審判番号 不服2024-003465
請求人 オーティーアイ ルミオニクス インコーポレーテッド（代理人 弁理士4名、弁護士1名）
特願２０２１－５２３５１５「光透過領域を含むオプトエレクトロニクスデバイス」拒絶査定不服審判事件〔令和２年５月２８日国際公開、ＷＯ２０２０／１０５０１５、令和４年１月１９日国内公表、特表２０２２－５０８０４０〕について、次のとおり審決する。
結 論
本件審判の請求は、成り立たない。
理 由
第１ 手続の経緯
特願２０２１－５２３５１５号（以下「本件出願」という。）は、２０１９年（令和元年）１１月２３日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１８年（平成３０年）１１月２３日 米国２０１９年（平成３１年）４月２５日 米国２０１９年（令和元年）６月１７日 米国）を国際出願日とする出願であって、その手続等の経緯の概要は、以下のとおりである。
令和４年１１月２１日 ：手続補正書の提出
令和５年３月１４日付け：拒絶理由通知書
令和５年８月１６日 ：意見書及び手続補正書の提出
令和５年１０月２７日付け：拒絶査定
令和６年２月２８日 ：審判請求書の提出
令和６年２月２８日 ：手続補正書の提出
令和６年９月２４日付け：拒絶理由通知書
令和６年１２月２５日 ：意見書及び手続補正書の提出
第２ 本願発明の認定
本件出願の請求項に係る発明は、令和６年１２月２５日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１～３２に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「エレクトロルミネセントデバイスであって、
第１の領域、第２の領域、および前記第１の領域と前記第２の領域との間に配置された中間領域と、
前記第２の領域に配設された導電性コーティングと、
前記第１の領域に配設された核生成抑制コーティングであって、前記核生成抑制コーティングが、前記中間領域の少なくとも一部分を被覆するように延在する、核生成抑制コーティングと、を備え、
前記中間領域が、前記第２の領域に配設された前記導電性コーティングの平均厚さよりも小さい平均厚さを有する導電性コーティングを備え、
前記中間領域における前記核生成抑制コーティングの平均厚さが、前記第１の領域における前記核生成抑制コーティングの平均厚さよりも薄く、
前記核生成抑制コーティングは、前記第１の領域において前記核生成抑制コーティングが堆積させられた層の露出表面上の前記導電性コーティングの材料の堆積に対する初期付着確率よりも小さい、前記第１の領域における前記核生成抑制コーティングの露出表面上の前記導電性コーティングの材料の堆積に対する初期付着確率を有し、これにより、前記第１の領域における前記導電性コーティングによる前記核生成抑制コーティングの表面の被覆率が、１０％以下であるように特徴付けられ、
前記導電性コーティングは、前記中間領域において第１の光反射率を有し、前記第２の領域において第２の光反射率を有し、前記第２の光反射率は、前記第１の光反射率よりも大きく、
前記核生成抑制コーティングは、前記核生成抑制コーティングを通して下層表面の一部を露出するように前記中間領域における不連続コーティングとして提供されており、前記導電性コーティングは、前記中間領域における不連続コーティングとして提供されており 、かつ、前記核生成抑制コーティングを通して露出されている前記下層表面の前記一部を被覆する、エレクトロルミネセントデバイス。」
第３ 拒絶の理由
令和６年９月２４日付けで当合議体が通知した拒絶理由は、概略、本件出願の請求項１～３２に係る発明は、本件出願の最先の優先権主張の日（以下「本件優先日」という。）前に日本国内又は外国において下記の電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基づいて、本件優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（以下「当業者」という。）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
記
引用文献１：国際公開第２０１８／１９８０５２号
第４ 引用文献１の記載事項及び引用発明の認定
１ 引用文献１の記載事項
当合議体が拒絶の理由で引用した、本件優先日前に日本国内又は外国において電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった国際公開第２０１８／１９８０５２号（以下、同じく「引用文献１」という。）には、以下の記載がある。なお、下線は、当合議体が付与し引用発明の認定等に用いた。また、訳は、引用文献１の国内公表公報である特表２０２０－５１８１０７号公報を参考に当合議体が仮訳した。
（１）「TECHNICAL FIELD
[0002] The following generally relates to a method for depositing an electrically conductive material on a surface. Specifically, the method relates to selective deposition of the electrically conductive material on a surface for forming an electrically conductive structure of a device.
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DETAILED DESCRIPTION
[0081] It will be appreciated that for simplicity and clarity of illustration, where considered appropriate, reference numerals may be repeated among the figures to indicate corresponding or analogous components. In addition, numerous specific details are set forth in order to provide a thorough understanding of example embodiments described herein. However, it will be understood by those of ordinary skill in the art that the example embodiments described herein may be practiced without some of those specific details. In other instances, certain methods, procedures and components have not been described in detail so as not to obscure the example embodiments described herein.
[0082] In one aspect according to some embodiments, a method for depositing an electrically conductive coating on a surface is provided. In some embodiments, the method is performed in the context of a manufacturing method of an opto-electronic device. In some embodiments, the method is performed in the context of a manufacturing method of another device. In some embodiments, the method includes depositing a nucleation inhibiting coating on a first region of a substrate to produce a patterned substrate. The patterned substrate includes the first region covered by the nucleation inhibiting coating, and a second region of the substrate that is exposed from, or is substantially free of or is substantially uncovered by, the nucleation inhibiting coating. The method also includes treating the patterned substrate to deposit the conductive coating on the second region of the substrate. In some embodiments, a material of the conductive coating includes magnesium. In some embodiments, treating the patterned substrate includes treating both the nucleation inhibiting coating and the second region of the substrate to deposit the conductive coating on the second region of the substrate, while the nucleation inhibiting coating remains exposed from, or is substantially free of or is substantially uncovered by, the conductive coating. In some embodiments, treating the patterned substrate includes performing evaporation or sublimation of a source material used to form the conductive coating, and exposing both the nucleation inhibiting coating and the second region of the substrate to the evaporated source material.
[0083] As used herein, the term "nucleation inhibiting" is used to refer to a coating or a layer of a material having a surface which exhibits a relatively low affinity towards deposition of an electrically conductive material, such that the deposition of the conductive material on the surface is inhibited, while the term "nucleation promoting" is used to refer to a coating or a layer of a material having a surface which exhibits a relatively high affinity towards deposition of an electrically conductive material, such that the deposition of the conductive material on the surface is facilitated. One measure of nucleation inhibiting or nucleation promoting property of a surface is an initial sticking probability of the surface for an electrically conductive material, such as magnesium. For example, a nucleation inhibiting coating with respect to magnesium can refer to a coating having a surface which exhibits a relatively low initial sticking probability for magnesium vapor, such that deposition of magnesium on the surface is inhibited, while a nucleation promoting coating with respect to magnesium can refer to a coating having a surface which exhibits a relatively high initial sticking probability for magnesium vapor, such that deposition of magnesium on the surface is facilitated. As used herein, the terms "sticking probability" and "sticking coefficient" may be used interchangeably. Another measure of nucleation inhibiting or nucleation promoting property of a surface is an initial deposition rate of an electrically conductive material, such as magnesium, on the surface relative to an initial deposition rate of the conductive material on another (reference) surface, where both surfaces are subjected or exposed to an evaporation flux of the conductive material.
[0084] As used herein, the terms "evaporation" and "sublimation" are interchangeably used to generally refer to deposition processes in which a source material is converted into a vapor (e.g., by heating) to be deposited onto a target surface in, for example, a solid state.
[0085] As used herein, a surface (or a certain area of the surface) which is
"substantially free of" or "is substantially uncovered by" a material refers to a substantial absence of the material on the surface (or the certain area of the surface). Specifically regarding an electrically conductive coating, one measure of an amount of an electrically conductive material on a surface is a light transmittance, since electrically conductive materials, such as metals including magnesium, attenuate and/or absorb light. Accordingly, a surface can be deemed to be substantially free of an electrically conductive material if the light transmittance is greater than 90%, greater than 92%, greater than 95%, or greater than 98% in the visible portion of the electromagnetic spectrum. Another measure of an amount of a material on a surface is a percentage coverage of the surface by the material, such as where the surface can be deemed to be substantially free of the material if the percentage coverage by the material is no greater than 10%, no greater than 8%, no greater than 5%, no greater than 3%, or no greater than 1 %. Surface coverage can be assessed using imaging techniques, such as using transmission electron microscopy, atomic force microscopy, or scanning electron microscopy.
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[00111] FIG. 6 illustrates an electroluminescent (EL) device 600 according to one embodiment. The EL device 600 may be, for example, an OLED device or an electroluminescent quantum dot device. In one embodiment, the device 600 is an OLED device including a base substrate 616, an anode 614, organic layers 630, and a cathode 602. In the illustrated embodiment, the organic layers 630 include a hole injection layer 612, a hole transport layer 610, an electroluminescent layer 608, an electron transport layer 606, and an electron injection layer 604.
[00112] The hole injection layer 612 may be formed using a hole injection material which generally facilitates the injection of holes by the anode 614. The hole transport layer 610 may be formed using a hole transport material, which is generally a material that exhibits high hole mobility.
[00113] The electroluminescent layer 608 may be formed, for example, by doping a host material with an emitter material. The emitter material may be a fluorescent emitter, a phosphorescent emitter, or a TADF emitter, for example. A plurality of emitter materials may also be doped into the host material to form the electroluminescent layer 608.
[00114] The electron transport layer 606 may be formed using an electron transport material which generally exhibits high electron mobility. The electron injection layer 604 may be formed using an electron injection material, which generally acts to facilitate the injection of electrons by the cathode 602.
[00115] It will be understood that the structure of the device 600 may be varied by omitting or combining one or more layers. Specifically, one or more of the hole injection layer 612, the hole transport layer 610, the electron transport layer 606, and the electron injection layer 604 may be omitted from the device structure. One or more additional layers may also be present in the device structure. Such additional layers include, for example, a hole blocking layer, an electron blocking layer, and additional charge transport and/or injection layers. Each layer may further include any number of sub-layers, and each layer and/or sub-layer may include various mixtures and composition gradients. It will also be appreciated that the device 600 may include one or more layers containing inorganic and/or organo-metallic materials, and is not limited to devices composed solely of organic materials. For example, the device 600 may include quantum dots.
[00116] The device 600 may be connected to a power source 620 for supplying current to the device 600.
[00117] In another embodiment where the device 600 is an EL quantum dot device, the EL layer 608 generally includes quantum dots, which emit light when current is supplied.
[00118] FIG. 7 is a flow diagram outlining stages of fabricating an OLED device according to one embodiment. In 704, organic layers are deposited on a target surface. For example, the target surface may be a surface of an anode that has been deposited on top of a base substrate, which may include, for example, glass, polymer, and/or metal foil. As discussed above, the organic layers may include, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, an electroluminescence layer, an electron transport layer, and an electron injection layer. A nucleation inhibiting coating is then deposited on top of the organic layers in stage 706 using a selective deposition or patterning process. In stage 708, a nucleation promoting coating is selectively deposited on the nucleation inhibiting coating to produce a patterned surface. For example, the nucleation promoting coating and the nucleation inhibiting coating may be selectively deposited by evaporation using a mask, micro-contact transfer printing process, photolithography, printing (including ink or vapor jet printing and reel-to-reel printing), OVPD, or LITI patterning. A conductive coating is then deposited on the patterned surface using an open mask or a mask-free deposition process in stage 710. The conductive coating may serve as a cathode or another conductive structure of the OLED device.
[00119] In another embodiment, deposition of the nucleation inhibiting coating in stage 706 may be conducted using an open mask, or without a mask. In yet another embodiment, deposition of the nucleation promoting coating in step 708 may be conducted prior to deposition of the nucleation inhibiting coating in step 706. In yet another embodiment, deposition of the nucleation promoting coating in step 708 may be conducted using an open mask, or without a mask, prior to selective deposition of the nucleation inhibiting coating in step 706.
[00120] For the sake of simplicity and clarity, details of deposited materials including thickness profiles and edge profiles have been omitted from the process diagrams.
[00121] In accordance with the above-described embodiments, a conductive coating may be selectively deposited on target regions using an open mask or a mask-free deposition process, through the use of a nucleation inhibiting coating or a combination of nucleation inhibiting and nucleation promoting coatings.
[00122] It will also be appreciated that an open mask used for deposition of any of various layers or coatings, including a conductive coating, a nucleation inhibiting coating, and a nucleation promoting coating, may "mask" or prevent deposition of a material on certain regions of a substrate. However, unlike a fine metal mask (FMM) used to form relatively small features with a feature size on the order of tens of microns or smaller, a feature size of an open mask is generally comparable to the size of an OLED device being manufactured. For example, the open mask may mask edges of a display device during manufacturing, which would result in the open mask having an aperture that approximately corresponds to a size of the display device (e.g., about 1 inch for micro-displays, about 4-6 inches for mobile displays, about 8-17 inches for laptop or tablet displays, and so forth). For example, the feature size of an open mask may be on the order of about 1 cm or greater. Accordingly, an aperture formed in an open mask is typically sized to encompass a plurality of emissive regions or pixels, which together form the display device.
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[00161] In another aspect according to some embodiments, a device is provided. In some embodiments, the device is an opto-electronic device. In some embodiments, the device is another electronic device or other product. In some embodiments, the device includes a substrate and a conductive coating. The substrate includes a first region and a second region. The conductive coating covers the second region of the substrate, and partially overlaps the first region of the substrate such that at least a portion of the first region of the substrate is exposed from, or is substantially free of or is substantially uncovered by, the conductive coating. In some embodiments, the conductive coating includes a first portion and a second portion, the first portion of the conductive coating covers the second region of the substrate, and the second portion of the conductive coating overlaps a portion of the first region of the substrate. In some embodiments, the second portion of the conductive coating is spaced from the first region of the substrate by a gap. In some embodiments, the first portion of the conductive coating and the second portion of the conductive coating are integrally formed with one another.
[00162] FIG. 18 illustrates a portion of a device according to one embodiment. The device includes a substrate 3410 having a surface 3417. A nucleation inhibiting coating 3420 covers a first region 3415 of the surface 3417 of the substrate 3410, and a conductive coating 3430 covers a second region 3412 of the surface 3417 of the substrate 3410. As illustrated in FIG. 18, the first region 3415 and the second region 3412 are distinct and non- overlapping regions of the surface 3417 of the substrate 3410. The conductive coating 3430 includes a first portion 3432 and a second portion 3434. As illustrated in the figure, the first portion 3432 of the conductive coating 3430 covers the second region 3412 of the substrate 3410, and the second portion 3434 of the conductive coating 3430 partially overlaps a portion of the nucleation inhibiting coating 3420. Specifically, the second portion 3434 is illustrated as overlapping the portion of the nucleation inhibiting coating 3420 in a direction that is perpendicular (or normal) to the underlying substrate surface 3417.
[00163] Particularly in the case where the nucleation inhibiting coating 3420 is formed such that its surface 3422 exhibits a relatively low affinity or initial sticking probability against a material used to form the conductive coating 3430, there is a gap 3441 formed between the overlapping, second portion 3434 of the conductive coating 3430 and the surface 3422 of the nucleation inhibiting coating 3420. Accordingly, the second portion 3434 of the conductive coating 3430 is not in direct physical contact with the nucleation inhibiting coating 3420, but is spaced from the nucleation inhibiting coating 3420 by the gap 3441 along the direction perpendicular to the surface 3417 of the substrate 3410 as indicated by arrow 3490. Nevertheless, the first portion 3432 of the conductive coating 3430 may be in direct physical contact with the nucleation inhibiting coating 3420 at an interface or a boundary between the first region 3415 and the second region 3412 of the substrate 3410.
[00164] In some embodiments, the overlapping, second portion 3434 of the conductive coating 3430 may laterally extend over the nucleation inhibiting coating 3420 by a comparable extent as a thickness of the conductive coating 3430. For example, in reference to FIG. 18, a width w2 (or a dimension along a direction parallel to the surface 3417 of the substrate 3410) of the second portion 3434 may be comparable to a thickness (or a dimension along a direction perpendicular to the surface 3417 of the substrate 3410) of the first portion 3432 of the conductive coating 3430. For example, a ratio of w2 : may be in a range of about 1 :1 to about 1 :3, about 1 :1 to about 1 : 1.5, or about 1 : 1 to about 1 :2. While the thickness would generally be relatively uniform across the conductive coating 3430, the extent to which the second portion 3434 overlaps with the nucleation inhibiting coating 3420 (namely, w2) may vary to some extent across different portions of the surface 3417.
[00165] In another embodiment illustrated in FIG. 19, the conductive coating 3430 further includes a third portion 3436 disposed between the second portion 3434 and the nucleation inhibiting coating 3420. As illustrated, the second portion 3434 of the conductive coating 3430 laterally extends over and is spaced from the third portion 3436 of the conductive coating 3430, and the third portion 3436 may be in direct physical contact with the surface 3422 of the nucleation inhibiting coating 3420. A thickness t3 of the third portion 3436 may be less, and, in some cases, substantially less than the thickness of the first portion 3432 of the conductive coating 3430. Furthermore, at least in some embodiments, a width w3 of the third portion 3436 may be greater than the width w2 of the second portion 3434. Accordingly, the third portion 3436 may extend laterally to overlap with the nucleation inhibiting coating 3420 to a greater extent than the second portion 3434. For example, a ratio of w3 : may be in a range of about 1 :2 to about 3: 1 or about 1 : 1.2 to about 2.5: 1. While the thickness would generally be relatively uniform across the conductive coating 3430, the extent to which the third portion 3436 overlaps with the nucleation inhibiting coating 3420 (namely, w3) may vary to some extent across different portions of the surface 3417. The thickness f3 of the third portion 3436 may be no greater than or less than about 5% of the thickness of the first portion 3432. For example, t3 may be no greater than or less than about 4%, no greater than or less than about 3%, no greater than or less than about 2%, no greater than or less than about 1 %, or no greater than or less than about 0.5% of . Instead of, or in addition to, the third portion 3436 being formed as a thin film as shown in FIG. 19, the material of the conductive coating 3430 may form as islands or disconnected clusters on a portion of the nucleation inhibiting coating 3420. For example, such islands or disconnected clusters may include features which are physically separated from one another, such that the islands or clusters are not formed as a continuous layer.
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[00183] It will be appreciated that, while not explicitly illustrated, a material used to form the nucleation inhibiting coating 3420 may also be present to some extent at an interface between the conductive coating 3430 and an underlying surface (e.g., a surface of the nucleation promoting layer 3451 or the substrate 3410). Such material may be deposited as a result of a shadowing effect, in which a deposited pattern is not identical to a pattern of a mask and may result in some evaporated material being deposited on a masked portion of a target surface. For example, such material may form as islands or disconnected clusters, or as a thin film having a thickness that is substantially less than an average thickness of the nucleation inhibiting coating 3420.
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[00369] Although the present disclosure has been described with reference to certain specific embodiments, various modifications thereof will be apparent to those skilled in the art. Any examples provided herein are included solely for the purpose of illustrating certain aspects of the disclosure and are not intended to limit the disclosure in any way. Any drawings provided herein are solely for the purpose of illustrating certain aspects of the disclosure and may not be drawn to scale and do not limit the disclosure in any way. The scope of the claims appended hereto should not be limited by the specific embodiments set forth in the above description, but should be given their full scope consistent with the present disclosure as a whole. The disclosures of all documents recited herein are incorporated herein by reference in their entirety.」
仮訳「 技術分野
[0002] 以下は、概して、表面上に導電性材料を堆積させるための方法に関する。具体的には、本方法は、デバイスの導電性構造を形成するための表面上の導電性材料の選択的堆積に関する。
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発明を実施するための形態
[0081] 適切と見なされる場合、例証を簡単かつ明確にするために、参照番号が、対応または類似する構成要素を示すように図の間で繰り返され得ることが理解されるであろう。加えて、多数の具体的詳細が、本明細書に説明される例示的実施形態の徹底的な理解を提供するために記載される。しかしながら、本明細書に説明される例示的実施形態は、これらの具体的詳細のうちのいくつかを伴わずに実践され得ることが、当業者によって理解されるであろう。他の事例では、ある方法、手順、および構成要素は、本明細書に説明される例示的実施形態を曖昧にしないよう、詳細に説明されていない。
[0082] いくつかの実施形態による一側面では、表面上に導電性コーティングを堆積させるための方法が提供される。いくつかの実施形態では、本方法は、光電子デバイスの製造方法との関連で行われる。いくつかの実施形態では、本方法は、別のデバイスの製造方法との関連で行われる。いくつかの実施形態では、本方法は、基板の第１の領域上に核生成抑制コーティングを堆積させ、パターン化された基板を生産するステップを含む。パターン化された基板は、核生成抑制コーティングによって被覆される第１の領域と、核生成抑制コーティングから露出される、または核生成抑制コーティングを実質的に含まない、もしくは実質的に核生成抑制コーティングによって被覆されていない、基板の第２の領域とを含む。本方法はまた、パターン化された基板を処理し、基板の第２の領域上に導電性コーティングを堆積させるステップも含む。いくつかの実施形態では、導電性コーティングの材料は、マグネシウムを含む。いくつかの実施形態では、パターン化された基板を処理するステップは、核生成抑制コーティングが導電性コーティングから露出されたままである、または導電性コーティングを実質的に含まない、もしくは実質的に導電性コーティングによって被覆されていない間に、核生成抑制コーティングおよび基板の第２の領域の両方を処理し、基板の第２の領域上に導電性コーティングを堆積させるステップを含む。いくつかの実施形態では、パターン化された基板を処理するステップは、導電性コーティングを形成するために使用されるソース材料の蒸発または昇華を行うステップと、核生成抑制コーティングおよび基板の第２の領域の両方を蒸発したソース材料に暴露するステップとを含む。
[0083] 本明細書で使用されるように、「核生成抑制」という用語は、表面上の導電性材料の堆積が阻害されるように、導電性材料の堆積に向けて比較的低い親和性を呈する表面を有する、材料のコーティングまたは層を指すために使用される一方で、「核形成助長」という用語は、表面上の導電性材料の堆積が促進されるように、導電性材料の堆積に向けて比較的高い親和性を呈する表面を有する、材料のコーティングまたは層を指すために使用される。表面の核生成抑制または核形成助長性質の１つの尺度は、マグネシウム等の導電性材料の表面の初期付着確率である。例えば、マグネシウムに対する核生成抑制コーティングは、表面上のマグネシウムの堆積が阻害されるように、マグネシウム蒸気の比較的低い初期付着確率を呈する表面を有する、コーティングを指すことができる一方で、マグネシウムに対する核形成助長コーティングは、表面上のマグネシウムの堆積が促進されるように、マグネシウム蒸気の比較的高い初期付着確率を呈する表面を有する、コーティングを指すことができる。本明細書で使用されるように、「付着確率」および「付着係数」という用語は、同義的に使用されてもよい。表面の核生成抑制または核形成助長性質の別の尺度は、別の（参照）表面上の導電性材料の初期堆積速度に対する、表面上のマグネシウム等の導電性材料の初期堆積速度であり、両方の表面は、導電性材料の蒸発流束を受ける、またはそれに暴露される。
[0084] 本明細書で使用されるように、「蒸発」および「昇華」という用語は、概して、ソース材料が、例えば、固体状態で標的表面上に堆積させられる蒸気に（例えば、加熱によって）変換される、堆積プロセスを指すために同義的に使用される。
[0085] 本明細書で使用されるように、材料「を実質的に含まない」または材料「によって実質的に被覆されていない」表面（もしくは表面のある面積）は、表面（もしくは表面のある面積）上の材料の実質的欠如を指す。具体的に導電性コーティングに関して、マグネシウムを含む金属等の導電性材料が光を減衰させる、および／または吸収するため、表面上の導電性材料の量の１つの尺度は、光透過率である。故に、表面は、光透過率が電磁スペクトルの可視部分の中で９０％を上回る、９２％を上回る、９５％を上回る、または９８％を上回る場合に、導電性材料を実質的に含まないと見なされることができる。表面上の材料の量の別の尺度は、材料による被覆率が１０％以内、８％以内、５％以内、３％以内、または１％以内である場合に、表面が材料を実質的に含まないと見なされることができる場合等の材料による表面の被覆率である。表面被覆は、透過電子顕微鏡法、原子間力顕微鏡法、または走査電子顕微鏡法を使用する等の撮像技法を使用して、査定されることができる。
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[00111] 図６は、一実施形態による、エレクトロルミネセント（ＥＬ）デバイス６００を図示する。ＥＬデバイス６００は、例えば、ＯＬＥＤデバイスまたはエレクトロルミネセント量子ドットデバイスであってもよい。一実施形態では、デバイス６００は、ベース基板６１６と、アノード６１４と、有機層６３０と、カソード６０２とを含む、ＯＬＥＤデバイスである。図示される実施形態では、有機層６３０は、正孔注入層６１２と、正孔輸送層６１０と、エレクトロルミネセント層６０８と、電子輸送層６０６と、電子注入層６０４とを含む。
[00112] 正孔注入層６１２は、概して、アノード６１４による正孔の注入を促進する、正孔注入材料を使用して形成されてもよい。正孔輸送層６１０は、概して、高い正孔移動度を呈する材料である、正孔輸送材料を使用して形成されてもよい。
[00113] エレクトロルミネセント層６０８は、例えば、エミッタ材料でホスト材料をドープすることによって形成されてもよい。エミッタ材料は、例えば、蛍光エミッタ、燐光性エミッタ、またはＴＡＤＦエミッタであってもよい。複数のエミッタ材料もまた、エレクトロルミネセント層６０８を形成するようにホスト材料の中へドープされてもよい。
[00114] 電子輸送層６０６は、概して、高い電子移動度を呈する、電子輸送材料を使用して形成されてもよい。電子注入層６０４は、概して、カソード６０２による電子の注入を促進するように作用する、電子注入材料を使用して形成されてもよい。
[00115] デバイス６００の構造は、１つまたはそれを上回る層を省略する、もしくは組み合わせることによって変動され得ることが理解されるであろう。具体的には、正孔注入層６１２、正孔輸送層６１０、電子輸送層６０６、および電子注入層６０４のうちの１つまたはそれを上回るものが、デバイス構造から省略されてもよい。１つまたはそれを上回る付加的層もまた、デバイス構造の中に存在してもよい。そのような付加的層は、例えば、正孔遮断層、電子遮断層、付加的電荷輸送および／または注入層を含む。各層はさらに、任意の数の副層を含んでもよく、各層および／または副層は、種々の混合物ならびに組成勾配を含んでもよい。また、デバイス６００は、無機および／または有機金属材料を含有する、１つもしくはそれを上回る層を含んでもよく、有機材料だけから成るデバイスに限定されないことも理解されるであろう。例えば、デバイス６００は、量子ドットを含んでもよい。
[00116] デバイス６００は、電流をデバイス６００に供給するための電源６２０に接続されてもよい。
[00117] デバイス６００がＥＬ量子ドットデバイスである、別の実施形態では、ＥＬ層６０８は、概して、電流が供給されるときに光を放射する、量子ドットを含む。
[00118] 図７は、一実施形態による、ＯＬＥＤデバイスを加工する段階を概説するフロー図である。７０４では、有機層が、標的表面上に堆積させられる。例えば、標的表面は、例えば、ガラス、ポリマー、および／または金属箔を含み得る、ベース基板の上に堆積させられたアノードの表面であってもよい。上記で議論されるように、有機層は、例えば、正孔注入層と、正孔輸送層と、エレクトロルミネセンス層と、電子輸送層と、電子注入層とを含んでもよい。核生成抑制コーティングが、次いで、選択的堆積またはパターン化プロセスを使用して、段階７０６で有機層の上に堆積させられる。段階７０８では、核形成助長コーティングが、パターン化された表面を生成するように、核生成抑制コーティング上に選択的に堆積させられる。例えば、核形成助長コーティングおよび核生成抑制コーティングは、マスク、ミクロ接触転写印刷プロセス、フォトリソグラフィ、印刷（インクまたは蒸気ジェット印刷、およびリールツーリール印刷を含む）、ＯＶＰＤ、またはＬＩＴＩパターン化を使用して、蒸発によって選択的に堆積させられてもよい。導電性コーティングが、次いで、段階７１０で開放マスクまたはマスクを含まない堆積プロセスを使用して、パターン化された表面上に堆積させられる。導電性コーティングは、ＯＬＥＤデバイスのカソードまたは別の導電性構造としての役割を果たしてもよい。
[00119] 別の実施形態では、段階７０６における核生成抑制コーティングの堆積は、開放マスクを使用して、またはマスクを伴わずに行われてもよい。さらに別の実施形態では、ステップ７０８における核形成助長コーティングの堆積は、ステップ７０６における核生成抑制コーティングの堆積に先立って行われてもよい。さらに別の実施形態では、ステップ７０８における核形成助長コーティングの堆積は、ステップ７０６における核生成抑制コーティングの堆積に先立って、開放マスクを使用して、またはマスクを伴わずに行われてもよい。
[00120] 簡単かつ明確にするために、厚さ外形および縁外形を含む、堆積された材料の詳細は、プロセス図から省略されている。
[00121] 上記の実施形態によると、導電性コーティングが、核生成抑制コーティングまたは核生成抑制および核形成助長コーティングの組み合わせの使用を通して、開放マスクまたはマスクを含まない堆積プロセスを使用して、標的領域上に選択的に堆積させられてもよい。
[00122] また、導電性コーティング、核生成抑制コーティング、および核形成助長コーティングを含む、種々の層またはコーティングのうちのいずれかの堆積に使用される開放マスクが、基板のある領域上の材料の堆積を「覆い隠し」得る、または「防止」し得ることも理解されるであろう。しかしながら、約数十ミクロンまたはそれよりも小さい特徴サイズを伴う比較的小さい特徴を形成するために使用される、微細金属マスク（ＦＭＭ）と異なり、開放マスクの特徴サイズは、製造されているＯＬＥＤデバイスのサイズと略同等である。例えば、開放マスクは、製造中にディスプレイデバイスの縁を覆い隠してもよく、これは、ディスプレイデバイスのサイズ（例えば、マイクロディスプレイについては約１インチ、モバイルディスプレイについては約４～６インチ、ラップトップまたはタブレットディスプレイについては約８～１７インチ等）にほぼ対応する開口を有する、開放マスクをもたらすであろう。例えば、開放マスクの特徴サイズは、約１ｃｍまたはそれを上回り得る。故に、開放マスクに形成される開口は、典型的には、ともにディスプレイデバイスを形成する、複数の放射領域またはピクセルを包含するように定寸される。
・・・省略・・・
[00161] いくつかの実施形態による、別の側面では、デバイスが提供される。いくつかの実施形態では、本デバイスは、光電子デバイスである。いくつかの実施形態では、本デバイスは、別の電子デバイスまたは他の製品である。いくつかの実施形態では、本デバイスは、基板と、導電性コーティングとを含む。基板は、第１の領域と、第２の領域とを含む。導電性コーティングは、基板の第２の領域を被覆し、基板の第１の領域の少なくとも一部が、導電性コーティングから露出される、または導電性コーティングを実質的に含まない、もしくは実質的に導電性コーティングによって被覆されていないように、基板の第１の領域に部分的に重複する。いくつかの実施形態では、導電性コーティングは、第１の部分と、第２の部分とを含み、導電性コーティングの第１の部分は、基板の第２の領域を被覆し、導電性コーティングの第２の部分は、基板の第１の領域の一部に重複する。いくつかの実施形態では、導電性コーティングの第２の部分は、間隙によって基板の第１の領域から離間される。いくつかの実施形態では、導電性コーティングの第１の部分および導電性コーティングの第２の部分は、相互と一体的に形成される。
[00162] 図１８は、一実施形態による、デバイスの一部を図示する。本デバイスは、表面３４１７を有する基板３４１０を含む。核生成抑制コーティング３４２０は、基板３４１０の表面３４１７の第１の領域３４１５を被覆し、導電性コーティング３４３０は、基板３４１０の表面３４１７の第２の領域３４１２を被覆する。図１８に図示されるように、第１の領域３４１５および第２の領域３４１２は、基板３４１０の表面３４１７の明確に異なる非重複領域である。導電性コーティング３４３０は、第１の部分３４３２と、第２の部分３４３４とを含む。図に図示されるように、導電性コーティング３４３０の第１の部分３４３２は、基板３４１０の第２の領域３４１２を被覆し、導電性コーティング３４３０の第２の部分３４３４は、核生成抑制コーティング３４２０の一部に部分的に重複する。具体的には、第２の部分３４３４は、下層基板表面３４１７と垂直（法線）である方向に核生成抑制コーティング３４２０の一部に重複するものとして図示されている。
[00163] 特に、その表面３４２２が、導電性コーティング３４３０を形成するために使用される材料に対して比較的に低い親和性または初期付着確率を呈するように、核生成抑制コーティング３４２０が形成される場合において、導電性コーティング３４３０の重複する第２の部分３４３４と核生成抑制コーティング３４２０の表面３４２２との間に形成される間隙３４４１がある。故に、導電性コーティング３４３０の第２の部分３４３４は、核生成抑制コーティング３４２０と直接物理的に接触していないが、矢印３４９０によって示されるように、基板３４１０の表面３４１７と垂直な方向に沿って、間隙３４４１によって核生成抑制コーティング３４２０から離間される。それでもなお、導電性コーティング３４３０の第１の部分３４３２は、基板３４１０の第１の領域３４１５と第２の領域３４１２との間の界面または境界において、核生成抑制コーティング３４２０と直接物理的に接触してもよい。
[00164] いくつかの実施形態では、導電性コーティング３４３０の重複する第２の部分３４３４は、導電性コーティング３４３０の厚さと同等の程度によって、核生成抑制コーティング３４２０を覆って側方に延在してもよい。例えば、図１８を参照すると、第２の部分３４３４の幅ｗ２（または基板３４１０の表面３４１７と平行な方向に沿った寸法）は、導電性コーティング３４３０の第１の部分３４３２の厚さｔ１（または基板３４１０の表面３４１７と垂直な方向に沿った寸法）と同等であり得る。例えば、ｗ２：ｔ１の比は、約１：１～約１：３、約１：１～約１：１．５、または約１：１～約１：２の範囲内であってもよい。厚さｔ１は、概して、導電性コーティング３４３０を横断して比較的一様であろうが、第２の部分３４３４が核生成抑制コーティング３４２０と重複する程度（すなわち、ｗ２）は、表面３４１７の異なる部分を横断して、ある程度変動し得る。
[00165] 図１９に図示される別の実施形態では、導電性コーティング３４３０はさらに、第２の部分３４３４と核生成抑制コーティング３４２０との間に配置される第３の部分３４３６を含む。図示されるように、導電性コーティング３４３０の第２の部分３４３４は、導電性コーティング３４３０の第３の部分３４３６を覆って側方に延在し、そこから離間され、第３の部分３４３６は、核生成抑制コーティング３４２０の表面３４２２と直接物理的に接触してもよい。第３の部分３４３６の厚さｔ３は、導電性コーティング３４３０の第１の部分３４３２の厚さｔ１未満、ある場合には、実質的にそれ未満であり得る。さらに、少なくともいくつかの実施形態では、第３の部分３４３６の幅ｗ３は、第２の部分３４３４の幅ｗ２を上回り得る。故に、第３の部分３４３６は、第２の部分３４３４よりも大きい程度に核生成抑制コーティング３４２０と重複するように、側方に延在してもよい。例えば、ｗ３：ｔ１の比は、約１：２～約３：１または約１：１．２～約２．５：１の範囲内であってもよい。厚さｔ１は、概して、導電性コーティング３４３０を横断して比較的一様であろうが、第３の部分３４３６が核生成抑制コーティング３４２０と重複する程度（すなわち、ｗ３）は、表面３４１７の異なる部分を横断して、ある程度変動し得る。第３の部分３４３６の厚さｔ３は、第１の部分３４３２の厚さｔ１の約５％以内または未満であり得る。例えば、ｔ３は、ｔ１の約４％以内または未満、約３％以内または未満、約２％以内または未満、約１％以内または未満、もしくは約０．５％以内または未満であり得る。図１９に示されるように薄膜として形成されている第３の部分３４３６の代わりに、またはそれに加えて、導電性コーティング３４３０の材料は、核生成抑制コーティング３４２０の一部の上で島もしくは断絶したクラスタとして形成してもよい。例えば、そのような島または断絶したクラスタは、島またはクラスタが連続層として形成されないように、相互から物理的に分離される特徴を含んでもよい。
・・・省略・・・
[00183] 明示的に図示されていないが、核生成抑制コーティング３４２０を形成するために使用される材料もまた、導電性コーティング３４３０と下層表面（例えば、核形成助長層３４５１または基板３４１０の表面）との間の界面において、ある程度存在し得ることが理解されるであろう。そのような材料は、堆積させられたパターンがマスクのパターンと同じではなく、ある蒸発した材料を、標的表面の覆い隠された部分の上に堆積させ得る、陰影効果の結果として、堆積させられてもよい。例えば、そのような材料は、島または断絶したクラスタとして、もしくは実質的に核生成抑制コーティング３４２０の平均厚さ未満である厚さを有する薄膜として、形成してもよい。
・・・省略・・・
[00369] 本開示は、ある具体的実施形態を参照して説明されているが、その種々の修正は、当業者に明白であろう。本明細書で提供される任意の実施例は、本開示のある側面を例証する目的のためのみに含まれ、いかようにも本開示を限定することを意図していない。本明細書で提供される任意の図面は、本開示のある側面を例証する目的のためのみのものであり、一定の縮尺で描かれない場合があり、いかようにも本開示を限定しない。本明細書に添付される請求項の範囲は、上記の説明に記載される具体的実施形態によって限定されるべきではないが、全体として本開示に一致する、それらの全範囲を与えられるべきである。本明細書に記載される全ての文書の開示は、参照することによってそれらの全体として本明細書に組み込まれる。」
（２）図６
〔図省略〕
（３）図７
〔図省略〕
図７の仮訳
〔図省略〕
（４）図１８
〔図省略〕
（５）図１９
〔図省略〕
２ 引用発明
上記１により、引用文献１において、[00165]及び図１９に記載された実施形態が、[00111]～[00122]及び図６～図７に記載されたエレクトロルミネセントデバイスに用いられてもよいことは明らかである。また、[00165]及び図１９に記載された実施形態は、[00162]～[00164]及び図１８に記載された実施形態にさらに第３の部分３４３６を含むものである。
そうしてみると、引用文献１には、[00165]及び図１９に実施形態として記載された、次の「エレクトロルミネセントデバイス」の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「 エレクトロルミネセントデバイスであって、
表面３４１７を有する基板を３４１０含み、
核生成抑制コーティング３４２０は、基板３４１０の表面３４１７の第１の領域３４１５を被覆し、導電性コーティング３４３０は、基板の表面３４１０の第２の領域３４１２を被覆し、
導電性コーティング３４３０は、第１の部分３４３２と、第２の部分３４３４とを含み、第２の部分３４３４は、下層基板表面３４１７と垂直である方向に核生成抑制コーティング３４２０の一部に重複し、
核生成抑制コーティング３４２０の表面３４２２が、導電性コーティング３４３０を形成するために使用される材料に対して比較的に低い初期付着確率を呈するように、核生成抑制コーティング３４２０が形成され、
第２の部分３４３４と核生成抑制コーティング３４２０の表面３４２２との間に形成される間隙３４４１があり、基板３４１０の表面３４１７と垂直な方向に沿って、間隙３４４１によって核生成抑制コーティング３４２０から離間され、
導電性コーティング３４３０はさらに、第２の部分３４３４と核生成抑制コーティング３４２０との間に配置される第３の部分３４３６を含み、第３の部分３４３６は、核生成抑制コーティング３４２０の表面３４２２と直接物理的に接触し、第３の部分３４３６の厚さは、導電性コーティングの第１の部分３４３２の厚さ未満であり、第３の部分３４３６の幅は、第２の部分３４３４の幅を上回り、第３の部分３４３６の厚さは、第１の部分３４３２の厚さ未満である、エレクトロルミネセントデバイス。」
第５ 対比
１ 本願発明と引用発明との対比
本願発明と引用発明とを対比する。
（１）エレクトロルミネセントデバイス、導電性コーティング及び核生成抑制コーティングについて
引用発明は、「エレクトロルミネセントデバイス」であって、「核生成抑制コーティング３４２０は、基板３４１０の表面３４１７の第１の領域３４１５を被覆し、導電性コーティング３４３０は、基板３４１０の表面３４１７の第２の領域３４１２を被覆」する構成を具備する。
上記構成からみて、引用発明の「エレクトロルミネセントデバイス」、「導電性コーティング３４３０」及び「核生成抑制コーティング３４２０」は、その文言どおり、本願発明の「エレクトロルミネセントデバイス」、「導電性コーティング」及び「核生成抑制コーティング」に、それぞれ相当する。
（２）第１の領域、第２の領域及び中間領域について
引用発明は、「導電性コーティング３４３０は、第１の部分３４３２と、第２の部分３４３４とを含み、第２の部分３４３４は、下層基板表面３４１７と垂直である方向に核生成抑制コーティング３４２０の一部に重複し、第２の部分３４３４と核生成抑制コーティング３４２０の表面３４２２との間に形成される間隙３４４１があり、基板３４１０の表面３４１７と垂直な方向に沿って、間隙３４４１によって核生成抑制コーティング３４２０から離間され、導電性コーティング３４３０はさらに、第２の部分３４３４と核生成抑制コーティング３４２０との間に配置される第３の部分３４３６を含み、第３の部分３４３６は、核生成抑制コーティング３４２０の表面３４２２と直接物理的に接触し、第３の部分３４３６の厚さは、導電性コーティング３４３０の第１の部分３４３２の厚さ未満であり、第３の部分３４３６の幅は、第２の部分３４３４の幅を上回り、第３の部分３４３６の厚さは、第１の部分３４３２の厚さ未満である」構成を具備する。
上記（１）の構成及び上記構成からみて、引用発明の「導電性コーティング３４３０」は、「第２の領域３４１２」に配設されているといえる。また、引用発明の「核生成抑制コーティング３４２０」は、「第１の領域３４１５」から「第３の部分３４３６」の幅に対応する部分を除いたエレクトロルミネセントデバイスにおける領域（以下、この領域を「領域Ａ」という。）に配設されているといえる。また、引用発明において、「第３の部分３４３６」の幅に対応するエレクトロルミネセントデバイスにおける領域（以下、この領域を「中間領域Ｂ」という。）は、「第２の領域３４１２」と「領域Ａ」との間に配置され、引用発明の「核生成抑制コーティング３４２０」は、「中間領域Ｂ」に配設され、「中間領域Ｂ」の少なくとも一部分を被覆するように延在するといえる。さらに、引用発明は、「第２の領域３４１２」、「領域Ａ」、および「第２の領域３４１２」と「領域Ａ」との間に配置された「中間領域Ｂ」とを具備するといえる。
そうしてみると、引用発明の「領域Ａ」、「第２の領域３４１２」及び「中間領域Ｂ」は、それぞれ、本願発明の「第１の領域」、「第２の領域」及び「中間領域」に相当し、引用発明の「中間領域Ｂ」は、本願発明の「中間領域」の「前記第１の領域と前記第２の領域との間に配置された」との要件を満たす。また、引用発明の「導電性コーティング３４３０」は、本願発明の「導電性コーティング」の「第２の領域に配設された」との要件を満たす。さらに、引用発明の「核生成抑制コーティング３４２０」は、本願発明の「核生成抑制コーティング」の「第１の領域に配設され」及び「中間領域の少なくとも一部分を被覆するように延在する」との要件を満たす。
（３）核生成抑制コーティングについて
引用発明の「核生成抑制コーティング３４２０」は、「核生成抑制コーティング３４２０の表面３４２２が、導電性コーティング３４３０を形成するために使用される材料に対して比較的に低い初期付着確率を呈するように」「形成され」ている。
上記構成からみて、引用発明の「核生成抑制コーティング３４２０」は、「領域Ａ」において「核生成抑制コーティング３４２０」が堆積させられた層の露出表面上の「導電性コーティング」の材料の堆積に対する初期付着確率よりも小さい、「領域Ａ」における「核生成抑制コーティング３４２０」の「導電性コーティング」の材料の堆積に対する初期付着確率を有するといえる。
そうしてみると、引用発明の「核生成抑制コーティング３４２０」は、本願発明の「核生成抑制コーティング」の「前記第１の領域において前記核生成抑制コーティングが堆積させられた層の露出表面上の前記導電性コーティングの材料の堆積に対する初期付着確率よりも小さい、前記第１の領域における前記核生成抑制コーティングの露出表面上の前記導電性コーティングの材料の堆積に対する初期付着確率を有」するとの要件を満たす。
２ 一致点及び相違点の認定
（１）一致点
上記１によれば、本願発明と引用発明は、以下の点で一致する。
「 エレクトロルミネセントデバイスであって、
第１の領域、第２の領域、および前記第１の領域と前記第２の領域との間に配置された中間領域と、
前記第２の領域に配設された導電性コーティングと、
前記第１の領域に配設された核生成抑制コーティングであって、前記核生成抑制コーティングが、前記中間領域の少なくとも一部分を被覆するように延在する、核生成抑制コーティングと、を備え、
前記核生成抑制コーティングは、前記第１の領域において前記核生成抑制コーティングが堆積させられた層の露出表面上の前記導電性コーティングの材料の堆積に対する初期付着確率よりも小さい、前記第１の領域における前記核生成抑制コーティングの露出表面上の前記導電性コーティングの材料の堆積に対する初期付着確率を有する、エレクトロルミネセントデバイス。」
（２）相違点
本願発明と引用発明は、以下の点で相違する。
＜相違点１＞
「中間領域」について、本願発明は、「前記第２の領域に配設された前記導電性コーティングの平均厚さよりも小さい平均厚さを有する導電性コーティングを備え」るのに対して、引用発明の「中間領域Ｂ」は、この点について明らかでない点。
＜相違点２＞
「中間領域」について、本願発明は、「前記核生成抑制コーティングの平均厚さが、前記第１の領域における前記核生成抑制コーティングの平均厚さよりも薄」いのに対して、引用発明の「中間領域Ｂ」は、この点について明らかでない点。
＜相違点３＞
「核生成抑制コーティング」について、本願発明においては、「前記第１の領域における前記導電性コーティングによる前記核生成抑制コーティングの表面の被覆率が、１０％以下であるように特徴付けられ」ているのに対して、引用発明の「領域Ａ」における「核生成抑制コーティング３４２０」は、この点について明らかでない点。
＜相違点４＞
「導電性コーティング」について、本願発明においては、「前記中間領域において第１の光反射率を有し、前記第２の領域において第２の光反射率を有し、前記第２の光反射率は、前記第１の光反射率よりも大き」いのに対して、引用発明の「導電性コーティング３４３０」は、この点について明らかでない点。
＜相違点５＞
「核生成抑制コーティング」について、本願発明においては、「前記核生成抑制コーティングを通して下層表面の一部を露出するように前記中間領域における不連続コーティングとして提供されて」いるのに対して、引用発明の「核生成抑制コーティング３４２０」は、このような構成でない点。
＜相違点６＞
「導電性コーティング」について、本願発明においては、「前記中間領域における不連続コーティングとして提供されており、かつ、前記核生成抑制コーティングを通して露出されている前記下層表面の前記一部を被覆する」のに対して、引用発明の「導電性コーティング３４３０」は、このような構成でない点。
第６ 判断
１ 相違点についての判断
上記相違点について検討する。上記相違点２及び５は「中間領域」における「核生成抑制コーティング」についての構成であり、上記相違点１及び６は「中間領域」における「導電性コーティング」についての構成であるから、これらをそれぞれまとめて検討し、その後、上記相違点３及び４について検討する。
（１）相違点２及び５について
引用文献１の[00183]には、「核生成抑制コーティング３４２０を形成するために使用される材料もまた、導電性コーティング３４３０と下層表面（例えば、核形成助長層３４５１または基板３４１０の表面）との間の界面において、ある程度存在し得ることが理解されるであろう。そのような材料は、堆積させられたパターンがマスクのパターンと同じではなく、ある蒸発した材料を、標的表面の覆い隠された部分の上に堆積させ得る、陰影効果の結果として、堆積させられてもよい。例えば、そのような材料は、島または断絶したクラスタとして、もしくは実質的に核生成抑制コーティング３４２０の平均厚さ未満である厚さを有する薄膜として、形成してもよい。」と記載されている。上記記載と、図１８及び図１９も参酌すると、引用文献１の[00183]には、核生成抑制コーティング３４２０を核生成抑制コーティング３４２０を通して下層表面の一部を露出するように中間領域Ｂにおける不連続コーティングとして提供されることが記載されているといえる。
ここで、核生成抑制コーティング３４２０を島または断絶したクラスタとするのであれば、島又はクラスタとしていない部分は核生成抑制コーティング３４２０の厚さが小さくなる。また、引用文献１の[00165]には、「核生成抑制コーティング３４２０を形成するために使用される材料もまた・・・実質的に核生成抑制コーティング３４２０の平均厚さ未満である厚さを有する薄膜として、形成してもよい」と記載されている。さらに、引用文献１の図１９及び図２０から、中間領域Ｂにおける核生成抑制コーティング３４２０の厚さが第２の領域３４１２に向かうにつれて小さくなっていることが看取できる。これらの開示を参酌すると、引用文献１には、中間領域Ｂにおける核生成抑制コーティング３４２０の平均厚さが第１の領域３４１５の平均厚さよりも薄いことが記載されているといえる。
そうしてみると、引用文献１の上記記載に接した当業者にとって、中間領域Ｂにおける核生成抑制コーティング３４２０の平均厚さを第１の領域３４１５の平均厚さをよりも薄くするとともに、核生成抑制コーティング３４２０は、核生成抑制コーティング３４２０を通して下層表面の一部を露出するように中間領域Ｂにおける不連続コーティングとして提供されるようにすることは、何ら格別の困難性はない。
したがって、上記相違点２及び５に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
（２）相違点１及び６について
引用発明の「核生成抑制コーティング３４２０」は、表面上の導電性材料の堆積が阻害されるように、「導電性材料の堆積に向けて比較的低い親和性を呈する表面を有する」（引用文献１の[0083]）ものであるから、引用発明において上記相違点５に係る構成を採用すれば、引用発明において、「導電性コーティング３４３０」を「中間領域Ｂ」における不連続コーティングとして提供されており、かつ、「核生成抑制コーティング３４２０」を通して露出されている下層表面の前記一部を被覆するようにする構成となることは、当業者にとって明らかである。
ここで、導電性コーティング３４３０を不連続コーティングとするのであれば、導電性コーティング３４３０がコーティングされていない部分は導電性コーティング３４３０の厚さが小さくなる。また、引用文献１の[00165]には、「導電性コーティング３４３０の材料は、核生成抑制コーティング３４２０の一部の上で島もしくは断絶したクラスタとして形成してもよい。」と記載されている。さらに、引用発明の「導電性コーティング３４３０」について、「第２の部分３４３４は、下層基板表面３４１７と垂直である方向に核生成抑制コーティング３４２０の一部に重複し」、「第２の部分３４３４と核生成抑制コーティング３４２０の表面３４２２との間に形成される間隙３４４１があり、基板３４１０の表面３４１７と垂直な方向に沿って、間隙３４４１によって核生成抑制コーティング３４２０から離間され」ものである。このことにより、図１９において、中間領域Ｂにおいて、第２の部分３４３４と第３の部分３４３６とを合わせた導電性コーティング３４３０の厚さが第２の領域３４１２における導電性コーティング３４３０の厚さより薄いことが看取できる。
そうしてみると、引用文献１の上記記載に接した当業者にとって、中間領域Ｂが、第２の領域３４１２に配設された導電性コーティング３４３０の平均厚さよりも小さい平均厚さを有する導電性コーティング３４３０を備えるようにするとともに、導電性コーティング３４３０が、中間領域Ｂにおける不連続コーティングとして提供されており、かつ、核生成抑制コーティング３４２０を通して露出されている下層表面の一部を被覆するように構成することは、何ら格別の困難性はない。
したがって、上記相違点１及び６に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
（３）相違点３について
引用文献１の[0083]及び[0085]には、それぞれ、「本明細書で使用されるように、「核生成抑制」という用語は、表面上の導電性材料の堆積が阻害されるように、導電性材料の堆積に向けて比較的低い親和性を呈する表面を有する、材料のコーティングまたは層を指すために使用される・・・表面の核生成抑制または核形成助長性質の１つの尺度は、マグネシウム等の導電性材料の表面の初期付着確率である。例えば、マグネシウムに対する核生成抑制コーティングは、表面上のマグネシウムの堆積が阻害されるように、マグネシウム蒸気の比較的低い初期付着確率を呈する表面を有する」及び「本明細書で使用されるように、材料「を実質的に含まない」または材料「によって実質的に被覆されていない」表面（もしくは表面のある面積）は、表面（もしくは表面のある面積）上の材料の実質的欠如を指す。・・・表面上の材料の量の別の尺度は、材料による被覆率が１０％以内、８％以内、５％以内、３％以内、または１％以内である場合に、表面が材料を実質的に含まないと見なされることができる場合等の材料による表面の被覆率である。」と記載されている。
引用文献１の上記記載から、引用発明の領域Ａにおける「核生成抑制コーティング３４２０」の表面に付着する「導電性コーティング３４３０」の付着確率は低く、被覆率も低いものであると推認される。このことは、引用文献１の図１９において、領域Ａにおける導電性コーティング３４３０の材料が被覆されていないことからも確認できる。そして、上記[0085]には、上記被覆率を１０％以内とすることも示唆されている。
そうしてみると、引用発明の「導電性コーティング３４３０」の領域Ａにおける「導電性コーティング３４３０」による「核生成抑制コーティング３４２０」の表面の被覆率を１０％以下であるようにすることは、当業者にとって適宜選択可能な設計的事項にすぎない。
したがって、引用発明に引用文献１に記載された事項を適用して上記相違点３に係る本願発明の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
（４）相違点４について
引用文献１の[0083]の記載は、上記（３）に示したとおりであって、導電性コーティングをマグネシウム等の金属材料であり光反射性とすることは、当業者がなし得る事項である。また、上記（２）で述べたように、引用発明において上記相違点６に係る構成とすること、すなわち、「導電性コーティング３４３０」について、中間領域Ｂにおける不連続コーティングとして提供されており、かつ、核生成抑制コーティング３４２０を通して露出されている前記下層表面の前記一部を被覆することも、当業者が容易に想到し得たことである。
そして、引用発明の「導電性コーティング３４３０」を「中間領域Ｂ」における不連続コーティングとして提供されており、「核生成抑制コーティング３４２０」を通して露出されている下層表面の一部を被覆するのであれば、中間領域Ｂにおける導電性コーティング３４３０の面積は、連続コーティングとして提供されている第２の領域３４３２における導電性コーティングの面積よりも小さくなるところ、導電性コーティング３４３０が金属材料（マグネシウム）であり光反射性であることを踏まえれば、中間領域Ｂにおける導電性コーティング３４３０の光反射率は、連続コーティングとして提供されている第２の領域３４３２における導電性コーティング３４３０の光反射率よりも小さくなることは、当業者にとって明らかである。
そうしてみると、引用発明において、上記相違点４に係る本願発明１の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
２ 審判請求人の主張について
（１）審判請求人の主張の概要
審判請求人は、令和６年１２月２５日に提出した意見書（３頁）において、「引用文献１が、補正後の請求項１に規定されている「前記核生成抑制コーティングは、前記核生成抑制コーティングを通して下層表面の一部を露出するように前記中間領域における不連続コーティングとして提供されており、前記導電性コーティングは、前記中間領域における不連続コーティングとして提供されており、かつ前記核生成抑制コーティングを通して露出されている前記下層表面の前記一部を被覆する」という特徴を教示またはし得ないものと思料しています。」と主張する。
（２）当合議体の判断
上記主張について、「前記核生成抑制コーティングは、前記核生成抑制コーティングを通して下層表面の一部を露出するように前記中間領域における不連続コーティングとして提供されて」いることは上記１（１）において、「前記導電性コーティングは、前記中間領域における不連続コーティングとして提供されており、かつ前記核生成抑制コーティングを通して露出されている前記下層表面の前記一部を被覆する」ことは上記１（２）において、それぞれ述べたとおりである。
したがって、審判請求人の上記主張は、採用できない。
３ 小括
本願発明は、引用文献１に記載された発明、及び、引用文献１に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
第７ むすび
以上のとおり、本願発明は、特許法２９条２項の規定により、特許を受けることができない。
したがって、本件出願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。
よって、結論のとおり審決する。
令和７年３月２４日
審判長 特許庁審判官 神谷 健一
特許庁審判官 川村 大輔
特許庁審判官 井口 猶二
（行政事件訴訟法第４６条に基づく教示）
この審決に対する訴えは、この審決の謄本の送達があった日から３０日（附加期間がある場合は、その日数を附加します。）以内に、特許庁長官を被告として、提起することができます。
審判長 神谷 健一
出訴期間として在外者に対し９０日を附加する。
出典：特許庁「審決公報」（令和7年9月26日発行・号数2025-009、公報発行サイト https://www.gazette.jpo.go.jp/scciidl010 ）を加工して作成（加工：TaiLexi AI）
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