平成２８年１０月１２日判決言渡同日原本領収裁判所書記官
平成２７年（行ケ）第１０１７８号審決取消請求事件
口頭弁論終結日平成２８年９月１４日
判決
原告株式会社半導体エネルギー研究所
同訴訟代理人弁護士古城春実
牧野知彦
堀籠佳則
加治梓子
伊藤真
平井佑希
丸田憲和
同訴訟代理人弁理士加茂裕邦
被告国立研究開発法人科学技術振興機構
同訴訟代理人弁護士高橋雄一郎
同訴訟復代理人弁護士鈴木佑一郎
同訴訟代理人弁理士望月尚子
同訴訟復代理人弁理士西義之
主文
１ 原告の請求を棄却する。
２ 訴訟費用は原告の負担とする。
事実及び理由
第１ 請求
特許庁が無効２０１４－８００１３９号事件について平成２７年７月２８日にした審決を取り消す。
第２ 事案の概要
１ 特許庁における手続の経緯等
(1) 被告は，平成２２年３月２４日，発明の名称を「アモルファス酸化物薄膜」とする特許出願（特願２０１０－６８７０８号。優先権主張：平成１６年３月１２日，同年１１月１０日。日本国。）をし，平成２２年８月２０日，設定の登録（特許第４５６８８２８号）を受けた（請求項の数６。以下，この特許を「本件特許」という。）。本件出願は，平成１７年２月２８日に出願した特願２００６－５１０９０７号の分割出願である（甲２３）。
(2) 原告は，平成２６年８月２８日，本件特許の請求項１ないし６に係る発明について特許無効審判を請求し，無効２０１４－８００１３９号事件として係属した。
(3) 特許庁は，平成２７年７月２８日，「本件審判の請求は，成り立たない。」との別紙審決書（写し）記載の審決（以下「本件審決」という。）をし，その謄本は，同年８月６日，原告に送達された。
(4) 原告は，平成２７年９月７日，本件審決の取消しを求める本件訴訟を提起した。
２ 特許請求の範囲の記載
特許請求の範囲の請求項１ないし６の記載は，次のとおりである（甲２３）。以下，本件特許に係る発明を，請求項の番号に従って「本件発明１」などといい，本件発明１ないし６を併せて，「本件各発明」という。また，その明細書（甲２３）を，図面を含めて「本件明細書」という。
【請求項１】スパッタ法，パルスレーザー蒸着法のいずれかの気相成膜法で成膜され，Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ及びＯの元素から構成される透明アモルファス酸化物薄膜であって，該酸化物の組成は，結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）であり，不純物イオンを添加することなしに，電子移動度が１ｃｍ２／（Ｖ・秒）超，かつ電子キャリヤ濃度が１０１６／ｃｍ３以下である半絶縁性であることを特徴とする透明半絶縁性アモルファス酸化物薄膜。
【請求項２】チャネル層，ゲート絶縁膜，ゲート電極，ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタであって，請求項１に記載の透明半絶縁性アモルファス酸化物薄膜をチャネル層としたことを特徴とする薄膜トランジスタ。【請求項３】スパッタ法，パルスレーザー蒸着法のいずれかの気相成膜法で成膜され，Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｍｇ及びＯの元素から構成される透明アモルファス酸化物薄膜であって，該酸化物の組成は，結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ３（Ｚｎ１－ｘＭｇxＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数，０．８０≦ｘ＜０．８５）であり，不純物イオンを添加することなしに，電子移動度が１ｃｍ２／（Ｖ・秒）超，かつ電子キャリヤ濃度が１０
１６／ｃｍ３以下である半絶縁性であることを特徴とする透明半絶縁性アモルファス酸化物薄膜。
【請求項４】チャネル層，ゲート絶縁膜，ゲート電極，ソース電極およびドレイン電極を有する薄膜トランジスタであって，請求項３に記載の透明半絶縁性アモルファス酸化物薄膜をチャネル層としたことを特徴とする薄膜トランジスタ。【請求項５】ゲート絶縁膜として，Ａｌ２Ｏ３，Ｙ２Ｏ３，又はＨｆＯ２のうちの１種，またはそれらの化合物を少なくとも２種以上含む混晶化合物を用いたことを特徴とする請求項２又は４記載の薄膜トランジスタ。
【請求項６】基板として，ガラス基板，プラスチック基板またはプラスチックフィルムを用いたことを特徴とする請求項２又は４記載の薄膜トランジスタ。
３ 本件審決の理由の要旨
(1) 本件審決の理由は，別紙審決書（写し）記載のとおりである。要するに，①ⅰ）本件発明１は，下記アの引用例１に記載された発明（以下「引用発明１」という。）及び下記エないしサの各引用例に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではなく，ⅱ）本件発明２は，引用発明１及び下記エないしサの各引用例に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではなく，ⅲ）本件発明３は，引用発明１及び下記エないしシの各引用例に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではなく，ⅳ）本件発明４は，引用発明１及び下記エないしシの各引用例に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではなく，ⅴ）本件発明５及び６は，引用発明１並びに下記イ及びエないしシの各引用例に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではないから，本件各発明は，特許法２９条２項の規定に違反して特許されたものではなく，②ⅰ）本件発明１は，下記イの引用例２に記載された発明（以下「引用発明２」という。）並びに下記ア，エないしサ及びスの各引用例に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではなく，ⅱ）本件発明２は，引用発明２並びに下記ア，エないしサ及びスの各引用例に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではなく，ⅲ）本件発明３は，引用発明２並びに下記ア及びエないしスの各引用例に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではなく，ⅳ）本件発明４は，引用発明２並びに下記ア及びエないしスの各引用例に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではなく，ⅴ）本件発明５及び６は，引用発明２並びに下記ア及びエないしスの各引用例に記載された発明に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものではないから，本件各発明は，特許法２９条２項の規定に違反して特許されたものではなく，③本件発明１，２，５及び６に係る本件明細書の発明の詳細な説明の記載は，特許法３６条４項１号に規定する要件（いわゆる実施可能要件）を満たさないものであるということはできない，などというものである。
ア 引用例１：特開平５－２５１７０５号公報（甲１）
イ 引用例２：国際公開第０３／０９８６９９号（甲２）
ウ 引用例３：特表平１１－５０５３７７号公報（甲３）
エ 引用例４：特開２０００－４４２３６号公報（甲４）
オ 引用例５：特開２００２－２８９８５９号公報（甲５）
カ 引用例６：日本学術振興会透明酸化物光・電子材料第１６６委員会「透明導電膜の技術」第１版第２刷（平成１２年４月２５日）７８～８１頁，１４８～１５５頁（甲６）
キ 引用例７：Ｍ．ＯＲＩＴＡ外「ＡｍｏｒｐｈｏｕｓｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅｏｘｉｄｅＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ≦４）：
ａ Ｚｎ４ｓｃｏｎｄｕｃｔｏｒ」ＰＨＩＬＯＳＯＰＨＩＣＡＬＭＡＧＡＺＩＮＥＢ，ＶＯＬ．８１，Ｎｏ．５（２００１）５０１～５１５頁（甲７）
ク 引用例８：「２０００年（平成１２年）春季第４７回応用物理学関係連合講演会講演予稿集」第２分冊５７７頁「２８ａ－ＺＢ－１」（甲８）
ケ 引用例９：ＳａｔｏｒｕＮａｒｕｓｈｉｍａ外「Ａｐ－ＴｙｐｅＡ
ｍｏｒｐｈｏｕｓＯｘｉｄｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒａｎｄＲｏｏｍＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅＦａｂｒｉｃａｔｉｏｎｏｆＡｍｏｒｐｈｏｕｓＯｘｉｄｅｐ－ｎＨｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎＤｉｏｄｅｓ」Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．１５，Ｎｏ．１７（２００３Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ３）１４０９～１４１３頁（甲９）
コ 引用例１０：ＫｅｎｊｉＮｏｍｕｒａ外「Ｔｈｉｎ－ＦｉｌｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒＦａｂｒｉｃａｔｅｄｉｎＳｉｎｇｌｅ－ＣｒｙｓｔａｌｌｉｎｅＴｒａｎｓｐａｒｅｎｔＯｘｉｄｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ」Ｓｃｉｅｎｃｅ３００，１２６９（２００３）１２６９～１２７２頁（甲１０）
サ 引用例１１：国際公開第０３／０４０４４１号（甲１１）
シ 引用例１２：特開平８－２４５２２０号公報（甲１２）
ス 引用例１３：特開昭６３－２３９１１７号公報（甲１３）
(2) 本件発明１及び３と引用発明１との対比
本件審決が認定した引用発明１，本件発明１及び本件発明３と引用発明１との一致点及び相違点は，以下のとおりである。なお，「／」は，原文の改行部分を示す（以下同じ。）。
ア 引用発明１
ゲ－ト電極とゲート絶縁膜とソ－ス電極とドレイン電極と半導体層とを有する薄膜トランジスタにおいて，前記半導体層のキャリア濃度が１０１８個・ｃｍ－３以下で，かつ前記半導体層を透光性膜としたことを特徴とする薄膜トランジスタの前記半導体層において，／Ａｒガスと酸素ガスとを用いた反応性スパッタリングにおいて，着膜時の酸素ガスの割合（Ｏ２／Ａｒ＋Ｏ２）を１％以上として，従来透明電極として用いられていた，酸化物の透明導電膜である，ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）膜の膜中の酸素量を増加させることで，着膜した前記ＩＴＯ膜の化学量論的組成からのずれ（酸素欠損）により発生しているキャリアを減らして，前記ＩＴＯ膜のキャリア濃度を１０１８個・ｃｍ－３以下に制御し，縮退を解いて導電性を低下させ，半導体としてのＩＴＯ膜（半導体活性層）を実現した，半導体層。
イ 本件発明１と引用発明１との一致点及び相違点
(ア) 一致点
スパッタ法の気相成膜法で成膜され，Ｉｎ及びＯの元素を含む透明酸化物薄膜であって，電子キャリヤ濃度が低い透明酸化物薄膜。
(イ) 相違点１－１
透明酸化物薄膜が，本件発明１では，「「Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ及びＯの元素から構成」される酸化物薄膜であって，該酸化物の組成は，「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）」であり，「不純物イオンを添加することなしに，電子移動度が１ｃｍ２／（Ｖ・秒）超，かつ電子キャリヤ濃度が１０１６／ｃｍ３以下である半絶縁性である」「半絶縁性アモルファス」」酸化物薄膜であるのに対して，引用発明１では，「Ａｒガスと酸素ガスとを用いた反応性スパッタリングにおいて，着膜時の酸素ガスの割合（Ｏ２／Ａｒ＋Ｏ２）を１％以上として，従来透明電極として用いられていた，酸化物の透明導電膜である，ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）膜の膜中の酸素量を増加させることで，着膜した前記ＩＴＯ膜の化学量論的組成からのずれ（酸素欠損）により発生しているキャリアを減らして，前記ＩＴＯ膜のキャリア濃度を１０１８個・ｃｍ－３以下に制御し，縮退を解いて導電性を低下させ」た半導体層である点。
ウ 本件発明３と引用発明１との一致点及び相違点
(ア) 一致点
スパッタ法の気相成膜法で成膜され，Ｉｎ及びＯの元素を含む酸化物薄膜であって，電子キャリヤ濃度が低い透明酸化物薄膜。
(イ) 相違点１－２
透明酸化物薄膜が，本件発明３では，「「Ｉｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｍｇ及びＯの元素から構成」される酸化物薄膜であって，該酸化物の組成は，「結晶化したときの組成がＩｎＧａＯ３（Ｚｎ１－ｘＭｇｘＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数，０．８０≦ｘ＜０．８５）」であり，「不純物イオンを添加することなしに，電子移動度が１ｃｍ２／（Ｖ・秒）超，かつ電子キャリヤ濃度が１０１６／ｃｍ３以下である半絶縁性である」「半絶縁性アモルファス」」酸化物薄膜であるのに対して，引用発明１では，「Ａｒガスと酸素ガスとを用いた反応性スパッタリングにおいて，着膜時の酸素ガスの割合（Ｏ２／Ａｒ＋Ｏ２）を１％以上として，従来透明電極として用いられていた，酸化物の透明導電膜である，ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）膜の膜中の酸素量を増加させることで，着膜した前記ＩＴＯ膜の化学量論的組成からのずれ（酸素欠損）により発生しているキャリアを減らして，前記ＩＴＯ膜のキャリア濃度を１０１８個・ｃｍ－３以下に制御し，縮退を解いて導電性を低下させ」た半導体層である点。
（長文のため、ここでは本文の冒頭のみを掲載しています。全文はこのページの表示後に読み込まれます。原本は原本PDFをご覧ください。）
出典：裁判所ウェブサイト「裁判例検索」（https://www.courts.go.jp/hanrei/86189/detail7/index.html）。本文は同サイト掲載の判決書PDFからTaiLexi AIがテキスト化・整形したもの（正確な文言は原本PDFを参照）。判示事項・裁判要旨・参照法条は裁判所の公表どおり。