令和２年６月３日判決言渡
令和元年（行ケ）第１００９６号特許取消決定取消請求事件
口頭弁論終結日令和２年２月５日
判決
原告日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社
同訴訟代理人弁理士長谷川芳樹
吉住和之
平野裕之
水木佐綾子
沖田英樹
被告特許庁長官
同指定代理人橋本栄和
大熊幸治
井上猛
原賢一
豊田純一
主文
１ 特許庁が異議２０１８－７０００９５号事件について令和元年５月
３０日にした異議の決定のうち，特許第６１７２１３９号の請求項２，
９及び１０に係る部分を取り消す。
２ 原告のその余の請求を棄却する。
３ 訴訟費用は，これを２分し，その１を原告の負担とし，その１を被
告の負担とする。
事実及び理由
第１ 請求
特許庁が異議２０１８－７０００９５号事件について令和元年５月３０日にした異議の決定のうち，特許第６１７２１３９号の請求項１～４及び６～１９に係る部分を取り消す。
第２ 事案の概要
本件は，特許異議審判請求を認容した異議の決定に対する取消訴訟である。争点は，進歩性の有無（一致点及び相違点の認定，相違点に係る判断の当否）である。
１ 特許庁における手続の概要等
原告は，発明の名称を「樹脂組成物，及びこれを用いたポリイミド樹脂膜，ディスプレイ基板とその製造方法」とする発明に係る特許権（特許第６１７２１３９号。以下，「本件特許権」といい，本件特許権に係る特許を「本件特許」，本件特許権の明細書及び図面を「本件明細書」という。）の特許権者であり，平成２５年２月１５日に特許出願（特願２０１４－５００９０７号）を行い（特願２０１２－３７３６９号。優先権主張：平成２４年２月２３日〔以下，「本件優先日」という。〕，日本国），平成２９年７月１４日に特許権の設定登録を受けた（甲８）。本件特許について，平成３０年２月２日付けで特許異議の申立てがあり（甲９），特許庁はこれを異議２０１８－７０００９５号事件として審理（以下，「本件異議手続」という。）し，原告は同年１２月１７日付けで訂正請求をした（甲１６。以下，訂正後の請求項１～１９に係る各発明につき，「本件発明１」～「本件発明１９」といい，これらを併せて「本件発明」と総称することがある。）。
特許庁は，上記訂正請求を認めた上で，令和元年５月３０日，「特許第６１７２１３９号の請求項１～４及び６～１９に係る特許を取り消す。特許第６１７２１３９号の請求項５に係る特許に対する本件特許異議の申立てを却下する。」との決定（以下，「本件決定」という。）をし，その謄本は，同年６月７日，原告に送達された。
２ 本件特許の訂正後の特許請求の範囲（甲１７）
【請求項１】（本件発明１）
（ａ）一般式（１）で表される構造単位を有するポリアミド酸と，（ｂ）３－ウレイドプロピルトリエトキシシラン，ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン，３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン，フェニルトリメトキシシラン，γ－アミノプロピルトリエトキシシラン，γ－アミノプロピルトリメトキシシラン，γ－アミノプロピルトリプロポキシシラン，γ－アミノプロピルトリブトキシシラン，γ－アミノエチルトリエトキシシラン，γ－アミノエチルトリメトキシシラン，γ－アミノエチルトリプロポキシシラン，γ－アミノエチルトリブトキシシラン，γ－アミノブチルトリエトキシシラン，γ－アミノブチルトリメトキシシラン，γ－アミノブチルトリプロポキシシラン，及びγ－アミノブチルトリブトキシシランからなる群から選択される１以上のアルコキシシラン化合物と，（ｃ）有機溶剤と，を含有し，前記（ｂ）成分の含有量が前記（ａ）成分に対して０．２～２質量％である樹脂組成物であって，
前記樹脂組成物をシリコン基板又はガラス基板に塗布，加熱し，１～５０μｍの膜厚を有するポリイミド樹脂膜を形成する工程と，前記ポリイミド樹脂膜上に半導体素子を形成する工程と，前記半導体素子が形成されたポリイミド樹脂膜を支持体から剥離する工程とを含む，ディスプレイ基板の製造方法に用いられる，樹脂組成物。
【化１１】
（一般式（１）中，Ｒ１は芳香族環を有する２価の有機基を示し，Ｒ２は芳香族環を有する４価の有機基を示す。）
【請求項２】（本件発明２）
（ａ）一般式（１）で表される構造単位を有するポリアミド酸と，（ｂ）３－ウレイドプロピルトリエトキシシラン，ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン，３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン及びフェニルトリメトキシシランからなる群から選択される１以上のアルコキシシラン化合物と，（ｃ）有機溶剤と，を含有し，前記（ｂ）成分の含有量が前記（ａ）成分に対して０．２～２質量％である樹脂組成物であって，
前記樹脂組成物をシリコン基板又はガラス基板に塗布，加熱し，１～５０μｍの膜厚を有するポリイミド樹脂膜を形成する工程と，前記ポリイミド樹脂膜上に半導体素子を形成する工程と，前記半導体素子が形成されたポリイミド樹脂膜を支持体から剥離する工程とを含む，ディスプレイ基板の製造方法に用いられる，樹脂組成物。
【化１】
（一般式（１）中，Ｒ１は芳香族環を有する２価の有機基を示し，Ｒ２は芳香族環を有する４価の有機基を示す。）
【請求項３】（本件発明３）
（ａ）一般式（１）で表される構造単位を有するポリアミド酸と，（ｂ）３－ウレイドプロピルトリエトキシシラン，ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン，３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン，フェニルトリメトキシシラン，γ－アミノプロピルトリエトキシシラン，γ－アミノプロピルトリメトキシシラン，γ－アミノプロピルトリプロポキシシラン，γ－アミノプロピルトリブトキシシラン，γ－アミノエチルトリエトキシシラン，γ－アミノエチルトリメトキシシラン，γ－アミノエチルトリプロポキシシラン，γ－アミノエチルトリブトキシシラン，γ－アミノブチルトリエトキシシラン，γ－アミノブチルトリメトキシシラン，γ－アミノブチルトリプロポキシシラン，及びγ－アミノブチルトリブトキシシランからなる群から選択される１以上のアルコキシシラン化合物と，（ｃ）有機溶剤と，を含有し，前記（ｂ）成分の含有量が前記（ａ）成分に対して０．２～２質量％である樹脂組成物であって，
前記樹脂組成物をシリコン基板又はガラス基板に塗布，加熱し，１～５０μｍの膜厚を有するポリイミド樹脂膜を形成する工程と，前記ポリイミド樹脂膜上に半導体素子を形成する工程と，前記半導体素子が形成されたポリイミド樹脂膜を支持体から剥離する工程とを含む，ディスプレイ基板の製造方法に用いられる，樹脂組成物。
【化１２】
（一般式（１）中，Ｒ１は芳香族環を有する２価の有機基を示し，Ｒ２は下記式（７）で表される４価の有機基を示す。）
【化１３】
【請求項４】（本件発明４）
（ａ）一般式（１）で表される構造単位を有するポリアミド酸と，（ｂ）３－ウレイドプロピルトリエトキシシラン，ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン，３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン，フェニルトリメトキシシラン，γ－アミノプロピルトリエトキシシラン，γ－アミノプロピルトリメトキシシラン，γ－アミノプロピルトリプロポキシシラン，γ－アミノプロピルトリブトキシシラン，γ－アミノエチルトリエトキシシラン，γ－アミノエチルトリメトキシシラン，γ－アミノエチルトリプロポキシシラン，γ－アミノエチルトリブトキシシラン，γ－アミノブチルトリエトキシシラン，γ－アミノブチルトリメトキシシラン，γ－アミノブチルトリプロポキシシラン，及びγ－アミノブチルトリブトキシシランからなる群から選択される１以上のアルコキシシラン化合物と，（ｃ）有機溶剤と，を含有し，前記（ｂ）成分の含有量が前記（ａ）成分に対して０．２～１質量％である樹脂組成物であって，
前記樹脂組成物をシリコン基板又はガラス基板に塗布，加熱し，１～５０μｍの膜厚を有するポリイミド樹脂膜を形成する工程と，前記ポリイミド樹脂膜上に半導体素子を形成する工程と，前記半導体素子が形成されたポリイミド樹脂膜を支持体から剥離する工程とを含む，ディスプレイ基板の製造方法に用いられる，樹脂組成物。
【化１４】
（一般式（１）中，Ｒ１は芳香族環を有する２価の有機基を示し，Ｒ２は芳香族環を有する４価の有機基を示す。）
【請求項６】（本件発明６）
（ａ）一般式（１）で表される構造単位を有するポリアミド酸と，（ｂ）３－ウレイドプロピルトリエトキシシラン，ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン，３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン，フェニルトリメトキシシラン，γ－アミノプロピルトリエトキシシラン，γ－アミノプロピルトリメトキシシラン，γ－アミノプロピルトリプロポキシシラン，γ－アミノプロピルトリブトキシシラン，γ－アミノエチルトリエトキシシラン，γ－アミノエチルトリメトキシシラン，γ－アミノエチルトリプロポキシシラン，γ－アミノエチルトリブトキシシラン，γ－アミノブチルトリエトキシシラン，γ－アミノブチルトリメトキシシラン，γ－アミノブチルトリプロポキシシラン，及びγ－アミノブチルトリブトキシシランからなる群から選択される１以上のアルコキシシラン化合物と，（ｃ）有機溶剤と，を含有し，前記（ｂ）成分の含有量が前記（ａ）成分に対して０．２～２質量％であり，前記（ａ）成分の重量平均分子量が１５，０００～２００，０００である樹脂組成物であって，
前記樹脂組成物をシリコン基板又はガラス基板に塗布，加熱し，１～５０μｍの膜厚を有するポリイミド樹脂膜を形成する工程と，前記ポリイミド樹脂膜上に半導体素子を形成する工程と，前記半導体素子が形成されたポリイミド樹脂膜を支持体から剥離する工程とを含む，ディスプレイ基板の製造方法に用いられる，樹脂組成物。
【化１５】
（一般式（１）中，Ｒ１は下記式（３）で表される２価の有機基を示し，Ｒ２は芳香族環を有する４価の有機基を示す。）
【化１６】
【請求項７】（本件発明７）
請求項１に記載された樹脂組成物を加熱して得られるポリイミド樹脂膜。【請求項８】（本件発明８）
請求項７に記載のポリイミド樹脂膜を含むディスプレイ基板。
【請求項９】（本件発明９）
請求項２に記載された樹脂組成物を加熱して得られるポリイミド樹脂膜。【請求項１０】（本件発明１０）
請求項９に記載のポリイミド樹脂膜を含むディスプレイ基板。
【請求項１１】（本件発明１１）
請求項３に記載された樹脂組成物を加熱して得られるポリイミド樹脂膜。【請求項１２】（本件発明１２）
請求項１１に記載のポリイミド樹脂膜を含むディスプレイ基板。
【請求項１３】（本件発明１３）
請求項４に記載された樹脂組成物を加熱して得られるポリイミド樹脂膜。【請求項１４】（本件発明１４）
請求項１３に記載のポリイミド樹脂膜を含むディスプレイ基板。
【請求項１５】（本件発明１５）
請求項６に記載された樹脂組成物を加熱して得られるポリイミド樹脂膜。【請求項１６】（本件発明１６）
請求項１５に記載のポリイミド樹脂膜を含むディスプレイ基板。
【請求項１７】（本件発明１７）
（ａ）－般式（１）で表される構造単位を有するポリアミド酸と，（ｂ）３－ウレイドプロピルトリエトキシシラン，ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン，３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン，フェニルトリメトキシシラン，γ－アミノプロピルトリエトキシシラン，γ－アミノプロピルトリメトキシシラン，γ－アミノプロピルトリプロポキシシラン，γ－アミノプロピルトリブトキシシラン，γ－アミノエチルトリエトキシシラン，γ－アミノエチルトリメトキシシラン，γ－アミノエチルトリプロポキシシラン，γ－アミノエチルトリブトキシシラン，γ－アミノブチルトリエトキシシラン，γ－アミノブチルトリメトキシシラン，γ－アミノブチルトリプロポキシシラン，及びγ－アミノブチルトリブトキシシランからなる群から選択される１以上のアルコキシシラン化合物と，（ｃ）有機溶剤と，を含有し，前記（ｂ）成分の含有量が前記（ａ）成分に対して０．２～２質量％である樹脂組成物であって，
（長文のため、ここでは本文の冒頭のみを掲載しています。全文はこのページの表示後に読み込まれます。原本は原本PDFをご覧ください。）
出典：裁判所ウェブサイト「裁判例検索」（https://www.courts.go.jp/hanrei/89522/detail7/index.html）。本文は同サイト掲載の判決書PDFからTaiLexi AIがテキスト化・整形したもの（正確な文言は原本PDFを参照）。判示事項・裁判要旨・参照法条は裁判所の公表どおり。