審判番号 不服2023-002390
請求人 グッドリッチ コーポレイション（代理人 弁理士2名）
特願２０１７－２１６１７３「レーザを用いるガラス部材の表面仕上げ」拒絶査定不服審判事件〔平成３０年７月５日出願公開、特開２０１８－１０４２６８〕について、次のとおり審決する。
結 論
本件審判の請求は、成り立たない。
理 由
第１ 手続の経緯
本願は、平成２９年１１月９日（パリ条約による優先権主張２０１６年１１月１０日（ＵＳ）アメリカ合衆国）の出願であって、出願後の手続の経緯は、概略、以下のとおりである。
令和３年２月２４日付け 拒絶理由通知
同年９月２日 意見書、手続補正書の提出
令和４年１年４日付け 拒絶理由通知（最後）
同年７月１１日 意見書、手続補正書の提出
同年９月２８日付け 令和４年７月１１日付けの手続補正書でした 手続補正についての補正の却下の決定、拒絶 査定
令和５年２月１３日 審判請求書、手続補正書の提出
令和６年２年２６日付け 令和５年２月１３日付けの手続補正書でした 手続補正についての補正の却下の決定、拒絶 理由通知（最後）、
同年８月２７日 意見書、手続補正書の提出
第２ 令和６年８月２７日付けの手続補正についての補正の却下の決定
１ 補正の却下の決定の結論
令和６年８月２７日付けの手続補正を却下する。
２ 理由
（１）補正の内容
令和６年８月２７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲について補正をするものであって、本件補正前後の特許請求の範囲のうち、請求項１の記載は、次のとおりである。
ア 本件補正後の特許請求の範囲の請求項１の記載
本件補正により、特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおり補正された（下線部は、補正箇所である。）。
「 第１の基板表面とその反対側の第２の基板表面とを備えたガラス基板であって、複数の突起が前記第２の基板表面から延在するとともに、１つ以上の気泡が前記第１の基板表面に存在するガラス基板を提供し、
前記第１の基板表面にレーザを直接照射して、前記ガラス基板の表面を滑らかにし、かつ前記第１の基板表面から前記１つ以上の気泡を除去する、
ことを備え、
前記レーザを直接照射することが、
前記１つ以上の気泡を含む前記第１の基板表面の少なくとも一部を溶融するように、前記第１の基板表面をレーザパルシング照射し、
前記ガラス基板の光学的形状および特性が変化しないようにするために、前記レーザパルシング照射中に前記レーザパルシングの周波数を変えることを含む、方法。」
イ 本件補正前の特許請求の範囲の請求項１の記載
本件補正前の、令和３年９月２日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載は、次のとおりである。
「 第１の基板表面とその反対側の第２の基板表面とを備えたガラス基板であって、複数の突起が前記第２の基板表面から延在するガラス基板を提供し、
前記第１の基板表面にレーザを直接照射して、前記ガラス基板の表面を滑らかにすることであって、
前記第１の基板表面の少なくとも一部を溶融し、
前記第１の基板表面の少なくとも一部を除去することにより、前記ガラス基板の表面を滑らかにすることを含む方法。」
（２）本件補正の適否
ア 補正事項
上記（１）によれば、本件補正は、本件補正前の請求項１の発明特定事項である「レーザを直接照射」することについて、「レーザパルシング照射」することに限定したうえで、「前記ガラス基板の光学的形状および特性が変化しないようにするために、前記レーザパルシング照射中に前記レーザパルシングの周波数を変えることを含む」との事項を追加する補正（以下、「補正事項」という。）を含むものである。
イ 新規事項の追加の有無について
（ア）願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、これらを「当初明細書等」という。）に記載の事項について
上記補正事項に関して、当初明細書等には、以下の記載がある。
ａ「【請求項９】
レーザを当てることは、前記ガラス基板の光学的形状または特性を変えることなく行うことを含む、請求項１に記載の方法。
・・・
【請求項１２】
レーザを当てることは、前記レーザをパルシングすることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
レーザを当てることは、前記レーザパルシングの周波数を変えることを含む、請求項１２に記載の方法。」
ｂ「【０００７】
レーザを当てることは、ガラス基板の光学的形状または特性を変えることなく、行うことを包含することができる。特定の実施形態では、レーザを当てることは、ガラス基板の表面を溶融することを包含することができる。レーザを当てることは、レーザをパルシングすることを包含することができる。特定の実施形態では、レーザを当てることは、レーザパルシングの周波数を変えることを包含することができる。レーザを当てることは、その表面の欠陥または汚染物を除去及び／または蒸発させることを包含することができる。この方法は、表面の窪みを充填することを包含することができる。特定の実施形態では、レーザを当てることは、その表面から気泡を除去することを包含することができる。
・・・
【００１８】
レーザを当てることは、ガラス基板の光学形状または特性を変えることなく、行うことを包含することができる。特定の実施形態では、レーザを当てることは、ガラス基板の表面を溶融することを包含することができる。レーザを当てることは、レーザをパルシングすることを包含することができる。特定の実施形態では、レーザを当てることは、レーザパルシングの周波数を変えることを包含することができる。レーザを当てることは、その表面の欠陥または汚染物を除去及び／または蒸発させることを包含することができる。この方法は、表面の窪みを充填することを包含することができる。特定の実施形態では、レーザを当てることは、その表面から気泡を除去することを包含することができる。」
（イ）判断
ａ 「ガラス基板の光学的形状および特性が変化しないようにするために」、「レーザパルシングの周波数を変える」ことについて
上記（ア）ａによれば、当初明細書等には、「レーザを当てること」が、「ガラス基板の光学的形状または特性を変えることなく行うこと」（請求項９）、「レーザをパルシングすること」（請求項１２）、及び「レーザパルシングの周波数を変えること」（請求項１３）を含むことは記載されている。しかしながら、請求項９と請求項１２は、それぞれ請求項１を引用する請求項であり、請求項１３は、請求項１２を引用する、すなわち間接的に請求項１を引用する請求項であるから、請求項９の「ガラス基板の光学的形状または特性を変えることなく行うこと」と、請求項１２の「レーザをパルシングすること」及び請求項１３の「レーザパルシングの周波数を変えること」との関係が記載されているとはいえない。そうすると、「ガラス基板の光学的形状および特性が変化しないようにするために」、「レーザパルシングの周波数を変える」ことを上記記載から理解することはできない。
また、上記（ア）ｂによれば、当初明細書等には、「レーザを当てること」が、「ガラス基板の光学形状または特性を変えることなく、行う」こと、「レーザをパルシングする」こと、及び「レーザパルシングの周波数を変えること」を包含することができることは記載されている。しかしながら、「ガラス基板の光学形状または特性を変えることなく、行う」ことと、「レーザパルシングの周波数を変えること」との関係については記載も示唆もされていないから、「ガラス基板の光学的形状および特性が変化しないようにするために」、「レーザパルシングの周波数を変える」ことを上記記載から理解することはできない。
そして、当初明細書等のその他の記載を参酌しても、「ガラス基板の光学的形状および特性が変化しないようにするために」、「レーザパルシングの周波数を変える」ことは記載されておらず、当初明細書等の記載から自明の事項であるともいえない。
したがって、「ガラス基板の光学的形状および特性が変化しないようにするために」、「レーザパルシングの周波数を変える」ことは、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものである。
ｂ 「レーザパルシング照射中に前記レーザパルシングの周波数を変えること」について
上記（ア）ａ、ｂによれば、当初明細書等には、「レーザパルシングの周波数を変えること」は記載されているが、レーザパルシングの周波数を変えるタイミングについては記載も示唆もされていないから、「レーザパルシング照射中に」、レーザパルシングの周波数を変えることを上記記載から理解することはできない。
また、当初明細書等のその他の記載を参酌しても、「レーザパルシング照射中に」、レーザパルシングの周波数を変えることが記載されておらず、当初明細書等の記載から自明の事項であるともいえない。
したがって、「レーザパルシング照射中に前記レーザパルシングの周波数を変えること」は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものである。
ｃ 請求人の主張について
令和６年８月２７日に提出された意見書において、請求人は「今回同時に提出する手続補正書において、令和３年９月２日付けの手続補正書により補正された請求項９，１１～１３の発明特定事項を、同日付け手続補正書により補正された請求項１に加えて限定しました。」旨、主張する。
しかしながら、上記補正事項が当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものとはいえないことは上記ａ、ｂで説示したとおりであるから、請求人の上記主張は、採用することができない。
ウ 小括
以上のとおりであるから、上記補正事項、及び当該補正事項を含む本件補正は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものといえない。
（３）まとめ
以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものではないから、同法第１５９条第１項により読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
よって、上記補正の却下の決定の結論のとおり決定する。
第３ 本願発明
上記のとおり本件補正は却下されたので、本願の請求項１～１３に係る発明は、令和３年９月２日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１～１３に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記第２の２（１）イに記載のとおりのものである。
第４ 当審の拒絶理由
平成６年２月２６日付けで当審が通知した拒絶理由のうちの一つは、本願発明は、その出願の優先日前に日本国内又は外国において、頒布された又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった下記の引用文献１に記載された発明及び引用文献９、１３～１７に記載された技術的事項に基づいて、その出願の優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有するものが容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
引用文献１：国際公開第２０１０／０２９８３６号
引用文献９：特開平６－１６４４０号公報
引用文献１３：特表２０１３－５４５２７２号公報
引用文献１４：特開２００４－２９３１４号公報
引用文献１５：特開２００１－３０１７１号公報
引用文献１６：特開２００３－７６５５号公報
引用文献１７：特開平２－８６１２８号公報
第５ 当審の判断
当審は、本願発明は、依然として上記の理由により特許をすることができないものであるから、本願は拒絶されるべきものである、と判断する。
詳細は以下のとおりである。
１ 引用文献、引用発明
（１）引用文献１
ア 引用文献１には、次の事項が記載されている。（文中の下線は当審で付与した。以下同じ。）
「 請求の範囲
［請求項１］ ＴｉＯ2を含有し、ＳｉＯ2を主成分とする石英ガラス材料製のＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用光学部材の凹欠点を有する光学面に対して、水蒸気分圧３．６ｍｍＨｇ以下の雰囲気中で、ＥＵＶＬ用光学部材の吸収係数が０．０１μｍ⁻¹以上である波長で発振するレーザをフルエンス０．３～１．５Ｊ／ｃｍ²で照射することを特徴とする、ＥＵＶＬ用光学部材の光学面を平滑化する方法。
・・・
［請求項７］ レーザ照射前後の光学部材の平坦度の変化量を３００ｎｍ以下とする、請求項１～６のいずれかに記載のＥＵＶＬ用光学部材の光学面を平滑化する方法。
・・・
［請求項９］ 前記レーザが波長２５０ｎｍ以下のエキシマレーザ、または、炭酸ガスレーザである、請求項１～８のいずれかに記載のＥＵＶＬ用光学部材の光学面を平滑化する方法。
［請求項１０］ 前記レーザのパルス幅が１００μｓｅｃ以下である、請求項１～９のいずれかに記載のＥＵＶＬ用光学部材の光学面を平滑化する方法。
［請求項１１］ 各照射部位におけるショット数が１０以上となるように、前記光学面に前記レーザを照射する、請求項１～１０のいずれかに記載のＥＵＶＬ用光学部材の光学面を平滑化する方法。
・・・
［請求項１９］ 請求項１～１３のいずれかに記載の方法によりＥＵＶＬ用光学部材の光学面を平滑化し、光学面上に反射多層膜を形成して得られる、ＥＵＶＬ用ミラー。」
「[0004] ＥＵＶＬに用いられる反射光学系としては、例えば、反射型マスク（以下、本明細書において、「ＥＵＶＬ用マスク」という。）や、集光光学系ミラー、照明光学系ミラー、投影光学系ミラー等のミラー（以下、本明細書において、「ＥＵＶＬ用ミラー」という。）が挙げられる。
[0005] ＥＵＶＬ用マスクの製造に用いられるＥＵＶＬ用マスクブランクは、（１）ＥＵＶＬ用光学部材（例えば、ガラス基板）、（２）ＥＵＶＬ用光学部材の光学面に形成された反射多層膜、（３）反射多層膜上に形成された吸収体層、から基本的に構成される。一方、ＥＵＶＬ用ミラーは、（１）ＥＵＶＬ用光学部材（例えば、ガラス基板）、（２）ＥＵＶＬ用光学部材の光学面に形成された反射多層膜から基本的に構成される。
[0006] ＥＵＶＬ用光学部材としては、ＥＵＶ光照射下においても歪みが生じないよう低熱膨張係数を有する材料が必要とされ、低熱膨張係数を有するガラスまたは低熱膨張係数を有する結晶化ガラスの使用が検討されている。以下、本明細書において、低熱膨張係数を有するガラスおよび低熱膨張係数を有する結晶化ガラスを総称して、「低膨張ガラス」または「超低膨張ガラス」という。
[0007] このような低膨張ガラスおよび超低膨張ガラスとしては、ガラスの熱膨張係数を下げるためにドーパントが添加された石英ガラスが最も広く使用されている。なお、ガラスの熱膨張係数を下げる目的で添加するドーパントは、代表的にはＴｉＯ2である。ドーパントとしてＴｉＯ2が添加された石英ガラスの具体例としては、例えば、ＵＬＥ（登録商標）コード７９７２（コーニング社製）、旭硝子株式会社製品番ＡＺ６０２５などが挙げられる。」
「[0033] 本発明の平滑化方法が対象とするＥＵＶＬ用光学部材は、ＳｉＯ2を主成分とする石英ガラス材料製であり、熱膨張係数を下げるためのドーパントとしてＴｉＯ2が添加されている。
[0034] 石英ガラス材料におけるＴｉＯ2濃度は、石英ガラス材料の熱膨張係数をＥＵＶＬ用光学部材として使用するのに十分低くすることができる限り特に限定されないが、３～１０質量％であることが好ましい。ＴｉＯ2濃度が上記範囲であれば、石英ガラス材料の熱膨張係数が十分低くなり、具体的には、２０℃における熱膨張係数が０±３０ｐｐｂ／℃の低膨張ガラス、好ましくは、２０℃における熱膨張係数が０±１０ｐｐｂ／℃の超低膨張ガラスとなる。ＴｉＯ2濃度は５～９質量％がより好ましく、６～８質量％がさらに好ましい。
[0035] 石英ガラス材料には、熱膨張係数を下げるためのドーパントとして、ＴｉＯ2以外のドーパントが添加されていてもよい。このようなドーパントしては、例えば、ＳｎＯ2が挙げられる。ドーパントとしてＳｎＯ2を添加する場合、石英ガラス材料におけるＳｎＯ2濃度は、石英ガラス材料の熱膨張係数をＥＵＶＬ用光学部材として使用するのに十分低くすることができる限り特に限定されないが、０．１～１０質量％であることが好ましい。ドーパントとしてＳｎＯ2を添加する場合、ＳｎＯ2濃度は、０．３質量％以上であることがより好ましく、０．５質量％以上であることがさらに好ましい。また、ＳｎＯ2濃度は、５質量％以下であることがより好ましく、３質量％以下であることがさらに好ましい。」
「[0046] 本発明の平滑化方法において、凹欠点を有する光学面に対して、水蒸気分圧３．６ｍｍＨｇ以下の雰囲気中で、ＥＵＶＬ用光学部材の吸収係数が０．０１μｍ⁻¹以上となる波長域で発振するレーザをフルエンス０．３～１．５Ｊ／ｃｍ²で光学面に照射することにより加熱された凹欠点の周囲の石英ガラスがリフローして凹欠点が埋まることによって光学面が平滑化されるものと推測する。」
「[0049] また、凹欠点周囲の石英ガラスのリフローという点では、レーザが照射された光学面を含む表層の仮想温度が、１５５０℃以上となることが好ましく、１６５０℃以上となることがより好ましく、１７００℃以上となることがさらに好ましく、１７５０℃以上となることが特に好ましい。」
「[0057] 本発明の平滑化方法では、ＥＵＶＬ用光学部材に使用する材料に対する吸収係数が０．０１μｍ⁻¹以上の波長で発振するレーザを用いる。ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）、Ｆ2エキシマレーザ（波長１５７ｎｍ）といった波長２５０ｎｍ以下のエキシマレーザは、ドーパントとしてＴｉＯ2が添加された石英ガラス材料（３～１０ｗｔ％）に対する吸収係数が０．０１μｍ⁻¹以上と高く、しかも高強度であることから、本発明の平滑化方法に用いるレーザとして好適である。また、炭酸ガスレーザ（波長１０．６μｍ）もＥＵＶＬ用光学部材に対する吸収係数が高く、高強度であることから、本発明の平滑化方法に持いるレーザとして好適である。更に、波長２５０ｎｍ以下のエキシマレーザは、通常パルス幅１００ｎｓｅｃ以下のパルスレーザであるため、照射部位における熱拡散距離が短く、光学面を含む表層のみが加熱され、光学部材の内部まで加熱されないため、応力による基板の平坦度の悪化や変形、複屈折等の問題が非常に少ない点でも好ましい。
[0058] 本発明の平滑化方法では、レーザをフルエンス０．３～１．５Ｊ／ｃｍ²で照射する。レーザのフルエンスが０．３Ｊ／ｃｍ²未満だと、光学面を含む表層が十分加熱されず、凹欠点の周囲のガラスがリフローせず光学面を平滑化することができない。一方、レーザのフルエンスが１．５Ｊ／ｃｍ²超だと光学面の表面粗さが顕著に悪化する、光学部材に許容不可能な平坦度の悪化が生じる等の問題が生じる。なお、以下の理由からレーザのフルエンスを０．７～１．５Ｊ／ｃｍ²とすることがより好ましい。」
イ 上記記載から、引用文献１には、引用文献１の請求項１、９、１０、１１を引用する請求項１９に係る発明である、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「ＴｉＯ2を含有し、ＳｉＯ2を主成分とする石英ガラス材料製のＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用光学部材の凹欠点を有する光学面に対して、水蒸気分圧３．６ｍｍＨｇ以下の雰囲気中で、ＥＵＶＬ用光学部材の吸収係数が０．０１μｍ⁻¹以上である波長で発振するレーザをフルエンス０．３～１．５Ｊ／ｃｍ²で照射して、ＥＵＶＬ用光学部材の光学面を平滑化し、光学面上に反射多層膜を形成してＥＵＶＬ用ミラーを得る方法であって、
前記レーザが波長２５０ｎｍ以下のエキシマレーザであり、
前記レーザのパルス幅が１００μｓｅｃ以下であり、
各照射部位におけるショット数が１０以上となるように、前記光学面に前記レーザを照射する、
ＥＵＶＬ用ミラーを得る方法。」
（２）引用文献９
引用文献９には、次の事項が記載されている。
「【請求項１】透明板表面に形成された凹状欠陥部分にＡｒＦエキシマレーザビームを照射して、該欠陥部分を平滑化する透明板表面の欠陥修正方法。」
「【００１０】エキシマレーザは、紫外領域のレーザビームを発生することが可能であり、そのレーザビームによって被加工物の原子の間の結合を断ち切ることにより熱発生を伴わずに被加工物の表面を加工することができる。ガラスなどの透明材料を加工する場合には、レーザビームの波長によってはガラスを透過して原子間結合を断ち切れないため、レーザビームがその材料表面で吸収される波長を選択する必要がある。エキシマレーザの波長は使用するガスの種類により発振波長が異なるが、図３に示すように、ＡｒＦエキシマレーザを用いて平坦なガラス板表面２２を切削加工すると、削られた加工部の底面２１はほぼ平らになり、透光性は損なわれない。」
「【００１３】欠陥修正時には、ガラスが削られると微量の飛散物が生じるが、研磨粉を用いて研磨する場合に比較すると大幅に減少する。飛散物が加工部に付着することを防ぐには、レーザビーム照射部以外をマスキングすればよい。」
（３）引用文献１３
引用文献１３には、次の事項が記載されている。
「【請求項３２】
マイクロリソグラフィ投影露光装置のミラーのミラー温度測定及び／又は熱作動の方法であって、前記ミラー（１０１、３０１、４０１、７０１、８０１、９０１）は、光学有効面（１０１ａ、３０１ａ、４０１ａ、７０１ａ、８０１ａ、９０１ａ）と、前記ミラーのうち前記光学有効面に相当しない面から該有効面の方向に延びる少なくとも１つのアクセス通路（１１０、３１０、４１０、７１０、７１１、７１２、８１０、８１１、８１２、９１０、９１０’）とを有し、前記ミラー（１０１、３０１、４０１、７０１、８０１、９０１）のミラー温度測定及び／又は熱作動を、前記アクセス通路（１１０、３１０、４１０、７１０、７１１、７１２、８１０、８１１、８１２、９１０、９１０’）に沿って伝播する電磁放射線により行い、該電磁放射線を前記アクセス通路（１１０、３１０、４１０、７１０、７１１、７１２、８１０、８１１、８１２、９１０）内で複数回反射させる方法。
・・・
【請求項３５】
マイクロリソグラフィ投影露光装置のミラーの熱処理の方法であって、該ミラー（９０１）は、光学有効面（９０１ａ）と、前記ミラーのうち前記光学有効面に相当しない面から該有効面の方向に延びる少なくとも１つのアクセス通路（９１１、９１２、９１３）とを有し、前記ミラー（９０１）の熱処理は、該ミラー（９０１）の前記光学有効面（９０１ａ）の加熱の結果として生じる電磁放射線を前記アクセス通路（９１１、９１２、９１３）に沿ってリザーバ（９４０）へ伝播させて該リザーバ（９４０）から放散させる、前記光学有効面（９０１ａ）の受動冷却を含む方法。」
「【０００４】
適当な半透明屈折材料が利用可能でないので、ミラーをＥＵＶ領域、すなわち例えば約１３ｎｍ又は約７ｎｍの波長用に設計した投影対物系での結像プロセスのための光学コンポーネントとして用いる。実際に生じる問題は、ＥＵＶ光源が放出した放射線の吸収の結果として、ＥＵＶミラーに温度上昇が生じ、それに関連して熱膨張又は変形が生じ、その膨張又は変形がさらに光学系の結像特性の悪化をもたらし得ることである。これらの影響を評価し、場合によってはこれらを補償できるように、そのミラー温度上昇の程度をできる限り正確に判定し、場合によっては熱作動の意味でそれを制御する必要がある。」
「【００３１】
一実施形態では、少なくとも１つのアクセス通路は、円筒形の幾何学的形状とは異なる幾何学的形状を有し得る。かかる幾何学的形状は、例えば円錐形の幾何学的形状であり得る。しかしながら、本開示はこれに限定されないので、例えば各アクセス通路の直径の段階的変化等の他の幾何学的形状も可能である。かかる幾何学的形状は、例えば、円筒形の幾何学的形状のアクセス通路を用いる場合よりも例えば円錐形のアクセス通路を用いる場合に、ミラーの、例えばファセットミラーの所与の（縁部）領域において所望の効果をより良好に達成できる場合に有利であり得る。」
「【００７９】
図７は、最初に、図１及び図３におけるアクセス通路１１０及び３１０と同様にミラーの裏側からミラー７０１の光学有効面７０１ａに向かう方向にそれぞれ延びる複数のアクセス通路７１０、７１１、７１２、…を有する、ミラー７００の概略図を示す。ミラーの光学有効面７０１ａの領域における反射層を、図７（及び図８）では斜線で示し、誇張した縮尺で概略的にしか示さない。」
「【図７】
〔図省略〕
」
（４）引用文献１４
引用文献１４には、次の事項が記載されている。
「【請求項１】
光学素子の光の入射・出射しない面に沿って近接配置された、該光学素子から熱輻射を受ける受熱板と、
該受熱板を冷却する冷却手段と、
を具備することを特徴とする光学素子冷却装置。
【請求項２】
前記光学素子がミラーであり、該ミラーの反射面以外の部分に沿って前記受熱板が配置されていることを特徴とする請求項１記載の光学素子冷却装置。
・・・
【請求項５】
前記光学素子の前記受熱板側の面に、輻射率を高める加工がなされていることを特徴とする請求項１又は２記載の光学素子冷却装置。
・・・
【請求項７】
前記輻射率を高める加工が、熱輻射面積を広げるための面粗し加工、凹凸加工であることを特徴とする請求項４又は５記載の光学素子冷却装置。
・・・
【請求項１２】
極端紫外線を反射するミラー及び／又は反射マスクを有する露光装置であって、
前記ミラー及び／又は反射マスクの反射面以外の部分に沿って、該ミラー及び／又は反射マスクから熱輻射を受ける受熱板が近接配置されていることを特徴とする露光装置。」
「【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
前述の反射鏡は、入射したＥＵＶ光の一部を吸収することによって加熱される。ここで、図８に示すような光学系鏡筒を真空雰囲気中で使用する場合には、加熱された反射鏡の放熱性が悪いため、反射鏡が熱変形するおそれがある。そこで、冷却機構を光学素子（反射鏡）に接触させて冷却する方法が考えられる。しかしながら、この方法では接触により光学素子に力が加わり変形してしまうおそれがあり、その結果、光学素子の高精度な形状が維持できない可能性がある。
【０００９】
本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、光学素子を冷却して温度上昇を抑制し、光学素子の変形や位置変化を抑制することのできる光学素子保持機構等を提供することを目的とする。」
「【００３９】
（３）図４（Ｂ）に示すように、ミラー１裏面と受熱板３表面（各々の対向面）にそれぞれ突起１Ｘ、３Ｘを形成し、各突起１Ｘ、３Ｘが互い違いに入り込むように配置する。この場合も、受熱板３はミラー１に近接配置し、各突起１Ｘ、３Ｘ同士は接触しないようにする。このような突起１Ｘ、３Ｘにより実質的な表面積を増やすことができる。なお、（２）と（３）を併合して用いると、さらに効果的である。」
「【図４】
〔図省略〕
」
（５）引用文献１５
引用文献１５には、次の事項が記載されている。
「【請求項１】表面に微細な凹凸のある物品において、該微細な凹凸を衝突エネルギーで除去し、該表面を平滑にすることを特徴とする表面平滑方法。
【請求項２】前記衝突エネルギー源が、レーザであることを特徴とする請求項１記載の表面平滑方法。」
「【００２２】本発明による方法では、物品の表面を研削等することによって生じた微細な凹凸を無理な力を加えずに、レーザ光線のような衝突エネルギーを用い、鏡面化もしくは平滑化する事が可能となる。物品としては、金属、ガラス、セラミック、プラスチックなどがあげられる。」
「【００２６】レーザ装置としては、エキシマ、炭酸ガス、ヘリウムネオン等を使用するガスレーザ装置、液体レーザ装置、ＹＡＧやルビー等を使用した固体レーザ装置、半導体レーザ装置等があげられる。
【００２７】レーザのエネルギーが物品に吸収される時の熱エネルギーによる物品表面の熱溶解が起こり、表面の微細な凹凸が除去され、平滑化できる。また、一部のレーザでは、物品表面に吸収されたエネルギーが、化学的結合を切断し、分解除去すること(アブレーションという)によって物品表面の微細な凹凸を平滑にすることができる。表面の微細な凹凸の平滑化は、レンズ素材の違いや表面加熱もしくはアブレーションの程度で決定付けられる。表面加熱もしくはアブレーションの程度は、照射領域のエネルギーのレベルや照射時間、集光した光線の焦点の合い具合によって制御される。」
（６）引用文献１６
引用文献１６には、次の事項が記載されている。
「【００１５】作業物６の表面に残留している有機粒子及び層を精密に取り除くために、スイッチングミラー１２をオフ状態にして、基本波長を有する第２レーザービーム１６を周波数ハーモニック発生手段１３に通過させる。基本波長（１０６４ｎｍ）を有する第２レーザービーム１６が周波数ハーモニック発生手段１３によって半波長（５３２ｎｍ）レーザービーム、１／３波長（略３５５ｎｍ）レーザービーム或いは１／４波長（２６６ｎｍ）レーザービームのような短波長レーザービーム１４に変調されて、このような短波長レーザービーム１４が反射ミラー９を使用して作業物６の表面に直接照射されることにより、作業物６の表面に付着されている有機物質のような表面汚染物質５を効果的に取り除くことができるようにする。」
「【００４０】本発明による装置は、半導体製造工程中の基板ウェハーの乾式表面クリーニング工程、ＬＣＤ、ＴＦＴ、ＰＤＰ、ＯＬＥＤ、ＥＬＤのような平板ディスプレー製造工程中の表面洗浄工程、微小電子部品、磁器部品、精密加工レンズなどの製造工程中の表面洗浄工程に使用されることができる。」
（７）引用文献１７
引用文献１７には、次の事項が記載されている。
「（従来技術および発明が解決しようとする課題）
表面汚染物としては、大きさがサブミクロンから目視で見える粒状物までの範囲にあるばら状の物質である。このような汚染物は微細塵埃粒子、または炭素又は酸素などの元素よりなる望ましくない分子であることがある。汚染物はしばしば、弱い共有結合、静電力、ファンデルワールス力、水素結合、クーロン力、または双極子－双極子相互作用によって表面に付着し、汚染物の除去が困難になる。
或る場合、表面汚染物の存在により、汚染基質は基質の所定の目的でそれほど効力的ではなくなり、あるいは作用できなくなる。例えば、或る正確な科学測定装置では、これらの装置における光学レンズまたはミラーが微細な表面汚染物で被覆されると、精度が悪くなる。同様に、半導体では、小さい分子汚染物による表面欠陥はしばしば半導体マスクまたはチップを価値のないものにしてしまう。石英半導体マスクの表面分子欠陥の数を少量でも減らすことにより、半導体チップの製造収率を非常に向上させる。同様に、回路層をシリコンウェーハに蒸着する前、あるいは層の蒸着間に炭素又は酸素のような分子表面汚染物をシリコンウェーハの表面から除去することにより、製造されたコンピュータチップの品質を著しく向上させる。」（第３ページ右上欄第８行～同ページ左下欄第１３行）
２ 対比・判断
（１）対比
ア 本願発明と引用発明とを対比する。
（ア）引用発明の「ＴｉＯ2を含有し、ＳｉＯ2を主成分とする石英ガラス材料製のＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用光学部材」は、本願発明の「第１の基板表面とその反対側の第２の基板表面とを備えたガラス基板」に相当する。
（イ）引用発明の「ＥＵＶＬ用光学部材の光学面」は、本願発明の「第１の基板表面」に相当する。したがって、引用発明の「前記光学面に前記レーザを照射」して、「ＥＵＶＬ用光学部材の光学面を平滑化」することは、本願発明の「前記第１の基板表面にレーザを直接照射して、前記ガラス基板の表面を滑らかにすること」に相当する。
イ そうすると、本願発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおり
である。
【一致点】
「第１の基板表面とその反対側の第２の基板表面とを備えたガラス基板を提供し、
前記第１の基板表面にレーザを直接照射して、前記ガラス基板の表面を滑らかにする方法。」
【相違点】
・相違点１
本願発明のガラス基板が、「複数の突起が前記第２の基板表面から延在する」ものであるのに対して、引用発明は、当該構成が特定されていない点。
・相違点２
本願発明の、第１の基板表面にレーザを直接照射して、前記ガラス基板の表面を滑らかにすることが、「前記第１の基板表面の少なくとも一部を溶融し、前記第１の基板表面の少なくとも一部を除去することにより」なされるのに対して、引用発明は、当該構成が特定されていない点。
（２）判断
・相違点１について
上記１（３）のとおり、引用文献１３には、ミラーをＥＵＶ領域の波長用に設計した投影対物系での結像プロセスのための光学コンポーネントとして用いる場合に、ＥＵＶ光源が放出した放射線の吸収の結果として、ＥＵＶミラーに温度上昇が生じ、それに関連して熱膨張又は変形が生じ、その膨張又は変形が光学系の結像特性の悪化をもたらすので、これらの影響を評価し、場合によってはこれらを補償できるように、そのミラー温度上昇の程度をできる限り正確に判定し、場合によっては熱作動の意味でそれを制御する必要があるという問題が生じることが記載されている。
そして、引用文献１３には、マイクロリソグラフィ投影露光装置のミラーを、光学有効面に相当しない面から有効面の方向に延びる少なくとも１つのアクセス通路を有する構造を備えるものとすることで、前記アクセス通路に沿って伝播する電磁放射線により、マイクロリソグラフィ投影露光装置のミラーの温度の測定を行い、及び／又は、該ミラーの前記光学有効面の加熱の結果として生じる電磁放射線を前記アクセス通路に沿ってリザーバへ伝播させて該リザーバから放散させることで、前記光学有効面を受動冷却させて、前記問題を解決することが記載されている。
さらに、上記１（４）のとおり、引用文献１４には、反射鏡は、入射したＥＵＶ光の一部を吸収することによって加熱され、真空雰囲気中で使用する場合には、加熱された反射鏡の放熱性が悪いため、反射鏡が熱変形するおそれがあるので、光学素子を冷却して温度上昇を抑制し、光学素子の変形や位置変化を抑制することが課題となっていることが記載されている。
そして、引用文献１４には、当該課題を、極端紫外線を反射するミラーの光の入射・出射しない面に沿って、該光学素子からの熱輻射を受ける受熱板を近接配置し、さらに当該受熱板を冷却する冷却手段を設けるとともに、前記ミラーの受熱板側の面に、輻射率を高めるための凹凸加工をなすことで解決することが記載されている。
ここで、引用文献１３の、光学有効面に相当しない面から有効面の方向に延びる少なくとも１つのアクセス通路を有する構造、及び、引用文献１４の、ミラーの受熱板側の面に加工された輻射率を高めるための凹凸は、いずれも、本願発明の「第２の基板表面から延在する」「複数の突起」に相当する構造といえる。
してみれば、引用文献１３、１４の前記記載から、引用発明の「ＥＵＶＬ用ミラー」における、使用時の熱変形による光学系の結像特性の悪化を予測し、当該光学系の結像特性の悪化を抑制するために、引用発明に、引用文献１３、１４に記載される技術を適用して、ガラス基板を、「複数の突起が前記第２の基板表面から延在する」ものすること、すなわち、相違点１について、本願発明の構成とすることは当業者が容易に想到し得たことである。
・相違点２について
ア 「第１の基板表面の少なくとも一部を溶融し」について
上記１（１）のとおり、引用文献１の[0046]には、「本発明の平滑化方法において、凹欠点を有する光学面に対して、水蒸気分圧３．６ｍｍＨｇ以下の雰囲気中で、ＥＵＶＬ用光学部材の吸収係数が０．０１μｍ⁻¹以上となる波長域で発振するレーザをフルエンス０．３～１．５Ｊ／ｃｍ²で光学面に照射することにより加熱された凹欠点の周囲の石英ガラスがリフローして凹欠点が埋まることによって光学面が平滑化されるものと推測」されることが、また、[0049]には、「凹欠点周囲の石英ガラスのリフローという点では、レーザが照射された光学面を含む表層の仮想温度が、１５５０℃以上となることが好ましく、１６５０℃以上となることがより好ましく、１７００℃以上となることがさらに好ましく、１７５０℃以上となることが特に好ましい」ことが、さらに、[0058]には、「レーザのフルエンスが０．３Ｊ／ｃｍ²未満だと、光学面を含む表層が十分加熱されず、凹欠点の周囲のガラスがリフローせず光学面を平滑化することができない」ことが記載されている。
また、上記１（５）のとおり、引用文献１５の【００２７】には、「レーザのエネルギーが物品に吸収される時の熱エネルギーによる物品表面の熱溶解が起こり、表面の微細な凹凸が除去され、平滑化できる」ことが記載されている。
これらの記載を踏まえると、引用発明の「石英ガラス材料製のＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用光学部材の凹欠点を有する光学面に対して、水蒸気分圧３．６ｍｍＨｇ以下の雰囲気中で、ＥＵＶＬ用光学部材の吸収係数が０．０１μｍ⁻¹以上である波長で発振するレーザをフルエンス０．３～１．５Ｊ／ｃｍ²で照射して、ＥＵＶＬ用光学部材の光学面を平滑化」する工程は、加熱された凹欠点の周囲の石英ガラスのリフローを含むものであって、十分な加熱が必要とされる当該リフローは、溶融を伴うものと認められるから、引用発明は、「第１の基板表面の少なくとも一部を溶融し」という操作を伴うものと理解される。
イ 「第１の基板表面の少なくとも一部を除去する」について
引用発明の「ＴｉＯ2を含有し、ＳｉＯ2を主成分とする石英ガラス材料製のＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用光学部材」は、ＳｉＯ2を主成分とする石英ガラスであって、ＴｉＯ2を含有し、引用文献１の[0035]によれば、ＴｉＯ2以外のＳｎＯ2等のドーパントが添加されていてもよいものである。
また、引用発明のＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用光学部材は、引用発明に係る平滑化の処理に先立って行われる他の工程、及び、当該他の工程と平滑化の処理の工程との間における保管及び移送の工程を経たものであり、当該他の工程及び保管及び移送の工程で前記光学部材の表面に汚染物が付着することは普通であるから、光学部材の表面は、その一部として、汚染物を含むものといえる。
そして、上記１（７）のとおり、引用文献１７に、「表面汚染物としては、大きさがサブミクロンから目視で見える粒状物までの範囲にあるばら状の物質である。このような汚染物は微細塵埃粒子、または炭素又は酸素などの元素よりなる望ましくない分子であることがある。汚染物はしばしば、弱い共有結合、静電力、ファンデルワールス力、水素結合、クーロン力、または双極子－双極子相互作用によって表面に付着」と記載されていることを踏まえれば、光学部材の表面の前記汚染物は、弱い共有結合、静電力、ファンデルワールス力、水素結合、クーロン力、又は双極子－双極子相互作用によって表面に付着していることが理解される。
他方、引用発明の「レーザが波長２５０ｎｍ以下のエキシマレーザであり、前記レーザのパルス幅が１００μｓｅｃ以下であり、各照射部位におけるショット数が１０以上となるように、前記光学面に」「フルエンス０．３～１．５Ｊ／ｃｍ²で照射」するレーザは、引用文献１の[0057]によれば、「ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）」等である。
そして、上記１（２）のとおり、引用文献９の【００１０】に、「エキシマレーザは、紫外領域のレーザビームを発生することが可能であり、そのレーザビームによって被加工物の原子の間の結合を断ち切ることにより熱発生を伴わずに被加工物の表面を加工することができる」ことが、また、【００１３】に、「欠陥修正時には、ガラスが削られると微量の飛散物が生じる」ことが記載されており、さらに、上記１（５）のとおり、引用文献１５の【００２７】に、「一部のレーザでは、物品表面に吸収されたエネルギーが、化学的結合を切断し、分解除去すること(アブレーションという)によって物品表面の微細な凹凸を平滑にすることができる」と記載されていることを踏まえれば、引用発明の「レーザが波長２５０ｎｍ以下のエキシマレーザ」は、ＳｉＯ2を主成分として、ＴｉＯ2を含有し、ＳｎＯ2等のドーパントが添加されていてもよい石英ガラスを構成する原子の間の結合を断ち切り、ガラスを削り、微量の飛散物を生じさせるといえるから、石英ガラスの一部を除去、すなわち、基板表面の少なくとも一部を除去するものといえる。
さらに、エキシマレーザは、上記のとおり、被加工物の原子の間の結合を断ち切るものであって、上記１（６）のとおり、引用文献１６の【００１５】に、「１／４波長（２６６ｎｍ）レーザービームのような短波長レーザービーム１４に変調されて、このような短波長レーザービーム１４が反射ミラー９を使用して作業物６の表面に直接照射されることにより、作業物６の表面に付着されている有機物質のような表面汚染物質５を効果的に取り除くことができる」と記載されていることも踏まえれば、引用発明のエキシマレーザによる照射が、光学部材の表面の一部となっている表面汚染物と前記石英ガラスとの間の、「弱い共有結合、静電力、ファンデルワールス力、水素結合、クーロン力、または双極子－双極子相互作用」等の結合を断ち切り、光学部材の表面の一部となっている汚染物を、前記光学部材の表面から除去することも理解される。
すなわち、引用発明は、「第１の基板表面の少なくとも一部を除去する」という操作をも伴うものと理解される。
ウ 上記ア及びイのとおりであるから、引用発明の平滑化は、「前記第１の基板表面の少なくとも一部を溶融し、前記第１の基板表面の少なくとも一部を除去することにより」なされるものと認められる。
したがって、上記相違点２は、実質的なものではない。
（３）請求人の主張について
請求人は、令和６年８月２７日提出の意見書において、「本願発明は、「前記１つ以上の気泡を含む前記第１の基板表面の少なくとも一部を溶融するように、前記第１の基板表面をレーザパルシング照射」することと、「前記ガラス基板の光学的形状および特性が変化しないようにするために、前記レーザパルシング照射中に前記レーザパルシングの周波数を変える」ことによって、第１の基板表面から気泡を除去することを特徴としていますが、引用文献１，２，６，９および１３～１７は、いずれもこの特徴について一切開示も示唆もしておりません。」として、本件補正後の請求項１に係る発明が、進歩性を有する旨主張している。
しかしながら、上記第２のとおり、本件補正は却下されたから、当該主張は採用できない。
また、請求人は、本件補正前の請求項１に係る発明、すなわち本願発明に対して当審が通知した拒絶理由については何ら言及していない。
よって、請求人の上記意見書による主張は採用できない。
（４）まとめ
したがって、本願発明は、引用発明と、引用文献９、１３～１７に記載された技術的事項から当業者が容易に発明をすることができたものである。
第６ むすび
以上のとおり、本願発明、すなわち、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は、拒絶されるべきものである。
よって、結論のとおり審決する。
令和６年１１月２６日
審判長 特許庁審判官 宮澤 尚之
特許庁審判官 小野 久子
特許庁審判官 後藤 政博
（行政事件訴訟法第４６条に基づく教示） この審決に対する訴えは、この審決の謄本の送達があった日から３０日（附加期間がある場合は、その日数を附加します。）以内に、特許庁長官を被告として、提起することができます。
審判長 宮澤 尚之
出訴期間として在外者に対し９０日を附加する。
出典：特許庁「審決公報」（令和7年5月30日発行・号数2025-005、公報発行サイト https://www.gazette.jpo.go.jp/scciidl010 ）を加工して作成（加工：TaiLexi AI）
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