平成２８年１０月１２日判決言渡同日原本領収裁判所書記官
平成２７年（行ケ）第１０１７７号審決取消請求事件
口頭弁論終結日平成２８年９月１４日
判決
原告株式会社半導体エネルギー研究所
同訴訟代理人弁護士古城春実
牧野知彦
堀籠佳則
加治梓子
伊藤真
平井佑希
丸田憲和
同訴訟代理人弁理士加茂裕邦
被告国立研究開発法人科学技術振興機構
同訴訟代理人弁護士高橋雄一郎
同訴訟復代理人弁護士鈴木佑一郎
同訴訟代理人弁理士望月尚子
同訴訟復代理人弁理士西義之
主文
１ 原告の請求を棄却する。
２ 訴訟費用は原告の負担とする。
事実及び理由
第１ 請求
特許庁が無効２０１４－８００１３８号事件について平成２７年７月２８日にした審決を取り消す。
第２ 事案の概要
１ 特許庁における手続の経緯等
(1) 被告は，平成２２年３月２４日，発明の名称を「アモルファス酸化物薄膜の気相成膜方法」とする特許出願（特願２０１０－６８７０７号。優先権主張：平成１６年３月１２日，同年１１月１０日。日本国。）をし，平成２２年８月２０日，設定の登録（特許第４５６８８２７号）を受けた（請求項の数５。以下，この特許を「本件特許」という。）。本件出願は，平成１７年２月２８日に出願した特願２００６－５１０９０７号の分割出願である（甲２３）。
(2) 原告は，平成２６年８月２８日，本件特許の請求項１ないし５に係る発明について特許無効審判を請求し，無効２０１４－８００１３８号事件として係属した。
(3) 特許庁は，平成２７年７月２８日，「本件審判の請求は，成り立たない。」との別紙審決書（写し）記載の審決（以下「本件審決」という。）をし，その謄本は，同年８月６日，原告に送達された。
(4) 原告は，平成２７年９月７日，本件審決の取消しを求める本件訴訟を提起した。
２ 特許請求の範囲の記載
特許請求の範囲の請求項１ないし５の記載は，次のとおりである（甲２３）。以下，本件特許に係る発明を，請求項の番号に従って「本件発明１」などといい，本件発明１ないし５を併せて，「本件各発明」という。また，その明細書（甲２３）を，図面を含めて「本件明細書」という。なお，「／」は，原文の改行部分を示す（以下同じ。）。
【請求項１】結晶化したときの組成が，式ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）で示される酸化物薄膜のパルスレーザー堆積法又は高周波スパッタ法を用いる気相成膜方法において，／該酸化物の多結晶をターゲットとして，基板の温度は意図的に加温しない状態で，電気抵抗を高めるための不純物イオンを意図的に薄膜に添加せずに，酸素ガスを含む雰囲気中で基板上に薄膜を堆積させる際に，／成膜した薄膜の室温での電子キャリヤ濃度が１０１６／ｃｍ
３以下となる大きさに酸素
分圧の大きさを制御することによって，室温での電子移動度が０．１ｃｍ２／（Ｖ・秒）以上，かつ電子キャリヤ濃度が１０１６／ｃｍ３以下である半絶縁性である透明Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ薄膜を成膜することを特徴とするアモルファス酸化物薄膜の気相成膜方法。
【請求項２】結晶化したときの組成が，式ＩｎＧａＯ３（Ｚｎ１－ｘＭｇｘＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数，０．８０≦ｘ＜０．８５）で示される酸化物薄膜のパルスレーザー堆積法又は高周波スパッタ法を用いる気相成膜方法において，／該酸化物の多結晶をターゲットとして，基板の温度は意図的に加温しない状態で，電気抵抗を高めるための不純物イオンを意図的に薄膜に添加せずに，酸素ガスを含む雰囲気中で基板上に薄膜を堆積させる際に，／成膜した薄膜の室温での電子キャリヤ濃度が１１６／ｃｍ３以下となる大きさに酸素分圧の大きさを制御することによって，室温での電子移動度が０．１ｃｍ
ママ
２／（Ｖ・秒）以上，かつ電子キャリヤ濃度が１０１６／ｃ
ｍ３以下である半絶縁性である透明Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｍｇ－Ｏ薄膜を成膜することを特徴とするアモルファス酸化物薄膜の気相成膜方法。
【請求項３】基板として，ガラス基板，プラスチック基板またはプラスチックフィルムを用いることを特徴とする請求項１又は２に記載のアモルファス酸化物薄膜の気相成膜方法。
【請求項４】パルスレーザー堆積法を用いて，酸素分圧が５Ｐａ超の真空雰囲気で成膜することを特徴とする請求項１記載のアモルファス酸化物薄膜の気相成膜方法。
【請求項５】高周波スパッタ法を用いて，酸素分圧が４×１０－２Ｐａ超の酸素ガスとアルゴンガスの混合雰囲気で成膜することを特徴とする請求項１に記載のアモルファス酸化物薄膜の気相成膜方法。
３ 本件審決の理由の要旨
(1) 本件審決の理由は，別紙審決書（写し）記載のとおりである。要するに，①ⅰ）本件発明１は，下記アの引用例１に記載された発明（以下「引用発明１」という。）及び下記エないしサの各引用例に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではなく，ⅱ）本件発明２は，引用発明１及び下記エないしシの各引用例に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではなく，ⅲ）本件発明３ないし５は，引用発明１及び下記ウないしシの各引用例に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではないから，本件各発明は，特許法２９条２項の規定に違反して特許されたものではなく，②ⅰ）本件発明１は，下記イの引用例２に記載された発明（以下「引用発明２」という。）並びに下記ア，エないしサ及びスの各引用例に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではなく，ⅱ）本件発明２は，引用発明２並びに下記ア及びエないしスの各引用例に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではなく，ⅲ）本件発明３ないし５は，引用発明２並びに下記ア及びエないしスの各引用例に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではないから，本件各発明は，特許法２９条２項の規定に違反して特許されたものではなく，③本件発明１及び３ないし５に係る本件明細書の発明の詳細な説明の記載は，特許法３６条４項１号に規定する要件（いわゆる実施可能要件）を満たさないものであるということはできない，などというものである。
ア 引用例１：特開平５－２５１７０５号公報（甲１）
イ 引用例２：国際公開第０３／０９８６９９号（甲２）
ウ 引用例３：特表平１１－５０５３７７号公報（甲３）
エ 引用例４：特開２０００－４４２３６号公報（甲４）
オ 引用例５：特開２００２－２８９８５９号公報（甲５）
カ 引用例６：日本学術振興会透明酸化物光・電子材料第１６６委員会「透明導電膜の技術」第１版第２刷（平成１２年４月２５日）７８～８１頁，１４８～１５５頁（甲６）
キ 引用例７：Ｍ．ＯＲＩＴＡ外「ＡｍｏｒｐｈｏｕｓｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅｏｘｉｄｅＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ≦４）：
ａ Ｚｎ４ｓｃｏｎｄｕｃｔｏｒ」ＰＨＩＬＯＳＯＰＨＩＣＡＬＭＡＧＡＺＩＮＥＢ，ＶＯＬ．８１，Ｎｏ．５（２００１）５０１～５１５頁（甲７）
ク 引用例８：「２０００年（平成１２年）春季第４７回応用物理学関係連合講演会講演予稿集」第２分冊５７７頁「２８ａ－ＺＢ－１」（甲８）
ケ 引用例９：ＳａｔｏｒｕＮａｒｕｓｈｉｍａ外「Ａｐ－ＴｙｐｅＡ
ｍｏｒｐｈｏｕｓＯｘｉｄｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒａｎｄＲｏｏｍＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＦａｂｒｉｃａｔｉｏｎｏｆＡｍｏｒｐｈｏｕｓＯｘｉｄｅｐ－ｎＨｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎＤｉｏｄｅｓ」Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．１５，Ｎｏ．１７（２００３Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ３）１４０９～１４１３頁（甲９）
コ 引用例１０：ＫｅｎｊｉＮｏｍｕｒａ外「Ｔｈｉｎ－ＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒＦａｂｒｉｃａｔｅｄｉｎＳｉｎｇｌｅ－ＣｒｙｓｔａｌｌｉｎｅＴｒａｎｓｐａｒｅｎｔＯｘｉｄｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ」Ｓｃｉｅｎｃｅ３００，１２６９（２００３）１２６９～１２７２頁（甲１０）
サ 引用例１１：国際公開第０３／０４０４４１号（甲１１）
シ 引用例１２：特開平８－２４５２２０号公報（甲１２）
ス 引用例１３：特開昭６３－２３９１１７号公報（甲１３）
(2) 本件発明１及び２と引用発明１との対比
本件審決が認定した引用発明１，本件発明１及び本件発明２と引用発明１との一致点及び相違点は，以下のとおりである。
ア 引用発明１
ゲ－ト電極とゲート絶縁膜とソ－ス電極とドレイン電極と半導体層とを有する薄膜トランジスタにおいて，前記半導体層のキャリア濃度が１０１８個・ｃｍ－３以下で，かつ前記半導体層を透光性膜としたことを特徴とする薄膜トランジスタの前記半導体層の気相成膜方法において，／Ａｒガスと酸素ガスとを用いた反応性スパッタリングにおいて，着膜時の酸素ガスの割合（Ｏ２／Ａｒ＋Ｏ２）を１％以上として，従来透明電極として用いられていた，酸化物の透明導電膜である，ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）膜の膜中の酸素量を増加させることで，着膜した前記ＩＴＯ膜の化学量論的組成からのずれ（酸素欠損）により発生しているキャリアを減らして，前記ＩＴＯ膜のキャリア濃度を１０１８個・ｃｍ－３以下に制御し，縮退を解いて導電性を低下させ，半導体としてのＩＴＯ膜（半導体活性層）を実現する，気相成膜方法。
イ 本件発明１と引用発明１との一致点及び相違点
(ア) 一致点
酸化物薄膜の気相成膜方法において，酸素ガスを含む雰囲気中で基板上に薄膜を堆積させる際に，成膜した薄膜の電子キャリヤ濃度を減らすように，酸素分圧の大きさを制御する，透明酸化物薄膜を成膜する酸化物薄膜の気相成膜方法。
(イ) 相違点１－１
成膜する透明酸化物薄膜が，本件発明１では，「「該酸化物の多結晶をターゲットとして，基板の温度は意図的に加温しない状態で，電気抵抗を高めるための不純物イオンを意図的に薄膜に添加せずに」行う「パルスレーザー堆積法又は高周波スパッタ法」」によって成膜した「「結晶化したときの組成が，式ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）で示される酸化物薄膜」であって，「成膜した薄膜の室温での電子キャリヤ濃度が１０１６／ｃｍ３以下」，かつ，「室温での電子移動度が０．１ｃｍ２／（Ｖ・秒）以上」の「半絶縁性である透明Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ薄膜」である「アモルファス酸化物薄膜」」であるのに対して，引用発明１では，「スパッタ法」によって成膜した「「従来透明電極として用いられていた，酸化物の透明導電膜である，ＩＴＯ膜」であって，「キャリア濃度を１０１８個・ｃｍ－３以下」に制御した「ＩＴＯ膜」」である点。
ウ 本件発明２と引用発明１との一致点及び相違点
(ア) 一致点
酸化物薄膜の気相成膜方法において，酸素ガスを含む雰囲気中で基板上に薄膜を堆積させる際に，成膜した薄膜の電子キャリヤ濃度を減らすように，酸素分圧の大きさを制御する，透明酸化物薄膜を成膜する酸化物薄膜の気相成膜方法。
(イ) 相違点１－２
成膜する酸化物薄膜が，本件発明２では，「「該酸化物の多結晶をターゲットとして，基板の温度は意図的に加温しない状態で，電気抵抗を高めるための不純物イオンを意図的に薄膜に添加せずに」行う「パルスレーザー堆積法又は高周波スパッタ法」」によって成膜した「「結晶化したときの組成が，式ＩｎＧａＯ３（Ｚｎ１－ｘＭｇｘＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数，０．８０≦ｘ＜０．８５）で示される酸化物薄膜」であって，「成膜した薄膜の室温での電子キャリヤ濃度が１０１６／ｃｍ３以下」，かつ，「室温での電子移動度が０．１ｃｍ２／（Ｖ・秒）以上」の「半絶縁性である透明Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｍｇ－Ｏ薄膜」である「アモルファス酸化物薄膜」」であるのに対して，引用発明１では，「スパッタ法」によって成膜した「「従来透明電極として用いられていた，酸化物の透明導電膜である，ＩＴＯ膜」であって，「キャリア濃度を１０１８個・ｃｍ－３以下」に制御した「ＩＴＯ膜」」である点。
(3) 本件発明１及び２と引用発明２との対比
本件審決が認定した引用発明２，本件発明１及び本件発明２と引用発明２との一致点及び相違点は，以下のとおりである。
（長文のため、ここでは本文の冒頭のみを掲載しています。全文はこのページの表示後に読み込まれます。原本は原本PDFをご覧ください。）
出典：裁判所ウェブサイト「裁判例検索」（https://www.courts.go.jp/hanrei/86188/detail7/index.html）。本文は同サイト掲載の判決書PDFからTaiLexi AIがテキスト化・整形したもの（正確な文言は原本PDFを参照）。判示事項・裁判要旨・参照法条は裁判所の公表どおり。