異議申立番号 異議2022-700072
特許権者 ＴＯＴＯ株式会社（代理人 弁理士3名）
特許異議申立人 〔氏名省略〕
特許異議申立人 弁理士法人 朝日奈特許事務所
特許第６９０９４４７号発明「静電チャック」の特許異議申立事件について、次のとおり決定する。
結 論
特許第６９０９４４７号の特許請求の範囲を訂正請求書に添付された訂正特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～６〕について訂正することを認める。
特許第６９０９４４７号の請求項２～６に係る特許を取り消す。
同請求項１に係る特許を維持する。
理 由
第１ 手続の経緯
特許第６９０９４４７号の請求項１～６に係る特許についての出願は、令和２年３月２３日（優先権主張 平成３１年３月２８日（以下、「本件特許出願の優先日」という。）に出願され、令和３年７月７日にその特許権の設定登録がされ、同年同月２８日に特許掲載公報が発行された。
その特許についての特許異議の申立ての経緯は、次のとおりである。
令和４年１月２７日：特許異議申立人 〔氏名省略〕（以下、「申立人金」という。）による請求項１～６に係る特許に対する特許異議の申立て
同年１月２８日：特許異議申立人 弁理士法人朝日奈特許事務所（以下、「申立人朝日奈」という。）による請求項１～６に係る特許に対する特許異議の申立て
同年４月２７日付け：取消理由通知
同年７月５日：特許権者による意見書、訂正請求書の提出
同年７月１３日付け：通知書（訂正請求があった旨の通知）
同年８月１０日：申立人金による意見書の提出
同年１０月１９日付け：審尋
同年１１月１８日：特許権者による回答書の提出
令和５年３月１日付け：取消理由通知（決定の予告）
同年５月２日：特許権者による意見書の提出
同年６月３０日：特許権者による上申書の提出
同年７月２７日：特許権者による上申書の提出
同年９月１５日付け：審尋
同年１０月１９日：申立人金による回答書の提出
なお、令和４年７月１３日付け通知書（訂正請求があった旨の通知）、及び、令和５年９月１５日付け審尋に対し、申立人朝日奈からの応答はなかった。
第２ 訂正の適否についての判断
１ 訂正の内容
令和４年７月５日に提出された訂正請求書による訂正（以下、「本件訂正」といい、本件訂正の請求を「本件訂正請求」という。）の内容は、以下のとおりである（当審注：下線は訂正箇所を示すため当審が付与した。）。
（１）訂正事項１
特許請求の範囲の請求項１に、
「セラミック誘電体基板と、前記セラミック誘電体基板を支持する金属製のベースプレートと、前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられ、樹脂材料を含む接合層と、を備え、－６０℃における前記接合層の伸び率α１は、２００％以上であることを特徴とする静電チャック。」
と記載されているのを、
「セラミック誘電体基板と、前記セラミック誘電体基板を支持する金属製のベースプレートと、前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられ、樹脂材料を含む接合層と、を備え、前記樹脂材料は、シリコーンを含み、－６０℃における前記接合層の伸び率α１は、２００％以上であることを特徴とする静電チャック。」に訂正する。
２ 訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び特許請求の範囲の拡張・変更の存否
（１）訂正事項１について
訂正事項１は、訂正前の請求項１の「樹脂材料を含む接合層」について、当該「樹脂材料」が「シリコーンを含」むことを限定するものであるから、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
また、訂正事項１は、本件特許の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、「本件明細書等」という。）の【００４０】に記載されているから、本件明細書等に記載した事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。
３ 小括
以上のとおりであるから、本件訂正は、特許法第１２０条の５第２項ただし書第１号に掲げる事項を目的とするものであり、かつ、同条第９項において準用する同法第１２６条第５項及び第６項の規定に適合する。
したがって、特許請求の範囲を、訂正請求書に添付された特許請求の範囲のとおり、訂正後の請求項〔１～６〕について訂正することを認める。
第３ 本件発明
上記第２で検討したとおり、本件訂正は認められるから、本件特許の請求項１～６に係る発明（以下、「本件発明１～６」といい、まとめて「本件発明」ともいう。）は、訂正特許請求の範囲の請求項１～６に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
「【請求項１】
セラミック誘電体基板と、
前記セラミック誘電体基板を支持する金属製のベースプレートと、
前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられ、樹脂材料を含む接合層と、
を備え、
前記樹脂材料は、シリコーンを含み、
－６０℃における前記接合層の伸び率α１は、２００％以上であることを特徴とする静電チャック。
【請求項２】
２５℃における前記接合層の伸び率α２に対する前記伸び率α１の比α１／α２は、０．６０以上であることを特徴とする請求項１記載の静電チャック。
【請求項３】
－６０℃における前記接合層の弾性率γ１は、０．１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の静電チャック。
【請求項４】
２５℃における前記接合層の弾性率γ２に対する－６０℃における前記接合層の弾性率γ１の比γ１／γ２は、０．６以上３０以下であることを特徴とする請求項１～３のいずれか１つに記載の静電チャック。
【請求項５】
前記セラミック誘電体基板は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、及び酸化イットリウムのうち少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１～４のいずれか１つに記載の静電チャック。
【請求項６】
前記セラミック誘電体基板は、酸化アルミニウムを含むことを特徴とする請求項５記載の静電チャック。」
第４ 取消理由通知に記載した取消理由
１ 訂正前の請求項１～６に係る特許に対して、当審が令和４年４月２７日付けで特許権者に通知した取消理由の要旨は、次のとおりである。
（１）取消理由１－１（実施可能要件）
本件特許の願書に添付した明細書の発明の詳細な説明の記載は、当業者が請求項１～６に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものではないから、請求項１～６に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。
（２）取消理由１－２（サポート要件）
請求項１～６に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものではないから、請求項１～６に係る特許は、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。
２ 訂正後の請求項１～６に係る特許に対して、当審が令和５年３月１日付けで特許権者に通知した取消理由（決定の予告）の要旨は、次のとおりである。
（１）取消理由２－１（実施可能要件）
本件特許の願書に添付した明細書の発明の詳細な説明の記載は、当業者が請求項１～６に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものではないから、請求項１～６に係る特許は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない特許出願に対してされたものである。
（２）取消理由２－２（進歩性）
請求項１～６に係る発明は、申立人金が提出した甲第１号証に記載された発明及び仮の技術常識１～３に基づいて、又は、申立人金が提出した甲第２号証に記載された発明及び仮の技術常識１～３に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、請求項１～６に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものである。
甲第１号証：特開平４－２８７３４４号公報
甲第２号証：特開２０１２－１４２４１３号公報
第５ 取消理由通知において採用しなかった申立理由
取消理由通知において採用しなかった理由は、次のとおりである。
１ 申立人金の申立理由
（１）申立理由１－１（新規性）
本件発明１～６は、甲第１号証又は甲第２号証に記載された発明であって、特許法第２９条第１項第３号に該当するから、請求項１～６に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものである。
（２）申立理由１－２（拡大先願）
本件発明１～６は、その出願の優先日前の他の特許出願であって、その出願の優先日後に出願公開された特願２０１８－１４８３７３号（甲第３号証：特開２０２０－０２３０８８号公報参照）の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲、又は図面（以下、「甲３明細書等」という。）に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の他の特許出願に係る上記の発明者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記他の特許出願の出願人と同一でもないので、請求項１～６に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してされたものである。
［証拠方法］
甲第１号証：特開平４－２８７３４４号公報
甲第２号証：特開２０１２－１４２４１３号公報
甲第３号証：特願２０１８－１４８３７３号（特開２０２０－２３０８８号公報）
なお、申立人金が提出した甲第１号証、甲第２号証を、以下、「甲１」、「甲２」という。
２ 申立人朝日奈の申立理由
（１）申立理由２－１（拡大先願）
本件発明１～６は、その出願の優先日前の他の特許出願であって、その出願の優先日後に出願公開された特願２０１８－１４８３７３号（甲第１号証：特開２０２０－０２３０８８号公報参照）の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲、又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、この出願の発明者がその出願前の他の特許出願に係る上記の発明者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記他の特許出願の出願人と同一でもないので、請求項１～６に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してされたものである。
［証拠方法］
甲第１号証：特願２０１８－１４８３７３号（特開２０２０－２３０８８号公報）
なお、申立人朝日奈が提出した甲第１号証は、申立人金が提出した甲第３号証と同じ証拠である。
第６ 取消理由１－１及び取消理由２－１（実施可能要件）について
１ 本件特許の願書に添付した明細書の発明の詳細な説明及び図面には、以下の記載がある（当審注：下線は当審が付与した。以下、同様である。）。
（１）「【技術分野】
【０００１】
本発明の態様は、一般的に、静電チャックに関する。」
（２）「【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【００２７】
図１は、実施形態に係る静電チャックを例示する模式的断面図である。
図１に表したように、静電チャック１１０は、セラミック誘電体基板１１と、ベースプレート５０と、接合層６０と、を備える。」
（３）「【００３９】
接合層６０は、樹脂材料を含む。実施形態において、接合層６０は、極低温下において柔軟性を保つことが可能に構成される。例えば、接合層６０は、シリコーン系、アクリル系、変性シリコーン系、あるいはエポキシ系の高分子材料であって炭素（Ｃ）、水素（Ｈ）、窒素（Ｎ）、ケイ素（Ｓｉ）、及び酸素（Ｏ）の少なくとも１つを主成分とする高分子材料を含む。
ここで、本願明細書において、「極低温」とは、－６０℃以下の低温環境をいう。具体的には、－６０℃～－１２０℃をいう。
【００４０】
接合層６０は、シリコーンを含むことが好ましい。接合層６０が柔軟性に優れたシリコーンを含むことで、極低温の環境下において、接合層６０の柔軟性が維持されやすい。これにより、極低温の環境下における、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れをより確実に抑制できる。」
（４）「【００５３】
実施形態において、－６０℃における接合層６０の伸び率α１は、例えば、１２０％以上、好ましくは１７５％以上、より好ましくは２００％以上、さらに好ましくは２２０％以上、さらに好ましくは２４０％以上である。
【００５４】
伸び率α１が１２０％以上であれば、極低温の環境下において、接合層６０が十分な伸び率αを有しているため、接合層６０に十分な柔軟性を確保することができる。これにより、極低温の環境下において、セラミック誘電体基板１１にかかる応力を抑制し、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れを抑制できる。なお、伸び率α１の上限は、特に限定されないが、例えば、１０００％以下である。」
（５）「【００８０】
図２（ａ）～図２（ｃ）は、接合層の伸び率及び接合強度の測定方法を表す説明図である。
図３は、接合層の弾性率の算出方法を表す説明図である。
図４は、接合層の伸び率及び接合強度の測定箇所を例示する説明図である。
実施形態において、接合層６０の伸び率α及び接合強度βは、図２（ａ）～図２（ｃ）に示した方法で測定することができる。
【００８１】
接合層６０の伸び率α及び接合強度βを測定する際には、まず、図２（ａ）に表したように、静電チャック１１０から試験片ＴＰを採取する。試験片ＴＰは、静電チャック１１０をＺ軸方向に貫通するように採取される。つまり、試験片ＴＰは、Ｚ軸方向に積層されたベースプレート５０、接合層６０、及びセラミック誘電体基板１１を含むように採取される。試験片ＴＰは、直径３０ｍｍの円柱形で採取される。採取方法は、例えばヘリカル加工、ウォータージェット切断加工などである。
【００８２】
次に、図２（ｂ）に表したように、試験片ＴＰのセラミック誘電体基板１１及びベースプレート５０に対し、それぞれＸ－Ｙ平面に沿う対向する向きに圧力をかける。この例では、セラミック誘電体基板１１に対してＸ軸方向の負の向きに圧力をかけ、ベースプレート５０に対してＸ軸方向の正の向きに圧力をかけている。圧力は、例えばオートグラフにより印加する。接合層６０の伸び率α及びせん断応力を測定しながら、試験片ＴＰにかける圧力を大きくしていき、図２（ｃ）に表したように、接合層６０を破断させる。
【００８３】
上記の方法で測定された伸び率α及びせん断応力の関係は、例えば、図３に示す曲線で表される。図３に表したように、せん断応力は、接合層６０が破断するまで大きくなり、接合層６０が破断すると小さくなる。すなわち、せん断応力が最大となる時点を接合層６０が破断した時点とみなすことができる。
【００８４】
伸び率αは、１００×（破断したときの接合層６０の伸びＬ１）／（接合層６０の厚さＴ２）で表される。破断したときの接合層６０の伸びＬ１は、破断した時点の、加圧方向（この例では、Ｘ軸方向）における接合層６０の長さの変化量である。接合層６０の厚さＴ２は、Ｚ軸方向における接合層６０の長さである。接合強度βは、接合層６０が破断したときのせん断応力の大きさである。すなわち、接合層６０が破断したときのせん断応力の大きさから接合強度βを求めることができる。
【００８５】
伸び率α及び接合強度βの測定には、例えば、オートグラフ（島津製作所製 ＡＧＳ－Ｘ（５ｋＮ））を用いることができる。測定条件は、例えば、圧縮速度：０．１～１０ｍｍ／ｍｉｎ、使用ロードセル：５ｋＮ、測定温度：２５℃、－６０℃である。」
（６）「【００９０】
図５及び図６は、実施形態に係る静電チャックの接合層の一例の物性を表すグラフである。
図６は、図５のＡ部を拡大したグラフである。
図７は、実施形態に係る静電チャックの接合層の一例の物性を表す表である。
実施例１は、実施形態に係る静電チャック１１０の一例である。参考例１は、実施例１とは物性が異なる接合層６０を有する静電チャックの一例である。
【００９１】
図２（ａ）～図２（ｃ）及び図３に示した測定・算出方法で測定・算出した実施例１及び参考例１の接合層６０の伸び率α、接合強度β、及び弾性率γを図５～図７に示す。
【００９２】
また、実施例１及び参考例１に対して、剥離／割れ試験を行った結果を図７に示す。剥離／割れ試験では、セラミック誘電体基板１１とベースプレート５０とを接合層６０で接合したサンプルを作製し、サンプルを－６０℃に少なくとも３０００時間放置した後、室温に戻し、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離の有無、及び、セラミック誘電体基板１１の割れの有無を評価した。接合層６０の剥離の有無は、接合層６０の断面を顕微鏡で観察しクラックなどの有無を評価する直接観察と、超音波を当てて接合層６０の内部のクラックなどの有無を評価する超音波探傷と、で行った。直接観察及び超音波探傷の少なくともいずれかでクラックが見られたものを剥離「あり」、直接観察及び超音波探傷の両方でクラックが見られなかったものを剥離「なし」と評価した。また、セラミック誘電体基板１１の割れの有無は、セラミック誘電体基板１１を目視で観察し、割れが見られたものを割れ「あり」、割れが見られなかったものを割れ「なし」と評価した。
【００９３】
図５～図７に表したように、参考例１において、伸び率α１は１０７％、伸び率α２は１９５％、伸び率αの比α１／α２は０．５である。参考例１においては、接合層６０がこのような伸び率α（伸び率比）を有するため、室温（２５℃）の環境下では、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生していないものの、極低温（－６０℃）の環境下では、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生している。
【００９４】
これに対し、実施例１において、伸び率α１は２２５％、伸び率α２は１９０％、伸び率αの比α１／α２は１．２である。実施例１においては、接合層６０がこのような伸び率α（伸び率比）を有するため、室温（２５℃）の環境下及び極低温（－６０℃）の環境下のいずれでも、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生していない。
【００９５】
このように、接合層６０の伸び率α１を１２０％以上、または、伸び率αの比α１／α２を０．６０以上にすることで、極低温の環境下における、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れを抑制することができる。
・・・
【０１０２】
図８は、実施形態に係る静電チャックの接合層の一例の物性を表す表である。
実施例２～１４は、実施形態に係る静電チャック１１０の一例である。
実施例１及び参考例１と同様にして測定・算出した実施例２～１４の接合層６０の伸び率α、接合強度β、及び弾性率γを図８に示す。また、実施例１及び参考例１と同様にして剥離／割れ試験を行った結果を図８に示す。
【０１０３】
図８に表したように、実施例２～１４において、伸び率α１は１７５％以上２４７％以下、伸び率α２は１５０％以上２８０％以下、伸び率αの比α１／α２は０．８０以上１．１７以下である。実施例２～１４においては、接合層６０がこのような伸び率α（伸び率比）を有するため、室温（２５℃）の環境下及び極低温（－６０℃）の環境下のいずれでも、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れが発生していない。
【０１０４】
このように、接合層６０の伸び率α１を１２０％以上、または、伸び率αの比α１／α２を０．６０以上にすることで、極低温の環境下における、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れを抑制することができる。」
（７）「【図２】
〔図省略〕
【図３】
〔図省略〕
」
（８）「【図５】
〔図省略〕
【図６】
〔図省略〕
【図７】
〔図省略〕
【図８】
〔図省略〕
」
２ 本件発明１について
（１）上記１（３）における【００３９】～【００４０】には、「接合層」に含まれる樹脂材料の種類が例示されており、樹脂材料については、シリコーンを含むことが好ましいこと、接合層６０が柔軟性に優れたシリコーンを含むことで、極低温の環境下において、接合層６０の柔軟性が維持されやすいこと、これにより、極低温の環境下における、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れをより確実に抑制できることが記載されている。
（２）また、上記１（４）における【００５３】には、－６０℃における接合層６０の伸び率α１は、より好ましくは２００％以上であることが記載されている。
そして、上記１（５）における【００８０】～【００８５】には、伸び率αの測定方法として、積層されたベースプレート５０、接合層６０、及びセラミック誘電体基板１１を含み、直径３０ｍｍの円柱形の試験片ＴＰを、オートグラフ（島津製作所製ＡＧＳ－Ｘ（５ｋＮ））を用いて、測定条件は、圧縮速度：０．１～１０ｍｍ／ｍｉｎ、使用ロードセル：５ｋＮ、測定温度：２５℃、－６０℃で、図２（ａ）～図２（ｃ）（上記１（７））に示した方法で接合層６０を破断させ、伸び率αは、１００×（破断したときの接合層６０の伸びＬ１）／（接合層６０の厚さＴ２）で表されることが記載されている（以下、上記測定方法で－６０℃における伸び率α１を測定する方法を「本件測定方法」という。）。
（３）さらに、上記１（６）における【００９０】～【０１０４】及び上記１（８）における【図５】～【図８】には、接合層の伸び率α１について、実施例１～１４及び参考例１が示されている。
しかし、発明の詳細な説明及び図面には、実施例１～１４及び参考例１の「接合層」の具体的な組成、「接合層」の製造方法及び製造条件は全く記載されていないし、「伸び率α１」をどのようにして調整したのかについても全く記載されていない。
（４）ここで、上記１（１）の記載によれば、本件発明の技術分野は静電チャックであるところ、静電チャックの当業者（以下、単に「当業者」という。）が、本件発明１の「シリコーンを含み、－６０℃における」「接合層の伸び率α１」が「２００％以上」（以下、「本件特性」という。）である「樹脂材料」を入手しようとすると、
ア 本件特性を有するシリコーンを含む樹脂材料を自ら製造すれば入手できる。
イ 市販されているシリコーンを含む樹脂材料を購入して、本件測定方法により－６０℃における伸び率を測定し、本件特性を有するものがあれば入手できる。
ウ シリコーンを含む樹脂材料を取り扱っている会社に本件特性を示して、当該会社から本件特性を有する樹脂材料の供給を受ければ入手できる。
のいずれかであるといえる。
（５）そこで、まず上記（４）ウから検討する。
なお、特許権者が提出した乙第１８号証、乙第１９号証を、以下、「乙１８」、「乙１９」という。
ア 乙１９（特開昭６３－１７４０６０号公報）には、以下の記載がある。
「前記シリコーンゴムとしては、例えば、［ＳＨ410］、「ＳＨ432」、「ＳＨ433」、「ＳＨ740」、「ＳＨ745Ｕ」、「ＳＨ746Ｕ」、「ＳＨ747Ｕ」、「ＳＨ748Ｕ」、「ＳＨ35Ｕ」、「ＳＨ55Ｕ」、「ＳＨ75Ｕ」、「ＳＨ52Ｕ」、「ＳＨ82Ｕ」、「ＳＨ841Ｕ」、「ＳＨ851Ｕ」、「ＳＨ1125Ｕ」、「ＳＨ1150Ｕ」、「ＳＨ1603Ｕ」、「ＳＨ665Ｕ」、「ＳＥ955Ｕ」、「ＳＨ502Ｕ」、「ＳＲＸ－440Ｕ」（以上、トーレ・シリコーン社製）等を用いることができる。」（６ページ左下欄５～１４行）
そして、乙１９の公開日は、昭和６３年７月１８日であるから、シリコーンゴム、すなわち、シリコーンを含む樹脂材料である、トーレ・シリコーン社製のＳＥ９５５Ｕは、本件特許の出願当時に市販されていたといえる。
イ 次に、乙１８（「実験成績証明書」、２０２３年７月１９日作成、ＴＯＴＯ株式会社）には、以下の記載がある。
「
〔図省略〕
〔図省略〕
」
以上の記載によれば、いずれもφ３０ｍｍのセラミック基板及びアルミ合金基板を、乙１９の６ページに記載のＳＥ９５５Ｕを用いて、メーカー推奨条件にて接着し、得られた接合層の厚さＴ２が３２０μｍの測定サンプルを、測定装置としてオートグラフ（島津製作所製 ＡＧＳ－Ｘ）を用い、ロードセル：５ｋＮ、圧縮速度：０．１～１０ｍｍ／ｍｉｎ、測定温度：－６０℃で接合層を破断させ、破断したときの接合層の伸びＬ１は１．１４ｍｍであり、本件明細書【００８４】（上記１（５））の計算式（伸び率α＝１００×（破断したときの接合層６０の伸びＬ１）／（接合層６０の厚さＴ２））にて算出した－６０℃での伸び率α１は３５６％であった。
ここで、乙１８における伸び率の測定方法は、本件測定方法であるといえるから、ＳＥ９５５Ｕは本件特性を満たしている。
ウ 上記ア及びイによれば、トーレ・シリコーン社製のＳＥ９５５Ｕは、本件特許の出願当時に市販されており、かつ、本件特性を満たしているものである。
ここで、トーレ・シリコーン社が、シリコーンを含む樹脂材料を取り扱っている会社であることは、その社名からして明らかである。
そうすると、当業者が、シリコーンを含む樹脂材料を取り扱っている会社であるトーレ・シリコーン社に、本件特性を示すと、トーレ・シリコーン社は、まずは、自社で販売しているシリコーンを含む樹脂材料を本件測定方法により測定し、ＳＥ９５５Ｕが本件特性を有するシリコーンを含む樹脂材料であることを確認し、ＳＥ９５５Ｕを当業者に供給すると、当業者は、本件特性を有するシリコーンを含む樹脂材料を入手することができる。
したがって、トーレ・シリコーン社から、本件特性を有するシリコーンを含む樹脂材料であるＳＥ９５５Ｕを供給された当業者は、当該ＳＥ９５５Ｕを用いて本件発明１の「静電チャック」を、過度な試行錯誤をすることなく生産でき、かつ使用できるといえる。
（６）申立人金の主張について
ア 申立人金は、令和５年１０月１９日付け回答書（以下、「回答書」という。）の３ページ２１～２８行において、乙１８には、対象特許に開示されている実施例における「接合層」の具体的な組成、「接合層」の製造方法、及び、「接合層」の製造条件については、全く記載されておらず、「接合層の伸び率α１」をどのようにして調整したのかについても、全く記載されていない旨主張している。
しかし、上記（１）～（５）の検討によれば、当業者は、発明の詳細な説明及び図面の記載並びに本件特許の出願当時の技術常識に基づいて、本件発明１を実施できるといえるものであり、乙１８に、対象特許に開示されている実施例における「接合層」の具体的な組成、「接合層」の製造方法、及び、「接合層」の製造条件や、「接合層の伸び率α１」をどのようにして調整したのかについて記載されている必要はない。
したがって、申立人金の上記主張は採用できない。
イ 申立人金は、回答書の３ページ２９～３８行において、乙１８において説明されている追試験では、セラミック基板及びアルミ合金基板のいずれについても、直径が３０ｍｍの試料片を用いており、これらの直径は、一般的な「静電チャック」の直径よりもはるかに小さいものであり、上記追試験では、このような試験片に対して「ＳＥ９５５Ｕ」を接着剤として接着した測定サンプルを用いてせん断試験を行っているが、対象特許で規定される「静電チャック」として「－６０℃での伸び率」を有し、「極低温の環境下における、セラミック誘電体基板のベースプレートからの剥離や、セラミック誘電体基板の割れを抑制」できることは、乙１８の追試験においては、何一つ説明されていない旨主張している。
しかし、乙１８において、セラミック基板及びアルミ合金基板のいずれについても、直径が３０ｍｍの試料片を用いているのは、本件測定方法のとおりであり（上記（２））、また、上記（１）～（５）の検討によれば、当業者は、発明の詳細な説明及び図面の記載並びに本件特許の出願当時の技術常識に基づいて、本件発明１を実施できるといえるものであり、対象特許で規定される「静電チャック」として「－６０℃での伸び率」を有し、「極低温の環境下における、セラミック誘電体基板のベースプレートからの剥離や、セラミック誘電体基板の割れを抑制」できることが、乙１８の追試験において説明されている必要はない。
したがって、申立人金の上記主張は採用できない。
ウ 申立人金は、回答書の３ページ３９行～最下行において、特許権者は、乙１８に記載されている「測定サンプルの準備」において、「接着剤：ＳＥ９５５Ｕ」とすることで、「ＳＥ９５５Ｕ」自体に接着性があるもののように主張しているが、「ＳＥ９５５Ｕ」は、甲第４号証等に示されているように、「ＳｉｌｉｃｏｎｅＲｕｂｂｅｒ（シリコーンゴム）」であり、「ＳＥ９５５Ｕ」自体に必ずしも接着性があるとは限らない旨主張している。
しかし、乙１８の追試験では、セラミック基板及びアルミ合金基板を、ＳＥ９５５Ｕを用いて、メーカー推奨条件にて接着しているから（上記（５）イ）、ＳＥ９５５Ｕ自体に接着性があることは明らかである。
したがって、申立人金の上記主張は採用できない。
エ 申立人金は、回答書の４ページ１～１４行において、乙１８に記載されている追試験では、「測定サンプルの作成」において「ＳＥ９５５Ｕ用プライマー」を用いて、「ＳＥ９５５Ｕ」をセラミック基板とアルミ合金基板とに接合させており、当該追試験では、このようにして作成した測定サンプルを用いて接合層の伸びを測定しているが、測定サンプルが破断したときの接合層の伸びや伸び率は、プライマーの種類や接合方法によっても異なり、また、乙１８の追試験で用いた「ＳＥ９５５Ｕ用プライマー」がどのような材料であるか、対象特許の出願日よりも前に入手可能であったのかどうか、などについては開示されておらず、例えば、シリコーンゴムとして「ＳＥ９５５Ｕ」が記載されている、乙１９を参照しても不明であるため、「－６０℃における接合層の伸び率α１が２００％以上である」とするためには、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤が必要となるから、対象特許の出願時に「ＳＥ９５５Ｕ」が存在したことが事実であったとしても、「ＳＥ９５５Ｕ」を「静電チャック」の「接合層」として適用し、対象特許の「静電チャック」を製造することは容易ではない旨主張している。
しかし、申立人金の「測定サンプルが破断したときの接合層の伸びや伸び率は、プライマーの種類や接合方法によっても異なり」との主張は、証拠に基づくものではなく、また、乙１８の追試験では、セラミック基板及びアルミ合金基板を、ＳＥ９５５Ｕを用いて、メーカー推奨条件にて接着している（上記（５）イ）。
そして、上記（１）～（５）の検討によれば、当業者は、発明の詳細な説明及び図面の記載並びに本件特許の出願当時の技術常識に基づいて、本件発明１を実施できるといえるものであるから、「－６０℃における接合層の伸び率α１が２００％以上である」とするために、当業者に期待し得る程度を超える試行錯誤が必要となるとはいえない。
したがって、申立人金の上記主張は採用できない。
（７）以上によれば、本件明細書の発明の詳細な説明は、本件発明１について、当業者が本件明細書の発明の詳細な説明の記載並びに本件特許の出願当時の技術常識に基づいて、その物を生産でき、かつ、使用できるように、具体的に記載されているものである。
３ 本件発明２について
（１）本件発明２は、本件発明１において、さらに「２５℃における前記接合層の伸び率α２に対する前記伸び率α１の比α１／α２は、０．６０以上であること」を特定した発明であるところ、発明の詳細な説明には、上記「比α１／α２」をどのように調整するかについては何ら記載も示唆もされていない。
そうすると、発明の詳細な説明は、「シリコーンを含み」、「－６０℃における」「伸び率α１」が「２００％以上」であり（以下、「事項１」という。）、かつ、「２５℃における」「伸び率α２に対する前記伸び率α１の比α１／α２は、０．６０以上である」（以下、「事項２」という。）「接合層」を製造できるように、具体的に記載されているとはいえない。
また、事項１かつ事項２を備える「接合層」を製造する方法が、本件特許の出願当時において技術常識であるとはいえない。
したがって、本件明細書の発明の詳細な説明は、本件発明２について、当業者が発明の詳細な説明の記載並びに本件特許の出願当時の技術常識に基づいて、その物を生産でき、かつ、使用できるように、具体的に記載されているとはいえない。
（２）特許権者の主張について
ア 特許権者は、令和４年７月５日付け意見書（以下、「意見書」という。）の９ページ下から７行～１１ページ９行において以下の主張をしている。なお、特許権者が提出した乙第６号証を、以下、「乙６」という。
乙６の図６には、「１：一般シリコーンゴム」の弾性率は、－２５℃よりも高温側ではほぼ一定になることが示されており、つまり、シリコーンでは、流動点温度以上の温度において、弾性率の変化が少ないことは、本件特許の出願当時の技術常識である。
また、本件明細書【００８４】、【００８６】の記載から、伸び率αと弾性率γとの関係は、γ＝１００×（β／α）であり、この式に表されるように、接合強度βが一定の場合にはシリコーンの伸び率と弾性率との間には、負の相関関係がある。そして、シリコーンの伸び率と弾性率との間に概ね負の相関関係があることは技術的に理解できるため、乙６の図６に記載の温度と弾性率との関係は、一般的に、温度と伸び率との関係と類似するといえる。
つまり、シリコーンでは、流動点温度以上の温度において、弾性率と同様に、伸び率の変化が少ないことは、本件特許の出願当時の技術常識であるため、－６０℃における伸び率α１が決まれば、２５℃における伸び率α２もα１に対応した所定の範囲内の値に決まり、つまり、－６０℃における伸び率α１が２００％以上となるようなシリコーンを得れば、過度な試行錯誤なく比α１／α２を０．６０以上とすることができる。
イ まず、本件明細書の記載から検討する。
（ア）本件発明の実施形態に係る静電チャックの接合層の一例の物性を示す表である【図７】、【図８】（上記１（８））における、－６０℃及び２５℃の伸び率、接合強度、弾性率をまとめると以下の【図Ａ】のとおりである。
【図Ａ】
〔図省略〕
上記実施例１～１４のうち、実施例２、６～１０、１２～１４では、温度が上昇すると（－６０℃から２５℃になると）、伸び率は大きくなるのに対して、弾性率は小さくなっているから、伸び率と弾性率との間には負の相関関係があるといえる。
しかし、実施例１、４、１１では、温度が上昇すると（－６０℃から２５℃になると）、伸び率と弾性率とはいずれも小さくなり、逆に、実施例３では、温度が上昇すると、伸び率と弾性率とはいずれも大きくなり、また、実施例５では、温度が上昇しても（－６０℃から２５℃になっても）、伸び率と弾性率はいずれも変化しないから、伸び率と弾性率との間には負の相関関係があるとはいえない。
したがって、上記実施例１～１４の結果からは、一義的に伸び率と弾性率との間に負の相関関係があるとはいえない。
（イ）本件明細書の【００８４】、【００８６】（上記１（５））の記載から、接合層の伸び率αと弾性率γと接合強度βとの関係は、γ＝１００×（β／α）との式（以下、「関係式」という。）で表される。
ここで、上記関係式から、伸び率αと弾性率γとの間に負の相関関係があるといえるためには、接合強度βが一定であることが必要である。
しかし、接合層の材料や測定温度が変われば、通常は、接合強度βは変化するものであり、このことは、本件明細書の【図７】、【図８】（上記１（８））及び上記【図Ａ】の記載から明らかである。
したがって、上記関係式からも、シリコーンの伸び率と弾性率との間に負の相関関係があるとはいえない。
ウ 乙６の記載
乙６（「最近のミラブル型シリコーンゴム」、日本ゴム協会誌、第６２巻、第１２号、６３～７３ページ）には以下の記載がある。
「
〔図省略〕
」（６９ページ左欄）
エ 特許権者が主張するとおり、「乙６の図６の記載から、シリコーンでは、流動点温度以上の温度において、弾性率の変化が少ないことは、本件特許の出願当時の技術常識である」といえるとしても、上記イで検討したとおり、シリコーンの伸び率と弾性率との間に負の相関関係があるとはいえない。
そうすると、シリコーンでは、流動点温度以上の温度において、弾性率と同様に、伸び率の変化が少ないということは、本件特許の出願当時の技術常識であるとはいえない。
したがって、－６０℃における伸び率α１が決まれば、２５℃における伸び率α２もα１に対応した所定の範囲内の値に決まるとはいえないし、また、－６０℃における伸び率α１が２００％以上となるようなシリコーンを得れば、過度な試行錯誤なく比α１／α２を０．６０以上とすることができるともいえない。
よって、特許権者の上記主張は採用できない。
４ 本件発明３について
（１）本件発明３は、本件発明１又は本件発明２において、さらに「－６０℃における前記接合層の弾性率γ１は、０．１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下であること」を特定した発明であるところ、発明の詳細な説明には、上記「弾性率γ１」をどのように調整するかについては何ら記載も示唆もされていない。
そうすると、上記３において本件発明２について検討したのと同様に、発明の詳細な説明は、
ア 事項１を備え、かつ、「－６０℃における前記接合層の弾性率γ１は、０．１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下であること」（以下、「事項３」という。）を備える「接合層」
イ 事項１及び事項２を備え、かつ、事項３を備える「接合層」
を製造できるように、具体的に記載されているとはいえない。
また、上記アの「接合層」、及び、上記イの「接合層」を製造する方法が、本件特許の出願当時において技術常識であるとはいえない。
したがって、本件明細書の発明の詳細な説明は、本件発明３について、当業者が本件明細書の発明の詳細な説明の記載並びに本件特許の出願当時の技術常識に基づいて、その物を生産でき、かつ、使用できるように、具体的に記載されているとはいえない。
（２）特許権者の主張について
ア 特許権者は、意見書１１ページ２５～２９行において以下の主張をしている。
上述のように、シリコーンの伸び率と弾性率との間には、負の相関関係があるから、伸び率α１の調整と同様の方法で弾性率γ１を調整することができ、つまり、－６０℃における伸び率α１が２００％以上であり、かつ、α１／α２が０．６０以上となるようなシリコーンを得れば、過度な試行錯誤なく弾性率γ１を０．１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下とすることができる。
イ しかし、上記３（２）で検討したとおり、シリコーンの伸び率と弾性率との間には、負の相関関係があるとはいえないから、特許権者の上記主張は前提において誤っており、伸び率α１の調整と同様の方法で弾性率γ１を調整することができるとはいえないし、また、－６０℃における伸び率α１が２００％以上であり、かつ、α１／α２が０．６０以上となるようなシリコーンを得れば、過度な試行錯誤なく弾性率γ１を０．１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下とすることができるともいえない。
したがって、特許権者の上記主張は採用できない。
５ 本件発明４について
（１）本件発明４は、本件発明１～３のいずれかにおいて、さらに、「２５℃における前記接合層の弾性率γ２に対する－６０℃における前記接合層の弾性率γ１の比γ１／γ２は、０．６以上３０以下であること」を特定した発明であるところ、発明の詳細な説明には、上記「比γ１／γ２」をどのように調整するかについては何ら記載も示唆もされていない。
そうすると、上記３、４において本件発明２、３について検討したのと同様に、発明の詳細な説明は、
ア 事項１を備え、かつ、「２５℃における」「弾性率γ２に対する－６０℃における」「弾性率γ１の比γ１／γ２は、０．６以上３０以下である」（以下、「事項４」という。）「接合層」
イ 事項１及び事項２を備え、かつ、事項４を備える「接合層」
ウ 事項１及び事項３を備え、かつ、事項４を備える「接合層」
エ 事項１～事項３を備え、かつ、事項４を備える「接合層」
を製造できるように、具体的に記載されているとはいえない。
また、上記アの「接合層」、上記イの「接合層」、上記ウの「接合層」、及び、上記エの「接合層」を製造する方法が、本件特許の出願当時において技術常識であるとはいえない。
したがって、本件明細書の発明の詳細な説明は、本件発明４について、当業者が本件明細書の発明の詳細な説明の記載並びに本件特許の出願当時の技術常識に基づいて、その物を生産でき、かつ、使用できるように、具体的に記載されているとはいえない。
（２）特許権者の主張について
ア 特許権者は、意見書１２ページ５～１０行において以下の主張をしている。
上述のように、シリコーンの伸び率と弾性率との間には、負の相関関係があるから、伸び率α２の調整と同様の方法で弾性率γ２を調整することができ、つまり、－６０℃における伸び率α１が２００％以上であり、かつ、α１／α２が０．６０以上であり、かつ、－６０℃における弾性率γ１が０．１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下となるようなシリコーンを得れば、過度な試行錯誤なく比γ１／γ２を０．６以上３０以下とすることができる。
イ しかし、上記３（２）で検討したとおり、シリコーンの伸び率と弾性率との間には、負の相関関係があるとはいえないから、特許権者の上記主張は前提において誤っており、伸び率α２の調整と同様の方法で弾性率γ２を調整することができるとはいえないし、また、－６０℃における伸び率α１が２００％以上であり、かつ、α１／α２が０．６０以上であり、かつ、－６０℃における弾性率γ１が０．１ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下となるようなシリコーンを得れば、過度な試行錯誤なく比γ１／γ２を０．６以上３０以下とすることができるともいえない。
したがって、特許権者の上記主張は採用できない。
６ 本件発明５、６について
本件発明５、６は、本件発明２～４のいずれかを減縮した発明を含むから、上記３～５で検討した本件発明２～４と同様の理由により、本件明細書の発明の詳細な説明は、本件発明５、６について、当業者が本件明細書の発明の詳細な説明の記載並びに本件特許の出願当時の技術常識に基づいて、その物を生産でき、かつ、使用できるように、具体的に記載されているとはいえない。
７ 小括
以上のとおり、発明の詳細な説明の記載は、当業者が本件発明１を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものであるから、本件発明１についての取消理由１－１及び取消理由２－１には理由がない。
一方、発明の詳細な説明の記載は、当業者が本件発明２～６を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものでないから、本件発明２～６についての取消理由１－１及び取消理由２－１には理由がある。
第７ 取消理由１－２（サポート要件）について
１ 本件発明が解決しようとする課題
発明の詳細な説明の【０００６】の記載によれば、本件発明が解決しようとする課題は、「従来の静電チャックは、例えば－２０℃程度の低温の環境下では使用可能であるが、－６０℃以下の極低温の環境下では、セラミック誘電体基板とベースプレートとを接合する接合層の柔軟性が低下し、セラミック誘電体基板がベースプレートから剥離したり、例えば表面パターン、形状、厚さ等によってはセラミック誘電体基板が割れて破損したりするおそれがある」ことである（以下、「本件課題」という。）。
２ 本件発明１について
発明の詳細な説明には、上記第６１に摘記したとおりの記載があるところ、上記第６１（２）の【００２７】には、「静電チャック１１０は、セラミック誘電体基板１１と、ベースプレート５０と、接合層６０と、を備える」と記載されている。
また、上記６１（３）の【００３９】には、「本願明細書において、「極低温」とは、－６０℃以下の低温環境をいう」と記載され、同【００４０】には、「接合層６０は、シリコーンを含むことが好ましい。接合層６０が柔軟性に優れたシリコーンを含むことで、極低温の環境下において、接合層６０の柔軟性が維持されやすい。これにより、極低温の環境下における、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れをより確実に抑制できる。」と記載されている。
さらに、上記６１（４）の【００５３】には、「実施形態において、－６０℃における接合層６０の伸び率α１は、例えば、１２０％以上、好ましくは１７５％以上、より好ましくは２００％以上、さらに好ましくは２２０％以上、さらに好ましくは２４０％以上である。」と記載され、同【００５４】には、「伸び率α１が１２０％以上であれば、極低温の環境下において、接合層６０が十分な伸び率αを有しているため、接合層６０に十分な柔軟性を確保することができる。これにより、極低温の環境下において、セラミック誘電体基板１１にかかる応力を抑制し、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れを抑制できる。」と記載されている。
以上の記載によれば、セラミック誘電体基板１１と、ベースプレート５０と、接合層６０と、を備える静電チャック１１０において、接合層が、樹脂材料を含み、樹脂材料は、シリコーンを含み、－６０℃における前記接合層の伸び率α１は、２００％以上であれば、極低温、すなわち、－６０℃以下の低温環境下において、接合層６０が十分な伸び率αを有しているため、接合層６０に十分な柔軟性を確保することができ、これにより、極低温の環境下において、セラミック誘電体基板１１にかかる応力を抑制し、セラミック誘電体基板１１のベースプレート５０からの剥離や、セラミック誘電体基板１１の割れを抑制できるといえる。
そうすると、本件発明１は、発明の詳細な説明に記載された発明であり、発明の詳細な説明の記載により当業者が上記本件課題を解決できると認識できる範囲のものである。
３ 本件発明２～６について
本件発明２～６は、発明の詳細な説明の【００５７】、【００７０】、【００７６】、【００２８】、【００２９】に記載されているといえ、また、いずれも本件発明１を減縮した発明であるから、上記２で検討した本件発明１と同様の理由により、当業者が上記本件課題を解決できると認識できる範囲のものである。
４ 小括
以上のとおり、本件発明１～６は、発明の詳細に記載されているものである。
したがって、請求項１～６に係る特許についての取消理由１－２には理由がない。
第８ 申立理由１－１（新規性）について
１ 甲号証の記載、甲号証に記載された発明
（１）甲１（特開平４－２８７３４４号公報）
ア 本件特許出願の優先日前に公開された甲１には、以下の記載がある（なお、下線は当審が付加したものである。以下、同様である。）。
「【請求項１】セラミック製静電チャック部材とベース部材を、シリコーン樹脂で接合したことを特徴とする静電チャックの接合構造。」
「【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記有機性接着剤あるいはガラスを用いた接合構造では、－１００～２００℃の広い温度域で使用する場合、金属からなるベース部材とセラミック製静電チャック部材との熱膨張率の差が大きいことから、セラミック製静電チャック部材表面に歪、割れが生じるという問題点があった。そのため、例えばドライエッチング装置用のベース部材として一般的なアルミニウム等への接合は不可能であり、ベース部材として、セラミック製静電チャック部材に熱膨張率の極めて近い材料を使用しなければならないという不都合があった。
・・・
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで本発明は、セラミック製静電チャック部材をベース部材に固定する際に、有機溶剤で溶解したペースト状のシリコーン樹脂を用いて接合したものである。
【０００８】
【作用】本発明によれば、伸び率が大きく、耐熱性のあるシリコーン樹脂を用いてセラミック製静電チャック部材とベース部材とを接合することにより、両者の熱膨張差を緩和し、かつ平面度を高くできることから、静電チャックの精度、信頼性を高くでき、使用可能温度も広くなる。」
「【０００９】
【実施例】以下本発明の実施例を図によって説明する。図１、図２に本発明の静電チャックの接合構造を示す。静電チャック部材１は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ３）、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）などのセラミックスからなり、内部電極１ａを埋設したものである。そして、この静電チャック部材１を、アルミニウムなどの金属からなるベース部材２に載置し、両者の間にシリコーン樹脂からなる接合剤３を介在させて接合してある。
【００１０】そして、上記静電チャック部材１の内部電極１ａと、半導体ウェハＷとの間に電圧４を印加することによって、静電チャック部材１上に半導体ウェハＷを吸着させることができる（単極型）。また、図示していないが、静電チャック部材１中に複数の内部電極１ａを埋設しておいて、これらの内部電極間に電圧を印加することによって、半導体ウェハＷを吸着することもできる（双極型）。
・・・
【００１２】
【化１】
〔図省略〕
【００１３】
【化２】
〔図省略〕
【００１４】このような、シリコーン樹脂は耐熱性、弾性に優れているが、本発明では特に耐熱温度２００℃以上、伸び率８０％以上のシリコーン樹脂を用いる。ここで、伸び率とは、シリコーン樹脂のテストピースの両端より引っ張り荷重を加えた時の、破断するまでの伸び率のことである。このように、伸び率が大きいシリコーン樹脂を接合剤３として用いることにより、静電チャック部材１とベース部材２との熱膨張差を吸収しやすくなり、熱膨張差の大きい材質同士を接合することができる。
・・・
【００２３】ドライエッチング装置用静電チャックは使用温度－１００～１００℃の範囲で使用される。その加工プロセスにより、半導体ウェハが加熱される熱を外部へ逃がす必要があるため、静電チャック部材を固定するベース部材にはアルミニウムなどの高熱伝導性の金属を用いた。一方、静電チャック部材を構成するセラミックスとして、チタン酸カルシウム（ＣａＴｉＯ３）を用いた。このとき、セラミック製静電チャック部材の熱膨張率が１０．４×１０⁻⁶／℃に対して、ベース部材であるアルミニウムの熱膨張率は２３×１０⁻⁶／℃と差が大きいため、比較例では使用中にセラミックス部分に割れが発生した。これに対し本発明実施例では、シリコーン樹脂からなる接合剤が両者の熱膨張率の差を吸収するため、割れなどが発生することはなく、使用上問題はなかった。
【００２４】
【発明の効果】叙上のように本発明によれば、セラミック製静電チャック部材とベース部材をシリコーン樹脂を用いて接合したことによって、シリコーン樹脂は耐熱性に優れ、互いの熱膨張差を吸収できることから、熱膨張率に大きな差のあるベース部材とセラミック製静電チャック部材との接合が可能となり、また広い温度範囲で有効に使用することができる。そのため、特に－１００～１００℃の温度範囲で使用されるドライエッチング装置に、好適に使用できる静電チャックの接合構造を提供できる。」
「【００７４】
（評価）
この静電チャック装置の熱サイクル試験を行い、接着剤の剥離の有無について評価した。
熱サイクル試験の方法は次のとおりである。
温度調整用ベース部３の流路２１に２０℃の水を流しながら、温度調整用基材４の溝３２に－１００℃の液体窒素を流し、静電チャック部２を－１００℃にまで冷却し、静電チャック部２が－１００℃になった時点で液体窒素の導入を停止した。その後、静電チャック部２が２０℃になるまで放置し、静電チャック部２が２０℃になった時点で、再度、温度調整用ベース部３の流路２１に２０℃の水を流しながら、温度調整用基材４の溝３２に－１００℃の液体窒素を流し、静電チャック部２を－１００℃にまで冷却した。
この「－１００℃にまで冷却」及び「２０℃にまで放置」という熱サイクルを合計１０回繰り返し行った。
また、同時に、この熱サイクル中における静電チャック装置の裏面の結露の有無も確認した。」
イ 甲１に記載された発明
上記アの記載によれば、甲１には、以下の発明（以下、「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。
「セラミックスからなる静電チャック部材１を、金属からなるベース部材２に載置し、両者の間にシリコーン樹脂からなる接合剤３を介在させて接合してなる静電チャックの接合構造であって、
前記シリコーン樹脂は、耐熱温度２００℃以上、伸び率８０％以上であり、
使用温度－１００～１００℃の範囲で使用されるドライエッチング装置用静電チャック。」
（２）甲２（特開２０１２－１４２４１３号公報）
ア 本件特許出願の優先日前に公知となった甲２には、以下の記載がある。
「【請求項１】
一主面を板状試料を載置する載置面とするとともに静電吸着用内部電極を内蔵した静電チャック部と、この静電チャック部の他の主面側に設けられて前記静電チャック部を所望の温度に調整する温度調整用ベース部とを備え、
前記静電チャック部と前記温度調整用ベース部との間に温度調整用基材を設け、
この温度調整用基材に、冷却媒体を流動させる流路を形成してなることを特徴とする静電チャック装置。
・・・
【請求項５】
前記静電チャック部は、酸化アルミニウム－炭化ケイ素複合焼結体、酸化アルミニウム焼結体、窒化アルミニウム焼結体、酸化イットリウム焼結体のいずれか１つ以上からなり、前記温度調整用基材は、酸化アルミニウム焼結体、窒化アルミニウム焼結体、酸化イットリウム焼結体のいずれか１つからなることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項記載の静電チャック装置。」
「【００２４】
［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態の静電チャック装置を示す断面図であり、この静電チャック装置１は、円板状の静電チャック部２と、この静電チャック部２を所望の温度に調整する厚みのある円板状の温度調整用ベース部３と、静電チャック部２と温度調整用ベース部３との間に設けられた温度調整用基材４と、静電チャック部２と温度調整用基材４とを接着固定する低温対応有機系接着剤層５と、温度調整用ベース部３と温度調整用基材４とを接着固定する接着剤層６とにより主として構成されている。
【００２５】
静電チャック部２は、上面が半導体ウエハ等の板状試料Ｗを載置する載置面１１ａとされた載置板１１と、この載置板１１と一体化され該載置板１１を支持する支持板１２と、これら載置板１１と支持板１２との間に設けられた静電吸着用内部電極１３及び静電吸着用内部電極１３の周囲を絶縁する絶縁材層１４と、支持板１２を貫通するようにして設けられ静電吸着用内部電極１３に直流電圧を印加する給電用端子１５とにより構成されている。この載置板１１の載置面には多数の突起部１６が形成され、これらの突起部１６が板状試料Ｗを支える構成になっている。
【００２６】
これら載置板１１および支持板１２は、重ね合わせた面の形状を同じくする円板状のもので、酸化アルミニウム－炭化ケイ素（Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＣ）複合焼結体、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）焼結体、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）焼結体、酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）焼結体等の機械的な強度を有し、かつイオン注入プロセス等の半導体製造プロセスにおける耐久性を有する絶縁性のセラミックス焼結体からなるものである。載置板１１および支持板１２の材料としては、各々の機能が充分に発揮できるものであればよく、特には制限しないが、例えば、載置板１１を酸化アルミニウム－炭化ケイ素（Ａｌ２Ｏ３－ＳｉＣ）複合焼結体、支持板１２を酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）焼結体とした組み合わせ等が好適である。
・・・
【００３５】
この温度調整用ベース部３を構成する材料としては、熱伝導性、導電性、加工性に優れた金属、またはこれらの金属を含む複合材であれば特に制限はなく、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム合金、銅（Ｃｕ）、銅合金、ステンレス鋼（ＳＵＳ）等が好適に用いられる。この温度調整用ベース部３の少なくともイオン注入等の際の雰囲気に曝される面は、アルマイト処理が施されているか、あるいはアルミナ等の絶縁膜が成膜されていることが好ましい。
・・・
【００４２】
接着剤層６は、温度調整用基材４と温度調整用ベース部３とを接着固定する絶縁性を有するもので、耐熱温度が－１００℃以上かつ１２０℃以下の接着剤からなるものである。この接着剤層６の材質としては、上記の温度範囲で耐熱性を有するシリコーン系接着剤、ポリイミド系接着剤、エポキシ系接着剤等が好適であり、中でもシロキサン結合（Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ）を有する耐熱温度が－５０℃以上かつ１００℃以下のシリコーン系接着剤が好ましい。
【００４３】
このシリコーン系接着剤は、耐熱性、弾性に優れた接着剤であり、例えば、下記の式（１）または式（２）の化学式で表すことができる。
【００４４】
【化１】
〔図省略〕
但し、Ｒは、Ｈまたはアルキル基（ＣｎＨ２ｎ＋１－：ｎは整数）である。
【００４５】
【化２】
〔図省略〕
但し、Ｒは、Ｈまたはアルキル基（ＣｎＨ２ｎ＋１－：ｎは整数）である。
【００４６】
このようなシリコーン系接着剤としては、硬化後のヤング率が８ＭＰａ以下の接着剤が好ましい。ここで、硬化後のヤング率が８ＭＰａを超えると、接着剤層６に昇温、降温の熱サイクルが負荷された際に、温度調整用基材４と温度調整用ベース部３との熱膨張差を吸収することができず、接着剤層６の耐久性が低下するので、好ましくない。」
イ 甲２に記載された発明
上記アの記載によれば、甲２には、以下の発明（以下、「甲２発明」という。）が記載されていると認められる。
「円板状の静電チャック部２と、この静電チャック部２を所望の温度に調整する厚みのある円板状の温度調整用ベース部３と、静電チャック部２と温度調整用ベース部３との間に設けられた温度調整用基材４と、静電チャック部２と温度調整用基材４とを接着固定する低温対応有機系接着剤層５と、温度調整用ベース部３と温度調整用基材４とを接着固定する接着剤層６とにより主として構成されている静電チャック装置１であって、
前記静電チャック部２は、酸化アルミニウム－炭化ケイ素複合焼結体、酸化アルミニウム焼結体、窒化アルミニウム焼結体、酸化イットリウム焼結体のいずれか１つ以上からなり、
前記温度調整用ベース部３は、熱伝導性、導電性、加工性に優れた金属、またはこれらの金属を含む複合材からなり、
前記接着剤層６は、シロキサン結合（Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ）を有する耐熱温度が－５０℃以上かつ１００℃以下のシリコーン系接着剤からなり、
シリコーン系接着剤は、硬化後のヤング率が８ＭＰａ以下である静電チャック装置１。」
２ 甲１発明を主引用発明とする新規性について
（１）本件発明１について
ア 対比
本件発明１と甲１発明とを対比する。
（ア）甲１発明の「セラミックスからなる静電チャック部材１」は、本件発明１の「セラミック誘電体基板」に相当する。
（イ）甲１発明の「金属からなるベース部材２」は、「セラミックスからなる静電チャック部材１」を「載置」するものであり、「両者の間にシリコーン樹脂からなる接合剤３を介在させて接合して」いるから、「金属からなるベース部材２」は、「セラミックスからなる静電チャック部材１」を支持しているといえる。
したがって、甲１発明の「金属からなるベース部材２」は、本件発明１の「前記セラミック誘電体基板を支持する金属製のベースプレート」に相当する。
（ウ）甲１発明の「静電チャック部材１」と「ベース部材２」「の間に」「介在させて接合してある」「シリコーン樹脂からなる接合剤３」は、本件発明１の「前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられ、樹脂材料を含む接合層」に相当する。
また、甲１発明の「シリコーン樹脂」は、本件発明１の「シリコーンを含」む「樹脂材料」に相当する。
（エ）甲１発明の「ドライエッチング装置用静電チャック」は、本件発明１の「静電チャック」に相当する。
（オ）以上から、本件発明１と甲１発明との一致点と相違点は以下のとおりとなる。
＜一致点＞
「セラミック誘電体基板と、
前記セラミック誘電体基板を支持する金属製のベースプレートと、
前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられ、樹脂材料を含む接合層と、
を備え、
前記樹脂材料は、シリコーンを含む、静電チャック。」
＜相違点＞
相違点１：本件発明１は、「－６０℃における前記接合層の伸び率α１は、２００％以上である」であるのに対し、甲１発明は、そのような構成を有しているかどうか不明である点。
イ 相違点１についての判断
甲１発明の「ドライエッチング装置用静電チャック」は、「使用温度－１００～１００℃の範囲で使用される」ものであり、「シリコーン樹脂」は「伸び率８０％以上」であるものの、この「伸び率」が何℃におけるものであるのか、甲１には記載されていない。
また、甲１には、「シリコーン樹脂」の－６０℃における伸び率について、何ら記載も示唆もされていない。
そうすると、甲１発明において、－６０℃における「シリコーン樹脂」の伸び率α１は、２００％以上であるとはいえないから、相違点１は実質的な相違点である。
したがって、本件発明１は、甲１発明ではない。
（２）本件発明２～６について
本件発明２～６は、いずれも本件発明１の全ての発明特定事項を有するものであるから、上記（１）で検討した本件発明１と同様の理由により、甲１発明ではない。
３ 甲２発明を主引用発明とする新規性について
（１）本件発明１について
ア 対比
本件発明１と甲２発明とを対比する。
（ア）甲２発明の「酸化アルミニウム－炭化ケイ素複合焼結体、酸化アルミニウム焼結体、窒化アルミニウム焼結体、酸化イットリウム焼結体のいずれか１つ以上からな」る「円板状の静電チャック部２」は、本件発明１の「セラミック誘電体基板」に相当する。
（イ）甲２発明の「熱伝導性、導電性、加工性に優れた金属、またはこれらの金属を含む複合材からな」る「温度調整用ベース部３」は、「接着剤層６」によって「温度調整用基材４」と「接着固定」され、さらに、「温度調整用基材４」は、「低温対応有機系接着剤層５」によって「静電チャック部２」と「接着固定」されているから、「温度調整用ベース部３」は、「静電チャック部２」を支持しているといえる。
したがって、甲２発明の「熱伝導性、導電性、加工性に優れた金属、またはこれらの金属を含む複合材からな」る「温度調整用ベース部３」は、本件発明１の「前記セラミック誘電体基板を支持する金属製のベースプレート」に相当する。
（ウ）甲２発明の「シロキサン結合（Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ）を有する耐熱温度が－５０℃以上かつ１００℃以下のシリコーン系接着剤からなる」「接着剤層６」は、「円板状の静電チャック部２」と「温度調整用ベース部３」との間に設けられているから、本件発明１の「前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられ、樹脂材料を含む接合層」に相当する。
また、甲２発明の「シロキサン結合（Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ）を有する耐熱温度が－５０℃以上かつ１００℃以下のシリコーン系接着剤」は、本件発明１の「シリコーンを含」む「樹脂材料」に相当する。
（エ）甲２発明の「静電チャック装置１」は、本件発明１の「静電チャック」に相当する。
（オ）以上から、本件発明１と甲２発明との一致点と相違点は以下のとおりとなる。
＜一致点＞
「セラミック誘電体基板と、
前記セラミック誘電体基板を支持する金属製のベースプレートと、
前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられ、樹脂材料を含む接合層と、
を備え、
前記樹脂材料は、シリコーンを含む、静電チャック。」
＜相違点＞
相違点２：本件発明１は、「－６０℃における前記接合層の伸び率α１は、２００％以上である」のに対し、甲２発明は、そのような構成を有しているかどうか不明である点。
イ 相違点２についての判断
甲２発明の「接着剤層６」は、「シロキサン結合（Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ）を有する耐熱温度が－５０℃以上かつ１００℃以下のシリコーン系接着剤」からなるものであるものの、甲２には、「接着剤層６」の－６０℃における伸び率について、何ら記載も示唆もされていない。
そうすると、甲２発明において、－６０℃における「接着剤層６」の伸び率α１は、２００％以上であるとはいえないから、相違点２は実質的な相違点である。
したがって、本件発明１は、甲２発明ではない。
（２）本件発明２～６について
本件発明２～６は、いずれも本件発明１の全ての発明特定事項を有するものであるから、上記（１）で検討した本件発明１と同様の理由により、甲２発明ではない。
４ 小括
以上のとおり、本件発明１～６は、甲１発明又は甲２発明ではなく、特許法第２９条第１項第３号に該当しないから、請求項１～６に係る特許は、特許法第２９条第１項の規定に違反してされたものとはいえず、申立理由１－１には理由がない。
第９ 取消理由２－２（進歩性）について
１ 本件発明１について
（１）対比
本件発明１と甲１発明との一致点と相違点は、前記第８２（１）アで検討したとおりのものであり、また、本件発明１と甲２発明との一致点と相違点は、前記第８３（１）アで検討したとおりのものであり、以下に各相違点を再掲する。
相違点１：本件発明１は、「－６０℃における前記接合層の伸び率α１は、２００％以上である」であるのに対し、甲１発明は、そのような構成を有しているかどうか不明である点。
相違点２：本件発明１は、「－６０℃における前記接合層の伸び率α１は、２００％以上である」のに対し、甲２発明は、そのような構成を有しているかどうか不明である点。
（２）相違点についての判断
相違点１と相違点２とは同様の内容であるから、まとめて判断する。
前記第８２（１）イで検討したとおり、甲１発明において、－６０℃における「接合層３」の伸び率α１は、２００％以上であるとはいえない。
また、前記８３（１）イで検討したとおり、甲２発明において、－６０℃における「接着剤層６」の伸び率α１は、２００％以上であるとはいえない。
そして、本件特許出願の優先日前において、－６０℃における「接合層３」又は「接着剤層６」の伸び率α１が２００％以上であることが、技術常識であったともいえない。
そうすると、甲１発明に甲２発明及び技術常識を適用しても、相違点１に係る本件発明１の構成は得られないし、また、甲２発明に甲１発明及び技術常識を適用しても、相違点２に係る本件発明１の構成は得られない。
したがって、本件発明１は、甲１発明（主引用発明）、甲２発明及び技術常識に基づいて当業者が容易に想到し得たものとはいえないし、また、甲２発明（主引用発明）、甲１発明及び技術常識に基づいて当業者が容易に想到し得たものともいえない。
２ 本件発明２～６について
本件発明２～６は、いずれも本件発明１の全ての発明特定事項を有するものであるから、上記１で検討した本件発明１と同様に、甲１発明（主引用発明）、甲２発明及び技術常識に基づいて、当業者が容易に想到し得たものとはいえないし、また、甲２発明（主引用発明）、甲１発明及び技術常識に基づいて当業者が容易に想到し得たものともいえない。
３ 小括
以上のとおり、本件発明１～６は、甲１発明（主引用発明）、甲２発明及び技術常識に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものではなく、また、甲２発明（主引用発明）、甲１発明及び技術常識に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものでもないから、請求項１～６に係る特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してされたものとはいえず、取消理由２－２には理由がない。
第１０ 申立理由１－２及び申立理由２－１（拡大先願）
申立理由１－２と申立理由２－１の証拠は同じであるから、まとめて検討する。
１ 甲３明細書等（特願２０１８－１４８３７３号（特開２０２０－２３０８８号公報））
（１）本件特許出願の優先日前の特許出願であって、その出願後に出願公開された甲３明細書等には、以下の記載がある。
「【請求項１】
セラミックス部材と、前記セラミックス部材の熱膨張率と異なる熱膨張率を有するベース部材と、前記セラミックス部材と前記ベース部材との間に配置されて前記セラミックス部材と前記ベース部材とを接合する接着部材と、を備える複合部材において、
前記接着部材は、
－６０℃における貯蔵弾性率が、１００ＭＰａ以下であり、
－６０℃におけるせん断接着歪みが、１００％以上であり、かつ、
－６０℃における伸び率が、４０％以上である、
ことを特徴とする複合部材。」
「【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、－６０℃程度の低温下で、半導体の製造工程の内の一部の工程が行われることがある。このような場合には、静電チャックにも低温下でも良好な物性を維持することが要求される。例えば、静電チャックのセラミックス部材を構成するセラミックスとベース部材を構成する材料（例えば、金属）とは、熱膨張差が大きい。このため、セラミックス部材とベース部材とを接着する接着部材には、接着性のみならず、この熱膨張差を緩和するために低温下でも柔軟性を維持することが要求される。」
「【課題を解決するための手段】
・・・
【００１０】
本複合部材では、接着部材の－６０℃における貯蔵弾性率が１００ＭＰａ以下である。このように、本複合部材では、接着部材が－６０℃においても良好な柔軟性を有している。このため、本複合部材を－６０℃程度の低温下で使用した際に、セラミックス部材とベース部材との熱膨張率差により生じる熱応力を、接着部材が変形することにより、緩和することができる。従って、本複合部材では、本複合部材に応力がかかった際に、接着部材が、セラミックス部材と接着部材との界面や、ベース部材と接着部材との界面から剥がれ、または、接着部材自体が破断することを抑制することができる。また、本複合部材では、接着部材が－６０℃においても良好な柔軟性を有しているため、セラミックス部材に反り等が生じることにより、セラミックス部材の平面度が低下することを抑制することができる。例えば、本複合部材を、ウェハ等の対象物を保持する静電チャック等の保持装置として用いた場合、静電チャックにおいても、セラミックス部材やベース部材からの接着部材の剥がれや接着部材自体の破断、セラミックス部材の反りを抑制することができる。このため、対象物の温度分布の制御性を向上させつつ、セラミックス部材の平面度の低下を抑制することができる。」
「【発明を実施するための形態】
【００２６】
Ａ．実施形態：
Ａ－１．静電チャック１００の構成：
・・・
【００２７】
静電チャック１００は、対象物（例えばウェハＷ）を静電引力により吸着して保持する装置であり、例えば半導体製造装置の真空チャンバー内でウェハＷを固定するために使用される。静電チャック１００は、所定の配列方向（本実施形態では上下方向（Ｚ軸方向））に並べて配置されたセラミックス部材１０およびベース部材２０を備える。セラミックス部材１０とベース部材２０とは、セラミックス部材１０の下面Ｓ２（図２参照）とベース部材２０の上面Ｓ３とが上記配列方向に対向するように配置される。静電チャック１００は、さらに、セラミックス部材１０の下面Ｓ２とベース部材２０の上面Ｓ３との間に配置された接着部材３０を備える。静電チャック１００は、特許請求の範囲における複合部材に相当する。
・・・
【００２９】
セラミックス部材１０の形成材料としては、種々のセラミックスが用いられ得るが、強度や耐摩耗性、耐プラズマ性等の観点から、例えば、酸化アルミニウム（アルミナ、Ａｌ２Ｏ３）または窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を主成分とするセラミックスが用いられることが好ましい。なお、ここでいう主成分とは、含有割合（重量割合）の最も多い成分を意味する。
・・・
【００３２】
ベース部材２０は、例えばセラミックス部材１０と同径の、または、セラミックス部材１０より径が大きい略円形平面の板状部材である。ベース部材２０の直径は、例えば２２０ｍｍ～５５０ｍｍ程度（通常は２２０ｍｍ～３５０ｍｍ程度）であり、ベース部材２０の厚さは、例えば２０ｍｍ～４０ｍｍ程度である。ベース部材２０は、セラミックス部材１０の熱膨張率と異なる熱膨張率を有しており、例えば、金属や種々の複合材料により形成されている。金属としては、Ａｌ（アルミニウム）やＴｉ（チタン）、または、それらの合金が用いられることが好ましい。複合材料としては、炭化ケイ素（ＳｉＣ）を主成分とする多孔質セラミックスに、アルミニウムを主成分とするアルミニウム合金を溶融して加圧浸透させた複合材料が用いられることが好ましい。複合材料に含まれるアルミニウム合金は、Ｓｉ（ケイ素）やＭｇ（マグネシウム）を含んでいてもよいし、性質等に影響の無い範囲でその他の元素を含んでいてもよい。
・・・
【００４０】
Ａ－２－２．接着部材３０の組成：次に、接着部材３０の組成について説明する。
【００４１】
本実施形態において、接着部材３０は、ポリオルガノシロキサン（以下、「シリコーン樹脂」ともいう）を含む接着剤組成物（以下、「シリコーン樹脂組成物」ともいう）である。このポリオルガノシロキサンは、両末端にＲ¹３ＳｉＯ１／２単位（以下、「Ｍ単位」ともいう）と、ｍ個のＲ²２ＳｉＯ２／２単位（以下、「第１のＤ単位」ともいう）と、ｎ個のＲ³Ｒ⁴ＳｉＯ２／２単位（以下、「第２のＤ単位」ともいう）とを含んでいる（ここで、ｍは１以上の整数であり、ｎは１以上の整数である）。このようなポリオルガノシロキサンは、下記一般式（１）で表される。
（Ｒ¹３ＳｉＯ１／２）２（Ｒ²２ＳｉＯ２／２）ｍ（Ｒ³Ｒ⁴ＳｉＯ２／２）ｎ・・・一般式（１）
（Ｒ¹およびＲ²は互いに独立に炭素数１～１２の非置換または置換の脂肪族炭化水素基であり、Ｒ³は炭素数１～１２の非置換もしくは置換の脂肪族炭化水素基、または、炭素数６～１０の非置換もしくは置換の芳香族炭化水素基であり、Ｒ⁴は炭素数６～１０の非置換もしくは置換の芳香族炭化水素基であり、かつ、上記ポリオルガノシロキサンはケイ素原子（Ｓｉ原子）に直接結合するアルケニル基を１分子中に少なくとも２個含んでいる。）また、接着剤組成物の柔軟性を高める観点から、ポリオルガノシロキサン構造中に、ＲＳｉＯ３／２単位（Ｔ単位）およびＳｉＯ４／２単位（Ｑ単位）を含まないことが好ましい。」
「【００９０】
Ａ－４－３．評価結果：
・・・
【００９２】
図４には、サンプルＳ１、Ｓ３について、－６０℃～２００℃での伸び率、引張弾性率、引張強度、せん断接着強度、せん断接着歪み、貯蔵弾性率の測定結果が示されている。サンプルＳ１では、－６０℃での伸び率は１１３％と、４０％以上の値であり、－６０℃でのせん断接着歪みは２１７％と、１００％以上の値であった一方、－６０℃での貯蔵弾性率は２０×１０²ＭＰａと、１００ＭＰａを大きく超える値であった。これに対して、サンプルＳ３では、－６０℃での伸び率は１５２％と、４０％以上の値であり、－６０℃でのせん断接着歪みは２８４％と、１００％以上の値であり、かつ、－６０℃での貯蔵弾性率も２．８ＭＰａと、１００ＭＰａ以下の値であった。このように、サンプルＳ３では、特に、－６０℃での貯蔵弾性率の値が、２５℃での貯蔵弾性率の値と比較して、大きく上昇することはなかった。これは、接着剤組成物に含まれるポリオルガノシロキサンが、フェニル基を５．０ｍｏｌ％含んでいるためと考えられた。」
「【図４】
〔図省略〕
」
（２）甲３明細書等に記載された発明
上記（１）の【請求項１】、【００２７】、【００３２】、【００４０】及び【図４】のサンプルNo.Ｓ３によれば、甲３明細書等には、以下の発明（以下、「先願甲３発明」という。）が記載されていると認められる。
「セラミックス部材と、前記セラミックス部材の熱膨張率と異なる熱膨張率を有する金属からなるベース部材と、前記セラミックス部材と前記ベース部材との間に配置されて前記セラミックス部材と前記ベース部材とを接合する接着部材と、を備える複合部材において、
前記接着部材は、シリコーン樹脂を含む接着剤組成物であり、－６０℃における貯蔵弾性率が２．８ＭＰａであり、－６０℃におけるせん断接着歪みが２８４％であり、かつ、－６０℃における伸び率が１５２％であり、２５℃における伸び率が２１６％である静電チャック。」
２ 本件発明１について
（１）対比
本件発明１と先願甲３発明とを対比する。
ア 先願甲３発明の「セラミックス部材」は、本件発明１の「セラミック誘電体基板」に相当する。
イ 先願甲３発明の「金属からなるベース部材」は、「接着部材」によって「セラミックス部材」と「接合」されているから、「セラミックス部材」を支持しているといえる。
したがって、先願甲３発明の「金属からなるベース部材」は、本件発明１の「前記セラミック誘電体基板を支持する金属製のベースプレート」に相当する。
ウ 先願甲３発明の「シリコーン樹脂を含む接着剤組成物」は、本件発明１の「シリコーンを含」む「樹脂材料」に相当する。
また、先願甲３発明の「前記セラミックス部材と前記ベース部材との間に配置され」、「シリコーン樹脂を含む接着剤組成物」である「接着部材」は、本件発明１の「前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられ、樹脂材料を含む接合層」に相当する。
エ 先願甲３発明の「静電チャック」は、本件発明１の「静電チャック」に相当する。
オ 以上から、本件発明１と先願甲３発明との一致点と相違点は以下のとおりとなる。
＜一致点＞
「セラミック誘電体基板と、
前記セラミック誘電体基板を支持する金属製のベースプレートと、
前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられ、樹脂材料を含む接合層と、
を備え、
前記樹脂材料は、シリコーンを含む、静電チャック。」
＜相違点＞
相違点３：本件発明１は、「－６０℃における前記接合層の伸び率α１は、２００％以上である」のに対し、先願甲３発明は、「－６０℃における伸び率が１５２％」である点。
（２）相違点３についての判断
先願甲３発明において、相違点３に係る本件発明１の構成が、課題解決のための具体化手段における微差（周知技術、慣用技術の付加、削除、転換等であって、新たな効果を奏するものではないもの）である場合、本件発明１は先願甲３発明と実質同一であるといえる。
そこで検討するに、先願甲３発明の技術分野、すなわち、「静電チャック」の技術分野において、－６０℃における「接着部材」の伸び率α１を－２００％以上とすることが、本件特許出願の優先日前において周知技術又は慣用技術であることを立証する証拠はない。
したがって、先願甲３発明において、相違点３に係る本件発明１の構成は、課題解決のための具体化手段における微差（周知技術、慣用技術の付加、削除、転換等であって、新たな効果を奏するものではないもの）であるとはいえない。
よって、本件発明１は先願甲３発明と実質同一ではない。
３ 本件発明２～６について
本件発明２～６は、いずれも本件発明１の全ての発明特定事項を有するものであるから、上記２で検討した本件発明１と同様の理由により、先願甲３発明と実質同一ではない。
４ 小括
以上のとおり、本件発明１～６は、先願甲３発明と実質同一ではないから、請求項１～６に係る特許は、特許法第２９条の２の規定に違反してされたものであるとはいえず、申立理由１－２及び申立理由２－１には理由がない。
第１１ むすび
以上のとおりであるから、請求項２～６に係る特許は、特許法第１１３条第４号に該当し、取り消されるべきものである。
一方、取消理由通知に記載した取消理由及び特許異議申立書に記載した特許異議申立理由によっては、請求項１に係る特許を取り消すことはできない。
また、他に請求項１に係る特許を取り消すべき理由を発見しない。
よって、結論のとおり決定する。
令和６年１月５日
審判長 特許庁審判官 恩田 春香
特許庁審判官 河本 充雄
特許庁審判官 棚田 一也
（行政事件訴訟法第４６条に基づく教示） この決定に対する訴えは、この決定の謄本の送達があった日から３０日（附加期間がある場合は、その日数を附加します。）以内に、特許庁長官を被告として、提起することができます。
出典：特許庁「審決公報」（令和6年5月31日発行・号数2024-005、公報発行サイト https://www.gazette.jpo.go.jp/scciidl010 ）を加工して作成（加工：TaiLexi AI）
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