異議申立番号 異議2022-700202
特許権者 ＴＯＴＯ株式会社（代理人 弁理士1名）
特許異議申立人 〔氏名省略〕
特許第６９３１４９２号発明「静電チャック」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
結 論
特許第６９３１４９２号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～１１〕について訂正することを認める。
特許第６９３１４９２号の請求項１、３～７、１０、１１に係る特許を維持する。
特許第６９３１４９２号の請求項２、８、９に係る特許についての特許異議の申立てを却下する。
理 由
第１ 手続の経緯
特許第６９３１４９２号の発明の請求項１～１１に係る特許についての出願は、令和元年１２月５日（優先権主張 平成３０年１２月２１日）に出願され、令和３年８月１８日にその特許権の設定登録がされ、同年９月８日に特許掲載公報が発行された。その後、その特許について、令和４年３月８日に特許異議申立人 〔氏名省略〕（以下、「特許異議申立人」という。）により特許異議の申立てがされ、当審は、同年６月２９日付けで取消理由を通知した。特許権者は、その指定期間内である同年９月５日に意見書の提出及び訂正の請求を行い、その訂正の請求（以下、「本件訂正請求」という。）に対して、特許異議申立人に期間を指定して意見書を提出する機会を与えたが、特許異議申立人は応答しなかった。
第２ 訂正の適否についての判断
１ 訂正の内容
本件訂正請求による訂正の内容は、以下のとおりである。（下線は当審で付した。以下同じ。）
（１）一群の請求項１～１１に係る訂正
ア 訂正事項１
（ア）訂正事項１－１
特許請求の範囲の請求項１に、
「前記第１主面は、少なくとも、第１領域と、前記第１領域に隣接する第２領域と、を含み、」
と記載されているのを
「前記第１主面は、対象物を載置可能な複数のドットと、少なくとも、第１領域と、前記第１領域の外側に隣接する第２領域と、を含み、」
に訂正する。
請求項１の記載を直接又は間接的に引用する請求項３～７、１０、１１についても同様に訂正する
（イ）訂正事項１－２
特許請求の範囲の請求項１に、
「前記第１領域と前記第２領域との間の第１境界に最も近接して設けられ、前記第１境界に沿って延びる第１境界溝と、」
と記載されているのを
「前記第１領域と前記第２領域との間の第１境界に最も近接して設けられ、前記第１境界に沿って延び、前記第１ガス導入孔が接続された第１境界溝と、」
に訂正する。
請求項１の記載を直接又は間接的に引用する請求項３～７、１０、１１についても同様に訂正する
（ウ）訂正事項１－３
特許請求の範囲に「前記第１主面の前記第１領域には、複数の第１溝と、前記複数の第１溝の少なくとも１つと接続された少なくとも１つの第１ガス導入孔と、が設けられ、」と記載されているのを
「前記第１主面の、前記第１ガス導入孔が接続された前記第１境界溝の外側に位置する前記第２領域には、複数の第２溝と、前記複数の第２溝の少なくとも１つと接続された少なくとも１つの第２ガス導入孔と、が設けられ、」
に訂正する。
請求項１の記載を直接又は間接的に引用する請求項３～７、１０、１１についても同様に訂正する。
（エ）訂正事項１－４
特許請求の範囲の請求項１に、
「前記複数のドットに前記対象物を載置した状態で、前記第１主面と、前記対象物と、の間に空間が形成され、
前記第１境界溝と、前記第２境界溝と、が前記第１境界を挟んで隣接することで、
前記対象物を載置した状態で前記第１ガス導入孔からガスを導入して、前記第１領域と、前記対象物と、の間の空間における圧力が第１圧力となるように構成され、前記対象物を載置した状態で前記第２ガス導入孔からガスを導入して、前記第２領域と、前記対象物と、の間の空間における圧力が前記第１圧力とは異なる第２圧力となるよう構成されており、
前記第１領域と前記第２領域との間の前記第１境界およびその近傍領域と、前記対象物と、の間の空間における圧力が、前記第１圧力と前記第２圧力との間の値となるよう構成され、」
を加える。
請求項１の記載を直接又は間接的に引用する請求項３～７、１０、１１についても同様に訂正する。
イ 訂正事項２
特許請求の範囲の請求項２を削除する。
ウ 訂正事項３
特許請求の範囲の請求項８を削除する。
エ 訂正事項４
特許請求の範囲の請求項９を削除する。
オ 訂正事項５
特許請求の範囲の請求項３に、「・・・請求項１または２に記載の静電チャック。」と記載されているのを「・・・請求項１記載の静電チャック。」に訂正する。
請求項３の記載を直接又は間接的に引用する請求項４～７、１０、１１についても同様に訂正する。
カ 訂正事項６
特許請求の範囲の請求項４に、「・・・請求項１～３のいずれか１つに記載の静電チャック。」と記載されているのを「・・・請求項１または３に記載の静電チャック。」に訂正する。
請求項４の記載を直接又は間接的に引用する請求項５～７、１０、１１についても同様に訂正する。
キ 訂正事項７
特許請求の範囲の請求項５に、「・・・請求項１～４のいずれか１つに記載の静電チャック。」と記載されているのを「・・・請求項１、３、４のいずれか１つに記載の静電チャック。」に訂正する。
請求項５の記載を直接又は間接的に引用する請求項７、１０、１１についても同様に訂正する。
ク 訂正事項８
特許請求の範囲の請求項６に、「・・・請求項１～４のいずれか１つに記載の静電チャック。」と記載されているのを「・・・請求項１、３、４のいずれか１つに記載の静電チャック。」に訂正する。
請求項６の記載を直接又は間接的に引用する請求項７についても同様に訂正する。
ケ 訂正事項９
特許請求の範囲の請求項７に、「・・・請求項１～６のいずれか１つに記載の静電チャック。」と記載されているのを「・・・請求項１、３、４、５、６のいずれか１つに記載の静電チャック。」に訂正する。
コ 訂正事項１～９は、一群の請求項〔１～１１〕に対してされたものである。
２ 訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否、特許出願の際に独立して特許を受けることができることについて
（１）一群の請求項１～１１に係る訂正
ア 訂正事項１について
（ア）訂正の目的について
ａ 訂正事項１－１について
訂正事項１－１は、訂正前の「第１主面」に「対象物を載置可能な複数のドット」を含むとの限定を加えると共に、訂正前の「第１主面」に含まれる、「第１領域」と「第１領域に隣接する第２領域」の位置関係が明確でなかったのを、「第１領域の外側に隣接する第２領域」と限定を加えることにより明確にするものである。
したがって、訂正事項１－１は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する「特許請求の範囲の減縮」、及び、同項ただし書第３号に規定する「明瞭でない記載の釈明」を目的とする訂正である。
ｂ 訂正事項１－２について
訂正事項１－２は、訂正前の「第１境界溝」に「前記第１ガス導入孔が接続された」との限定を加えるものである。
したがって、訂正事項１－２は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正である。
ｃ 訂正事項１－３について
訂正事項１－３は、訂正前の「第２領域」が「第１主面」のどこに位置するのか明確でなかったのを、「前記第１主面の、前記第１ガス導入孔が接続された前記第１境界溝の外側に位置する前記第２領域」と限定を加えることにより明確にするものである。
したがって、訂正事項１－３は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する「特許請求の範囲の減縮」、及び、同項ただし書第３号に規定する「明瞭でない記載の釈明」を目的とする訂正である。
ｄ 訂正事項１－４について
訂正事項１－４は、「静電チャック」に「前記複数のドットに前記対象物を載置した状態で、前記第１主面と、前記対象物と、の間に空間が形成され、
前記第１境界溝と、前記第２境界溝と、が前記第１境界を挟んで隣接することで、
前記対象物を載置した状態で前記第１ガス導入孔からガスを導入して、前記第１領域と、前記対象物と、の間の空間における圧力が第１圧力となるように構成され、前記対象物を載置した状態で前記第２ガス導入孔からガスを導入して、前記第２領域と、前記対象物と、の間の空間における圧力が前記第１圧力とは異なる第２圧力となるよう構成されており、
前記第１領域と前記第２領域との間の前記第１境界およびその近傍領域と、前記対象物と、の間の空間における圧力が、前記第１圧力と前記第２圧力との間の値となるよう構成され、」との限定を加えるものである。
したがって、訂正事項１－４は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する「特許請求の範囲の減縮」を目的とする訂正である。
（イ）願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であることについて
ａ 訂正事項１－１について
本件明細書に
「【００３７】
セラミック誘電体基板１１の第１主面１１ａには、複数のドット１３が設けられている。対象物Ｗは、複数のドット１３の上に載置され、複数のドット１３により支持される。複数のドット１３が設けられていれば、静電チャック１に載置された対象物Ｗの裏面と第１主面１１ａとの間に空間が形成される。ドット１３の高さ、数、ドット１３の面積比率、形状などを適宜選択することで、例えば、対象物Ｗに付着するパーティクルを好ましい状態にすることができる。例えば、複数のドット１３の高さ（Ｚ方向における寸法）は、１μｍ以上１００μｍ以下、好ましくは１μｍ以上３０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以上１５μｍ以下とすることができる。」
と記載されているように、第１主面１１ａには、対象物Ｗが載置される複数のドット１３が設けられていることが記載されているから、第１主面１１ａは、対象物Ｗを載置可能な複数のドット１３を含むものである。
また、本件明細書に
「【０００９】
第１の発明は、ベースプレートと、前記ベースプレートの上に設けられ、外部に露出する第１主面を有するセラミック誘電体基板と、を備え、前記第１主面は、少なくとも、第１領域（領域１０１）と、前記第１領域に隣接する第２領域（領域１０２）と、を含み、前記第１主面の前記第１領域には、複数の第１溝（溝１４ａ、１４ｂ）と、前記複数の第１溝の少なくとも１つと接続された少なくとも１つの第１ガス導入孔（ガス導入孔１５）と、が設けられ、前記複数の第１溝は、前記第１領域と前記第２領域との間の第１境界（境界１０２ａ）に最も近接して設けられ、前記第１境界に沿って延びる第１境界溝（溝１４ａ）と、前記第１境界溝とは異なる少なくとも１つの第１領域内溝（溝１４ｂ）と、を含み、前記第１主面の前記第２領域には、複数の第２溝（溝１４ａ、１４ｂ）と、前記複数の第２溝の少なくとも１つと接続された少なくとも１つの第２ガス導入孔（ガス導入孔１５）と、が設けられ、前記複数の第２溝は、前記第１境界に最も近接して設けられ、前記第１境界に沿って延びる第２境界溝（溝１４ａ）を含み、前記第１境界溝と前記第２境界溝との間の溝端部間距離（Ｌ１）は、前記第１境界溝と、前記第１境界溝に隣接する前記第１領域内溝との間の溝端部間距離（Ｌ２）よりも小さいことを特徴とする静電チャックである。」
と記載され、【図２】に以下のとおり記載されている。
「【図２】
〔図省略〕
」
そして、【図２】から、第１領域（領域１０１）に隣接する第２領域（領域１０２）が、第１領域（領域１０１）の外側に位置することが見て取れるから、主面に含まれる第２領域（領域１０２）は、第１領域（領域１０１）の外側に隣接するものである。
したがって、訂正事項１－１は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。
ｂ 訂正事項１－２について
本件明細書に
「【００８７】
また、図１１に示すように、領域１０１（第１領域）であって、領域１０１と領域１０２（第２領域）との間の境界１０２ａ（第１境界）に最も近接して設けられ、境界１０２ａに沿って延びる溝１４ａ（第１境界溝）に、ガスを供給可能なガス導入孔１５（第１ガス導入孔）を少なくとも２つ設けることができる。
近年、半導体集積回路の高密度化がさらに進み、更なる微細加工を達成するために、プラズマ密度も高密度化している。この高密度プラズマ下でのアーキングを抑制するために、ガス導入孔１５の孔径を小さくすると、製造ばらつき等により個々のガス導入孔１５において個体差が生じる恐れがある。本実施の形態によれば、各ガス導入孔１５の孔径のばらつきの影響を抑え、且つ、境界１０２ａに沿って延びる溝１４ａに、より確実に所定流量のガスを供給することができる。」
と記載されているように、領域１０１と領域１０２（第２領域）との間の境界１０２ａ（第１境界）に最も近接して設けられ、境界１０２ａに沿って延びる溝１４ａ（第１境界溝）に、ガスを供給可能なガス導入孔１５（第１ガス導入孔）が設けられていることが記載されているから、第１境界溝（溝１４ａ）は、第１ガス導入孔（ガス導入孔１５）が接続されている。
したがって、訂正事項１－２は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。
ｃ 訂正事項１－３について
上記ｂで示したように、本件明細書の【００８７】には、「第１境界溝」は、「第１ガス導入孔」が接続されていることが記載されており、また、上記ａで示したように、本件明細書の【０００９】及び【図２】には、第２領域は、第１領域の外側に隣接することが記載されている。
したがって、訂正事項１－３は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。
ｄ 訂正事項１－４について
本件明細書に
「【００３７】
セラミック誘電体基板１１の第１主面１１ａには、複数のドット１３が設けられている。対象物Ｗは、複数のドット１３の上に載置され、複数のドット１３により支持される。複数のドット１３が設けられていれば、静電チャック１に載置された対象物Ｗの裏面と第１主面１１ａとの間に空間が形成される。ドット１３の高さ、数、ドット１３の面積比率、形状などを適宜選択することで、例えば、対象物Ｗに付着するパーティクルを好ましい状態にすることができる。例えば、複数のドット１３の高さ（Ｚ方向における寸法）は、１μｍ以上１００μｍ以下、好ましくは１μｍ以上３０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以上１５μｍ以下とすることができる。」（再掲）
と記載されているように、対象物Ｗが複数のドット１３に載置した状態で、第１主面１１ａと対象物Ｗの裏面との間に空間が形成されている。
また、本件明細書に
「【０００９】
第１の発明は、ベースプレートと、前記ベースプレートの上に設けられ、外部に露出する第１主面を有するセラミック誘電体基板と、を備え、前記第１主面は、少なくとも、第１領域（領域１０１）と、前記第１領域に隣接する第２領域（領域１０２）と、を含み、前記第１主面の前記第１領域には、複数の第１溝（溝１４ａ、１４ｂ）と、前記複数の第１溝の少なくとも１つと接続された少なくとも１つの第１ガス導入孔（ガス導入孔１５）と、が設けられ、前記複数の第１溝は、前記第１領域と前記第２領域との間の第１境界（境界１０２ａ）に最も近接して設けられ、前記第１境界に沿って延びる第１境界溝（溝１４ａ）と、前記第１境界溝とは異なる少なくとも１つの第１領域内溝（溝１４ｂ）と、を含み、前記第１主面の前記第２領域には、複数の第２溝（溝１４ａ、１４ｂ）と、前記複数の第２溝の少なくとも１つと接続された少なくとも１つの第２ガス導入孔（ガス導入孔１５）と、が設けられ、前記複数の第２溝は、前記第１境界に最も近接して設けられ、前記第１境界に沿って延びる第２境界溝（溝１４ａ）を含み、前記第１境界溝と前記第２境界溝との間の溝端部間距離（Ｌ１）は、前記第１境界溝と、前記第１境界溝に隣接する前記第１領域内溝との間の溝端部間距離（Ｌ２）よりも小さいことを特徴とする静電チャックである。」（再掲）
と記載されてるように、第１境界溝（溝１４ａ）は、前記第１領域と前記第２領域との間の第１境界（境界１０２ａ）に最も近接して設けられ、前記第１境界に沿って延びる第２境界溝（溝１４ａ）も前記第１境界に最も近接して設けられていることが記載されているから、第１境界溝（溝１４ａ）と第２境界溝（溝１４ａ）は、第１境界（境界１０２ａ）を挟んで隣接している。
加えて、本件明細書に
「【００６３】
図３（ｂ）は、本実施の形態に係る溝１４ａ、１４ｂの配置およびガス導入孔１５の配置の一例を例示するための模式断面図である。溝１４ａは異なる領域の境界を挟んで設けられる境界溝であり、溝１４ｂは領域内に設けられた、溝１４ａ以外の領域内溝である。
図３（ｂ）においては、Ｘ方向において領域１００ａと領域１００ｂ１、１００ｂ２との境界を挟んで設けられる２つの溝１４ａ（境界溝）の溝端部間距離（境界溝間隔）をＬ２１とし、溝１４ａ（境界溝）と、この境界溝１４ａに隣接する、領域１００ａ内に設けられた溝１４ａ以外の溝１４ｂ（領域内溝）との、溝端部間距離（領域内溝間隔）をＬ２２としている。この場合、Ｌ２１＜Ｌ２２となっている。また、溝１４ａ（境界溝）と、この境界溝１４ａに隣接する、領域１００ｂ１、１００ｂ２内に設けられた溝１４ａ以外の溝１４ｂとの、溝端部間距離をそれぞれＬ２４としている。
また、ガス導入孔１５を介して、領域１００ａに設けられた溝１４ａに供給されるガスの圧力をＰ１、領域１００ｂ１に設けられた溝１４ａに供給されるガスの圧力をＰ２としている。
【００６４】
図４は、領域１００ａの圧力、領域１００ｂ１、１００ｂ２の圧力、領域１００ａと領域１００ｂ１、１００ｂ２の境界の圧力をシミュレーションにより求めたグラフ図である。シミュレーションにおいては、セラミック誘電体基板１１の第１主面１１ａの上方に、ドット１３に支持された対象物Ｗがあるものとしている。
図４中のＡは、図３（ａ）に例示をした溝１４の配置、ガス導入孔１５の配置、および境界溝間隔と、領域内溝間隔とが等しい場合の例である。
図４中のＢは、図３（ｂ）に例示をした溝１４ａ、溝１４ｂの配置、ガス導入孔１５の配置、および境界溝間隔が領域内溝間隔よりも小さい場合の例である。いずれの例においても領域間にシールリングは設けられていない。
また、シミュレーションにおいては、Ｐ１＝３×Ｐ２とし、溝端部間距離Ｌ２１を５ｍｍ、溝端部間距離Ｌ２２を２０ｍｍ、溝端部間距離Ｌ２３を１５ｍｍとしている。Ｘ方向における領域１００ａの寸法を５０ｍｍとしている。」
と記載され、【図４】に
「【図４】
〔図省略〕
」
と記載されている。
そして、本件明細書の上記記載及び【図４】から、それぞれのガス導入孔１５に接続された溝１４ａに接続された、領域１００ｂ１の圧力と領域１００ａの圧力は異なる圧力であること、及び、領域１００ｂ１と領域１００ａの間の空間の圧力は、領域１００ｂ１の圧力と領域１００ａの圧力との間の値となることが見て取れる。
したがって、訂正事項１－４は、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。
（ウ）実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないことについて
訂正事項１－１～１－４は、本件明細書及び図面の記載に適合したものでり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。
したがって、訂正事項１－１～１－４は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。
（エ）特許出願の際に独立して特許を受けることができることについて
本特許異議申立事件においては、全ての請求項について特許異議申立ての対象とされているため、訂正事項１に関して、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。
イ 訂正事項２～４について
（ア）訂正の目的について
訂正事項２～４は、それぞれ請求項２、８、９を削除するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものである。
（イ）願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であることについて
訂正事項２～４は、それぞれ請求項２、８、９を削除するものであるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。
（ウ）実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないことについて
訂正事項２～４は、それぞれ請求項２、８、９を削除するものであるから、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。
したがって、訂正事項２～４は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。
（エ）特許出願の際に独立して特許を受けることができることについて
本特許異議申立事件においては、全ての請求項について特許異議申立ての対象とされているため、訂正事項２～４に関して、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。
ウ 訂正事項５～９について
（ア）訂正の目的について
訂正事項５～９は、訂正事項２により請求項２が削除されたことに伴い、請求項３～７の引用請求項から請求項２を削除する訂正であるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものである。
（イ）願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であることについて
訂正事項５～９は、訂正事項２により請求項２が削除されたことに伴い、請求項３～７の引用請求項から請求項２を削除する訂正であるから、願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第５項に適合するものである。
（ウ）実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更する訂正ではないことについて
訂正事項５～９は、訂正事項２により請求項２が削除されたことに伴い、請求項３～７の引用請求項から請求項２を削除する訂正であり、カテゴリーや対象、目的を変更するものではない。
したがって、訂正事項５～９は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではないため、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第６項に適合するものである。
（エ）特許出願の際に独立して特許を受けることができることについて
本特許異議申立事件においては、全ての請求項について特許異議申立ての対象とされているため、訂正事項５～９に関して、特許法第１２０条の５第９項で準用する同法第１２６条第７項の独立特許要件は課されない。
３ まとめ
以上のとおりであるから、本件訂正請求による訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する「特許請求の範囲の減縮」、及び、同項ただし書第３号に規定する「明瞭でない記載の釈明」を目的とするものであり、かつ同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項に適合する。
したがって、特許請求の範囲を訂正請求書に添付された特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～１１〕について訂正することを認める。
第３ 訂正後の本件発明
本件訂正請求により訂正された請求項１～１１に係る発明（以下、「本件発明１」等という。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１～１１に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】
ベースプレートと、
前記ベースプレートの上に設けられ、外部に露出する第１主面を有するセラミック誘電体基板と、
を備え、
前記第１主面は、対象物を載置可能な複数のドットと、少なくとも、第１領域と、前記第１領域の外側に隣接する第２領域と、を含み、
前記第１主面の前記第１領域には、複数の第１溝と、前記複数の第１溝の少なくとも１つと接続された少なくとも１つの第１ガス導入孔と、が設けられ、
前記複数の第１溝は、
前記第１領域と前記第２領域との間の第１境界に最も近接して設けられ、前記第１境界に沿って延び、前記第１ガス導入孔が接続された第１境界溝と、
前記第１境界溝とは異なる少なくとも１つの第１領域内溝と、を含み、
前記第１主面の、前記第１ガス導入孔が接続された前記第１境界溝の外側に位置する前記第２領域には、複数の第２溝と、前記複数の第２溝の少なくとも１つと接続された少なくとも１つの第２ガス導入孔と、が設けられ、
前記複数の第２溝は、前記第１境界に最も近接して設けられ、前記第１境界に沿って延びる第２境界溝を含み、
前記複数のドットに前記対象物を載置した状態で、前記第１主面と、前記対象物と、の間に空間が形成され、
前記第１境界溝と、前記第２境界溝と、が前記第１境界を挟んで隣接することで、
前記対象物を載置した状態で前記第１ガス導入孔からガスを導入して、前記第１領域と、前記対象物と、の間の空間における圧力が第１圧力となるように構成され、前記対象物を載置した状態で前記第２ガス導入孔からガスを導入して、前記第２領域と、前記対象物と、の間の空間における圧力が前記第１圧力とは異なる第２圧力となるよう構成されており、
前記第１領域と前記第２領域との間の前記第１境界およびその近傍領域と、前記対象物と、の間の空間における圧力が、前記第１圧力と前記第２圧力との間の値となるよう構成され、
前記第１境界溝と前記第２境界溝との間の溝端部間距離は、前記第１境界溝と、前記第１境界溝に隣接する前記第１領域内溝との間の溝端部間距離よりも小さいことを特徴とする静電チャック。
【請求項２】（削除）
【請求項３】
前記ベースプレートから前記セラミック誘電体基板へ向かう第１方向に垂直な平面に投影したときに、前記第１ガス導入孔の少なくとも一部が、前記第１境界溝と重なることを特徴とする請求項１記載の静電チャック。
【請求項４】
前記ベースプレートから前記セラミック誘電体基板へ向かう第１方向に垂直な平面に投影したときに、前記第２ガス導入孔の少なくとも一部が、前記第２境界溝と重なることを特徴とする請求項１または３に記載の静電チャック。
【請求項５】
前記第１ガス導入孔の中心と前記第２ガス導入孔の中心とを結ぶ線と、前記第１境界とがなす角度は９０°未満であることを特徴とする請求項１、３、４のいずれか１つに記載の静電チャック。
【請求項６】
前記第１ガス導入孔の中心と前記第２ガス導入孔の中心とを結ぶ線と、前記第１境界とがなす角度は９０°であることを特徴とする請求項１、３、４のいずれか１つに記載の静電チャック。
【請求項７】
前記第１主面に設けられたリフトピン孔をさらに備え、
前記リフトピン孔と前記第１境界溝との間の距離は、前記リフトピン孔と、前記リフトピン孔に最も近い前記第１領域内溝との間の距離よりも大きいことを特徴とする請求項１、３、４、５、６のいずれか１つに記載の静電チャック。
【請求項８】（削除）
【請求項９】（削除）
【請求項１０】
前記第１ガス導入孔は、前記第１境界溝にガスを供給可能に設けられており、前記第１ガス導入孔は少なくとも２つ設けられていることを特徴とする請求項４または５に記載の静電チャック。
【請求項１１】
前記第２ガス導入孔は、前記第２境界溝にガスを供給可能に設けられており、前記第２ガス導入孔は少なくとも２つ設けられていることを特徴とする請求項１０記載の静電チャック。」
第４ 取消理由の概要
訂正前の請求項１～１１係る特許に対して、当審が令和４年６月２９日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。
１ 請求項１～３に係る発明は、甲第１号証に記載された発明及び甲第１、４、５、８号証に記載された技術的事項に基づいて、本件特許出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下、「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～３に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
２ 請求項５～１０に係る発明は、甲第１号証に記載された発明及び甲第１、２、４、５、８、１０号証に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項５～１０に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
３ 本件特許は、特許請求の範囲の請求項１～１１に係る記載が不備のため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。
第５ 甲号証の記載
１ 甲第１号証（特開２００５－２０３４２６号公報、以下、「甲１」という。また、「甲第２号証」等を「甲２」等という。）
（１）甲１には、次の記載がある。
「【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理装置で用いられ、電極上に載置したウエハを静電吸着で固定し、電極内部に設けた溝に流すウエハ温度調節用の冷媒と、電極表面と前記ウエハ間に供給した伝熱用ガスとで該ウエハの温度調節をしながら該ウエハの処理を行うウエハ載置用電極において、
電極表面に一つ以上の溝を設け、該溝に前記伝熱用ガスを供給し排気することを特徴としたウエハ載置用電極。」
「【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエハ載置用電極であり、プラズマ処理装置、特に半導体基板等の被処理基板を、プラズマを用いてエッチング処理を行うのに好適なプラズマ処理装置のウエハ載置用電極に関するものである。」
「【０００４】
ウエハ全体にわたって、同等のエッチング性能を確保するためには、ウエハ全体で同等のエッチングプロセスが進行することが必要であり、そのためにはウエハ表面温度は均一であることが必要である。しかし、実際にはプラズマ分布が不均一であることが多く、ウエハ表面温度はそのプラズマ不均一を反映した温度分布になってしまうという問題がある。
【０００５】
ウエハ表面温度を均一にする方法として、ウエハ載置用電極表面に溝を設ける方法が用いられる。溝を設けることにより、場所によってウエハとウエハ載置用電極の熱伝導率が変わることを利用して、ウエハ表面温度を所望の温度分布にすることができるのである。」
「【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ウエハ載置用電極表面に溝を設けて、エッチングプロセス時のウエハ温度の均一化をしても、実際にはその効果は薄い。なぜなら、プラズマプロセスの条件によってプラズマの均一性は大きく変化し、それに伴ってウエハの温度分布も大きく変化するためである。
・・・ 中 略 ・・・
【０００８】
そこで本発明では、プラズマ分布に応じてウエハとウエハ載置用電極間の圧力分布を変化させることができるように、さらにウエハに大きな入熱が加わった場合でも、ウエハを十分に冷却できるウエハ載置用電極を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明では、ウエハ上の温度分布を任意に変化させることができるように、一つ以上のガス供給溝を設け、そこからウエハと電極表面間にガスを供給し、さらに一つ以上のガス排気溝を設け、そこからウエハと電極表面間のガスを排気できるようにする。所望のウエハ温度分布になるようにガス供給位置と排気位置を決め、さらにそれぞれの領域でのウエハと電極表面間の圧力を決める。このようにすることにより、ウエハと電極表面間の熱伝導率を任意に変化させることができ、プラズマ分布に影響されずに所望のウエハ温度分布にすることができる。
・・・ 中 略 ・・・
【００１１】
すなわち、本発明は、プラズマ処理装置で用いられ、電極上に載置したウエハを静電吸着で固定し、電極内部に設けた溝に流すウエハ温度調節用の冷媒と、電極表面と前記ウエハ間に供給した伝熱用ガスとで該ウエハの温度調節をしながら該ウエハの処理を行うウエハ載置用電極において、電極表面に一つ以上の溝を設け、該溝に前記伝熱用ガスを供給し排気するウエハ載置用電極である。」
「【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
本発明を実施するための最良の形態を説明する。
本発明のウエハ載置用電極の実施例について、図１を用いて説明する。本実施例のウエハ載置用電極は、電極の構造体となる基材１、アルミナ製の溶射膜２、温調用の冷媒が流れる冷媒溝３、図には明示していないウエハと溶射膜２の間にガスを供給するガス供給溝４～８、ガス供給溝にガスを供給するガス供給管９～１１、ウエハと溶射膜２の間からガスを排気するためのガス排気溝１２～１３、ガス排気溝からガスを排気するためのガス排気管１４～１５、ウエハと溶射膜２間の圧力を計測する圧力計１６～１８、ガス供給量を制御する流量計１９～２１、冷媒を所定の温度に制御して供給するサーキュレータ２２、ガスボンベ２３～２５、ガスを排気するポンプ２６～２７などから構成されている。なお図には明示していないが、本ウエハ載置用電極はプラズマエッチング処理装置内に設置されている。」
「【００２４】
電極・ウエハ中心からガス排気溝１２までのウエハと電極表面間圧力が２．０ｋＰａになるように流量計１９を調整、同様にガス排気溝１２と１３の間のウエハと電極表面間圧力が１．５ｋＰａになるように、流量計２０を調整、ガス排気溝１３より外側のウエハと電極表面間の圧力が１．８ｋＰａになるように流量計２１を調整することにより、ウエハ温度分布を図２の条件Ｂ－２にすることが可能となり、所望の温度均一性を確保できる。
【００２５】
実施例２について、図１で説明する。本実施例は、本発明（２）の例であり、図１の溶射膜２上で、ガス供給溝４で囲まれる領域が本発明（２）における「円形領域」、ガス供給溝５と６、およびガス供給溝７と８で囲まれる領域がそれぞれ「円環状領域」である。ここではガス供給溝５と６で囲まれる領域を円環状領域Ａ、ガス供給溝７と８で囲まれる領域を円環状領域Ｂと呼ぶことにする。」
「【００３２】
実施例５について、図６を用いて説明する。本実施例は、本発明（５）の例であり、基本的には図１と同じであり、電極主要部と冷媒溝、サーキュレータなどを取り上げて描いたものである。サーキュレータ２２で温調させた冷媒を、冷媒配管５０から冷媒溝３に送り、冷媒配管５１からサーキュレータ２２に戻している。このような構造にすることにより、ウエハ外周部をより効果的に冷却しやすくなる。
【００３３】
実施例６について、図７を用いて説明する。本実施例は、本発明（６）の例であり、図７において、ガス供給溝４～８、ガス排気溝１２、１３の溝幅をそれぞれ２ｍｍとすると、溝部分の面積は合計で５８０３ｍｍ２となる。溶射膜２の外径を３００ｍｍとすると、溶射膜の面積は７０６５０ｍｍ２となり、ウエハと電極表面が接触する部分の面積の割合は、
（７０６５０－５８０３）／７０６５０＝０．９１８
となり、９１．８％が接触することになる。ウエハと電極表面の接触する部分が多くなるほどウエハの冷却効率が高くなり、ウエハ温度上昇による悪影響を受けにくくなる。」
「【図１】
〔図省略〕
」
「【図７】
〔図省略〕
」
（２）引用発明及び甲１記載事項について
ア 図１から、ガス供給溝４～８と、ガス排気溝１２～１３は、ガス供給溝４、ガス排気溝１２、ガス供給溝５、６、ガス排気溝１３、ガス供給溝７、８の順で並んでいること、及び基材１の上にアルミナ製の溶射膜２が設けられていること、また、ガス供給管９はガス供給溝４と、ガス供給管１０はガス供給溝５、６と、ガス供給管１１はガス供給溝７、８とそれぞれ接続されていることが見て取れる。
イ 上記段落００３３は、図７を用いた実施例６の説明であるところ、段落００３３には明示がないが、実施例５の説明に用いられている図６は、基本的には図１と同じであること（段落００３２）、及び、図６と図７の各構成には、いずれも図１と同じ数字が付されていることから、実施例６として図７で説明される図は、基本的には図１と同じであり、図１に示された構成は、図７も備えているといえる。
そうすると、実施例６は、図７に示された、ガス供給溝４～８と、ガス排気溝１２～１３を備え、ガス供給溝４、ガス排気溝１２、ガス供給溝５、６、ガス排気溝１３、ガス供給溝７、８の順で並んでいること、及び基材１の上にアルミナ製の溶射膜２が設けられていることに加えて、図１で示された、ガス供給管９～１１とガス排気管１４～１５を備え、ガス供給管９はガス供給溝４と、ガス供給管１０はガス供給溝５、６と、ガス供給管１１はガス供給溝７、８と、ガス排気管１４はガス排気溝１２と、ガス排気管１５はガス排気溝１３と、それぞれ接続されているといえる。
そして上記図７の記載から、ガス供給溝４、５、６、７、８及びガス排気溝１２、１３は、図７の点線で示された位置からの距離が、それぞれ２５ｍｍ、３５ｍｍ、７０ｍｍ、８０ｍｍ、１４０ｍｍ、３０ｍｍ、７５ｍｍであることが見て取れる。
加えて、上記段落００３３の記載から、ガス供給溝４～８、ガス排気溝１２、１３の溝幅は、それぞれ２ｍｍであるから、ガス供給溝６とガス排気溝１３、ガス供給溝６とガス供給溝７、ガス供給溝６とガス供給溝５、ガス供給溝５とガス供給溝４、ガス供給溝５とガス排気溝１２、ガス供給溝８とガス供給溝７の溝端部間距離は、３ｍｍ、８ｍｍ、３３ｍｍ、８ｍｍ、３ｍｍ、５８ｍｍであることがわかる。
エ 上記記載から、甲１の実施例６には以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
「プラズマ処理装置で用いられ、電極上に載置したウエハを静電吸着で固定し、電極内部に設けた溝に流すウエハ温度調節用の冷媒と、電極表面と前記ウエハ間に供給した伝熱用ガスとで該ウエハの温度調節をしながら該ウエハの処理を行うウエハ載置用電極であって、
電極の構造体となる基材１と、
基材１の上に設けられたアルミナ製の溶射膜２と、
ウエハと溶射膜２の間にガスを供給するガス供給溝４～８と、
それぞれのガス供給溝４～８にガスを供給するガス供給管９～１１と、
ウエハと溶射膜２の間からガスを排気するためのガス排気溝１２～１３と、
それぞれのガス排気溝１２～１３からガスを排気するガス排気管１４～１５と、
を備え、
ガス供給溝４、ガス排気溝１２、ガス供給溝５、６、ガス排気溝１３、ガス供給溝７、８の順で並んでおり、
ガス供給管９はガス供給溝４と、ガス供給管１０はガス供給溝５、６と、ガス供給管１１はガス供給溝７、８と接続され、
ガス排気管１４はガス排気溝１２と、ガス排気管１５はガス排気溝１３と接続され、
ガス供給溝６とガス排気溝１３、ガス供給溝６とガス供給溝７、ガス供給溝６とガス供給溝５、ガス供給溝５とガス供給溝４、ガス供給溝５とガス排気溝１２、ガス供給溝８とガス供給溝７の溝端部間距離は、３ｍｍ、８ｍｍ、３３ｍｍ、８ｍｍ、３ｍｍ、５８ｍｍである、
ウエハ載置用電極。」
オ また、上記記載から、甲１の実施例２には以下の事項（以下、「甲１記載事項」という。）が記載されている。
「プラズマ処理装置で用いられる、ウエハ載置用電極を、ガス供給溝４で囲まれる領域である「円形領域」と、ガス供給溝５と６で囲まれる「円環状領域Ａ」と、ガス供給溝７と８で囲まれる「円環状領域Ｂ」とに領域を分けること。」
（２）甲２（特開２００１－１１８９１６号公報）について
甲２には、次の記載がある。
「【特許請求の範囲】
【請求項１】 電極層および絶縁性フィルム層を有する積層体からなる電極シートを、接着剤層を介して金属基盤の表面上に積層してなる静電チャック装置であって、
前記金属基盤の表面には溝が形成されており、かつ前記電極シートには、前記溝内に該電極シートを埋め込んでなる凹部が形成されていることを特徴とする静電チャック装置。」
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ等の導電体または半導電体を静電気力で吸着固定するための静電チャック装置およびその製造方法に関する。」
「【０００５】図９～１１は従来の静電チャック装置の第２の例を示すもので、図９は平面図、図１０は図９中Ｘ－Ｘ線に沿う断面図、図１１は電極シートにおける電極層の説明図である。この例の装置は、金属基盤３２の表面に細い溝３５を形成し、その溝３５内の所々にガス供給孔３３を穿設するとともに、電極シート３１の、溝３５に対応する部分を打ち抜き加工して打ち抜き部３６を形成し、冷却ガスが、金属基盤３２のガス供給孔３３を経て、溝３５および打ち抜き部３６によって形成される溝状の空間内に供給されるように構成されている。」
「【図９】
〔図省略〕
」
「【図１０】
〔図省略〕
」
（３）甲３（特開２００２－１４１３３２号公報）について
甲３には、次の記載がある。
「【０００８】本発明は前記問題点に鑑みてなされたもので、半導体ウエハとウエハステージ間に導入する熱伝導ガスの圧力分布を任意に設定して半導体ウエハの温度分布を任意に設定できる半導体製造装置を提供する。」
「【００２６】次に、本発明の第２の実施形態を図４ないし図５を用いて説明する。図４は本実施形態にかかるウエハステージの平面図、図５はウエハステージの断面図である。これらの図において、３６はウエハステージの表面に同心円状に設けた溝領域、３７はウエハステージ中心付近の溝領域に設けたガス導入口、３８はウエハステージの外周付近に形成した溝領域に設けたガス導入口、３９はウエハステージの外周付近の前記導入口の内側に設けたガス排気口、４０はウエハステージの表面に放射状に設けた溝領域、４１はウエハステージの表面に同心円状に設けた凸領域であり、この部分がウエハと接触してウエハを支持する。」
「【図４】
〔図省略〕
」
（４）甲４（特開２００５－１３６１０４号公報）について
甲４には、次の記載がある。
「【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体の内部に被吸着部材を静電力で吸着するための電極を備えてなる静電チャックであって、被吸着部材を吸着させる吸着面のうち、吸着する被吸着部材の裏面に対応する全域にわたって、被吸着部材の温度制御用のガスを供給するためのガス溝を備えるとともに、そのガス溝にガスを送り込むためのガス流路を静電チャック自身の内部に備えてなり、
そのガス溝にガスを送り込むための前記ガス流路におけるガス流出口が、前記被吸着部材の裏面の全域に対応して存在するように、前記ガス溝の多数の箇所で開口されていることを特徴とする静電チャック。」
「【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ等を製造するのに使用されるドライエッチング装置やイオン注入装置、或いは電子ビーム装置などの半導体製造装置において、半導体ウェハ等の固定、平面度の矯正、搬送などに使用される静電チャックに関する。」
「【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
本発明の第１の実施の形態を図１～図３に基いて詳細に説明する。図１は、本発明に係る静電チャックの平面図であり、図２はそのＡ部拡大図及びその部分のさらなる拡大図であり、図３は図１の静電チャックのＢ－Ｂ線断面図及びその部分拡大図であり、図４は図３のＣ－Ｃ線断面図である。図中１は、静電チャックであって、本例では、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を主成分とするセラミック製で一定厚さ（５ｍｍ）の積層（例えば１０層）構造をなし、直径３００ｍｍの円形の平板状を呈している。ただし、吸着面３側のうち、外周面４に連なる所定幅部位５は吸着面３より一段低くされている。なお、このような静電チャック１は、通常、図３中、２点鎖線で示したように、円板（又は円錐台）形状のベース部材（例えば、アルミニウム合金製）５０の上部の平面５１に、シリコン樹脂等で接着されて固定される。」
「【００２３】
なお、吸着面３と中間横穴２４との間には、一対の静電吸着用の電極２８、２９が埋設状に設けられている。この電極２８，２９は、図示しない中継線を介して電源に接続されており、これに直流電圧を印加することで、静電引力を発生させ、吸着面３に半導体ウエハ（被吸着部材）１０１を吸着するように構成されている。また、本形態では、平面視、同心の１円周上に等角度間隔で、３つのリフト穴３０が厚み方向に貫通してあけられており、図示しない、リフトピン（突き出しピン）にて、吸着解除後のウエハ１０１を吸着面３から分離（離脱）するリフト手段を構成するように形成されている。なお、リフト穴３０を挟んで隣接する内外の環状ガス溝１３相互間の連結ガス溝１４のうち、リフト穴３０の部位ではリフト穴３０を包囲する円形に形成されている。
【００２４】
さて、このような本形態の静電チャック１においては、ウエハ１０１を吸着面３に載置し、上記電極２８、２９間に所定の電圧を印加してそれを吸着、保持した下で、冷却ガスをガス源から内部のガス流路２２に送り込む。こうすることで、ガスは、裏面側縦穴２３、中間横穴２４、及び上面側縦穴２５を経て、多数のガス流出口２１からガス溝１１に送り込まれる。送り込まれたガスは、ウエハ１０１の裏面１０２とガス溝１１とで形成される空間に充填される。これにより、ウエハ１０１の全体が所定温度に冷却制御されることになる。このとき、ガス溝１１に送り込まれるガスは、ガス溝１１の全域に存在する多数のＴ字状の交差点（連結点）に設けられた多数のガス流出口２１から、環状ガス溝１３、連結ガス溝１４などからなるガス溝１１内に入り込むため、ウエハ１０１の裏面１０２の全体に瞬時に行き渡る。したがって、その全体の温度にバラツキを発生させることなく、ウエハ１０１全体を早く目的とする温度に保持できる。すなわち、本形態の静電チャック１によれば、多数の各ガス流出口２１からガス溝１１に流れたガスは、多数の各ガス流出口２１を起点として、放射状ガス溝１４を静電チャック１の中心に向かって流れるのと同時に、環状ガス溝１３の両側に向かって流れる。そして、このような３方向に向かう流れが、多数のＴ字状の交差点において同時に行われ、その流下距離も短いため、ガスはガス溝１１の全体に瞬時に行き渡る。」
「【図１】
〔図省略〕
」
「【図２】
〔図省略〕
」
（５）甲５（特開２００３－１３３４０１号公報）について
甲５には、次の記載がある。
「【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状セラミック体の一方の主面に、その外周部を残して深さが３μｍ～１０μｍの凹部を備えるとともに、該凹部底面の周縁部にガス溝を備えてなり、上記凹部底面下方の板状セラミック体中又は板状セラミック体の他方の主面に静電吸着用電極を備えた静電チャックであって、上記外周部の頂面におけるうねりが１μｍ～３μｍであることを特徴とする静電チャック。」
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＰＶＤ、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ等の成膜装置や、プラズマエッチング、光励起エッチング等のエッチング装置に使用され、半導体ウェハ等のウェハを吸着保持する静電チャックに関するものである。」
「【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について説明する。
【００１３】図１は本発明の静電チャックの一例を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。また図２は図１（ｂ）のＡ部を拡大した断面図である。
【００１４】この静電チャック１は、ウェハと略同じ大きさを有する円板状をした板状セラミック体２の一方の主面に、その外周部４を残して平面形状が円形をした凹部３を有し、上記外周部４の頂面を第二の保持面４ａとするとともに、上記凹部底面の周縁部にガス溝５を備え、ガス溝５で囲まれた凹部底面を第一の保持面３ａとしたもので、凹部底面下方の板状セラミック体２の他方の主面６には一対の半円状をした静電吸着用電極７を配置してある。
【００１５】板状セラミック体２を形成する材質としては、アルミナ質焼結体、窒化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、イットリウム－アルミニウム－ガーネット質焼結体（以下、ＹＡＧ質焼結体という）、単結晶アルミナ（サファイア）を用いることができ、これらの中でも窒化アルミニウム質焼結体は熱伝達率が５０Ｗ／ｍ・ｋ以上、高いものでは熱伝達率１００Ｗ／ｍ・ｋ以上を有し、熱伝導性に優れることから、ウエハの均熱性を高める点で好ましい。また、単結晶アルミナ（サファイア）を用いれば、セラミック焼結体と違いボイドや脱粒がないため、パーティクルの発生を極力嫌う場合に好適である。
【００１６】第一の保持面３ａは板状セラミック体２の他方の主面６と平行な平坦面としてあり、静電気力に影響を与える第一の保持面３ａから静電吸着用電極７までの距離が一定となるようにしてある。
【００１７】凹部３の深さｈ（第二の保持面４ａから第一の保持面３ａまでの距離）は３μｍ～１０μｍとし、板状セラミック体２の一方の主面外周に微小凸部を形成するとともに、第二の保持面４ａである外周部４の頂面におけるうねりを１μｍ～３μｍとしてある。
【００１８】さらに、板状セラミック体２にはガス溝５に開口する複数個のガス導入孔８を穿孔してあり、これらのガス導入孔８よりガス溝５を介してヘリウムガス等の熱伝達性ガスをウェハと凹部３とで形成される空間に供給するようになっている。
【００１９】また、この静電チャック１には、板状セラミック体２の他方の主面側にガラスや樹脂系接着剤からなる絶縁性の接合層１４を介してアルミニウムやステンレス等の金属からなるベース部材９を接合してあり、このベース部材９には、板状セラミック体２のガス導入孔８とそれぞれ連通するガス供給孔１０を備えるとともに、一対の静電吸着用電極７と電気的に接続された給電端子１２を取り出すための電極取出孔１１を備えている。なお、１３は電極取出孔１１内に設けられた絶縁管で、細長い給電端子１２が金属製のベース部材９と接触し、短絡を起こすのを防止してある。
【００２０】この静電チャック１によりウェハＷを固定するには、図３（ａ）に示すように、ウェハＷの周縁部が板状セラミック体２の外周部４の頂面である第二の保持面４ａと当接するように載せた状態で、給電端子１２間に通電すると、静電吸着用電極７とウェハＷとの間に静電気力が発現し、図３（ｂ）に示すように、ウェハＷの周縁を板状セラミック体２の外周部４の頂面である第二の保持面４ａと当接させた状態で、ウェハＷの中央を板状セラミック体２の凹部底面である第一の保持面３ａと接触するように吸着させることができ、反りや変形したウェハＷでも同様に吸着させることができる。
【００２１】そして、ガス導入孔８よりガス溝５を介してヘリウムガス等の熱伝達性ガスをウェハＷと凹部３とで形成される空間に供給することにより、ウェハＷの周縁と第二の保持面４ａとの間からの熱伝導性ガスの漏れを抑え、かつウェハＷ表面の温度分布を均一にすることができ、この状態で成膜加工を施せば、ウェハＷ上に均一な膜厚を有し、かつ均質な薄膜を形成することができ、また、エッチング加工を施せば、ウェハＷ上の薄膜を精度良く加工することができるというように各種加工精度を高めることができる。
【００２２】即ち、本発明によれば、板状セラミック体２の一方の主面における外周部４を残してその大部分を凹部３とし、この凹部底面を吸着領域としたことから、反りや変形したウェハＷでも強固に吸着固定することができる。そして、吸着時にはウェハＷの中央を第一の保持面３ａと接触させ、ウェハＷの周縁を第二の保持面４ａと接触させるとともに、ウェハＷと凹部３とで形成される空間には熱伝導性ガスを供給することができるため、ウェハＷの中央及び周縁の熱伝達特性を近似させることができ、ウェハＷ表面の温度分布を均一にすることができる。しかも、ウェハＷの中央は第二の保持面４ａより低い位置にある第一の保持面３ａに吸着されるため、ウェハＷを第二の保持面４ａの内周エッジ部に密着させることができるとともに、第二の保持面４ａとも接触させることができるため、ウェハＷと凹部３とで形成される空間に供給した熱伝導性ガスがウェハＷの周縁と第二の保持面４ａとの間から漏れることを効果的に防止することができるため、加工中の真空度を低下させるようなことがない。」
（６）甲６（特開２００９－１６５７３号公報）について
甲６には、次の記載がある。
「【００１２】
図１（ｂ）に示すように、静電チャック１０は、仮想線で示されるようにウエハ２を外壁３及び内壁５、６、７、８の上面からなる略同一平面のワーク載置部に配置した際に、外壁３と最外郭の内壁５とで定義される外周部９ａ、最外郭の内壁５と最内郭の内壁８とで定義される緩衝部９ｂ、最内郭の内壁８に囲まれる中心部９ｃが形成されるように構成されている。ウエハ２と本体１の間に形成される中心部９ｃの空間と外周部９ａの空間とは、緩衝部９ｂの内壁５、６、７に設けられた切り欠き５ａ、６ａ、７ａ、８ａを介して形成されるガスの流路を通じて互いに結ばれる。即ち緩衝部の内壁間には切り欠き５ａ、６ａ、７ａ、８ａを介して連続するコンダクタンスの小さい溝４が形成されている。」
（７）甲７（特開平９－２８９２０１号公報）について
甲７には、次の記載がある。
「【００１８】前記静電チャック１１の平面形態は、ウエハＷの外形と相似形をなし、ウエハＷよりも僅かに小さい大きさを有している。そしてこの静電チャック１１における上面のセラミックス１３の周縁部には、貼着・剥離自在な支持部材としてのポリイミドテープ１４が、図３に示したように、ウエハＷの外形と相似形をなすように貼着されている。このポリイミドテープ１４の厚さは、５０μｍであり、図４に示したようにその幅ｄは３mmである（図４における斜線部はポリイミドテープ１４を示している）。」
「【００２９】本実施形態にかかるエッチング装置１は、以上のように構成されており、ウエハＷの酸化膜（ＳｉＯ2）に対してエッチングを行う場合、まず別設のロードロック室（図示せず）から処理容器３内に搬送されてきたウエハＷをリフターピン２７が受け取って、このリフターピン２７がサセプタ６内に下降することで、該ウエハＷは静電チャック１１の上面、即ち上側のセラミックス１３上に載置される。この状態では、図２に示したように、ウエハＷはその周辺部でセラミックス１３の周縁部に設けられたポリイミドテープ１４にのみ支持されている。」
（８）甲８（特開２０１４－７２３５５号公報）について
甲８には、次の記載がある。
「【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、半導体ウェハの固定、半導体ウェハの平面度の矯正、半導体ウェハの搬送などに用いられる静電チャックに関するものである。」
「【実施例１】
【００４０】
ここでは、例えば半導体ウェハを吸着保持できる静電チャックを例に挙げる。
ａ）まず、本実施例の静電チャックの構造について説明する。
図１に示す様に、本実施例の静電チャック１は、図１の上側にて半導体ウェハ５を吸着する装置であり、第１主面（吸着面）３及び第２主面４を有する（例えば直径３００ｍｍ×厚み３ｍｍの）円盤状のセラミック絶縁板７と、（例えば直径３４０ｍｍ×厚み２０ｍｍの）円盤状の金属ベース（クーリングプレート）９とを、例えばインジウムからなる接合層１１を介して接合したものである。
【００４１】
特に、本実施例では、絶縁体（誘電体）であるセラミック絶縁板７の吸着面３側の構成として、セラミック絶縁板７の厚み方向から見た場合に、軸中心側の円盤状の中心部１３と、中心部１３の径方向外側である外周側にて中心部１３の周囲（全周）を囲むように配置された環状の外周部１７と、中心部１３と外周部１７との間に配置されて中心部１３と外周部１７とを分離する環状の断熱用溝１５を備えるとともに、外周部１７の吸着面３側には、環状の外周リング１９が載置されている。
【００４２】
以下、各構成について説明する。
前記セラミック絶縁板７は、後述する複数のセラミック層が積層されたものであり、アルミナを主成分とするアルミナ質焼結体である。このセラミック絶縁板７の内部には、半導体ウェハ５を冷却するヘリウム等の冷却用ガスを供給するトンネルである主冷却用ガス供給路２１が設けられ、その吸着面３には、主冷却用ガス供給路２１が開口する複数の主冷却用開口部２３や、主冷却用開口部２３から供給された冷却用ガスが吸着面３全体に広がるように設けられた環状の冷却用溝２５が設けられている。」
「【図１】
〔図省略〕
」
（９）甲９（特開２００２－３０５２３８号公報）について
甲９には、次の記載がある。
「【特許請求の範囲】
【請求項１】工程のためのサブストレートを支持するチャックであって、
上面を持つベースと、
前記サブストレートを支持する前記上面から突き出した複数の支持ピンと、前記サブストレートの下の中央あるいは中央付近に配置されたガスインレットと、
前記ベースの上面の中心付近に配置された環状のガスインレットとを備え、
前記サブストレートの下で前記ガスインレットを通じてのガスの分布がが比較的均一なガス圧力を得るように環状のガスインレットの位置を選ぶことを特徴とするチャック。」
「【００１８】冷却ガスは、内リム４からおよそ１５ｍｍ又はそれ以下の場所に配置された環状の溝１４に設けられた一連のインレット２２を通して導入される。インレット２２は多岐管とホース（図示せず）により真空ポンプ３１に係合されている。ウエハの下でガスの圧力をより急速に平衡させるためには、中央のガスインレット８も加えて使用しても構わない。ウエハのプロセスが終了する時でウエハがチャックから取り外される場合には、これによりガスの除去の速度を上げることができる。ウエハとチャックのギャップが小さくなると、更に多くのポートが必要になる場合がある。」
（１０）甲１０（特開平１－２５１７３５号公報）について
甲１０には、次の記載がある。
「［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体基板に各種処理を施す半導体集積回路製造装置等に用いられる静電チャック装置に係わり、特に温度制御の必要な基板を固定保持するための静電チャック装置に関する。」（第１頁右下欄第２行～第７行）
「静電チャック板２０の上面には、第２図（ａ）に平面図を、第２図（ｂ）に同図（ａ）の矢視Ａ－Ａ断面を示す如く、同心円状に複数本の溝２５が形成され、溝２５の一部にガス導入孔２６が形成されている。そして、導入孔２６に電極１４を貫通した冷却ガス導入管２７を接続することにより、ウェハ裏面に冷却ガスを供給できるものとなっている。なお、ガス導入管２７には、熱伝導の良いＨｅ或いは経済性の良いＮ２等のガスを供給するガス源２８から冷却ガスが供給され、一方その一部はロータリーポンプ等の真空ポンプ２９により排気される。そして、供給管２７内のガス圧力は圧力計３０にて検出されるものとなっている。」（第３頁右下欄第１５行～第４頁左上欄第７行）
「第２図
〔図省略〕
」
第６ 当審の判断
１ 取消理由通知に記載した取消理由について
（１）特許法第２９条第２項（進歩性）について
ア 本件発明１について
（ア）対比
本件発明１と引用発明とを対比する。
ａ 引用発明の「電極の構造体となる基材１」は、本件発明１の「ベースプレート」に相当する。
ｂ 本件明細書には以下の記載がある。
「【００３６】
セラミック誘電体基板１１は、吸着の対象物Ｗが載置される第１主面１１ａと、第１主面１１ａとは反対側の第２主面１１ｂと、を有する。第１主面１１ａは、静電チャック１の外部に露出する面である。対象物Ｗは、例えば、シリコンウェーハなどの半導体基板やガラス基板などとすることができる。」
上記記載によると、本件発明１の「第１主面」とは、シリコンウェーハなどの半導体基板やガラス基板などが載置される面であるといえる。
そして、引用発明は、「ウエハと溶射膜２の間にガスを供給する」から、「ウエハ」は、「溶射膜２」の上に載置されるといえる。また、「溶射膜２」に「ウエハ」を載置するためには、「溶射膜２」は、「ウエハ」を載置するための外部に露出する面を有することは明らかであり、この「溶射膜２」の外部に露出する面は、「ウエハ」を載置するための面であるといえるから、本件発明１の「外部に露出する第１主面」に対応する。
加えて、アルミナはセラミックであり又誘電体であることは技術常識であることを考慮すると、引用発明の「基材１の上に設けられたアルミナ製の溶射膜２」と、本件発明１の「前記ベースプレートの上に設けられ、外部に露出する第１主面を有するセラミック誘電体基板」とは、「前記ベースプレートの上に設けられ、外部に露出する第１主面を有するセラミック誘電体部材」である点で共通する。
ｃ 引用発明の「ガス供給溝４～８」及び「ガス排気溝１２～１３」と、本件発明１の「第１溝」及び「第２溝」とは、「溝」である点で共通する。
ｄ 引用発明の「ガス供給管９～１１」は、「ガス供給溝４～８」にガスを供給することから、「ガス供給管９～１１」の「ガス供給溝４～８」に接続する部分と、本件発明１の「第１ガス導入孔」及び「第２ガス導入孔」とは、「ガス導入孔」である点で共通する。
ｅ 引用発明の「溶射膜２」は、「ウエハと溶射膜２の間にガスを供給するガス供給溝４～８」及び「ウエハと溶射膜２の間からガスを排気するためのガス排気溝１２～１３」を設けるための領域を備えており、「ガス供給溝４～８」及び「ガス排気溝１２～１３」は、上記ｂで検討した、「溶射膜２」の外部に露出する面の上記領域、すなわち本件発明１の「第１主面」に対応する面の領域に設けられているといえる。
そうすると、引用発明の「ガス供給溝４～８」及び「ガス排気溝１２～１３」を「溶射膜２」の外部に露出する面に備えることと、本件発明１の「前記第１主面の前記第１領域には、複数の第１溝」「が設けられ」ること、及び、「前記第１主面の前記第２領域には、複数の第２溝」「が設けられ」ることとは、「前記第１主面の領域には、複数の溝が設けられる」点で共通する。
また、引用発明の「ガス供給管９～１１」の「ガス供給溝４～８」に接続する部分は、「ガス供給溝４～８」にあるといえるから、引用発明の「ガス供給管９～１１」の「ガス供給溝４～８」に接続する部分と、本件発明１の「前記第１主面の前記第１領域には、」「前記複数の第１溝の少なくとも１つと接続された少なくとも１つの第１ガス導入孔」「が設けられ」ること、及び、「前記第１主面の前記第２領域には、」「前記複数の第２溝の少なくとも１つと接続された少なくとも１つの第２ガス導入孔」「が設けられ」ることとは、「前記第１主面の領域には、前記複数の溝の少なくとも１つと接続された少なくとも１つのガス導入孔が設けられる」点で共通する。
ｆ 引用発明の「ウエハ載置用電極」は、「電極上に載置したウエハを静電吸着で固定」するものであるから、本件発明１の「静電チャック」に対応する。
ｇ そうすると、本件発明１と引用発明は、以下の点で一致し、また相違する。
［一致点］
「ベースプレートと、
前記ベースプレートの上に設けられ、外部に露出する第１主面を有するセラミック誘電体部材と、
を備え
前記第１主面の領域には、複数の溝と、前記複数の溝の少なくとも１つと接続された少なくとも１つのガス導入孔とが設けられることを特徴とする静電チャック。」
［相違点１］
本件発明１は、「前記ベースプレートの上に設けられ、外部に露出する第１主面を有するセラミック誘電体基板と、を備え」ているのに対して、引用発明の「ベースプレート」の上に設けられた「アルミナ製の溶射膜２」は、セラミック誘電体部材とはいえるものの、「基板」であるとはいえない点。
［相違点２］
本件発明１は、「前記第１主面は、対象物を載置可能な複数のドットと、少なくとも、第１領域と、前記第１領域の外側に隣接する第２領域と、を含」んでいるのに対して、引用発明は、「対象物を載置可能な複数のドット」を備えておらず、また「第１領域」及び「前記第１領域の外側に隣接する第２領域」に対応する特定がされていない点。
［相違点３］
本件発明１は、「前記第１主面の前記第１領域には、複数の第１溝と、前記複数の第１溝の少なくとも１つと接続された少なくとも１つの第１ガス導入孔と、が設けられ、前記複数の第１溝は、前記第１領域と前記第２領域との間の第１境界に最も近接して設けられ、前記第１境界に沿って延び、前記第１ガス導入孔が接続された第１境界溝と、前記第１境界溝とは異なる少なくとも１つの第１領域内溝と、を含」んいるのに対して、引用発明は、「第１の領域」及び「第２の領域」に対応する「領域」が特定されていないために、引用発明の「ガス供給溝４～８」及び「ガス排気溝１２～１３」のどの構成が、「第１溝」、「第１境界溝」及び「第１領域内溝」に対応するのか、並びに、引用発明の「ガス供給管９～１１」の「ガス供給溝４～８」に接続する部分のどの構成が「第１ガス導入孔」に対応するのか、特定できない点。
［相違点４］
本件発明１は、「前記第１主面の、前記第１ガス導入孔が接続された前記第１境界溝の外側に位置する前記第２領域には、複数の第２溝と、前記複数の第２溝の少なくとも１つと接続された少なくとも１つの第２ガス導入孔と、が設けられ、前記複数の第２溝は、前記第１境界に最も近接して設けられ、前記第１境界に沿って延びる第２境界溝を含」んでいるのに対して、引用発明は「第１の領域」及び「第２の領域」に対応する「領域」が特定されていないために、引用発明の「ガス供給溝４～８」及び「ガス排気溝１２～１３」のどの構成が、「第２溝」及び「第２境界溝」に対応するのか、並びに、引用発明の「ガス供給管９～１１」の「ガス供給溝４～８」に接続する部分のどの構成が「第２ガス導入孔」に対応するのか、特定できない点。
［相違点５］
本件発明１は、「前記複数のドットに前記対象物を載置した状態で、前記第１主面と、前記対象物と、の間に空間が形成され」ているのに対して、引用発明は「前記複数のドット」を備えていないために、「前記複数のドットに前記対象物を載置した状態で、前記第１主面と、前記対象物と、の間に空間が形成され」ているとはいえない点。
［相違点６］
本件発明１は「前記第１境界溝と、前記第２境界溝と、が前記第１境界を挟んで隣接することで、前記対象物を載置した状態で前記第１ガス導入孔からガスを導入して、前記第１領域と、前記対象物と、の間の空間における圧力が第１圧力となるように構成され、前記対象物を載置した状態で前記第２ガス導入孔からガスを導入して、前記第２領域と、前記対象物と、の間の空間における圧力が前記第１圧力とは異なる第２圧力となるよう構成されており、前記第１領域と前記第２領域との間の前記第１境界およびその近傍領域と、前記対象物と、の間の空間における圧力が、前記第１圧力と前記第２圧力との間の値となるよう構成され」ているのに対して、引用発明は「第１の領域」及び「第２の領域」に対応する「領域」が特定されていないために、各「領域」及び各「領域」の間の領域と、「対象物」との間の空間における圧力がどのような値となるのか特定できない点。
［相違点７］
本件発明１は、「前記第１境界溝と前記第２境界溝との間の溝端部間距離は、前記第１境界溝と、前記第１境界溝に隣接する前記第１領域内溝との間の溝端部間距離よりも小さい」のに対して、引用発明は、「第１の領域」及び「第２の領域」に対応する「領域」が特定されていないために、対応する各「溝端部間距離」間の距離の大小について特定できない点。
（イ）相違点についての判断
事案に鑑み、最初に、「前記複数のドットに前記対象物を載置した状態で、前記第１主面と、前記対象物と、の間に」「形成され」た「空間」に関する相違点２～６について、まとめて判断する。
ａ 甲１、２、４、５、８、１０には、いずれも、「前記第１主面は、対象物を載置可能な複数のドット」を備えること、この「複数のドット」により、「前記複数のドットに前記対象物を載置した状態で、前記第１主面と、前記対象物と、の間に空間が形成され」、この形成された「空間」について、「前記第１領域と、前記対象物と、の間の空間における圧力」を「第１圧力」とし、「前記第２領域と、前記対象物と、の間の空間における圧力」を「前記第１圧力とは異なる第２圧力」とし、「前記第１領域と前記第２領域との間の前記第１境界およびその近傍領域と、前記対象物と、の間の空間における圧力」を「前記第１圧力と前記第２圧力との間の値」とすることは記載されていない。
ｂ 加えて、相違点２～６に係る本件発明１の構成は、本件特許出願の優先日において周知技術であるとはいえない。
ｃ そうすると、他の相違点について検討するまでもなく、本件発明１は、引用発明及び甲１、２、４、５、８、１０に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
イ 本件発明３～７及び１０、１１について
本件発明３～７及び１０、１１は、いずれも、本件発明１の上記相違点２～６に係る構成を備えるものであるから、上記アの（イ）で検討したと同じ理由により、本件発明３～７及び１０、１１は、引用発明及び甲１、２、４、５、８、１０に記載された技術的事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
（２）特許法第３６条第６項第２号（明確性）について
ア 請求項１について
請求項１には、「第１の領域」と当該「第１の領域」に「隣接する第２の領域」のそれぞれの範囲が特定されていないから、「前記第１領域と前記第２領域との間の第１境界」の位置は、一義的に決まらないとの、取消理由について、本件訂正請求による訂正により、請求項１の「前記第１主面は、」「第１領域と、前記第１領域の外側に隣接する第２領域と、を含」むとの限定を加え、加えて、「前記第１領域と前記第２領域との間の第１境界に最も近接して設けられ、前記第１境界に沿って延び」る「第１境界溝」が、「前記第１ガス導入孔が接続された第１境界溝」であるとの限定を加え、更に、「第２領域」が「前記第１ガス導入孔が接続された前記第１境界溝の外側に位置する」との限定を加えることにより、明確となった結果、解消した。
イ 請求項２及び８について
請求項２及び８の記載が明確でないとの取消理由は、本件訂正請求による訂正により、請求項２及び８が削除された結果、解消した。
２ 取消理由通知において採用しなかった特許異議申立て理由について
（１）特許法第２９条第１項第３号（新規性）について
特許異議申立人は、特許異議申立書において、訂正前の特許請求の範囲の請求項１～３及び８に係る発明は、甲１に記載された発明であり、請求項１～３及び８に係る特許は、特許法第２９条第１項第３号の規定に違反してされたものである旨主張する。
しかしながら、上記１（１）ア（ア）で検討したように、本件発明１、３は、上記相違点１～７に係る本件発明１の構成を備えているから、本件発明１、３は、甲１に記載された発明であるとはいえない。
したがって、特許異議申立人の係る主張は、採用することはできない。
（２）特許法第２９条第２項（進歩性）について
特許異議申立人は、特許異議申立書において、訂正前の特許請求の範囲の請求項１～１１に係る発明は、甲１～１０に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～１１に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである旨主張する。
しかしながら、上記１（１）ア（イ）で検討したように、本件発明１、３～７、１０、１１は、上記相違点２～６に係る本件発明１の構成を備えており、この構成は、甲１～１０のいずれにも記載されておらず、本件特許出願の優先日において周知技術であるともいえないから、本件発明１、３～７、１０、１１は、甲１～１０に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるとはいえない。
したがって、特許異議申立人の係る主張は、採用することはできない。
第７ むすび
以上のとおりであるから、取消理由通知に記載した理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、本件請求項１、３～７、１０、１１に係る特許を取り消すことはできない。
また、他に本件請求項１、３～７、１０、１１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
なお、本件請求項２、８、９は、本件訂正請求により削除されたため、請求項２、８、９に対する特許異議の申立ては、対象となる請求項が存在しないものとなったから、特許法第１２０条の８第１項で準用する同法第１３５条の規定により却下する。
よって、結論のとおり決定する。
令和５年１月１８日
審判長 特許庁審判官 河本 充雄
特許庁審判官 小田 浩
特許庁審判官 棚田 一也
出典：特許庁「審決公報」（令和5年4月28日発行・号数2023-004、公報発行サイト https://www.gazette.jpo.go.jp/scciidl010 ）を加工して作成（加工：TaiLexi AI）
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