令和５年７月６日判決言渡
令和４年（行ケ）第１００９９号審決取消請求事件
口頭弁論終結日令和５年４月２５日
判決
当事者の表示別紙当事者目録記載のとおり
主文
１ 原告の請求を棄却する。
２ 訴訟費用は原告の負担とする。
事実及び理由
第１ 請求
特許庁が無効２０２１－８０００５０号事件について令和４年８月９日にした審決を取り消す。
第２ 事案の概要
本件は、特許無効審判請求を不成立とした審決の取消訴訟であり、争点は、進歩性についての認定判断の誤りの有無である。
１ 手続の経緯
被告は、発明の名称を「レーザ加工方法及びレーザ加工装置」とする発明につき、平成１６年１月９日に特許出願（以下「本件出願」という。）をし、同発明に係る特許（以下「本件特許」という。）は、平成２２年５月１４日に特許第４５０９５７８号として設定登録された（請求項の数１４）。
原告は、令和３年６月２２日、本件特許の特許請求の範囲の請求項８及び１１に係る発明についての特許を無効とすることを求める無効審判請求をした。特許庁は、これを無効２０２１－８０００５０号事件として審理し、令和４年８月９日、「本件審判の請求は、成り立たない。」との審決（以下「本件審決」という。）をした。本件審決の謄本は、同月２２日、原告に送達された。
２ 発明の要旨
(1) 本件特許の特許請求の範囲の請求項８の記載は、次のとおりである（以下、この請求項８に係る発明を「本件発明１」という。）。（甲２２）
「第一のレーザ光を加工対象物の内部に集光点を合わせて照射し、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に改質領域を形成するレーザ加工装置であって、
前記第１のレーザ光を前記加工対象物に向けて集光するレンズと、
前記加工対象物と前記レンズとを前記加工対象物の主面に沿って移動させる移動手段と、
前記レンズを前記主面に対して進退自在に保持する保持手段と、
前記移動手段及び前記保持手段それぞれの挙動を制御する制御手段と、
を備え、
前記制御手段は前記集光点が前記加工対象物内部の所定の位置に合う状態となる初期位置に前記レンズを保持するように前記保持手段を制御し、
当該位置に前記レンズを保持した状態で前記第一のレーザ光を照射しながら、前記制御手段は前記加工対象物と前記レンズとを前記主面に沿って相対的に移動させるように前記移動手段を制御して前記切断予定ラインの一端部において改質領域を形成し、
前記切断予定ラインの一端部において改質領域が形成された後に、前記制御手段は前記レンズを前記初期位置に保持した状態を解除して前記レンズと前記主面との間隔を調整しながら保持するように前記保持手段を制御し、前記レンズと前記加工対象物とを前記主面に沿って相対的に移動させるように前記移動手段を制御して改質領域を形成する、
レーザ加工装置。」
(2) 本件特許の特許請求の範囲の請求項１１の記載は、次のとおりである（以下、この請求項１１に係る発明を「本件発明２」といい、本件発明１と併せて「本件発明」という。）。（甲２２）
「前記切断予定ラインの一端部において改質領域が形成された後に、前記制御手段は前記レンズを前記初期位置に保持した状態を解除して前記レンズと前記主面との間隔を調整しながら保持するように前記保持手段を制御し、前記レンズと前記加工対象物とを前記主面に沿って相対的に移動させるように前記移動手段を制御して改質領域を形成し、
更に、前記制御手段は前記レンズを前記主面に向かう方向に駆動させずに保持するように前記保持手段を制御すると共に、前記レンズと前記加工対象物とを前記主面に沿って相対的に移動させるように前記移動手段を制御する、請求項８～１０のいずれか１項に記載のレーザ加工装置。」
(3) 本件発明は、次のとおり分説される。
ア 本件発明１
（１Ａ）第一のレーザ光を加工対象物の内部に集光点を合わせて照射し、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に改質領域を形成するレーザ加工装置であって、
（１Ｂ）前記第１のレーザ光を前記加工対象物に向けて集光するレンズと、（１Ｃ）前記加工対象物と前記レンズとを前記加工対象物の主面に沿って移動させる移動手段と、
（１Ｄ）前記レンズを前記主面に対して進退自在に保持する保持手段と、（１Ｅ）前記移動手段及び前記保持手段それぞれの挙動を制御する制御手段と、を備え、
（１Ｆ）前記制御手段は前記集光点が前記加工対象物内部の所定の位置に合う状態となる初期位置に前記レンズを保持するように前記保持手段を制御し、（１Ｇ）当該位置に前記レンズを保持した状態で前記第一のレーザ光を照射しながら、前記制御手段は前記加工対象物と前記レンズとを前記主面に沿って相対的に移動させるように前記移動手段を制御して前記切断予定ラインの一端部において改質領域を形成し、
（１Ｈ）前記切断予定ラインの一端部において改質領域が形成された後に、前記制御手段は前記レンズを前記初期位置に保持した状態を解除して前記レンズと前記主面との間隔を調整しながら保持するように前記保持手段を制御し、前記レンズと前記加工対象物とを前記主面に沿って相対的に移動させるように前記移動手段を制御して改質領域を形成する、
（１Ｉ）レーザ加工装置。
イ 本件発明２
（２Ａ）前記切断予定ラインの一端部において改質領域が形成された後に、前記制御手段は前記レンズを前記初期位置に保持した状態を解除して前記レンズと前記主面との間隔を調整しながら保持するように前記保持手段を制御し、前記レンズと前記加工対象物とを前記主面に沿って相対的に移動させるように前記移動手段を制御して改質領域を形成し、
（２Ｂ）更に、前記制御手段は前記レンズを前記主面に向かう方向に駆動させずに保持するように前記保持手段を制御すると共に、前記レンズと前記加工対象物とを前記主面に沿って相対的に移動させるように前記移動手段を制御する、（２Ｃ）請求項８～１０のいずれか１項に記載のレーザ加工装置。
３ 本件審決の理由の要点
(1) 原告は、本件発明は、甲１（国際公開第０２／２２３０１号）に記載された発明（以下「甲１発明」という。）に、周知の技術的事項を適用して、容易に発明することができたものであって、進歩性欠如の無効理由があると主張するところ、甲１には、次の甲１発明が記載されていると認められる。
（１ａ）レーザ光Ｌを加工対象物１であるシリコンウエハの内部に集光点Ｐを合わせて照射し、前記シリコンウエハの切断予定ライン５に沿って前記シリコンウエハの内部に改質領域７を形成するレーザ加工装置１００であって、
（１ｂ）前記レーザ光Ｌを前記シリコンウエハに向けて集光するレンズ１０５と、（１ｃ）前記シリコンウエハと前記レンズ１０５とを前記シリコンウエハの表面３（レーザ光Ｌの入射面）に沿って移動させるＸ、Ｙ軸ステージ１０９、１１１及びステージ制御部１１５と、
（１ｄ）前記レンズ１０５を前記表面３に対して進退自在に保持する保持手段と、（１ｅ）前記Ｘ、Ｙ軸ステージ１０９、１１１、ステージ制御部１１５、及び前記保持手段それぞれの挙動を制御する全体制御部１２７と、を備え、
（１ｆ’）前記全体制御部１２７は前記集光点Ｐが前記シリコンウエハ内部の所定の位置に合う状態となる調整された固定位置に前記レンズ１０５を保持するように前記保持手段を制御し、
（１ｇ＋１ｈ’）シリコンウエハ内部の調整された固定位置に集光点Ｐが位置するように前記レンズ１０５を保持した状態で前記レーザ光Ｌを照射しながら、前記全体制御部１２７は前記シリコンウエハと前記レンズ１０５とを前記表面３に沿って相対的に移動させるように前記Ｘ、Ｙ軸ステージ１０９、１１１及びステージ制御部１１５を制御して前記切断予定ライン５の一端部を含む前記切断予定ライン５に沿って改質領域７を形成する、
（１ｉ）上記レーザ加工装置１００。
(2) 本件発明１と甲１発明を対比すると、次の一致点において一致し、相違点１において相違する。
（一致点）
「第一のレーザ光を加工対象物の内部に集光点を合わせて照射し、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に改質領域を形成するレーザ加工装置であって、
前記第１のレーザ光を前記加工対象物に向けて集光するレンズと、
前記加工対象物と前記レンズとを前記加工対象物の主面に沿って移動させる移動手段と、
前記レンズを前記主面に対して進退自在に保持する保持手段と、
前記移動手段及び前記保持手段それぞれの挙動を制御する制御手段と、を備え、前記制御手段は前記集光点が前記加工対象物内部の所定の位置に合う状態となる位置に前記レンズを保持するように前記保持手段を制御し、
当該位置に前記レンズを保持した状態で前記第一のレーザ光を照射しながら、前記制御手段は前記加工対象物と前記レンズとを前記主面に沿って相対的に移動させるように前記移動手段を制御して前記切断予定ラインの一端部において改質領域を形成する、
レーザ加工装置。」
（相違点１）
本件発明１は、「初期位置」にレンズを保持した状態で「前記切断予定ラインの一端部において改質領域が形成された後に、前記制御手段は前記レンズを前記初期位置に保持した状態を解除して前記レンズと前記主面との間隔を調整しながら保持するように前記保持手段を制御し、前記レンズと前記加工対象物とを前記主面に沿って相対的に移動させるように前記移動手段を制御して改質領域を形成する」ことを特定しているのに対して、甲１発明は、シリコンウエハ内部の調整された固定位置に集光点Ｐが位置するようにレンズ１０５を保持した状態でレーザ光Ｌを照射しながら、全体制御部１２７はシリコンウエハとレンズ１０５とを表面３に沿って相対的に移動させるようにＸ、Ｙ軸ステージ１０９、１１１及びステージ制御部１１５を制御して切断予定ライン５の一端部を含む切断予定ライン５に沿って改質領域７を形成することから、「前記切断予定ラインの一端部において改質領域が形成された後に」おいても、シリコンウエハ内部の調整された固定位置に集光点Ｐが位置するようにレンズ１０５を保持したままの状態で、改質領域７を形成する点。
(3) 相違点１についての検討
ア 周知の技術的事項
(ｱ) 甲３（特開昭５３－１４５５６４号公報）、甲４（特開平１０－１８９４９６号公報）及び甲５（特開２０００－３０６８６５号公報）から、次の技術事項（以下「周知の技術的事項１」という。）が周知であると認められる。（判決注：半導体ウエハ（ウェハ）のうち、シリコンが素材のものをシリコンウエハと呼ぶ。）「半導体ウエハをレーザ加工する技術分野において、半導体ウエハに反りがあると加工位置に対して加工用レーザ光の焦点がずれることから、測距用レーザ光を半導体ウエハに照射し、半導体ウエハの切断予定ラインに沿った表面（主面）の変位を取得して、取得した主面の変位に基づき、加工用レーザ光のレンズと半導体ウエハの主面との間隔を調整することで、加工用レーザ光の焦点の位置を調整し、半導体ウエハの表面を加工すること。」
(ｲ) 甲６（特公平６－１００７１１号公報）及び甲７（特開平１０－２８８７３４号公報）から、次の技術事項（以下「周知の技術的事項２」という。）が周知であると認められる。
「対象物であるシリコンウエハについて、シリコンウエハの一端部に存在する平坦ではない部分（段差部や研磨ダレ部分等）に起因して光の合焦動作が困難になることから、そのような部分において合焦動作を一時的に停止させて焦点を固定し、そのような部分を外れると合焦動作を再開することにより、光の合焦動作を改善すること。」
イ 甲１発明に周知の技術的事項１及び周知の技術的事項２を適用することについて
甲１は、加工対象物の表面から裏面に向けて加熱溶融を進行させて加工対象物を切断する従来の方法では加工対象物の表面のうち切断する箇所となる領域周辺も溶融されてしまうことを課題として、レーザ光Ｌの集光点Ｐを加工対象物１の内部に位置させて、改質領域を加工対象物１の内部にのみ形成して加工対象物を切断することが記載されているから、そもそも半導体ウエハの表面に集光点を合わせて、（表面を）加工をするものである周知の技術的事項１を適用する動機付けがない。また、甲１には、全体を見渡しても、加工対象物に反りがあることについての記載は見当たらないし、甲１発明は、「シリコンウエハ内部の調整された固定位置に集光点Ｐが位置するように前記レンズ１０５を保持した状態で前記レーザ光Ｌを照射しながら、前記全体制御部１２７は前記シリコンウエハと前記レンズ１０５とを前記表面３に沿って相対的に移動させるように前記Ｘ、Ｙ軸ステージ１０９、１１１及びステージ制御部１１５を制御して前記切断予定ライン５の一端部を含む前記切断予定ライン５に沿って改質領域７を形成する」ものであって、シリコンウエハに反りがあることを想定したものでないことは明らかであるから、甲１発明に、加工対象物に反りがあることを課題とした解決手段である周知の技術的事項１を適用する動機付けも見いだせない。
加えて、仮に、甲３ないし甲５に記載されているように、半導体ウエハが実際には反るものであるとしても、周知の技術的事項１では、半導体ウエハの表面を加工するため、その位置の誤差の許容幅が小さいものとなり、正確な位置に集光点を合わせることに必然性を有するものと認められる一方、甲１発明は、上記のとおり改質領域を加工対象物１の内部にのみ形成するものであり、加工対象物１に厚みを有すること（加工される内部は許容範囲を有すること）を考慮すれば、周知の技術的事項１のように表面の加工を行うものと、甲１発明とでは集光点のＺ軸方向の位置に係る条件が異なる。そして、甲１発明の「シリコンウエハ内部の調整された固定位置に前記レンズ１０５を保持した状態で前記レーザ光Ｌを照射しながら、前記全体制御部１２７は前記シリコンウエハと前記レンズ１０５とを前記表面３に沿って相対的に移動させるように前記Ｘ、Ｙ軸ステージ１０９、１１１及びステージ制御部１１５を制御して前記切断予定ライン５の一端部を含む前記切断予定ライン５に沿って改質領域７を形成する」ことにより、例えばシリコンウエハの加工ができないような特段の事情は見当たらないから、甲１発明に上記周知の技術的事項１を適用する動機付けは見いだせない。
そうすると、甲１発明に周知の技術的事項１を適用することが当業者にとって容易になし得るものではないから、更に周知の技術的事項２を適用して相違点１に至ることも、当業者が容易に想到し得たものとはいえない。
ウ 甲１発明に周知の技術的事項１及び周知の技術的事項２を適用する改変について
仮に、甲１発明に周知の技術的事項１を適用することができたとしても、以下に説示するとおり、甲１発明に周知の技術的事項１を適用した上で周知の技術的事項２を適用することは多段階の改変に該当し、そのような多段階の改変を要する本件発明１が、甲１発明に基づいて容易になし得たものということはできない。甲１には、光の合焦動作（フォーカス調整）を行うことの記載はあるものの、当該合焦動作がシリコンウエハの一端部に存在する平坦でない部分についても行われることは記載されていないし、加工対象物の平坦でない部分がフォーカス調整やレーザ加工に対して悪影響を及ぼすとの課題についての記載も見当たらない。さらに甲１には、加工対象物の表面に対してフォーカス調整を行った後に、Ｚ軸ステージでレ一ザ光Ｌの集光点を加工対象物の内部に移動させて、Ｘ、Ｙ軸ステージ１０９、１１１を制御して改質領域７を形成することが記載されていると認められるから、該フォーカス調整は、改質領域の形成（加工）に先立って、加工対象物の内部における改質領域の厚さ方向の位置（固定位置）を定めるためだけに行われ、当該加工中は加工対象物の端部であるか否かに関わらず、全体に固定位置を維持するものであり、当該フォーカス調整は、加工対象物の表面の全体に沿って連続的に行うものではないから、そもそもシリコンウエハの一端部に存在する平坦ではない部分（段差部や研磨ダレ部分等）に起因して光の合焦動作が困難になるとの課題が甲１に内在しているということもできない。
したがって、甲１発明に、合焦動作を連続的にすることを前提とする上記周知の技術的事項２を適用する動機も見当たらない。
そして、シリコンウエハの一端部に存在する平坦ではない部分（段差部や研磨ダレ部分等）に起因して光の合焦動作が困難になるとの課題認識は、甲１発明に、フォーカス調整を、加工対象物の表面の切断予定ラインの全体に沿って連続的に行って加工対象物の表面の変位を取得して、取得した主面の変位に基づき、加工用レーザ光のレンズと半導体ウエハの主面との間隔を調整することで、加工用レーザ光の集光点の位置を調整するとの技術的事項（例えば、周知の技術的事項１）を適用するという改変をした際に初めて生じるものであるから、仮に甲１発明に周知の技術的事項１を適用できたとしても、その改変によって新たに生じた課題を解決するために、シリコンウエハの一端部に存在する平坦ではない部分については該フォーカス調整を一時的に停止させて焦点を固定し、当該平坦ではない部分を外れると合焦動作を再開するとの技術的事項（周知の技術的事項２）を更に適用することは、多段階での改変に該当するものであることは明らかであり、このような多段階の改変が、当業者にとって容易に想到し得たということはできない。
エ 以上から、甲１発明に周知の技術的事項１及び周知の技術的事項２を適用することが当業者にとって容易になし得るものではない。
オ また、甲２（特開平６－１２２０８４号公報）には、レーザ加工装置おいて、円筒体の表面に微細な凹凸を形成したり、微細な孔を穿ったりする技術において、その加工精度は、レーザ光の焦点距離の精度に依存するので、集光レンズと被加工面との間隔を、加工作業中は常に所定の範囲内に保つ必要があることが記載されているところ、甲２は、被加工物である円筒体の表面の加工に関するものであって、その内部の加工をするものではないし、甲３ないし７を見ても、被加工物の内部を加工する際の集光点の位置調整に関する課題を示すものではなく、甲１発明に周知の技術的事項１及び周知の技術的事項２を適用することが動機付けられるものではないから、上記の判断を左右するものではない。
カ したがって、本件発明１は、甲２ないし７の記載を踏まえても、甲１発明、周知の技術的事項１及び周知の技術的事項２に基づいて、当業者が容易になし得たものとはいえないから、原告の主張する無効理由によって本件発明１に係る特許を無効とすることはできない。
(4) 本件発明２について
本件発明２は、本件発明１の構成を含んで更に限定したものに相当し、本件発明２と、甲１発明とは、上記相違点１を有するものであるから、本件発明１と同様の理由により、原告の主張する無効理由によって本件発明２に係る特許を無効とすることはできない。
(5) 結論
したがって、本件発明は、甲１発明、甲３ないし５に記載の周知の技術的事項１並びに甲６及び７に記載の周知の技術的事項２に基づいて、当業者が容易に発明できたものとはいえないから、甲１発明に基づく進歩性欠如の無効理由によってそれらの特許を無効にすることはできない。
第３ 原告が主張する審決取消事由
１ 取消事由１（本件発明１に係る進歩性判断の誤り）
(1) 甲１発明の認定について
本件審決は、前記第２の３(1)のとおり甲１発明を認定したが、（１ｆ’）及び（１ｇ＋１ｈ’）の構成の認定には誤りがある。
ア 甲１の記載からすると、甲１発明の構成（１ｆ’）及び（１ｇ＋１ｈ’）は次のとおり認定されるべきである(本件審決の認定と異なる部分に下線を付した。)。（１ｆ’）前記全体制御部１２７は前記集光点Ｐが前記シリコンウエハ内部の所定の位置に合う状態となる初期位置に前記レンズ１０５を保持するように前記保持手段を制御し、
（１ｇ＋１ｈ’）前記レーザ光Ｌを照射しながら、前記全体制御部１２７は前記Ｘ、Ｙ軸ステージ１０９、ｌｌｌ及びステージ制御部ｌｌ５を制御して前記切断予定ライン５の一端部を含む前記切断予定ライン５に沿って改質領域７を形成する、
イ 構成（１ｆ’）について
甲１には、「レーザ光Ｌの集光点Ｐが加工対象物１の内部になる位置に、Ｚ軸ステージ１１３により加工対象物１をＺ方向に移動させる」という、初期位置におけるレンズの位置を合わせが記載されているから、構成（１ｆ’）は、上記のとおり認定すべきである。
本件審決は、初期位置ではなく「固定位置」と認定したが、甲１発明の構成Ｆは、集光点の初期位置設定のためのレンズ保持制御に係る構成であり、集光点を静止した加工対象物内部に対して、位置合わせをするという動作であるから、このような位置合わせにおいて、焦点の位置を「固定」するという概念は生じ得ないので、構成Ｆに対応する構成（１ｆ’）を認定するに当たり、「固定位置」という認定をするのは適切ではない。
ウ 構成（１ｇ＋１ｈ’）について
甲１には、「レーザ光Ｌの集光点Ｐが加工対象物１の内部になる位置に、Ｚ軸ステージ１１３により加工対象物１をＺ方向に移動させる」（甲１・５４頁３～５行）、「切断ライン５に沿うようにＸ軸ステージ１０９やＹ軸ステージ１１１を移動させて、溶融処理領域を切断ライン５に沿うように加工対象物１の内部に形成する。」（同９～１１行）というように、加工時におけるステージの移動に係る記載はあるものの、当該ステージの移動中に、集光点ＰがＺ軸方向に対してどのような状態にあるかについては記載がない。そうすると、本件審決が、「固定位置に集光点Ｐが位置するように前記レンズ１０５を保持した状態で」、「前記シリコンウエハと前記レンズ１０５とを前記表面３に沿って相対的に移動させるように」との構成を認定したのは、根拠のないものであって誤りである。
被告は、原告の審判請求書における主張が甲１発明の認定の根拠となるかのような主張をするが、引用発明の認定は、引用文献に記載された事項及び当事者の技術常識に基づいて行うべきであるから、被告の主張は失当である。
(2) 一致点及び相違点の認定
本件発明１と前記(1)で認定した甲１発明とを比較すると、両発明の一致点及び相違点は次のとおりである。
（一致点）
「第一のレーザ光を加工対象物の内部に集光点を合わせて照射し、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に改質領域を形成するレーザ加工装置であって、
前記第一のレーザ光を前記加工対象物に向けて集光するレンズと、
前記加工対象物を前記加工対象物の主面に沿って移動させる移動手段と、前記レンズを前記主面に対して進退自在に保持する保持手段と、
前記移動手段及び前記保持手段それぞれの挙動を制御する制御手段と、を備え、前記制御手段は前記集光点が前記加工対象物内部の所定の位置に合う状態となる初期位置に前記レンズを保持するように前記保持手段を制御し、
前記第一のレーザ光を照射しながら、前記制御手段は前記加工対象物を移動させるように前記移動手段を制御して前記切断予定ラインの一端部において改質領域を形成する、
レーザ加工装置。」
（相違点１）
「本件発明１は、「初期位置」にレンズを保持した状態で「前記切断予定ラインの一端部において改質領域が形成された後に、前記制御手段は前記レンズを前記初期位置に保持した状態を解除して前記レンズと前記主面との間隔を調整しながら保持するように前記保持手段を制御し、前記レンズと前記加工対象物とを前記主面に沿って相対的に移動させるように前記移動手段を制御して改質領域を形成する」ことを特定しているのに対して、甲１発明は、改質領域が形成されている間の集光点ＰのＺ軸方向の制御については、明示的記載がない点。」
(3) 容易想到性について
本件審決は、相違点１のうちの「改質領域の形成を、集光点のＡＦ制御をしながら行う点」（以下「相違点（ア）」という。）及び「前記切断予定ラインの一端部において改質領域が形成された後に、前記制御手段は前記レンズを前記初期位置に保持した状態を解除する点」（以下「相違点（イ）」という。）について容易想到ではないと判断したが、次のとおり誤りである。
ア 相違点（ア）について
(ｱ) 相違点（ア）を次のとおり修正して論じる。
「本件発明においては、前記レンズと前記主面との間隔を調整しながら保持するように前記保持手段（レンズ保持手段）を制御し、前記レンズと前記加工対象物とを前記主面に沿って相対的に移動させる制御（加工中の集光点のＡＦ（オートフォーカス）制御）を切断予定ラインの一端部以外で行うのに対し、甲１発明においては、切断中の集光点のＡＦ制御を行う点について、明示的な記載がない点。」(ｲ) 本件出願時において、レーザ加工を行いつつ、高さ方向の集光点をＡＦ制御することは、当業者の技術常識であった。というのも、レーザ加工では、加工時におけるレーザビームの振動やテーブルの振動などの外的要因によって、原点位置となる焦点位置の決定に不確定さが残り、品質低下が生じることや（甲３３、３８）、また、加工対象物に凹凸があったり、ウエハに反りが存在したりすると、これらもレーザ光の焦点ずれの原因の一つになることから（加工対象物を原因とする焦点ずれ）、加工をしながら高さ方向の集光点をＡＦ制御する必要があり、加工をしながら集光点のＡＦ制御を行うことの当然のこと（周知）であったのである。
例えば、本件特許に係る明細書（以下、本件特許に係る明細書及び図面を併せて「本件明細書」という。甲２２）に特許文献１として引用されている特開２００２－２１９５９１号公報（甲３２）に非連続出力型のレーザ光を被照射面に照射する際に、「照射位置のズレを常時測定して、常に焦点を合わせるように焦点位置駆動機構をフィードバック制御すること」（段落【００１０】）と記載があり、甲３６（特開平６―２５４６９１号公報）においても、その従来技術として、「モータＭ３による加工ヘッドのＺ軸方向の移動を案内するＺ軸ガイド」を設け、「ワークＷに対する加工ヘッド１の距離を一定にするために加工ヘッド１の先端に取り付けられた距離センサ２がワークに対する加工ヘッド１の距離を一定に保持するために加工ヘッド１の先端に取り付けられた距離センサ２がワークＷと加工ヘッドの距離を測定し、ＮＣ制御部１５へ測定信号をフィードバックし、最終的にレーザ光Ｌのスポット制御をしている。」との記載がされている（段落【０００３】、図９）。
また、甲３においては、「半導体ウエハにソリがあると、受光器２１の受光光量が変化する」（甲３・２頁左下欄下から４～２行）との理由により、半導体ウエハ表面における反射光を受光する受光器の受光状態に応じてレーザ光線の集光レンズが上下動せしめられて焦点調整を行うようにすること（甲３・２頁右上欄下から６～２行）が記載されている。甲４及び５にも、甲３と同様の技術が記載されており、レーザ加工においては、加工対象物を原因とする焦点ずれの観点からも、ＡＦ制御が当然に必要とされていたことが理解できる。なお、甲５では、レーザ距離計９が具体的にどのように対物レンズ１４とウエハ４との距離を測定しているのかについては記載がないが、レーザ光を照射している以上、反射光から距離を測定していることは自明である。
以上からすると、少なくとも本件出願日の時点においては、「半導体ウエハをレーザ加工により切断する際に、レーザビームの振動や、テーブルの振動などの外的影響、及び、ウエハの反り（ウエハ大径化及び熱処理に基づく反り）の問題に起因して生じる、加工用のレーザ光線の焦点ずれを防ぐために、加工中にレーザ光を用いてその反射光によりレーザ光の対物レンズとウエハ表面の距離（変化）を測定し、これに応じて、加工用のレーザ光の対物レンズの位置を調整すること」は、当業者の技術常識であったと理解できる（「周知の技術的事項１’」。なお、周知の技術的事項１’は、本件審決の「周知の技術的事項１」をより正確にしたものであり、実質的な違いはない）。
(ｳ) 前記(ｲ)の本件出願日時点における技術常識（周知の技術的事項１’）に照らせば、前記(ｱ)の相違点（ア）は、実質的には存在しないか、仮に存在するとしても、当業者が容易に想到し得るものである。
すなわち、甲１発明においては、被加工対象であるウエハが載置されたステージを移動させて改質領域を形成していくから、甲１の記載に触れた当業者であれば、当然にステージの振動などにより、焦点がずれるものと理解し、加工中の集光点のＡＦ制御が甲１に明示されてはいないものの、当然に採用されるものと理解するから、甲１には、前記レンズと前記加工対象物とを前記主面に沿って相対的に移動させる制御（集光点のＡＦ制御）が記載されているに等しい。仮にそうとはいえない場合であっても、集光点のＡＦ制御に係る技術常識からすると、甲１発明に対して、集光点のＡＦ制御を追加することは、当業者が容易になし得るものである。(ｴ) 本件審決は、甲１発明が、レーザ光の集光点を加工対象物の内部に位置させて、改質領域を加工対象物の内部にのみ形成するものであり、加工される内部は許容範囲があるなどとして、加工中に集光点のＡＦ制御を適用する動機付けがないと判断したが、誤りである。
甲１記載のいわゆる「ステルスダイシング」は、本件出願時には公知の技術であったが、その加工対象物として、３０㎛程度までの薄いウエハが切断可能であることが本件出願前に既に技術常識であった。このような技術常識を踏まえて甲１の内容に触れた当業者は、振動などの外的要因の影響があっても、そのような薄いウエハから外れることなく内部のみに改質領域を形成するためには、加工中の集光点の制御が必要になると考えるから、加工中の集光点のＡＦ制御については、ますます、甲１に記載されているに等しいと理解する。
(ｵ) 本件審決は、甲３～５に示された技術では、半導体ウエハの表面を加工するため、その位置の誤差の許容幅が小さくなるから、正確な集光点を合わせることが必然となるが、甲１発明では、改質領域を加工対象の内部に形成するところ、加工対象物の厚みを考慮すると、シリコンウエハの加工ができないような特段の事情が見当たらず、また、甲１には「ウエハの反り」についての記載がなく、問題とならないなどとして、甲１発明においては、加工中の集光点のＡＦ制御適用する動機付けがない旨判断しているが、誤りである。
すなわち、甲１に記載された技術は、改質領域（クラック領域）より形成されるクラックを成長させてウエハ等の割断を行うものであるところ、比較的厚いウエハの場合には、改質領域のＺ方向の位置が割断精度に影響を与えるものであることは甲１にも明記されているし（甲１・１０５頁１５～２３行）、加えて、前記(ｴ)のとおり、甲１のようなステルスダイシングでは、３０㎛程度までの極めて薄いウエハが切断可能である。そして、甲１に、シリコンウエハが加工対象物として明確に記載されているところ、本件出願時において、反りのあるウエハが加工対象となることが避けられないから（甲３～５）、甲１発明（装置の発明）においても、反りのあるシリコンウエハが加工対象になり得ることは、当業者であれば、十分に予想する。また、甲４４（特開平１１－３４５７８５号公報。本件明細書の特許文献２）の記載から、切り残し部分が半分程度のセミフルカットのダイシングであっても、切断深度のバラツキに起因して、クラックが生じるなどの要因によりチップ分割に支障を来すことが理解できる。このような従来技術の問題に照らせば、従来技術のダイシングよりもはるかに分割の契機となる改質領域が少なく、改質領域以外の部分が大きい甲１発明において、改質領域の深度がばらつけば、チップ分割に支障を来すであろうことを当業者は当然に認識する。
(ｶ) 被告は、本件出願よりも１年以上前の平成１４年１２月６日、ステルスダイシングにおいて加工中のＡＦ制御を組み合わせた出願をしたが（特開２００４―１８８４２２号公報参照。甲３８）、進歩性なしとされ、拒絶査定に至っており（甲３９、４０）、被告は、拒絶査定不服審判請求をしなかった（甲４１）。この点からも、相違点（ア）を容易想到と判断することが妥当であることが理解できる。
イ 相違点（イ）について
(ｱ) 相違点（イ）を次のとおり修正して論じる。
「本件発明においては、「初期位置」にレンズを保持した状態で前記切断予定ラインの一端部において改質領域が形成された後に、前記制御手段は前記レンズを前記初期位置に保持した状態を解除するのに対し、甲１発明においては、この点について、明示的な記載がない点。」
(ｲ) 相違点（イ）に係る構成は、要するに、ＡＦ制御に向かない部分（端部）に対して、集光点のＡＦ制御を行わないということにすぎない。甲１発明においては、切断対象材料として、広くシリコンウエハが開示されているところ、シリコンウエハでは、面取り（べべリング）は、通常行われる処理であるから、甲１発明のシリコンウエハにおいても、周縁部（端部）に集光点のずれの原因となる傾斜や段差が生じるので、甲１発明においては、シリコンウエハ端部における集光点のずれの問題が内在している。
(ｳ) 本件審決は、甲１には、合焦動作がシリコンウエハの一端部に存在する平坦でない部分についても行われることや、加工対象物の平坦でない部分がフォーカス調整やレーザ加工に対して悪影響を及ぼすとの記載もないこと、甲１におけるフォーカス調整は、改質領域の形成（加工）に先立ってのみ行われ、加工対象物の表面の全体に沿って連続的に行うものではないから、シリコンウエハの一端部に存在する平坦ではない部分（段差部や研磨ダレ部分等）に起因して光の合焦動作が困難になるとの課題が甲１に内在しているとはいえないと判断したが、誤りである。すなわち、本件審決は、周知の技術的事項２と同じ解決課題が、甲１に記載されていなければ、甲１発明に対して周知の技術的事項２を組み合わせることができないとしたが、解決課題の共通性は、複数文献（周知技術の場合も同じ）の組合せを肯定する一つの理由にすぎず、それが全てではないから、上記のような考え方自体が誤っている。
そして、前記ア(ｵ)及び前記(ｲ)のとおり、当業者は、甲１発明では反りのあるウエハが加工対象となり得ると認識するところ、周知の技術的事項２として、加工対象物であるシリコンウエハについて、シリコンウエハの一端部に存在する平坦ではない部分（段差部や研磨ダレ部分等）に起因して光の合焦動作が困難になるとの課題が存在すること及び当該課題に対応して、そのような部分において合焦動作を一時的に停止させて焦点を固定し、そのような部分を外れると合焦動作を再開することにより、光の合焦動作を改善するという解決手段が知られていたから、甲１発明に係る装置においても、当業者は、当然に問題になり得る上記課題を解決すべく、周知の技術的事項２に係る解決手段を採用することは容易になし得た。
(ｴ) 本件審決は、シリコンウエハの一端部に存在する平坦ではない部分（段差部や研磨ダレ部分等）に起因して光の合焦動作が困難になるとの課題認識は、甲１発明に、加工中の集光点のＡＦ制御に係る技術的事項（例えば、周知の技術的事項１）を適用するという改変をした際に初めて生じるものであるから、その改変によって新たに生じた課題を解決するために、シリコンウエハの一端部に存在する平坦ではない部分について技術的事項（周知の技術的事項２）を更に適用することは、多段階での改変に該当するものであり、当業者にとって容易に想到し得たということはできないと判断した。
しかしながら、相違点（ア）（加工中における集光点のＡＦ制御）は、当業者の技術常識に基づくと、甲１に記載されているに等しい。仮にそうでないとしても、相違点（ア）に係る構成は、レーザ加工ではいわば当たり前の構成であるから、容易想到性のハードルは極めて低い（実際、相違点（ア）は、本件明細書に当然の前提として記載されている構成である）。
そうすると、相違点（ア）（実際には相違点ではない。）を周知技術により容易想到と述べた上、相違点（イ）について、周知技術に基づいて容易想到としたとしても、多段階の改変（いわゆる容易の容易）には該当しない。
ウ 被告の主張に対する反論
(ｱ) 被告は、相違点１に係る本件発明１の構成は、ＡＦ追従制御に関連する一まとまりの構成であり、二つの相違点に分けることは妥当ではないと主張するが、本件審決も周知の技術的事項１の適用の可否（相違点（ア）に対応）と周知の技術的事項２の適用の可否（相違点（イ）に対応）の二つに分けて検討しているし、被告が、甲１発明に集点光のＡＦ制御を組み合わせた発明を出願していたことからしても、相違点（ア）に係る構成が、分離可能な技術的に独立した構成であることは明らかである。
(ｲ) 相違点（ア）に関して
ａ 被告は、相違点（ア）の容易想到性を論じる前提として、当該相違点を克服するために必要な技術常識は、甲１発明と同様の「加工対象物の内部に改質領域を形成するレーザ加工」において、加工中の集光点のＡＦ制御を行うことに限定されなければならないかのような主張をしているが、改良技術の初期の文献というのは、改良された部分に着目して説明するものが多く、ベースとなる包括的な技術において、基本的な技術を省略して記載する場合もあり得るのであり、対象とすべき文献に狭い縛りをかけることは不当である。
ｂ 被告は、甲１・１０５頁１５～２３行の記載につき、改質領域を形成する深さ方向の位置が加工対象物の表面から遠すぎても近すぎても問題が生じ得るとの事項を表したものにすぎず、ＡＦ追従制御の必要性を何ら示唆するものではないと主張するが、これは、甲１に「文言として」何が書いてあるかを主張するにとどまり、甲１の記載を見た当業者が、技術常識に基づいて、どのように理解するかという点を考慮しないものである。
ｃ 被告は、本件明細書は、「加工対象物の内部に改質領域を形成するレーザ加工」に「加工時におけるＡＦ制御」の技術を適用すること自体の新規性や進歩性については何も述べていないと主張するが、本件明細書の段落【０００４】には、「上記特許文献１記載のレーザ加工技術においては、次のような解決すべき課題がある。」とした上で、「加工対象物の端部においてレーザ光の集光点がずれる場合がある」と記載されているのであるから、本件発明において見いだされた解決課題は、「特許文献１記載のレーザ加工技術」すなわち、一般的なレーザ加工技術から導かれている。被告は、なぜ、当業者が、出願時の技術常識に照らして、改質領域を形成する加工装置において加工中の集光点のＡＦ制御が不要であると認識するのかについて、明確な根拠を示していない。
(ｳ) 相違点（イ）に関して
被告の「多段の改変」に関する主張は、相違点（ア）が容易想到でないことを述べるにとどまっており、被告も、相違点（イ）の容易想到性については争っていないものと理解される。
２ 取消事由２（本件発明２に係る進歩性判断の誤り）
本件審決の本件発明１に関する進歩性の判断は誤りであるから、本件発明２について、「本件発明１と同様の理由」により進歩性を欠如するということはできない。本件発明２は、本件発明１を引用した上で、構成（２Ａ）及び（２Ｂ）を備えているものであるところ、（２Ａ）の構成は本件発明１に含まれる構成であり、（２Ｂ）の「前記制御手段は前記レンズを前記主面に向かう方向に駆動させずに保持するように前記保持手段を制御する」との構成は、必ずしも明確ではないが、加工対象物の他端においても、「端部一定高さ加工」を行うことを意味するものであると善解しても、当該構成も、前記１(3)イで述べた理由により、「周知の技術事項２」に基づいて当業者が容易に想到し得るものである。
したがって、本件発明２に係る本件審決の判断は誤りである。
第４ 被告の主張
１ 取消事由１（本件発明１に係る進歩性判断の誤り）について
(1) 甲１発明の認定及び相違点の認定について
原告は、本件審決について、甲１発明の認定並びに一致点及び相違点の認定に誤りがあると主張するが、次のとおり、本件審決の認定に誤りはない。
ア 構成（１ｆ’）について
原告は、構成（１ｆ’）の「固定位置に」を「初期位置に」と修正すべきであると主張するが、「初期位置」という用語は、本件発明１の構成（１Ｆ）～（１Ｈ）で使用されている用語であり、ＡＦ追従制御（レンズの焦点位置を加工対象物の表面の変位に追従するように自動的に制御するもの）の初期の位置という意味での「初期位置」であるところ、甲１には、そのような初期位置についての記載はないから、構成（１ｆ’）を原告主張のように修正して認定することは妥当ではない。甲１の記載からは、「改質領域７を形成する工程では、レンズ１０５の集光点の加工対象物内部のＺ軸方向の調整された位置は、切断予定ライン５に沿って改質領域７を形成する工程において固定されたもの（固定位置）であること」が理解でき、審決が認定した構成（１ｆ’）以上に本件発明の構成（１Ｆ）と対比するにふさわしい構成は甲１には開示されていないのであるから、審決の構成（１ｆ’）についての認定に誤りはない。
イ 構成（１ｇ＋１ｈ’）について
原告は、本件審決が、①「固定位置に集光点Ｐが位置するように前記レンズ１０５を保持した状態で」、②「前記シリコンウエハと前記レンズ１０５とを前記表面３に沿って相対的に移動させるように」との構成を認定したが、これらについては甲１に記載がないから、本件審決の認定は誤りであると主張する。
しかしながら、甲１に文言上明記がされていないとしても、「甲１に記載されている事項から本件特許の出願時における技術常識を参酌することにより当業者が導き出せる事項」は、「甲１に記載されているに等しい事項」といえ、甲１発明の構成として認定して差し支えない。
そして、甲１の記載に、「甲１には、切断予定ライン５に沿って改質領域７を形成する際にレーザ光Ｌの集光点のＺ軸方向の位置を調整すること示す記載は存在しない」という事実を考慮すれば、甲１に接した当業者が、甲１発明を、「改質領域を形成する工程で集光点のＺ軸方向の位置を調整する」ことを含む発明であると理解することはあり得ず、甲１発明においては、「改質領域を形成する工程では集光点のＺ軸方向の位置は固定位置に保持されている」と理解する。そうすると上記①部分は、甲１に記載されているに等しいといえる。
また、上記②部分は、原告が、審判請求書（甲２３・１３～１４頁、１５頁）において甲１発明が備える構成として主張していた構成そのものであるし、②部分を備えていないとしても、そのことが本件審決の結論にどう影響するか、原告の主張からは不明である。その点を措くとしても、甲１の５頁１６～１９行の「改質領域は、加工対象物の内部に合わされたレーザ光の集光点に対して、加工対象物を相対的に移動させることにより形成される。これによれば、上記相対的移動により、加工対象物の表面上の切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に改質領域を形成している。」等の記載を考慮すれば、上記②部分の構成も、「甲１に記載されているに等しい事項」といえる。
ウ 相違点１について
前記ア及びイのとおり、本件審決の甲１発明の構成の認定に誤りはないから、相違点の認定にも誤りはない。なお、本件審決が認定したとおりの相違点１が存在することも、本件の審判請求時には、原告が実質的に認めていた事項である。
(2) 容易想到性について
ア 相違点１に係る本件発明１の構成は、ＡＦ追従制御に関連する一まとまりの構成であるから、原告が主張するように二つの相違点（相違点（ア）及び相違点（イ））に分けることは妥当ではない。また、前記(1)のとおり、本件審決の相違点１の認定に誤りはないから、原告の主張するように相違点を修正することは妥当ではない。原告の主張は、独自の見解に基づく相違点（ア）及び相違点（イ）についての容易想到性を論じるものであり、主張自体失当である。
イ(ｱ) 原告は、「本件出願時において、レーザ加工を行いつつ、高さ方向の集光点をＡＦ制御することは、当業者の技術常識であった。」旨主張し、その根拠として甲３２及び３６を挙げる。しかしながら、甲３２及び３６には、「周知の技術的事項１」に相当する技術的事項と同様の技術的事項が記載されているだけであり、それらに記載された技術的事項が甲１発明のような「加工対象物の内部に改質領域を形成するレーザ加工」にも当てはまることを示す記載はないから、上記原告の主張は失当である。
(ｲ) 原告は、甲３～５を根拠として、加工対象物に凹凸があったり、ウエハに反りが存在したりすることが、レーザ光の焦点ずれの原因の一つとなり、加工をしながら集光点のＡＦ制御が採用される理由となる旨の主張もしているが、甲３～５は、本件審決が正しく認定しているとおり、「半導体ウエハの表面を加工すること」に関する事項を示すにすぎず、甲１発明のような「加工対象物の内部に改質領域を形成するレーザ加工」にも当てはまる「加工しながらの集光点のＡＦ制御が採用される理由」を何ら示すものではない。
ウ 原告は、甲１には集光点のＡＦ制御が記載されているに等しく、仮に記載されているに等しいといえないとしても、集光点のＡＦ制御に係る技術常識からすると、甲１に対して集光点のＡＦ制御を追加することは当業者が容易になし得るものであるなどと主張するが、甲１には、「前記レンズと前記加工対象物とを前記主面に沿って相対的に移動させる制御」（集光点のＡＦ制御）は全く記載されていないし、甲１に対して、集光点のＡＦ制御を追加することは、当業者が容易に想到し得たことではない。
本件明細書の記載（段落【０００４】、【０００６】）は、「加工対象物の内部に改質領域を形成するレーザ加工」に特許文献１（甲３２）に開示されているような「加工時におけるＡＦ制御」の技術を適用することを仮定した場合には、「加工対象物の端部におけるレーザ光の集光点のずれ」という新たな問題が生じる、という課題を記載したものであり、「加工対象物の内部に改質領域を形成するレーザ加工」に「加工時におけるＡＦ制御」の技術を適用すること自体の新規性や進歩性については何も述べておらず、ＡＦ制御を採用することを当然の前提として発明の解決課題を論じるものではない。
原告の集光点のＡＦ制御に関する主張はいずれも根拠を欠き、希望的臆測を述べるものにすぎない。
エ 原告は、甲１の「クラック領域９と表面３の距離が比較的長いと、表面３側においてクラック９１の成長方向のずれが大きくなる。これにより、クラック９１が電子デバイス等の形成領域に到達することがあり、この到達により電子デバイス等が損傷する。」「表面３に近すぎる箇所にクラック領域９を形成するとクラック領域９が表面３に形成される。このため、クラック領域９そのもののランダムな形状が表面３に現れ、表面３のチッピングの原因となり、割断精度が悪くなる。」などの記載（１０５頁１５～２３行）を根拠にるる主張するが、甲１の当該部分の記載は、改質領域を形成する深さ方向の位置が加工対象物の表面から遠すぎても近すぎても問題が生じ得る、という事項を述べたものにすぎず、ＡＦ追従制御の必要性を示唆するものではない。
原告は、本件出願時には、甲１記載の「ステルスダイシング」の加工対象物として、３０㎛程度までの薄いウエハが切断可能であることは技術常識であり、当業者は、そのような薄いウエハの内部に改質領域を形成するためには、加工中の集光点の制御が必要であると考えるなどと主張するが、論理の飛躍がある。甲３４（高岡秀嗣「極薄半導体ウェハのダイシングに最適なステルスダイシング技術の原理と特徴」（工業調査会発行「電子材料（２００２年９月号）」１７頁））、甲３５（株式会社日経ＢＰ発行「日経マイクロデバイス（２００３年１２月号）」１１８頁）に、甲１発明に示されるようなステルスダイシング技術により厚さ３０㎛までの薄型Ｓｉウエハにも適用可能である旨の記載があることは事実であるが、そのことは、甲１発明に甲３～５で知られていた技術的事項（周知の技術的事項１）を適用することについての動機付けがあったことを意味するものではない。甲３４、３５には周知の技術的事項１の適用を示唆する記載はなく、当業者がこれらの文献に接したとしても、甲１発明に周知の技術的事項１の適用を動機付けられることはない。また、甲１にウエハの「反り」に関する記載がないということは、たとえ甲１発明が「反り」のあるウエハをも加工対象とするものであるとしても、甲１発明にとってはその「反り」は何らかの対策を講じる必要がある問題ではなかったということを表していると解されるから、甲１発明に周知の技術的事項１を適用する動機付けがないことを意味する。
オ 一般に、「出願人が拒絶査定不服審判請求をしなかったこと」が、「出願人が拒絶査定の判断を認めたこと」も「拒絶査定の認定判断が正しいこと」も意味しないことは明らかである。したがって本件についても、被告が、甲３８の特許出願についての拒絶査定不服審判請求をしなかったことが、「甲１発明において「加工中のＡＦ制御」を適用することが容易想到であったこと」の理由にならないことは明らかである。なお、甲３８は、本件出願時点では未公開であったから、本件発明１、２の新規性、進歩性の判断においては考慮する必要のないものである。
カ 原告は、本件審決が、周知の技術的事項２と同じ解決課題が甲１に記載されていなければ、甲１発明に対して周知の技術的事項２を組み合わせることができないとしたなどと主張するが、本件審決の判断内容を正解しないものである。本件審決は、甲１発明に直接（周知の技術的事項１を採用することなく）周知の技術的事項２を組み合わせる動機付けが存在しないことが明らかであるとし、甲１発明からみると、周知の技術的事項２を適用することは多段階の改変に該当すると判断したものであり、その判断内容に誤りはない。
キ 甲１発明が「反り」のあるウエハをも加工対象とするものであるとしても、周知の技術的事項１（加工中のＡＦ制御）を採用しない甲１発明においては、「シリコンウエハの一端部に存在する平坦ではない部分（段差部や研磨ダレ部分等）に起因して光の合焦動作が困難になる」との課題は問題になり得ないから、「甲１発明に係る装置においても、当然に問題になり得る上記課題を解決すべく、周知の技術的事項に係る解決手段を採用することは、当業者が容易になし得るものである。」との原告の主張が誤りであることは明らかである。
ク 原告は、本件審決が、多段階での改変に当たると判断したことが誤りであると主張するが、同主張は、加工中における集光点のＡＦ制御が甲１に記載されているに等しいか、極めて容易に想到されるものであることを前提とするものであって、失当である。
２ 取消事由２（本件発明２に係る進歩性判断の誤り）について
本件発明２が、本件発明１の構成を含んで更に限定したものに相当することに争いはなく、本件発明１の進歩性が肯定される場合には当然に本件発明２の進歩性も肯定される。そして、前記１のとおり、本件発明１の進歩性を肯定した本件審決の判断に誤りはないから、本件発明２の進歩性も肯定されることとなり、原告の主張する取消事由２は存在しない。
第５ 当裁判所の判断
１ 本件発明について
(1) 本件明細書（甲２２）には、別紙「特許公報」のとおりの記載がある。
(2) 前記(1)の記載によると、本件発明は次のとおりと認められる。本件発明は、レーザ光を照射することで加工対象物を加工するためのレーザ加工方法及びレーザ加工装置に関するものである（本件明細書の段落【０００１】。以下、段落番号のみで示す。）。
従来のレーザ加工技術には、加工対象物を加工するためのレーザ光を集光する集光レンズに対し、加工対象物の主面高さを測定する測定手段（接触式変位計や超音波距離計等）を所定の間隔をもって並設させたものがあり、このようなレーザ加工技術では、加工対象物の主面に沿ってレーザ光でスキャンする際に、測定手段により加工対象物の主面高さを測定し、その測定点が集光レンズの直下に到達したときに、その主面高さの測定値に基づいて集光レンズと加工対象物の主面との距離が一定となるように集光レンズをその光軸方向に駆動するものであるが、加工対象物の外側の位置からレーザ光の照射を開始してレーザ光と加工対象物とをその主面に沿って移動させて加工を行う場合に、測定手段は加工対象物の外側から測定を開始し、加工対象物の内側へと測定を行っていくことになるところ、この測定によって得られた主面高さの測定値に基づいて集光レンズを駆動すると、加工対象物の端部においてレーザ光の集光点がずれる場合があるという課題があった（【０００２】、【０００４】）。また、主面が凸凹している加工対象物を加工する従来技術には、加工準備として加工を施す部分全ての平面度を平面度測定手段（投光器と反射光受光器とを有する平面度測定器）によって測定した後、測定した平面度に基づいて加工対象物を加工するものがあるが、加工対象物の主面の平面度を正確に把握できるのものの、加工準備と実際の加工とで同じ部位を２度スキャンしなければならないため、時間がかかり加工効率が低下するという課題があった（【０００３】、【０００５】）。そこで、本件発明１では、加工対象物の端部におけるレーザ光の集光点のずれを極力少なくしつつ効率よくレーザ加工を行うことができるレーザ加工方法及びレーザ加工装置を提供することを目的とし（【０００６】）、本件発明のレーザ加工装置は、第一のレーザ光を加工対象物の内部に集光点を合わせて照射し、加工対象物の切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に改質領域を形成するレーザ加工装置であって、第１のレーザ光を前記加工対象物に向けて集光するレンズと、加工対象物とレンズとを加工対象物の主面に沿って移動させる移動手段と、レンズを主面に対して進退自在に保持する保持手段と、移動手段及び保持手段それぞれの挙動を制御する制御手段と、を備え、制御手段は集光点が加工対象物内部の所定の位置に合う状態となる初期位置にレンズを保持するように保持手段を制御し、当該位置にレンズを保持した状態で第一のレーザ光を照射しながら、制御手段は加工対象物とレンズとを主面に沿って相対的に移動させるように移動手段を制御して切断予定ラインの一端部において改質領域を形成し、切断予定ラインの一端部において改質領域が形成された後に、制御手段はレンズを初期位置に保持した状態を解除してレンズと主面との間隔を調整しながら保持するように保持手段を制御し、レンズと加工対象物とを主面に沿って相対的に移動させるように移動手段を制御して改質領域を形成するとの構成をとることにより（【００２３】）、初期位置にレンズを保持した状態で切断予定ラインの一端部において改質領域を形成するので、加工対象物の端部の形状変動による影響を極力排除して改質領域を形成することができ、切断予定ラインの一端部において改質領域を形成した後にレンズを保持した状態を解除し、レンズの位置を調整しながら残部において改質領域を形成するので、加工対象物内部の所定の位置に改質領域を形成することができるという効果を奏する（【００２４】）。
また、本件発明のレーザ加工装置では、切断予定ラインの一端部において改質領域が形成された後に、制御手段はレンズを初期位置に保持した状態を解除してレンズと主面との間隔を調整しながら保持するように保持手段を制御し、レンズと加工対象物とを主面に沿って相対的に移動させるように移動手段を制御して改質領域を形成し、更に、制御手段はレンズを主面に向かう方向に駆動させずに保持するように保持手段を制御すると共に、レンズと加工対象物とを主面に沿って相対的に移動させるように移動手段を制御するものとすると、改質領域を形成した後にレンズを主面に向かう方向に駆動しないように保持するので、例えば、次の切断予定ラインの加工に移行する際に円滑な移行が可能となるとの効果を生じる（【００２７】。本件発明２）。
２ 甲１発明について
(1) 平成１４（２００２）年３月２１日に国際公開された甲１（国際公開第０２／２２３０１号）は、発明の名称を「レーザ加工方法及びレーザ加工装置」とする特許協力条約に基づいて公開された国際出願の公開公報であり、その明細書及び図面には、次のア～オの記載がある。
ア 技術分野
「本発明は、半導体材料基板、圧電材料基板やガラス基板等の加工対象物の切断に使用されるレーザ加工方法及びレーザ加工装置に関する。」（甲１の明細書の１頁。以下頁数のみで示す。）
イ 背景技術
「レーザ応用の一つに切断があり、レーザによる一般的な切断は次の通りである。例えば半導体ウエハやガラス基板のような加工対象物の切断する箇所に、加工対象物が吸収する波長のレーザ光を照射し、レーザ光の吸収により切断する箇所において加工対象物の表面から裏面に向けて加熱溶融を進行させて加工対象物を切断する。しかし、この方法では加工対象物の表面のうち切断する箇所となる領域周辺も溶融される。よって、加工対象物が半導体ウエハの場合、半導体ウエハの表面に形成された半導体素子のうち、上記領域付近に位置する半導体素子が溶融する恐れがある。加工対象物の表面の溶融を防止する方法として、例えば、特開２０００－２１９５２８号公報や特開２０００－１５４６７号公報に開示されたレーザによる切断方法がある。これらの公報の切断方法では、加工対象物の切断する箇所をレーザ光により加熱し、そして加工対象物を冷却することにより、加工対象物の切断する箇所に熱衝撃を生じさせて加工対象物を切断する。」（１頁）
ウ 発明の開示
「しかし、これらの公報の切断方法では、加工対象物に生じる熱衝撃が大きいと、加工対象物の表面に、切断予定ラインから外れた割れやレーザ照射していない先の箇所までの割れ等の不必要な割れが発生することがある。よって、これらの切断方法では精密切断をすることができない。特に、加工対象物が半導体ウエハ、液晶表示装置が形成されたガラス基板や電極パターンが形成されたガラス基板の場合、この不必要な割れにより半導体チップ、液晶表示装置や電極パターンが損傷することがある。また、これらの切断方法では平均入力エネルギーが大きいので、半導体チップ等に与える熱的ダメージも大きい。
本発明の目的は、加工対象物の表面に不必要な割れを発生させることなくかつその表面が溶融しないレーザ加工方法及びレーザ加工装置を提供することである。」（１～２頁）
「（１）本発明に係るレーザ加工方法は、加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射し、加工対象物の切断予定ラインに沿って加工対象物の内部に多光子吸収による改質領域を形成する工程を備えることを特徴とする。
本発明に係るレーザ加工方法によれば、加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射しかつ多光子吸収という現象を利用することにより、加工対象物の内部に改質領域を形成している。加工対象物の切断する箇所に何らかの起点があると、加工対象物を比較的小さな力で割って切断することができる。本発明に係るレーザ加工方法によれば、改質領域を起点として切断予定ラインに沿って加工対象物が割れることにより、加工対象物を切断することができる。よって、比較的小さな力で加工対象物を切断することができるので、加工対象物の表面に切断予定ラインから外れた不必要な割れを発生させることなく加工対象物の切断が可能となる。また、本発明に係るレーザ加工方法によれば、加工対象物の内部に局所的に多光子吸収を発生させて改質領域を形成している。よって、加工対象物の表面ではレーザ光がほとんど吸収されないので、加工対象物の表面が溶融することはない。なお、集光点とはレーザ光が集光した箇所のことである。切断予定ラインは加工対象物の表面や内部に実際に引かれた線でもよいし、仮想の線でもよい。」（２頁）
エ 発明を実施するための最良の形態（本実施形態の具体例）
「［第１例］
本実施形態の第１例に係るレーザ加工方法について説明する。図１４はこの方法に使用できるレーザ加工装置１００の概略構成図である。レーザ加工装置１００は、レーザ光Ｌを発生するレーザ光源１０１と、レーザ光Ｌの出力やパルス幅等を調節するためにレーザ光源１０１を制御するレーザ光源制御部１０２と、レーザ光Ｌの反射機能を有しかつレーザ光Ｌの光軸の向きを９０°変えるように配置されたダイクロイックミラー１０３と、ダイクロイックミラー１０３で反射されたレーザ光Ｌを集光する集光用レンズ１０５と、集光用レンズ１０５で集光されたレーザ光Ｌが照射される加工対象物１が載置される載置台１０７と、載置台１０７をＸ方向に移動させるためのＸ軸ステージ１０９と、載置台１０７をＸ軸方向に直交するＹ軸方向に移動させるためのＹ軸ステージ１１１と、載置台１０７をＸ軸及びＹ軸方向に直交するＺ軸方向に移動させるためのＺ軸ステージ１１３と、これら三つのステージ１０９、１１１、１１３の移動を制御するステージ制御部１１５と、を備える。Ｚ軸方向は加工対象物１の表面３と直交する方向なので、加工対象物１に入射するレーザ光Ｌの焦点深度の方向となる。よって、Ｚ軸ステージ１１３をＺ軸方向に移動させることにより、加工対象物１の内部にレーザ光Ｌの集光点Ｐを合わせることができる。また、この集光点ＰのＸ(Ｙ)軸方向の移動は、加工対象物１をＸ(Ｙ)軸ステージ１０９（１１１）によりＸ(Ｙ)軸方向に移動させることにより行う。Ｘ(Ｙ)軸ステージ１０９（１１１）が移動手段の一例となる。」（５０～５１頁）「レーザ加工装置１００はさらに、載置台１０７に載置された加工対象物１を可視光線により照明するために可視光線を発生する観察用光源１１７と、ダイクロイックミラー１０３及び集光用レンズ１０５と同じ光軸上に配置された可視光用のビームスプリッタ１１９と、を備える。ビームスプリッタ１１９と集光用レンズ１０５との間にダイクロイックミラー１０３が配置されている。ビームスプリッタ１１９は、可視光線の約半分を反射し残りの半分を透過する機能を有しかつ可視光線の光軸の向きを９０°変えるように配置されている。観察用光源１１７から発生した可視光線はビームスプリッタ１１９で約半分が反射され、この反射された可視光線がダイクロイックミラー１０３及び集光用レンズ１０５を透過し、加工対象物１の切断予定ライン５等を含む表面３を照明する。
レーザ加工装置１００はさらに、ビームスプリッタ１１９、ダイクロイックミラー１０３及び集光用レンズ１０５と同じ光軸上に配置された撮像素子１２１及び結像レンズ１２３を備える。撮像素子１２１としては例えばＣＣＤ（charge-coupleddevice）カメラがある。切断予定ライン５等を含む表面３を照明した可視光線の反射光は、集光用レンズ１０５、ダイクロイックミラー１０３、ビームスプリッタ１１９を透過し、結像レンズ１２３で結像されて撮像素子１２１で撮像され、撮像データとなる。」（５１～５２頁）
「レーザ加工装置１００はさらに、撮像素子１２１から出力された撮像データが入力される撮像データ処理部１２５と、レーザ加工装置１００全体を制御する全体制御部１２７と、モニタ１２９と、を備える。撮像データ処理部１２５は、撮像データを基にして観察用光源１１７で発生した可視光の焦点が表面３上に合わせるための焦点データを演算する。この焦点データを基にしてステージ制御部１１５がＺ軸ステージ１１３を移動制御することにより、可視光の焦点が表面３に合うようにする。よって、撮像データ処理部１２５はオートフォーカスユニットとして機能する。また、撮像データ処理部１２５は、撮像データを基にして表面３の拡大画像等の画像データを演算する。この画像データは全体制御部１２７に送られ、全体制御部で各種処理がなされ、モニタ１２９に送られる。これにより、モニタ１２９に拡大画像等が表示される。」（５２頁）
「全体制御部１２７には、ステージ制御部１１５からのデータ、撮像データ処理部１２５からの画像データ等が入力し、これらのデータも基にしてレーザ光源制御部１０２、観察用光源１１７及びステージ制御部１１５を制御することにより、レーザ加工装置１００全体を制御する。」（５２～５３頁）
「加工対象物１はシリコンウエハである。
まず、加工対象物１の光吸収特性を図示しない分光光度計等により測定する。この測定結果に基づいて、加工対象物１に対して透明な波長又は吸収の少ない波長のレーザ光Ｌを発生するレーザ光源１０１を選定する（Ｓ１０１）。次に、加工対象物１の厚さを測定する。厚さの測定結果及び加工対象物１の屈折率を基にして、加工対象物１のＺ軸方向の移動量を決定する（Ｓ１０３）。これは、レーザ光Ｌの集光点Ｐが加工対象物１の内部に位置させるために、加工対象物１の表面３に位置するレーザ光Ｌの集光点を基準とした加工対象物１のＺ軸方向の移動量である。この移動量を全体制御部１２７に入力される。
加工対象物１をレーザ加工装置１００の載置台１０７に載置する。そして、観察用光源１１７から可視光を発生させて加工対象物１を照明する（Ｓ１０５）。照明された切断予定ライン５を含む加工対象物１の表面３を撮像素子１２１により撮像する。この撮像データは撮像データ処理部１２５に送られる。この撮像データに基づいて撮像データ処理部１２５は観察用光源１１７の可視光の焦点が表面３に位置するような焦点データを演算する（Ｓ１０７）。
この焦点データはステージ制御部１１５に送られる。ステージ制御部１１５は、この焦点データを基にしてＺ軸ステージ１１３をＺ軸方向の移動させる（Ｓ１０９）。これにより、観察用光源１１７の可視光の焦点が表面３に位置する。」（５３頁）「全体制御部１２７には予めステップＳ１０３で決定された移動量データが入力されており、この移動量データがステージ制御部１１５に送られる。ステージ制御部１１５はこの移動量データに基づいて、レーザ光Ｌの集光点Ｐが加工対象物１の内部となる位置に、Ｚ軸ステージ１１３により加工対象物１をＺ軸方向に移動させる（Ｓ１１１）。
次に、レーザ光源１０１からレーザ光Ｌを発生させて、レーザ光Ｌを加工対象物１の表面３の切断予定ライン５に照射する。レーザ光Ｌの集光点Ｐは加工対象物１の内部に位置しているので、溶融処理領域は加工対象物１の内部にのみ形成される。そして、切断予定ライン５に沿うようにＸ軸ステージ１０９やＹ軸ステージ１１１を移動させて、溶融処理領域を切断予定ライン５に沿うように加工対象物１の内部に形成する（Ｓ１１３）。」（５４頁）
「[第１０例]
本実施形態の第１０例は、加工対象物の厚み方向におけるレーザ光の集光点の位置を調節することにより、加工対象物の厚み方向における改質領域の位置を制御している。」（１０４頁）
「図９８に示すクラック領域９は、パルスレーザ光Ｌの集光点を加工対象物１の厚み方向において厚みの半分の位置より表面（入射面）３に近い位置に調節して形成されたものである。クラック領域９は加工対象物１の内部中の表面３側に形成される。図９９は図９８に示す加工対象物１の部分断面図である。クラック領域９が表面３側に形成されているので、自然に成長するクラック９１は表面３又はその近傍に到達する。よって、切断予定ライン５に沿った割れが表面３に生じやすいので、加工対象物１を容易に切断することができる。」（１０５頁）
「なお、パルスレーザ光Ｌの集光点を加工対象物１の厚み方向において厚みの半分の位置より表面３に遠い位置に調節してクラック領域９を形成することもできる。この場合、クラック領域９は加工対象物１の内部中の裏面２１側に形成される。」（１０５～１０６頁）
オ 図面
(2) 甲１発明について
前記(1)によると、甲１には、次のとおりの甲１発明が記載されているものと認められる（前記第２の３(1)の本件審決の認定した甲１発明とは異なる部分に下線を付した。）。
（１ａ）レーザ光Ｌを加工対象物１であるシリコンウエハの内部に集光点Ｐを合わせて照射し、前記シリコンウエハの切断予定ライン５に沿って前記シリコンウエハの内部に改質領域７を形成するレーザ加工装置１００であって、
（１ｂ）前記レーザ光Ｌを前記シリコンウエハに向けて集光するレンズ１０５と、（１ｃ）前記シリコンウエハと前記レンズ１０５とを前記シリコンウエハの表面３（レーザ光Ｌの入射面）に沿って移動させるＸ、Ｙ軸ステージ１０９、１１１及びステージ制御部１１５と、
（１ｄ）前記レンズ１０５を前記表面３に対して進退自在に保持する保持手段と、（１ｅ）前記Ｘ、Ｙ軸ステージ１０９、１１１、ステージ制御部１１５、及び前記保持手段それぞれの挙動を制御する全体制御部１２７と、を備え、
（１ｆ’）前記全体制御部１２７は前記集光点Ｐが前記シリコンウエハ内部の所定の位置に合う状態となる位置に前記レンズ１０５を保持するように前記保持手段を制御し、
（１ｇ＋１ｈ’）前記レーザ光Ｌを照射しながら、前記全体制御部１２７は前記Ｘ、Ｙ軸ステージ１０９、１１１及びステージ制御部１１５を制御して前記切断予定ライン５の一端部を含む前記切断予定ライン５に沿って改質領域７を形成する、（１ｉ）上記レーザ加工装置１００。
(3) 甲１発明の認定についての補足
ア 構成（１ｆ’）について
本件審決は、構成（１ｆ’）において、前記レンズ１０５が「固定位置」に保持されるものと認定したが、甲１には、レンズ１０５の位置が固定である旨の記載はない。そして、前記(1)のとおり、甲１には「全体制御部１２７には予めステップＳ１０３で決定された移動量データが入力されており、この移動量データがステージ制御部１１５に送られる。ステージ制御部１１５はこの移動量データに基づいて、レーザ光Ｌの集光点Ｐが加工対象物１の内部となる位置に、Ｚ軸ステージ１１３により加工対象物１をＺ軸方向に移動させる（Ｓ１１１）。」（５４頁）との記載があるから、甲１発明においては、レーザ光Ｌの集光点Ｐが加工対象物１の内部となる位置に、加工対象物１をＺ軸方向に移動させており、この移動量については、甲１に「加工対象物１の厚さを測定する。厚さの測定結果及び加工対象物１の屈折率を基にして、加工対象物１のＺ軸方向の移動量を決定する（Ｓ１０３）。」（５３頁）とあるから、甲１発明による厚さの測定結果及び加工対象物１（シリコンウエハ）の屈折率から決定されるものである。そして、加工対象物１をＺ軸方向に移動させることにより、加工対象物１との関係におけるレンズ１０５の位置が定まるので、上記各記載によると、甲１発明においては、レンズ１０５は、レーザ光Ｌの集光点Ｐが加工対象物１の内部となる位置に合う状態となる位置に保持されるものと認められる。なお、原告は、「固定位置」に代えて「初期位置」と認定すべきと主張するが、甲１の記載からは、上記のように定められたレンズ１０５の位置が、本件発明１と同じ意味における初期位置であるとの限定がされているとまではいえないので、甲１発明については、前記(2)のとおり認定するのが相当である。
イ 構成（１ｇ＋１ｈ’）について
本件審決は、構成（１ｇ＋１ｈ’）について、「シリコンウエハ内部の調整された固定位置に集光点Ｐが位置するように前記レンズ１０５を保持した状態で前記レーザ光Ｌを照射しながら、」「前記全体制御部１２７は前記シリコンウエハと前記レンズ１０５とを前記表面３に沿って相対的に移動させるように前記Ｘ、Ｙ軸ステージ１０９、１１１及びステージ制御部１１５を制御」して改質領域を形成するものと認定した。
しかしながら、前記アで指摘した甲１の記載によると、甲１発明においては、レーザ光Ｌの集光点Ｐが加工対象物１の内部となる位置に合うようにレンズ１０５が保持されるものであるものの、集光点Ｐがシリコンウエハ内部の固定位置に位置することについての記載はないから、甲１発明において、「シリコンウエハ内部の調整された固定位置に集光点Ｐが位置するように前記レンズ１０５を保持した状態で前記レーザ光Ｌを照射」しているとは認められない。
また、前記(1)のとおり、甲１には「切断予定ラインは加工対象物の表面や内部に実際に引かれた線でもよいし、仮想の線でもよい。」（２頁）との記載があるとともに、甲１発明に相当する本実施形態の具体例[第１例]について、「レーザ光Ｌを加工対象物１の表面３の切断予定ライン５に照射する。レーザ光Ｌの集光点Ｐは加工対象物１の内部に位置しているので、溶融処理領域は加工対象物１の内部にのみ形成される。そして、切断予定ライン５に沿うようにＸ軸ステージ１０９やＹ軸ステージ１１１を移動させて、溶融処理領域を切断予定ライン５に沿うように加工対象物１の内部に形成する（Ｓ１１３）。」（５４頁）との記載があるから、甲１発明における切断予定ライン５は加工対象物１の表面に実際に又は仮想的に引かれた線であると認められる。そして、上記の（Ｓ１１３）に係る記載のとおり、甲１には、レーザ光Ｌを照射しながら加工対象物１であるシリコンウエハをＸ軸方向やＹ軸方向に移動せることが記載されているものの、レーザ光Ｌを照射しながら加工対象物１をＺ軸方向に移動させることについての記載はなく、示唆もない。
そうすると、甲１発明においては、表面３に引かれた切断予定ライン５に沿うようにＸ軸方向及びＹ軸方向にシリコンウエハを移動するような制御がされていると認められるものの、シリコンウエハの厚みやＺ軸方向の位置に変化があった場合に、シリコンウエハとレンズ１０５を、表面３のＺ軸方向の変化に合わせて、Ｚ軸方向に移動させるような制御がされているとはいえない。
３ 取消事由１について
(1) 本件発明１と甲１発明の一致点及び相違点
本件発明１と前記の甲１発明を比較すると、次の一致点及び相違点があると認められる。
ア 一致点
第一のレーザ光を加工対象物の内部に集光点を合わせて照射し、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って前記加工対象物の内部に改質領域を形成するレーザ加工装置であって、
前記第１のレーザ光を前記加工対象物に向けて集光するレンズと、
前記加工対象物と前記レンズとを前記加工対象物の主面に沿って移動させる移動手段と、
前記レンズを前記主面に対して進退自在に保持する保持手段と、
前記移動手段及び前記保持手段それぞれの挙動を制御する制御手段と、を備え、前記制御手段は前記集光点が前記加工対象物内部の所定の位置に合う状態となる位置に前記レンズを保持するように前記保持手段を制御し、
前記第一のレーザ光を照射しながら、前記制御手段は前記加工対象物を移動させるように前記移動手段を制御して前記切断予定ラインの一端部において改質領域を形成する、
レーザ加工装置。
イ 相違点
本件発明１は、「初期位置」にレンズを保持した状態で「前記切断予定ラインの一端部において改質領域が形成された後に、前記制御手段は前記レンズを前記初期位置に保持した状態を解除して前記レンズと前記主面との間隔を調整しながら保持するように前記保持手段を制御し、前記レンズと前記加工対象物とを前記主面に沿って相対的に移動させるように前記移動手段を制御して改質領域を形成する」ことを特定しているのに対して、甲１発明は、そのような特定がされない点。
(2) 容易想到性
ア 本件審決の認定したとおり、証拠（甲３～５）によると、周知の技術的事項１（半導体ウエハをレーザ加工する技術分野において、半導体ウエハに反りがあると加工位置に対して加工用レーザ光の焦点がずれることから、測距用レーザ光を半導体ウエハに照射し、半導体ウエハの切断予定ラインに沿った表面（主面）の変位を取得して、取得した主面の変位に基づき、加工用レーザ光のレンズと半導体ウエハの主面との間隔を調整することで、加工用レーザ光の焦点の位置を調整し、半導体ウエハの表面を加工すること）が、証拠（甲６及び７）によると、周知の技術的事項２（対象物であるシリコンウエハについて、シリコンウエハの一端部に存在する平坦ではない部分（段差部や研磨ダレ部分等）に起因して光の合焦動作が困難になることから、そのような部分において合焦動作を一時的に停止させて焦点を固定し、そのような部分を外れると合焦動作を再開することにより、光の合焦動作を改善すること）が、それぞれ周知であったものと認められる（前記第２の３(3)ア）。
イ 前記(1)イの相違点に係る構成を甲１発明において採用することが容易想到といえるか検討するに、甲１には、加工対象物の反りや、Ｘ、Ｙ軸ステージの振動等により、レーザ光の焦点ずれが生じ得ることについての記載はなく、加えて、前記２(1)エのとおり、甲１（１０５頁）には「図９８に示すクラック領域９は、パルスレーザ光Ｌの集光点を加工対象物１の厚み方向において厚みの半分の位置より表面（入射面）３に近い位置に調節して形成されたものである。クラック領域９は加工対象物１の内部中の表面３側に形成される。」「パルスレーザ光Ｌの集光点を加工対象物１の厚み方向において厚みの半分の位置より表面３に遠い位置に調節してクラック領域９を形成することもできる。」といった記載があり、甲１発明においては、シリコンウエハ内部の改質領域の位置は、シリコンウエハの厚み方向において厚みの半分の位置よりも表面に近い位置から、同半分の位置よりも表面に遠い位置までの、ある程度の幅をもった範囲に設定され得るものであると理解されることからすると、甲１の記載に触れた当業者が、直ちに、Ｘ、Ｙ軸ステージの振動等の外的要因や加工対象物であるシリコンウエハの反りのために、レーザ光の集光点のＺ軸方向の位置がずれ、改質領域の位置がずれることによって、シリコンウエハの割れに大きな影響を及ぼして品質低下を生じさせると理解するとはいえない。
そうすると、甲１発明において、ＡＦ制御をする動機付けがあると認めることはできない。また、周知の技術的事項１は半導体ウエハの表面の加工についてのＡＦ制御をいうものであるところ、これが周知であるからといって、動機付けがないにもかかわらず、甲１発明のようなステルスダイシングに適用できるとはいえない。したがって、甲１発明において「前記レンズと前記加工対象物とを前記主面に沿って相対的に移動させるように前記移動手段を制御して改質領域を形成する」構成を採用することについて、当業者が容易に想到できたと認めることはできない。ウ(ｱ) 原告は、レーザ加工の技術分野において、加工時におけるレーザビームの振動やテーブルの振動などの外的要因や加工対象物の凹凸や反りが、レーザ光の焦点ずれの原因となることが知られており、高さ方向（Ｚ軸方向）の集光点をＡＦ制御することは当然のことであり技術常識であったから、Ｚ軸方向のＡＦ制御をすることは甲１に記載されているに等しく、少なくとも容易想到であると主張する。しかしながら、甲１には、加工時に、レーザ光Ｌの集光点Ｐについて、Ｚ軸方向の制御をすることについての記載はない。また、前記２(1)ウのとおり、甲１（２頁）には「本発明に係るレーザ加工方法によれば、加工対象物の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射しかつ多光子吸収という現象を利用することにより、加工対象物の内部に改質領域を形成している。加工対象物の切断する箇所に何らかの起点があると、加工対象物を比較的小さな力で割って切断することができる。本発明に係るレーザ加工方法によれば、改質領域を起点として切断予定ラインに沿って加工対象物が割れることにより、加工対象物を切断することができる。よって、比較的小さな力で加工対象物を切断することができるので、加工対象物の表面に切断予定ラインから外れた不必要な割れを発生させることなく加工対象物の切断が可能となる。」との記載があり、同記載に照らすと、甲１発明は、加工対象物であるシリコンウエハの内部に改質領域を形成して、改質領域を起点として切断予定ラインに沿って加工対象物を割るというものである。そして、前記アのとおり、周知の技術的事項１は、半導体ウエハの表面を加工する際に、半導体ウエハに反りがあると加工位置に対して加工用レーザ光の焦点がずれることから、表面の変位に基づいてＡＦ制御をして表面を加工するというものであるところ、シリコンウエハの内部に改質領域を形成する際に、このような半導体ウエハの表面加工に係る周知の技術的事項１をそのまま適用できるとはいえない。
(ｲ) 当業者が、甲１の記載から、甲１発明において、加工中の集光点ＡＦ制御が当然に採用されるものと理解するといえるには、甲１発明において、シリコンウエハの反りやＸ、Ｙ軸ステージの振動により、集光点のＺ軸方向の位置がずれ、その結果、改質領域が形成される位置がずれることとなり、その改質領域の位置のＺ軸方向のずれに起因して割断精度が悪くなる等の品質低下の問題を生じることが明らかであり、そのために、ＡＦ制御が必要であることまでを当業者が認識することを要するものと考えられる。ところが、当業者にとって、上記のような問題が生じることが明らかであると認識できたと認めるに足りる証拠はなく、そのような技術常識は認められないところ、前記のとおり、甲１には、改質領域が形成される位置が、ある程度の幅をもった範囲に設定され得ることを示唆する記載があるから、周知の技術的事項１を考慮しても、また、甲１発明の加工対象物として、３０㎛程度までの薄いシリコンウェアが対象となり得ることを考慮しても、当業者が、甲１の記載から、甲１発明において加工中の集光点のＡＦ制御が当然に採用されると理解するとはいえない。
(ｳ) 原告は甲１の「クラック領域９と表面３の距離が比較的長いと、表面３側においてクラック９１の成長方向のずれが大きくなる。これにより、クラック９１が電子デバイス等の形成領域に到達することがあり、この到達により電子デバイス等が損傷する。クラック領域９を表面３付近に形成すると、クラック領域９と表面３の距離が比較的短いので、クラック９１の成長方向のずれを小さくできる。よって、電子デバイス等を損傷させることなく切断が可能となる。但し、表面３に近すぎる箇所にクラック領域９を形成するとクラック領域９が表面３に形成される。このため、クラック領域９そのもののランダムな形状が表面３に現れ、表面３のチッビングの原因となり、割断精度が悪くなる。」との記載（１０５頁１５～２３行）をもって、比較的厚いウエハの場合には、改質領域のＺ軸方向の位置が割断精度に影響を与えるものであることが甲１に明記されていると主張するが、同記載をもって、シリコンウエハの反りやＸ、Ｙ軸ステージの振動に起因する改質領域の形成される位置のＺ軸方向のずれが、品質低下の問題を生じる程度のものであることが明らかとなるものではないから、上記記載部分を踏まえても、当業者が、甲１の記載から甲１発明において加工中の集光点のＡＦ制御が当然に採用されると理解するとはいえない。
(ｴ) 原告は、本件明細書（【０００４】）に、従来技術に加工対象物の端部においてレーザ光の集光点がずれる場合があるとの課題があると記載されていることからも、一般的なレーザ加工技術の課題として、甲１発明においても、加工中の集光点のＡＦ制御が必要であると主張するが、本件明細書の上記記載を踏まえても、前記(ｲ)のとおり、当業者が、甲１発明において、加工対象物の内部に改質領域を形成するために、加工時におけるＡＦ制御としての加工中のＺ軸方向の位置の制御が必要であるとの課題を認識するとはいえない。また、原告が指摘する証拠はいずれも、加工対象物の内部に改質領域を形成する甲１発明において、加工中のＺ軸方向の位置の制御が必要であることが技術常識であることを裏付けるものとはいえない。そして、原告主張に係る被告の本件以外の出願の状況が、本件発明の進歩性の判断を左右するものではない。
(ｵ) そうすると、原告の主張はいずれも理由がない。
(3) 小括
したがって、本件発明１が、甲１発明に周知の技術的事項を適用して当業者が容易に想到できたものとは認められないから、原告の主張する取消事由１には理由がない。
(4) 本件発明２について
本件発明２は、本件発明１の構成を全て包含するものであるところ、前記のとおり、本件発明１の構成は甲１発明に周知の技術的事項を適用して当業者が容易に想到できたものではないから、本件発明２についても、甲１発明に周知の技術的事項を適用して当業者が容易に想到できたものとはいえない。
したがって、原告の主張する取消事由２には理由がない。
第６ 結論
以上の次第であるから、原告の請求には理由がないからこれを棄却することとして、主文のとおり判決する。
知的財産高等裁判所第２部
裁判長裁判官
本多知成
裁判官
浅井憲
裁判官
勝又来未子
（別紙）
当事者目録
原告株式会社東京精密
同訴訟代理人弁護士服部誠
中村閑
柿本祐依
同訴訟代理人弁理士相田義明
山下崇
同訴訟復代理人弁理士加藤志麻子
被告浜松ホトニクス株式会社
同訴訟代理人弁護士設樂隆一
尾関孝彰
河合哲志
松本直樹
大澤恒夫
同訴訟代理人弁理士長谷川芳樹
柴田昌聰
小曳満昭
出典：裁判所ウェブサイト「裁判例検索」（https://www.courts.go.jp/hanrei/92185/detail7/index.html）。本文は同サイト掲載の判決書PDFからTaiLexi AIがテキスト化・整形したもの（正確な文言は原本PDFを参照）。判示事項・裁判要旨・参照法条は裁判所の公表どおり。