(2) 本件発明は特許無効審判により無効にされるべきものか
ア 記載要件違反
(ア) 無効理由１：「炭素原子位置」に係る実施可能要件及び明確性要件違反
(イ) 無効理由２：「窒素を５×１０１８ｃｍ－３以上５×１０１９ｃｍ－３以下導入」に係る実施可能要件，サポート要件及び明確性要件違反
(ウ) 無効理由３：「種結晶」に係る実施可能要件，サポート要件及び明確性要件違反
イ 新規性の欠如
(ア) 無効理由４：引用例１（乙２１）に基づく新規性欠如
(イ) 無効理由５：引用例２（乙３８）に基づく新規性欠如
ウ 進歩性の欠如
(ア) 無効理由６：引用例３（乙１４）に基づく進歩性欠如
(イ) 無効理由７：引用例４（甲４０の５）に基づく進歩性欠如
(ウ) 無効理由８：引用例３又は引用例１と引用例５（乙６）に基づく進歩性欠如
第３ 争点に対する当事者の主張
１ 争点(1)（被控訴人方法は，本件発明の技術的範囲に属するか）について〔控訴人の主張〕
(1) 構成要件Ａの「種結晶」の充足性
ア 「種結晶」の意義
(ア) 本件発明は，「種結晶を使用する昇華再結晶法」において，４Ｈ型単結晶が得られることは公知であったが，良質な単結晶を再現性良く製造する方法が存在しなかったという状況の下で，４Ｈ型単結晶の炭素位置に窒素を所定量導入することにより，成長する単結晶の品質の改良をした点にその特徴を有する。種結晶を使用することやどのような種結晶を使用するかということ自体は，本件発明の特徴ではなく，技術常識として選択される種結晶を使用することが本件発明の前提となっている。
そして，４Ｈ型単結晶炭化珪素の成長に使用する種結晶として，４Ｈ型又は６Ｈ型のＣ面を用いるのが好適であることは，本件特許の出願当時の技術常識であった。
(イ) 本件明細書には，実施例に関し，「種結晶として，成長面方位が＜０００１＞方向である六方晶系の炭化珪素からなる基板１を用意した。」と記載されている（【００１９】）。発明者が実際に行った実験は，比較的容易に得られる６Ｈ型Ｃ面であったが（乙７），「六方晶系の炭化珪素」とは，６Ｈ型と４Ｈ型を意味し，また，４Ｈ型の成長のためにはＣ面を使用する必要があることは技術常識であったから，上記記載は，６Ｈ型及び４Ｈ型のいずれの種結晶の使用例とも見ることができるものであり，その記載上，６Ｈ型及び４Ｈ型のどちらの結晶形も種結晶となる。また，実施例では，使用する面がＣ面かＳｉ面かの特定はされていないが，４Ｈ型の成長のためにはＣ面を使用する必要があることは，前記のとおり，技術常識であった。
(ウ) 以上によれば，構成要件Ａの「種結晶」は，４Ｈ型単結晶の製造に適することが公知であったものであればよく，より具体的には，４Ｈ型Ｃ面又は６Ｈ型Ｃ面を意味し，６Ｈ型単結晶に限られない。
イ 被控訴人の主張について
４Ｈ型又は６Ｈ型のＣ面を種結晶として用いさえすれば，４Ｈ型単結晶炭化珪素が安定的成長をするというわけではない。成長途中における種結晶の結晶多形（ポリタイプ），すなわち，別の結晶多形（ポリタイプ）が混じる現象を防止し，制御することは困難である。
そして，本件発明の課題は，４Ｈ型Ｃ面を種結晶として使用しても成長中に６Ｈ型などへの転移を生じ得るという問題を解決することにあるから，４Ｈ型単結晶を種結晶として使用する場合には，本件発明の課題が存在しないとの被控訴人の主張は失当である。
ウ 被控訴人方法の充足性
被控訴人方法は，●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●●構成要件Ａの「種結晶」を充足する。
(2) 構成要件Ａの「昇華再結晶法」の充足性
ア 「昇華再結晶法」の意義
(ア) 構成要件Ａに記載された「種結晶を用いた昇華再結晶法」は，「改良レーリー法」又は「物理的気相輸送法（ｐｈｙｓｉｃａｌｖａｐｏｒｔｒａｎｓｐｏｒｔｍｅｔｈｏｄ）：ＰＶＴ法」と同義であり，呼び方が異なるだけで，同じ手法を意味する（甲２５，４６，４７，４９，乙２５）。
当該手法においては，原料を２０００℃以上まで加熱し，昇華に際し，Ｓｉの蒸気，ＳｉＣ２の蒸気，Ｓｉ２Ｃの蒸気などが発生し，これらの蒸気が種結晶上で，ＳｉＣの単結晶に再構成される。
かかるプロセスをＳｉＣの技術分野では「再結晶」と呼んでいるのであり，原料としてはＳｉの蒸気，ＳｉＣ２の蒸気，Ｓｉ２Ｃの蒸気などが発生されるものであれば足り，ＳｉＣ固体原料に限られるものではない。原料として混合粉を用いることも公知である（甲１４）。
炭素粉末とシリコン粉末の混合物を原材料として用いる場合も，レーリー法（甲１４），昇華法（甲１５），昇華再結晶法（甲４０の５）と呼ばれている。
(イ) 炭素粉末とシリコン粉末の混合物を用いた場合，混合粉から焼結体ＳｉＣが生成する温度は，１３６０℃であるとの報告（甲１５），混合粉を１８５０℃まで加熱して室温に戻したところ，原料の大部分がＳｉＣに変換したとの報告（甲１６）がある。
レーリー法では，原料を２０００℃以上まで加熱するから（甲３では２０００℃以上，甲６では２０００℃～２３００℃），炭素粉末とシリコン粉末の大部分がＳｉＣに変換された後，Ｓｉの蒸気，ＳｉＣ２の蒸気，Ｓｉ２Ｃの蒸気が発生し，昇華して結晶が生成することは必然の経過である。すなわち，炭素粉末であるグラファイトの昇華温度は３３７０℃と非常に高く，シリコンは融点が１４１０℃で沸点が２３６０℃であり（甲５０），２０００℃付近でシリコンの蒸気はある程度発生するが，それだけでは，炭化珪素の単結晶を昇華法により得ることはできない。炭化珪素が成長するためには，炭素と珪素の比率が約１対１で種結晶上に供給されなければならないが，そのためには，原料が炭化珪素に変わり，炭化珪素の昇華によらなければならないのである。
高品質の単結晶炭化珪素を得るには，原料中のＳｉとＣ以外の不純物を極力少なくする必要があるが，そのためには，ＳｉとＣを個別に精製したうえでＳｉＣとするのが好ましい方法の一つである。この場合，精製したＳｉとＣから固体ＳｉＣを一度製造して，加熱装置から取り出し，その後に昇華再結晶を行うか，昇華再結晶用の加熱炉中でＳｉとＣを加熱して固体ＳｉＣとし，そのまま加熱を続けて昇華再結晶まで進めるかは，昇華再結晶であることの本質に何ら影響するものではない。当業者の認識としても，ＳｉとＣの混合粉末を加熱してＳｉＣとし，そのまま昇華再結晶をすることと，あらかじめ固体ＳｉＣとしたうえで，昇華再結晶をすることを区別する意識は特にない（甲４６～４８）。
(ウ) 本件発明は「原料」の状態を特に限定していない。本件明細書には，あらかじめＳｉＣ粉末を製造して原料とする例が記載されているが（【００１７】），本件発明の技術的範囲は，実施例の態様に限定されるものではなく，公知技術である，炭素粉末と珪素粉末の混合物を原料とし，加熱工程中に炭化珪素を生成させた後に，昇華再結晶を行う態様を排除する理由はない。かかる態様も，本件発明の技術的範囲に含まれる。
(エ) 以上によれば，構成要件Ａの「昇華再結晶法」には，あらかじめ製造されたＳｉＣ粉末を出発原料とする場合のみならず，炭素粉末と珪素粉末の混合物を出発原料とし，加熱工程中に炭化珪素を生成させる場合も含まれる。
イ 被控訴人の主張について
被控訴人は，昇温過程において必然的に炭化珪素が生成されるとしても，炭化珪素「結晶」が生成されることの主張立証にはならない旨主張する。
しかし，炭化珪素は結晶性の物質であって，炭化珪素が生成するとは炭化珪素結晶が生成することである。炭素粉末と珪素粉末の混合物を加熱する実験において炭化珪素が生成した事実は，Ｘ線回折において，原料珪素（結晶性物質）の回折線と炭化珪素結晶の回折線の強度の変化より確認される。Ｘ線回折による測定が可能であるのは，結晶が生成しているからである。
（長文のため、ここでは本文の冒頭のみを掲載しています。全文はこのページの表示後に読み込まれます。原本は原本PDFをご覧ください。）
出典：裁判所ウェブサイト「裁判例検索」（https://www.courts.go.jp/hanrei/85517/detail7/index.html）。本文は同サイト掲載の判決書PDFからTaiLexi AIがテキスト化・整形したもの（正確な文言は原本PDFを参照）。判示事項・裁判要旨・参照法条は裁判所の公表どおり。