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知財高裁判決請求棄却

知財高判 令和4年11月29日

令和3年(行ケ)第10163号 審決取消請求事件

AI 要約AI

特許無効審判における訂正請求について、訂正事項が明細書等に記載した事項の範囲内であり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認め、訂正を認めた審決の判断が維持された事例。

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この判例について AI に質問

裁判所
知的財産高等裁判所
裁判年月日
令和4年11月29日 (2022-11-29)
事件番号
令和3年(行ケ)第10163号
事件名
審決取消請求事件
裁判の種類・結果
判決 請求棄却
判例集等
—
分野
行政・知的財産・特許権・行政訴訟

AI 要約AI

要旨

  • 特許無効審判における訂正請求について、訂正事項が明細書等に記載した事項の範囲内であり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認め、訂正を認めた審決の判断が維持された事例。
  • 引用発明の認定は、刊行物の具体的な記載に基づいてされるべきであり、他の発明が認定できるからといって審決の認定が誤りとなるものではないとされた事例。
  • 引用発明と周知技術の技術分野や目的が共通するだけでは、引用発明に周知技術を適用する動機付けがあるとは認められないとされた事例。
事案の概要・争点・判断などを表示

事案の概要

  • 被告は、平成18年3月2日にレーザ加工装置に関する本件出願をし、同年10月13日に特許権の設定登録(特許第3867108号、請求項の数1)を受けた。
  • 原告は、令和元年10月10日、本件特許について特許無効審判(無効2019-800082号)を請求した。被告は、無効理由通知及び審決の予告を受けたため、令和3年5月28日付けで請求項1を訂正する旨の訂正請求(本件訂正)をした。
  • 特許庁は、令和3年11月18日、本件訂正を認めた上で「本件審判の請求は、成り立たない。」との審決(本件審決)をした。原告は、本件審決の取消しを求めて本件訴訟を提起した。
  • 本件審決は、職権無効理由(甲15を主引用例とする進歩性の欠如)、無効理由1ないし7(甲1ないし7を主引用例とする進歩性の欠如)、無効理由8(明確性要件違反)、無効理由9(サポート要件違反)、無効理由10(実施可能要件違反)はいずれも理由がないとした。

争点

  • 本件訂正が新規事項を追加するものか否か(特許法134条の2第9項で準用する126条5項適合性)
  • 本件訂正が特許請求の範囲の減縮を目的とするものか否か(特許法134条の2第1項ただし書1号適合性)
  • 甲15発明との相違点2の認定及び容易想到性の判断の誤りの有無
  • 甲2発明との相違点1の認定及び容易想到性の判断の誤りの有無
  • 甲5発明との相違点2の認定及び容易想到性の判断の誤りの有無

判断

  • 規範:訂正が新規事項を追加するものか否かは、明細書等の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係で、新たな技術的事項を導入するものか否かで判断される。考慮した事情:本件明細書の【0029】記載の「シリコンウェハ(厚さ350μm、外径4インチ)」は、本件優先日当時の技術常識(甲36等)に照らし、単結晶構造で表面及び裏面に凹凸のない平坦な形状の標準仕様のシリコンウェハを指すと理解でき、図1、3、14、15にも切断予定ラインに沿った溝の記載はない。当てはめと結論:本件訂正事項は、本件明細書の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係で、新たな技術的事項を導入するものではなく、新規事項を追加するものではない。退けた主張:原告は、明示的な記載や示唆がないと主張するが、技術常識を踏まえれば自明であるとして退けた。
  • 規範:特許請求の範囲の減縮とは、訂正前の特許請求の範囲に含まれる発明の一部を除外して範囲を狭くすることである。考慮した事情:本件訂正前の請求項1の「シリコンウェハ」は、標準仕様のものに加え、表面又は裏面に溝を有するものや、その溝が切断予定ラインに沿った位置に形成されたものも含むと解される。当てはめと結論:本件訂正事項は、訂正前の「シリコンウェハ」から「シリコン単結晶構造部分に前記切断予定ラインに沿った溝が形成された」ものを除外するものであり、特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められる。退けた主張:原告は、溝付きシリコンウェハは存在せず限定が加えられていないと主張するが、溝を形成するなどの加工をしたシリコンウェハも加工対象物となり得るとして退けた。
  • 規範:引用発明の認定は、刊行物の記載を基礎として客観的、具体的にされるべきである。考慮した事情:甲15には、実施例2に基づき「基板201の一方の表面に溝部203が形成され、他方の表面に島状窒化物半導体202が形成された半導体ウエハー200の基板201の内部に、加工変質部を形成するレーザー加工機」が記載されている。当てはめと結論:甲15の記載から他の発明が認定できるからといって、本件審決の甲15発明の認定に誤りはなく、相違点2の認定にも誤りはない。また、甲15には溝部を形成せずに切断できることを示す記載はなく、溝部の形成を前提とした発明であるから、溝がない基板を採用する動機付けは認められず、容易想到性も否定される。退けた主張:原告は、甲15の【0019】ないし【0022】等から溝部がない基板を認定できると主張するが、これらの記載は溝部の形成を前提としたものであるとして退けた。
  • 規範:引用発明の認定は、刊行物の記載を基礎として客観的、具体的にされるべきである。考慮した事情:甲2には、レーザー光の焦点を半導体結晶ウェーハの裏面近傍に結ぶことにより、表面からのレーザー光照射で半導体結晶ウェーハの裏面を加工する方法が記載されている。当てはめと結論:甲2の「裏面近傍」は焦点を結ぶ位置を特定したものにすぎず、加工する箇所はあくまで「裏面」であって「内部」とはいえないから、相違点1の認定に誤りはない。また、甲2発明は裏面を加工することを技術的意義とするから、内部に改質領域を形成する動機付けは認められず、容易想到性も否定される。退けた主張:原告は、「裏面近傍」は内部を指すと主張するが、甲2の開示内容に照らし採用できない。
  • 規範:引用発明の認定は、刊行物の記載を基礎として客観的、具体的にされるべきである。考慮した事情:甲5には、実施例1に基づき「厚板の合成石英ガラス」を加工対象物とする発明が記載されている。当てはめと結論:甲5の記載から「透明材料」とする発明が認定できるからといって、本件審決の甲5発明の認定に誤りはなく、相違点2の認定にも誤りはない。また、シリコンウェハは薄く複雑な切断加工を要しないから、甲5発明の加工対象物をシリコンウェハとする動機付けは認められず、容易想到性も否定される。退けた主張:原告は、シリコンウェハは透明材料に該当すると主張するが、甲5発明の技術的意義に照らし採用できない。

判旨(本文から引用)

  • 本件訂正事項は、本件明細書の全ての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものといえないから、本件明細書に記載した事項の範囲内にしたものと認められる。
  • 本件訂正事項は、本件訂正前の請求項1の「加工対象物」の「シリコンウェハ」から「シリコン単結晶構造部分に前記切断予定ラインに沿った溝が形成された」ものを除外するものであり、訂正前発明(本件訂正前の請求項1に係る発明)に係る特許請求の範囲を狭くしたものと認められる。

結論

  • 原告の請求を棄却する。
  • 訴訟費用は原告の負担とする。

AI が本文から作成した要約です。引用の際は本文をご確認ください。

令和4年11月29日判決言渡

令和3年(行ケ)第10163号審決取消請求事件

口頭弁論終結日令和4年7月21日

判決

原告株式会社東京精密

同訴訟代理人弁護士服部誠

中村閑

柿本祐依

同訴訟代理人弁理士相田義明

山下崇

被告浜松ホトニクス株式会社

同訴訟代理人弁護士設樂隆一

深沢正志

尾関孝彰

松本直樹

大澤恒夫

同訴訟代理人弁理士長谷川芳樹

柴田昌聰

小曳満昭

同訴訟復代理人弁護士河合哲志

主文

1 原告の請求を棄却する。

2 訴訟費用は原告の負担とする。

事実及び理由

第1 請求

特許庁が無効2019-800082号事件について令和3年11月18日にした審決を取り消す。

第2 事案の概要

1 特許庁における手続の経緯等

⑴ア被告は、平成13年9月13日に出願した特許出願(特願2001-278663号、優先日平成12年9月13日(以下「本件優先日」という。)。以下「原出願」という。)の一部を分割した特許出願(特願2004-318326号)の一部を更に分割した特許出願(特願2005-209073号)を分割して、平成18年3月2日、発明の名称を「レーザ加工装置」とする発明について、新たな特許出願(特願2006-56671号。以下、「本件出願」という。)をし、同年10月13日、特許権の設定登録(特許第3867108号。請求項の数1。以下、この特許を「本件特許」という。)を受けた(甲31、35)。

イ 被告は、平成30年4月24日、本件特許の特許請求の範囲の請求項1について訂正することを求める訂正審判(訂正2018-390073号)を請求した(甲54)。

特許庁は、同年7月3日、上記訂正を認める審決(以下「訂正審決」という。甲54)をし、同月13日、訂正審決は確定し、同月20日、その旨の登録がされた(甲35)。

⑵原告は、令和元年10月10日、本件特許について特許無効審判(無効2019-800082号)を請求した。

被告は、令和2年9月16日付けの無効理由通知(以下「本件無効理由通知」という。)を受けた後、令和3年3月18日付けの審決の予告(以下「本件審決予告」という。甲34)を受けたため、同年5月28日付けで、本件特許の特許請求の範囲の請求項1を訂正する旨の訂正請求(以下「本件訂正」という。)をした(甲33)。

特許庁は、同年11月18日、本件訂正を認めた上、「本件審判の請求は、成り立たない。」との審決(以下「本件審決」という。)をし、その謄本は、同月25日、原告に送達された。

⑶原告は、令和3年12月23日、本件審決の取消しを求める本件訴訟を提起した。

2 特許請求の範囲の記載

本件訂正前(訂正審決による訂正後のもの)

本件訂正前の特許請求の範囲の請求項1の記載は、次のとおりである(以下、請求項1に係る発明を「訂正前発明」という。甲31)。

【請求項1】

ウェハ状の加工対象物の内部に、切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工装置であって、

前記加工対象物が載置される載置台と、

レーザ光を出射するレーザ光源と、

前記載置台に載置された前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集光用レンズと、

レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記加工対象物のレーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第1移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が前記加工対象物の切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させた後、レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第2移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が前記切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させる機能を有する制御部と、を備え、前記加工対象物はシリコンウェハであることを特徴とするレーザ加工装置。⑵本件訂正後

本件訂正後の特許請求の範囲の請求項1の記載は、次のとおりである(以下、請求項1に係る発明を「本件発明」という。下線部は本件訂正による訂正箇所である。甲33)。

【請求項1】

ウェハ状の加工対象物の内部に、切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工装置であって、

前記加工対象物が載置される載置台と、

レーザ光を出射するレーザ光源と、

前記載置台に載置された前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集光用レンズと、

レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記加工対象物のレーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第1移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が前記加工対象物の切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させた後、レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記レーザ光入射面を基準として前記加工対象物の厚さ方向に第2移動量だけ前記集光用レンズを移動させ、レーザ光の集光点が前記切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させる機能を有する制御部と、を備え、前記加工対象物は、シリコン単結晶構造部分に前記切断予定ラインに沿った溝が形成されていないシリコンウェハであることを特徴とするレーザ加工装置。

3 本件審決の理由

⑴理由の要旨

本件審決の理由は、別紙審決書(写し)記載のとおりである。その理由の要旨は、本件訂正を認めた上で、本件無効理由通知及び本件審決予告に係る無効理由(甲15を主引用例とする進歩性の欠如。以下、この無効理由を「職権無効理由」という。)、無効理由1(甲1を主引用例とする進歩性の欠如)、無効理由2(甲2を主引用例とする進歩性の欠如)、無効理由3(甲3を主引用例とする進歩性の欠如)、無効理由4(甲4を主引用例とする進歩性の欠如)、無効理由5(甲5を主引用例とする進歩性の欠如)、無効理由6(甲6を主引用例とする進歩性の欠如)、無効理由7(甲7を主引用例とする進歩性の欠如)、無効理由8(明確性要件違反)、無効理由9(サポート要件違反)及び無効理由10(実施可能要件違反)は、いずれも理由がないというものである。

本件審決が引用した甲1ないし7、15は、次のとおりである。甲1特開平11-163403号公報

甲2特開昭50-131458号公報

甲3特開昭50-64898号公報

甲4特開平11-71124号公報

甲5特開平4-111800号公報

甲6特開平11-138896号公報

甲7国際公開第00/32349号

甲15特開平11-177137号公報

本件訂正の経緯

本件訂正に至る経緯として、次の事実が認められる(甲33、34、弁論の全趣旨)。

ア 本件審決予告は、本件特許は、職権無効理由(甲15を主引用例とする進歩性の欠如)により、無効とすべきものと判断したものであるところ、「当審無効理由通知で通知した無効理由についての検討」として、次のとおりの甲15に記載された発明(以下「甲15発明」という。)を認定した上で、①甲15発明の「基板201の一方の表面に溝部203が形成され、他方の表面に島状窒化物半導体202が形成された半導体ウエハー200の基板201」又は「基板201」は、訂正前発明の「ウェハ上の加工対象物」又は「加工対象物」に相当する、②訂正前発明は、加工対象物が「シリコンウェハ」であるのに対し、甲15発明は、加工対象物が基板201である点で相違(相違点2)するが、甲15発明において、レーザ光により切断分離される加工対象物としてシリコンウェハを採用することは、当業者にとって選択的事項の範疇である旨判断した。

また、本件審決予告は、「当審無効理由通知で通知に対する被請求人の主張について」として、①訂正前発明では、シリコンウェハである加工対象物について、その表面に溝部があるかないかについて何ら特定がないから、表面に溝部があるシリコンウェハを排除しているわけではない、②被請求人(被告)は、訂正前発明では「シリコンウェハを構成するシリコン基板の表面に切断のための溝部が形成されること」は全く想定されておらず、本件明細書(本件出願の願書に添付した明細書(図面を含む。)。以下同じ。甲31)に接した当業者は溝部が形成されたシリコンウェハを加工対象物に含むとは理解しないとか、「シリコンウェハ」と言っただけで当業者には「シリコン基板の表面に切断のための溝部が形成されていないシリコンウェハ」を意味すると理解されると主張するが、発明の詳細な説明を記載する際に、全ての実施形態をもれなく記載することが求められているわけではないことを踏まえれば、本件明細書にも訂正前発明に含まれる全ての実施形態が記載されているとはいえないし、甲15(図2等を参照。)及び甲1(図1等を参照。)のように、その表面に溝部が形成された基板についても切断分離を行うことは従来から知られており、訂正前発明においても、シリコンウェハである加工対象物について、その表面に溝部があるかないかについては何ら特定がないのであるから、訂正前発明が、表面に溝部があるシリコンウェハを排除するものであるとまでいうことはできない旨判断した。

【甲15発明】

「基板201の一方の表面に溝部203が形成され、他方の表面に島状窒化物半導体202が形成された半導体ウエハー200の基板201の内部に、加工変質部を形成するレーザー加工機であって、

前記基板201が載置されるステージと、

レーザー光線を照射するYAGレーザー照射装置と、

前記ステージに載置された前記基板201の内部に、前記YAGレーザー照射装置から照射されたレーザー光線を集光し、そのレーザー光線の焦点の位置で微視的なマイクロ・クラックの集合である前記加工変質部を形成させるレーザーの光学系と、

レーザー光線の焦点が前記基板201上の溝部203の内部側に位置するように、前記レーザーの光学系を調整し、レーザ光線の焦点が前記基板201のブレイク・ライン204に沿って移動するように、前記基板201の厚さ方向と直交する方向に前記ステージを移動させる制御部と、を備えるレーザー加工機。」

イ 被告は、本件審決予告を受けたため、本件訂正前の請求項1の「前記加工対象物はシリコンウェハである」を「前記加工対象物は、シリコン単結晶構造部分に前記切断予定ラインに沿った溝が形成されていないシリコンウェハである」に訂正することを訂正事項(以下「本件訂正事項」という。)とする本件訂正をした。

職権無効理由関係

本件審決が認定した本件発明と甲15発明の一致点及び相違点は、次のとおりである。

(一致点)

「ウェハ状の加工対象物の内部に、改質領域を形成するレーザ加工装置であって、

前記加工対象物が載置される載置台と、

レーザ光を出射するレーザ光源と、

前記載置台に載置された前記加工対象物の内部に、前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し、そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集光用レンズと、

レーザ光の集光点が前記加工対象物の内部に位置するように、前記集光用レンズを調整し、レーザ光の集光点が前記加工対象物の切断予定ラインに沿って移動するように、前記加工対象物の厚さ方向と直交する方向に前記載置台を移動させる機能を有する制御部と、を備える

レーザ加工装置。」である点。

(相違点1)

本件発明は、改質領域が「切断の起点」となるのに対し、甲15発明は、改質領域に相当する微視的なマイクロ・クラックの集合である加工変質部が、基板201上の溝部203の内部側に形成されており、当該加工変質部が切断の起点となるものか明らかでない点。

(相違点2)

本件発明は、加工対象物が「シリコン単結晶構造部分に前記切断予定ラインに沿った溝が形成されていないシリコンウェハ」であるのに対し、甲15発明は、加工対象物が一方の表面に溝部203が形成された基板201である点。

(相違点3)

(長文のため、ここでは本文の冒頭のみを掲載しています。全文はこのページの表示後に読み込まれます。原本は原本PDFをご覧ください。)

出典:裁判所ウェブサイト「裁判例検索」(https://www.courts.go.jp/hanrei/91587/detail7/index.html)。本文は同サイト掲載の判決書PDFからTaiLexi AIがテキスト化・整形したもの(正確な文言は原本PDFを参照)。判示事項・裁判要旨・参照法条は裁判所の公表どおり。