平成２９年６月２０日判決言渡同日原本領収裁判所書記官
平成２８年（行ケ）第１００４４号審決取消請求事件
口頭弁論終結日平成２９年５月１６日
判決
原告旭化成エレクトロニクス株式会社
同訴訟代理人弁護士古城春実
加治梓子
同弁理士谷義一
藤田英治
梅田幸秀
窪田郁大
吉村和彦
新開正史
被告Ｙ
同訴訟代理人弁理士柴田昌聰
阿部寛
主文
１ 特許庁が無効２０１３－８００２０３号事件について平成２８
年１月４日にした審決を取り消す。
２ 訴訟費用は被告の負担とする。
事実及び理由
第１ 請求
主文第１項と同旨
第２ 事案の概要
１ 特許庁における手続の経緯等
(1) 原告は，平成１６年９月９日，名称を「赤外線センサＩＣ，赤外線センサ及びその製造方法」とする発明について特許出願をし（優先権主張：平成１５年９月９日，日本国。ただし，審決は優先権主張の効果を認めず，原告はこれを争わなかった。），平成２０年２月２９日，設定の登録（特許第４０８６８７５号）を受けた（請求項の数１８。甲２３。以下，この特許を「本件特許」という。）。
(2) 被告は，平成２５年１０月３０日，本件特許について特許無効審判請求をし，無効２０１３－８００２０３号事件として係属した。
(3) 原告は，平成２７年６月８日，本件特許に係る特許請求の範囲を訂正する旨の訂正請求をした（以下「本件訂正」という。甲２４）。
⑷特許庁は，平成２８年１月４日，「訂正請求書に添付された特許請求の範囲のとおり訂正することを認める。特許第４０８６８７５号の請求項１ないし１８に係る発明についての特許を無効とする。」との別紙審決書（写し）記載の審決（以下「本件審決」という。）をし，その謄本は，同月１５日，原告に送達された。⑸原告は，平成２８年２月１２日，本件審決の取消しを求める本件訴訟を提起した。
２ 特許請求の範囲の記載
本件訂正後の特許請求の範囲請求項１ないし１８の記載は，次のとおりである（甲２３，２４）。なお，「／」は，原文の改行部分を示す（以下同じ。）。以下，請求項１ないし１８に係る発明を「本件発明１」などといい，併せて「本件各発明」という。また，本件訂正後の明細書（甲２４）を，本件特許の図面（甲２３）を含めて，「本件明細書」という。
【請求項１】基板と，／該基板上に形成された，複数の化合物半導体層が積層された化合物半導体の積層体とを備え，室温において冷却機構無しで動作が可能な赤外線センサであって，／前記化合物半導体の積層体は，／該基板上に形成された，インジウム及びアンチモンを含み，ｎ型ド－ピングされた材料である第１の化合物半導体層と，／該第１の化合物半導体層上に形成されｐ型ド－ピングされた，ＩｎＳｂ，ＩｎＡｓＳｂ，ＩｎＳｂＮのいずれかである第２の化合物半導体層と，／該第２の化合物半導体層上に形成された，前記第２の化合物半導体層よりも高濃度にｐ型ド－ピングされ，かつ前記第１の化合物半導体層，及び前記第２の化合物半導体層よりも大きなバンドギャップを有する材料であるＡｌＺＩｎ１－ＺＳｂ（０．１≦ｚ≦０．５）の第３の化合物半導体層と／を備え，／前記第１の化合物半導体層のｎ型ド－ピング濃度は，１×１０１８原子／ｃｍ３以上であり，／前記第２の化合物半導体層のｐ型ド－ピング濃度は，１×１０１６原子／ｃｍ３以上１×１０１８原子／ｃｍ３未満であり，／前記第３の化合物半導体層のｐ型ド－ピング濃度は，１×１０１８原子／ｃｍ３以上であることを特徴とする赤外線センサ。
【請求項２】前記第１の化合物半導体層はＩｎＳｂであることを特徴とする請求項１記載の赤外線センサ。
【請求項３】前記第１の化合物半導体層のｎ型ド－パントはＳｎであり，前記第２の化合物半導体層及び前記第３の化合物半導体層のｐ型ド－パントはＺｎであることを特徴とする請求項１または２記載の赤外線センサ。
【請求項４】前記化合物半導体の積層体は，／前記第３の化合物半導体層上に形成された，インジウム及びアンチモンを含み，該第３の化合物半導体層と同等か，またはそれ以上の濃度にｐ型ド－ピングされた材料である第４の化合物半導体層をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の赤外線センサ。【請求項５】前記第４の化合物半導体層は，ＩｎＳｂであることを特徴とする請求項４記載の赤外線センサ。
【請求項６】前記第４の化合物半導体層のｐ型ド－パントはＺｎであることを特徴とする請求項４または５記載の赤外線センサ。
【請求項７】前記基板は，半絶縁性，または前記基板と該基板に形成された第１の化合物半導体層とが絶縁分離可能である基板であり，／前記第１の化合物半導体層のうち，前記第２の化合物半導体層が形成されていない領域に形成された第１電極と，／前記第３の化合物半導体層上に形成された，第２電極と／をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の赤外線センサ。
【請求項８】前記基板上には，前記化合物半導体の積層体に形成された第１の電極と，該第１の電極が形成された化合物半導体の積層体の隣の化合物半導体の積層体に形成された第２の電極とが直列接続するように，複数の前記化合物半導体の積層体が連続的に形成されていることを特徴とする請求項７記載の赤外線センサ。【請求項９】出力信号を測定する際に，前記第１及び第２の電極間のバイアスをゼロバイアスとし，赤外線入射時の信号を開放回路電圧として読み出すことを特徴とする請求項７または８記載の赤外線センサ。
【請求項１０】前記基板と，前記積層体との間に配置された，格子不整合を緩和させる層であるバッファ層をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の赤外線センサ。
【請求項１１】前記バッファ層が，ＡｌＳｂ，ＡｌＧａＳｂ，ＡｌＧａＡｓＳｂ，ＡｌＩｎＳｂ，ＧａＩｎＡｓＳｂ，ＡｌＩｎＡｓＳｂのいずれかであることを特徴とする請求項１０記載の赤外線センサ。
【請求項１２】請求項１乃至１１のいずれかに記載の赤外線センサと，／前記赤外線センサから出力される電気信号を処理して所定の演算を行う集積回路部とを備え，／前記赤外線センサ及び前記集積回路部が同一パッケ－ジ内にハイブリッドの形態で配設されていることを特徴とする赤外線センサＩＣ。
【請求項１３】室温において冷却機構無しで動作が可能な赤外線センサの製造方法であって，／基板上に，インジウム及びアンチモンを含み，ｎ型ド－ピングされた材料である第１の化合物半導体層を形成する工程と，／該第１の化合物半導体層上に，ｐ型ド－ピングされた，ＩｎＳｂ，ＩｎＡｓＳｂ，ＩｎＳｂＮのいずれかである第２の化合物半導体層を形成する工程と，／該第２の化合物半導体層上に，前記第２の化合物半導体層よりも高濃度にｐ型ド－ピングされ，かつ前記第１の化合物半導体層，及び前記第２の化合物半導体層よりも大きなバンドギャップを有する材料であるＡｌＺＩｎ１－ＺＳｂ（０．１≦ｚ≦０．５）の第３の化合物半導体層を形成する工程と／を有し，／前記第１の化合物半導体層を形成する工程では，前記第１の化合物半導体層のｎ型ド－ピンク濃度を１×１０１８原子／ｃｍ３以上とし，／前記第２の化合物半導体層を形成する工程では，前記第２の化合物半導体層のｐ型ド－ピンク濃度を１×１０１６原子／ｃｍ３以上１×１０１８原子／ｃｍ３未満とし，／前記第３の化合物半導体層を形成する工程では，前記第３の化合物半導体層のｐ型ド－ピング濃度を１×１０１８原子／ｃｍ３以上とすることを特徴とする赤外線センサの製造方法。
【請求項１４】前記第１の化合物半導体層はＩｎＳｂであることを特徴とする請求項１３記載の赤外線センサの製造方法。
【請求項１５】前記第１の化合物半導体層のｎ型ド－パントはＳｎであり，前記第２の化合物半導体層及び前記第３の化合物半導体層のｐ型ド－パントはＺｎであることを特徴とする請求項１３または１４記載の赤外線センサの製造方法。【請求項１６】前記第３の化合物半導体層上に，インジウム及びアンチモンを含み，該第３の化合物半導体層と同等か，またはそれ以上の濃度にｐ型ド－ピングされた材料である第４の化合物半導体層を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項１３乃至１５のいずれかに記載の赤外線センサの製造方法。
【請求項１７】前記第４の化合物半導体層は，ＩｎＳｂであることを特徴とする請求項１６記載の赤外線センサの製造方法。
【請求項１８】前記第４の化合物半導体層のｐ型ド－パントはＺｎであることを特徴とする請求項１６または１７記載の赤外線センサの製造方法。
３ 本件審決の理由の要旨
(1) 本件審決の理由は，別紙審決書（写し）のとおりである。要するに，本件訂正を認めた上，①本件各発明のうち物の発明である本件発明１ないし１２は，いずれも，ⅰ）下記アの引用例１及び下記イの引用例２（これらの内容は同じである。以下，併せて「引用例１」という。）に記載された物の発明（以下「引用発明Ａ」という。）及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである，ⅱ）下記ウの引用例３に記載された物の発明（以下「引用発明Ｂ」という。）及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである，ⅲ）下記エの引用例４に記載された物の発明（以下「引用発明Ｃ」という。）及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本件発明１ないし１２についての本件特許は，特許法２９条２項の規定に違反してなされたものであり，無効にすべきである，②本件各発明のうち方法の発明である本件発明１３ないし１８は，いずれも，ⅰ）引用例１に記載された方法の発明（以下「引用発明Ａ’」という。）及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである，ⅱ）下記ウの引用例３に記載された方法の発明（以下「引用発明Ｂ’」という。）及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである，ⅲ）下記エの引用例４に記載された方法の発明（以下「引用発明Ｃ’」という。）及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本件発明１３ないし１８についての本件特許は，特許法２９条２項の規定に違反してなされたものであり，無効にすべきである，などというものである。
ア 引用例１：ＵＭＩＤＴＵＭＫＡＹＡ（判決注：ウムラウト表記は省略。以下同じ。），＂ＰＥＲＦＯＲＭＡＮＣＥＡＳＳＥＳＭＥＮＴＯＦＩＮＤＩＵＭＡＮＴＩＭＯＮＩＤＥＰＨＯＴＯＤＥＴＥＣＴＯＲＳＯＮＳＩＬＩＣＯＮＳＵＢＳＴＲＡＴＥＳ＂（ユミッドチュムカヤ「シリコン基板上のインジウムアンチモン光検出器の性能評価」），ｈｔｔｐ：／／ｅｔｄ．ｌｉｂ．ｍｅｔｕ．ｅｄｕ．ｔｒ／ｕｐｌｏａｄ／７５６４０３／ｉｎｄｅｘ．ｐｄｆ（甲１。公衆に利用可能となった日は，遅くとも平成１５年１２月３１日である。）
イ 引用例２：ＵＭＩＤＴＵＭＫＡＹＡ，＂ＰＥＲＦＯＲＭＡＮＣＥＡＳＳＥＳＭＥＮＴＯＦＩＮＤＩＵＭＡＮＴＩＭＯＮＩＤＥＰＨＯＴＯＤＥＴＥＣＴＯＲＳＯＮＳＩＬＩＣＯＮＳＵＢＳＴＲＡＴＥＳ＂（ユミッドチュムカヤ「シリコン基板上のインジウムアンチモン光検出器の性能評価」）のコピ－（甲２。頒布された日は，遅くとも平成１５年１２月３１日である。）
ウ 引用例３：ＴｉｍＡｓｈｌｅｙ，＂ＥｐｉｔａｘｉａｌＩｎＳｂｆｏ
ｒ ｅｌｅｖａｔｅｄｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｏｐｅｒａｔｉｏｎｏｆｌａｒｇｅＩＲｆｏｃａｌｐｌａｎｅａｒｒａｙｓ＂（ティムアシュレー
「大型ＩＲ焦点面アレイの高温動作用エピタキシャルＩｎＳｂ」），ＩｎｆｒａｒｅｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙａｎｄＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓＸＸＩＸ，ＳＰＩＥ，２００４．０１．２３，ＶＯＬＵＭＥ５０７４，ｐ９５－１０２（甲３。頒布された日は，遅くとも平成１６年１月２３日である。）
エ 引用例４：Ｃ．Ｔ．Ｅｌｌｉｏｔｔ，＂ＡｄｖａｎｃｅｄｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｕｒｅｓｆｏｒＩｎ１－ｘＡｌｘＳｂａｎｄＨｇ１－ｘＣｄｘＴｅｄｅｔｅｃｔｏｒｓａｎｄｅｍｉｔｔｅｒｓ＂（Ｃ．Ｔ．エリオット「Ｉｎ１－ｘＡｌｘＳｂ及びＨｇ１－ｘＣｄｘＴｅ検出器及びエミッタのための改良ヘテロ構造」），ＩｎｆｒａｒｅｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙａｎｄＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓＸＸＩＩ，ＳＰＩＥ，１９９６．１０．２２，ＶＯＬＵＭＥ２７４４，ｐ４５２－４６１（甲４。頒布された日は，遅くとも平成８年１０月２２日である。）
（長文のため、ここでは本文の冒頭のみを掲載しています。全文はこのページの表示後に読み込まれます。原本は原本PDFをご覧ください。）
出典：裁判所ウェブサイト「裁判例検索」（https://www.courts.go.jp/hanrei/86847/detail7/index.html）。本文は同サイト掲載の判決書PDFからTaiLexi AIがテキスト化・整形したもの（正確な文言は原本PDFを参照）。判示事項・裁判要旨・参照法条は裁判所の公表どおり。