平成２８年１０月１２日判決言渡
平成２７年（行ケ）第１０１７６号審決取消請求事件
口頭弁論終結日平成２８年７月１３日
判決
原告株式会社半導体エネルギー研究所
訴訟代理人弁護士伊藤真
平井佑希
丸田憲和
弁理士加茂裕邦
被告国立研究開発法人科学技術振興機構
被告ＨＯＹＡ株式会社
被告ら訴訟代理人弁護士高橋雄一郎
同復代理人弁護士鈴木佑一郎
被告ら訴訟代理人弁理士望月尚子
主文
１ 特許庁が無効２０１４－８００１２０号事件について平成２７年７月２８日にした審決のうち，請求項１，２及び４に係る部分を取り消す。
２ 原告のその余の請求を棄却する。
３ 訴訟費用はこれを４分し，その１を原告の負担とし，その余を被告らの負担とする。
事実及び理由
第１ 原告の求めた裁判
特許庁が無効２０１４－８００１２０号事件について平成２７年７月２８日にした審決を取り消す。
第２ 事案の概要
本件は，原告が請求した特許無効審判の不成立審決に対する取消訴訟である。争点は，①サポート要件（特許法３６条６項１号）違反の有無，②実施可能要件（特許法３６条４項１号）違反の有無及び③進歩性の有無についての判断の当否である。
１ 特許庁における手続の経緯
被告らは，平成１４年９月１１日（本件出願日）に出願され（特願２００２－２６６０１２号），平成２０年８月８日に設定登録がなされた特許（本件特許。特許第４１６４５６２号。発明の名称「ホモロガス薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ」）の特許権者である（甲３５）。
原告は，平成２６年７月１４日，本件特許の無効審判請求をしたところ（無効２０１４－８００１２０号。甲４０），特許庁は，平成２７年７月２８日，「本件審判の請求は，成り立たない。」との審決をし，同審決謄本は，同年８月６日に原告に送達された。
２ 本件発明の要旨
本件特許に係る発明（本件発明）は，次のとおりである（以下，本件特許の明細書及び図面を「本件明細書」という。）
【請求項１】
ホモロガス化合物ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（Ｍ＝Ｉｎ，Ｆｅ，Ｇａ，又はＡｌ，ｍ＝１以上５０未満の整数）（以下「本件化合物」という。）薄膜を活性層として用いることを特徴とする透明薄膜電界効果型トランジスタ。（本件発明１）【請求項２】
表面が原子レベルで平坦である単結晶又はアモルファスホモロガス化合物薄膜を用いることを特徴とする請求項１記載の透明薄膜電界効果型トランジスタ。（本件発明２）
【請求項３】
ホモロガス化合物が耐熱性，透明酸化物単結晶基板上に形成された単結晶薄膜であることを特徴とする請求項１記載の透明薄膜電界効果型トランジスタ。（本件発明３）
【請求項４】
ホモロガス化合物がガラス基板上に形成されたアモルファス薄膜であることを特徴とする請求項１記載の透明薄膜電界効果型トランジスタ。（本件発明４）
３ 審決の理由の要旨（争点と関係の薄い部分はフォントを小さく表記する。）
(1) 請求人（原告）が主張した無効理由
ア 無効理由１
下記(ｱ)～(ｴ)のとおり，本件発明１～４は，本件出願日前に日本国内又は外国において頒布された甲１，３～１４，及び２４～２８に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。よって，本件発明１～４に係る特許は，特許法１２３条１項２号に該当し，無効とすべきものである。
(ｱ) 本件発明１は，甲１，３～１４，２４及び２８に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
(ｲ) 本件発明２は，甲１，３～１４，２４～２６及び２８に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
(ｳ) 本件発明３は，甲１，３～１４，２４，２７，及び２８に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
(ｴ) 本件発明４は，甲１，及び３～１４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
イ 無効理由２
下記(ｱ)～(ｴ)のとおり，本件発明１～４は，本件出願日前に日本国内又は外国において頒布された甲１，３～５，８，１４及び２４～２８に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。よって，本件発明１～４に係る特許は，特許法１２３条１項２号に該当し，無効とすべきものである。
(ｱ) 本件発明１は，甲１，３～５，８，１４，２４及び２８に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
(ｲ) 本件発明２は，甲１，３～８，１４，２４～２６及び２８に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
(ｳ) 本件発明３は，甲１，３～５，８，１４，２４，２７及び２８に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
(ｴ) 本件発明４は，甲１，３～８及び１４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
ウ 無効理由３
下記(ｱ)～(ｴ)のとおり，本件発明１～４は，本件出願日前に日本国内又は外国において頒布された甲２～７，１４，２４～２６及び２８～３０に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。よって，本件発明１～４に係る特許は，特許法１２３条１項２号に該当し，無効とすべきものである。
(ｱ) 本件発明１は，甲２～５，１４，２８及び２９に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
(ｲ) 本件発明２は，甲２～７，１４，２４～２６，２８及び２９に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。(ｳ) 本件発明３は，甲２～５，１４，２４及び２８～３０に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
(ｴ) 本件発明４は，甲２～７，１４，２８及び２９に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
エ 無効理由４
本件発明１～３は，本件出願日前の他の特許出願であって，本件特許の出願後に公開された甲３１に記載の発明と同一であるから，特許法２９条の２の規定により特許を受けることができない。よって，本件発明１～３に係る特許は，特許法１２３条１項２号に該当し，無効とすべきものである。
オ 無効理由５
本件明細書の発明の詳細な説明の記載は，本件発明１，２及び４についての実施可能要件を満たしていないから，本件発明１，２及び４についての特許は，特許法３６条４項１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものであり，特許法１２３条１項４号の規定に該当し，無効とすべきものである。
カ 無効理由６
本件発明１～４は，本件明細書の発明の詳細な説明に記載したものではないから，特許法３６条６項１号に規定する要件を満たしていない。よって，本件発明１～４に係る特許は，特許法１２３条１項４号の規定に該当し，無効とすべきものである。
(2) 無効理由１について
ア 引用発明１の認定
特表平１１－５０５３７７号公報（甲１。引用文献１）には，次の発明（引用発明１）が記載されていると認められる。
「透明材料の２つの接続電極と，透明絶縁層によりチャネル領域から分離された導電材料の透明ゲート電極が設けられた半導体材料の介在透明チャネル領域とを有する透明スイッチング素子が設けられた半導体装置において，前記半導体材料が，伝導帯と２．５ｅＶ以上の電子の価電子帯との間にバンドギャップを有し，塩基性材料の価電子帯又は伝導帯に，あるいはこれに隣接する固定不純物エネルギー準位を形成するドーパント原子が設けられた１０ｃｍ2／Ｖｓ以上の電荷キャリアの移動度を有する塩基性材料が設けられた縮退半導体材料を具えることを特徴とする半導体装置の一実施例として開示された，
導電性ＳｒＲｕＯ3 層５を絶縁単結晶ＳｒＴｉＯ3 基板７上にエピタキシヤル堆積により設け，このＳｒＲｕＯ3 層５をパターン化してゲート電極５を形成し，次に，前記ゲート電極５上及び前記基板７の表面上に透明絶縁層６であるＢａＺｒＯ2 を設け，次いで，０．０３％のＳｎがドープされた厚さ０．１μｍのＩｎ2Ｏ3 の層４を，０．２ｍｂｒの酸素圧及び５０５℃の温度でパルスレーザ堆積によって前記透明絶縁層６上及び前記基板７の表面上に既知のように設け，その後，前記層４及び前記透明絶縁層６をパターン化し，チャネル領域４及び接続電極２を形成することによって製造された，透明材料の２つの接続電極２，３と，半導体材料の介在透明チャネル領域４とを有する半導体装置において，
前記チャネル領域４の半導体材料である，０．０３％のＳｎがドープされたＩｎ2Ｏ3 に対し，ドーパント原子を設けた非遷移金属の他の共有結合酸化物である，１０ｃｍ２／Ｖｓ以上の移動度及び２．５ｅＶ以上のバンドギャップを有する，例えば，Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2 若しくはＩｎ2Ｏ3，これら酸化物の混合物，又は，ＧａＩｎＯ3，ＺｎＧａ２Ｏ4 若しくはＣｄＧａ2Ｏ4 のようなこれら酸化物から形成された化合物を用いた半導体装置。」
イ 本件発明１と引用発明１との対比
（一致点）
薄膜を活性層として用いる透明薄膜電界効果型トランジスタ。
（相違点１）
透明薄膜電界効果型トランジスタの活性層として用いられる薄膜が，本件発明１では，「本件化合物薄膜」であるのに対して，引用発明１では，「「伝導帯と 2.5 ｅＶ以上の電子の価電子帯との間にバンドギャップを有し，塩基性材料の価電子帯又は伝導帯に，あるいはこれに隣接する固定不純物エネルギー準位を形成するドーパント原子が設けられた１０ｃｍ2／Ｖｓ以上の電荷キャリアの移動度を有する塩基性材料が設けられた縮退半導体材料」であり，かつ，「前記半導体材料である，０．０３％のＳｎがドープされたＩｎ2Ｏ3 に対し，ドーパント原子を設けた非遷移金属の他の共有結合酸化物である，１０ｃｍ
２／Ｖｓ以上の移動度及び 2.5 ｅＶ以上の
バンドギャップを有する，例えば，Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2 若しくはＩｎ2Ｏ3，これら酸化物の混合物，又は，ＧａＩｎＯ3，ＺｎＧａ２Ｏ4 若しくはＣｄＧａ2Ｏ4 のようなこれら酸化物から形成された化合物を用いた」もの」である点。
ウ 相違点１についての判断
(ｱ) 引用文献１に記載された，「Ｇａ2Ｏ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＳｎＯ2，ＺｎＯ，Ｓｂ2Ｏ3，ＰｂＯ，ＧｅＯ2 若しくはＩｎ2Ｏ3，これら酸化物の混合物，又は，ＧａＩｎＯ3，ＺｎＧａ２Ｏ4，若しくはＣｄＧａ2Ｏ4 のようなこれら酸化物から形成された化合物」から，「Ｉｎ，Ｇａ及びＺｎの３つの金属を含む酸化物」を選択する動機を見出すことはできないし，しかも，化合物の組成比を「ホモロガス化合物ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＝１以上５０未満の整数）」とすることが，適宜設定できるとする理由を見出すこともできない。したがって，相違点１は，引用発明１に基づいて容易に想到できたものではない。
(ｲ) 引用発明１に，相違点１について，他の公知文献に基づいて本件発明１の構成を採用することも容易であるとはいえない。
甲３（「ＡｍｏｒｐｈｏｕｓｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅｏｘｉｄｅＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ≦４）：ａＺｎ４ｓｃｏｎｄｕｃｔｏｒ」），甲４（特開２０００－４４２３６号公報），甲５（「透明導電膜の技術」），甲６（「第４７回応用物理学関係連合講演会講演予稿集」第２分冊，５５７頁，２８ａ－ＺＢ－１），甲７（「第４８回応用物理学関連連合講演会講演予稿集」，第２分冊，９４６頁，２９ｐ－ＺＬ－１０），甲８（特開昭６３－２３９１１７号公報），甲９（特開昭６３－２１００２２号公報），甲１０（特開昭６３－２１００２３号公報），甲１１（特開昭６３－２１００２４号公報），甲１２（特開昭６３－２１５５１９号公報），甲１３（特開昭６３－２６５８１８号公報），甲１４（固体物理第２８巻第５号３１７頁「ホモロガス相，ＩｎＦｅＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ：自然数）とその同型化合物の合成および結晶構造」），甲２４（「第４９回応用物理学関係連合講演会講演予稿集」，第２分冊，６２８頁，３０ａ－ＹＡ－１３０ａ－ＹＡ－２），及び，甲２８（「ＳｙｎｔｈｅｓｅｓａｎｄＳｉｎｇｌｅ－ＣｒｙｓｔａｌＤａｔｅｏｆＨｏｍｏｌｏｇｏｕｓＣｏｍｐｏｕｎｄｓ，Ｉｎ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＝３，４，ａｎｄ５），ＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）３，ａｎｄＧａ２Ｏ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＝７，８，９，ａｎｄ１６）ｉｎｔｈｅＩｎ２Ｏ３－ＺｎＧａ２Ｏ４－ＺｎＯＳｙｓｔｅｍ」）の記載より，本件化合物が，本件出願日前に知られていたことは認められる。
（長文のため、ここでは本文の冒頭のみを掲載しています。全文はこのページの表示後に読み込まれます。原本は原本PDFをご覧ください。）
出典：裁判所ウェブサイト「裁判例検索」（https://www.courts.go.jp/hanrei/86192/detail7/index.html）。本文は同サイト掲載の判決書PDFからTaiLexi AIがテキスト化・整形したもの（正確な文言は原本PDFを参照）。判示事項・裁判要旨・参照法条は裁判所の公表どおり。