審判番号 不服2024-007248
請求人 キヤノン株式会社（代理人 弁理士5名）
特願２０１９－１５８９７１「半導体装置、表示装置、及び光電変換装置」拒絶査定不服審判事件〔令和３年３月１１日出願公開、特開２０２１－３９１８３〕について、次のとおり審決する。
結 論
本件審判の請求は、成り立たない。
理 由
１ 手続の経緯
本願は、令和元年８月３０日の特許出願であって、その手続の経緯の概略は、次のとおりである。
令和５年４月６日付け：拒絶理由通知書
同年６月６日 ：意見書、手続補正書の提出
同年９月１１日付け：拒絶理由通知書（最後）
同年１１月１４日 ：意見書の提出
令和６年１月１９日付け：拒絶査定（以下「原査定」という。）
（同月３０日 ：原査定の謄本の送達）
同年４月２６日 ：審判請求書、手続補正書の提出
２ 本願発明について
(１) 本願発明の認定と構成の分説
本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、令和６年４月２６日に提出された手続補正書により補正された請求項１に記載された次に示す事項により特定されるとおりのものである。
検討の便宜上、本願発明の構成を次のように構成Ｘと構成Ａから構成Ｉまでに分説する。また、参考図として、本願の【図２】、【図３】を元に部材名を記入したものを掲載する。
＜本願発明の分説＞
（構成Ａ） 素子基板の上に配される第１電極と、
前記第１電極の端を覆い、前記素子基板の上に配される絶縁層と、
前記第１電極及び前記絶縁層の上に配される機能層と、
前記機能層を挟んで前記第１電極及び前記絶縁層の上に配される第２電極と、
を有し、
（構成Ｂ） 前記機能層は、発光層を有する有機層、または有機光電変換層であり、
（構成Ｃ） 前記素子基板、前記絶縁層、及び前記機能層を通る断面において、
前記絶縁層は、第１部分、第２部分、及び第３部分を有し、
（構成Ｄ） 前記第１部分の側面は、前記第１電極の下面に平行な平行面に対して４５°以上９０°以下で傾斜し、
前記第２部分の側面は、前記第１部分より前記素子基板側にあり前記平行面に対して０°より大きく４５°未満で傾斜し、
前記第３部分の側面は、前記第１部分に対して前記素子基板とは反対の側にあり０°より大きく４５°未満で傾斜し、
（構成Ｅ） 前記第３部分、前記第１部分、及び前記第２部分は連続しており、
（構成Ｆ） 前記機能層は、前記第１部分の側面、前記第２部分の側面、及び前記第３部分の側面と接し、
（構成Ｇ） 前記第２電極は、前記機能層を挟んで前記第１部分、前記第２部分、及び前記第３部分の上に配され、
（構成Ｈ） 前記機能層の前記第１部分の側面と接する部分は、膜厚が、前記第２部分の側面と接する部分の膜厚より小さく、かつ前記第３部分の側面と接する部分の膜厚より小さい部分を有し、
（構成Ｉ） 前記断面において、前記第２部分の前記平行面に垂直な方向における長さは、前記第３部分の前記垂直な方向における長さより大きい
（構成Ｘ） 半導体装置。
＜参考図＞
【図２】
〔図省略〕
【図３】
〔図省略〕
(２) 課題・作用効果等に関連する明細書の発明の詳細な説明の記載
本願明細書の発明の詳細な説明の記載のうち、発明が解決しようとする課題及び作用効果等に関連する記載を抜粋すると、次の記載がある。下線は、当合議体が付したものである。
「【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置、表示装置、光電変換装置、電子機器、照明装置、及び移動体に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光素子は上部電極と下部電極とその間に配置される有機層を有する素子であり、有機層に含まれる有機化合物を励起させることで発光する。半導体装置である発光装置の例として、複数の有機発光素子を有する発光装置がある。
【０００３】
発光装置において、下部電極の端の周囲を覆う絶縁層を配することで、下部電極の端の段差によって有機層や上部電極が段切れするのを抑制することができる。
【０００４】
特許文献１には、該絶縁膜の、下部電極上において有機層と接する内壁面に下部電極表面と平行な部分を設けることで、開口率を向上させながら上部電極の断線を抑制する方法が提案されている
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２－２１６４９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載された内壁部の形状による有機層及び上部電極の段切れ抑制では、上部電極と下部電極の間でリーク電流が生じる場合がある。また、半導体装置の一例である光電変換装置においても、下部電極と上部電極の間に光電変換層が配される光電変換素子において、上部電極と下部電極の間でリーク電流が生じる可能性がある。」
「【０００８】
下部電極と上部電極の間のリーク電流が抑制された半導体装置を提供できる。」
「【００１５】
図２は、図１の破線Ａ―Ａ’における断面構成図を表したものであり、表示装置に適用される発光装置１００の一部の構成を示すものである。発光装置１００は、複数の発光素子１０を有し、発光素子１０は、下部電極２０、上部電極５０、及び下部電極２０と上部電極５０の間に配され発光層を含む有機層４０を有する。」
「【図２】
〔図省略〕
」
「【００１７】
本実施の形態の発光装置１０は、素子基板１の層間絶縁層１１の上に配される下部電極２０と、下部電極２０の端部を覆い素子基板１の上に配される絶縁膜３０を有する。すなわち、絶縁層３０は、下部電極２０をそれぞれの発光素子１０毎に分離するように配される。また、発光装置１００は、下部電極２０と絶縁膜３０の上に配され、発光層を含む有機層４０と、有機層４０を挟んで下部電極２０及び絶縁層３０の上に配される上部電極５０を有する。」
「【００４６】
絶縁膜３０は、下部電極２０の上面周縁部を被覆する部分において、傾斜部３１を持つ。図１に示す平面構造であれば、傾斜部３１は、六角形の各辺を一周してまたがって配置される。
【００４７】
傾斜部３１は、少なくとも傾斜部３１１、傾斜部３１２、及び傾斜部３１３を有する。図３に示す素子基板１、絶縁層３０、及び有機層４０を通る断面において、傾斜部３１２は、下部電極２０の下面に平行な面に対して４５°以上９０°以下で傾斜する側面を有する。該断面において、傾斜部３１３は、傾斜部３１２よりも下部（素子基板側）に存在し、該平行面に対して０°より大きく４５°未満で傾斜する側面を有する。該断面において、傾斜部３１１は、傾斜部３１２及び傾斜部３１３よりも上部（機能層側、すなわち素子基板と反対側）に存在し、０°より大きく４５°未満で傾斜する側面を有する。」
「【図３】
〔図省略〕
」
「【００４９】
また、有機層４０は、正孔輸送層４１を含み、傾斜部３１を被覆する箇所において最も薄くなる箇所をもつ。有機層４０が最も薄い部分の厚さは、厚さＨｏである。傾斜角が０°になる両端の位置は、傾斜部３１の上端３２と下端３３である。
…（中略）…
【００５４】
傾斜部３１３の該垂直な方向における長さＨ３は、傾斜部３１１の該垂直な方向における長さＨ１より大きい。絶縁層３０がこのような構造であることで、下部電極２０及び絶縁層３０の上に配される有機層４０の膜厚が小さくなりすぎ、下部電極２０及び上部電極５０の間でリーク電流が生じるのを抑制することができる。例えば、傾斜部３１１の長さＨ１を１～５０ｎｍ、傾斜部３１３の長さＨ３を１０～１００ｎｍとすることができる。
【００５５】
傾斜部３１３の傾斜角θ３は、例えば、層間絶縁層１１の絶縁部分１１ｂの傾斜の角度θｃを調整することで、変更することができる。層間絶縁層１１の絶縁部分１１ｂの、下部電極２０の下面に平行な面に対する角度θｃを大きくすると、傾斜部３１３の該平行な面に対する角度も大きくなる。一方、層間絶縁層１１の絶縁部分１１ｂの、下部電極２０の下面に平行な面に対する角度θｃを小さくすると、傾斜部３１３の角度も小さくなる。
【００５６】
層間絶縁層１１の絶縁部分１１ｂの、下部電極２０の端を起点として傾斜する部分の、該下部電極２０の下面に平行な面に対する角度θｃを１０°以上４５°未満とすることが好ましい。絶縁部分１１ｂの角度θｃを１０°より小さくすると、隣り合う下部電極２０のパターニング時の残差により、下部電極２０同士が導通してしまうことがある。また、絶縁部分１１ｂの角度θｃを４５°未満とすることで、その上に配される絶縁層３０の傾斜部３１３の傾斜角θ３を０°以上４５°未満とすることができる。
【００５７】
また絶縁部分１１ｂの垂直方向における長さＨｃを大きくすると長さＨ３は大きくなり、長さＨｃを小さくすると長さＨ３は小さくなる。よって、傾斜部３１３の傾斜をコントロールし、傾斜部３１３の該垂直な方向における長さＨ３を傾斜部３１１の該垂直な方向における長さＨ１より大きくすることができる。
…（中略）…
【００６０】
また、傾斜部３１３の長さＨ３は、バリアメタル層２１の厚さＨｂよりも大きい。また傾斜部３１２の長さＨ２は下部電極２０の厚さＨａよりも小さい。これによって、正孔輸送層４１の最も膜厚が小さい部分の厚さＨｏが、絶縁層３０の傾斜部３１において薄くなりすぎるのを更に抑制することができ、有機層４０の下部電極２０と上部電極５０の間のリーク電流を抑制することが可能となる。一方で、絶縁層３０は傾斜角が４５度以上となる傾斜部３１２も有するため、傾斜部３１２上に形成される正孔輸送層４１の抵抗値を局所的に上昇させ、発光素子１０間のリーク電流を抑制することができる。
…（中略）…
【００６２】
また、傾斜部３１２の傾斜角θ２は５５°以上９０°以下となる部分を有することが好ましい。正孔輸送層４１の膜厚が厚くなりすぎず、発光素子１０の間のリーク電流をより抑制することができる。本実施の形態の例では、傾斜部３１２の中で傾斜角θ２が５５°以上９０°以下となる部分の長さは、３０ｎｍ～５０ｎｍであることが好ましい。」
「【００６４】
本実施の形態の発光装置は、例えば次のようにして形成することができる。
【００６５】
図示はしないが、トランジスタなどの半導体素子、容量部、配線層、層間絶縁層などを形成する。次いで、例えばプラズマＣＶＤ法、高密度プラズマＣＶＤ法やそれらの製法を組み合わせることにより絶縁膜を成膜し、素子基板１の最上層となる層間絶縁層１１を形成する。層間絶縁層１１は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸窒化シリコン（ＳＩＯＮ）の少なくともいずれか、またはその積層とすることができる。層間絶縁層１１を成膜した後、表面をＣＭＰ法などにより平坦化する。また、下部電極２と配線層を接続するプラグを形成する。
【００６６】
次に、図４に示すように、素子基板１の上に、例えばスパッタリング法により、下部電極２０を形成する。ここで下部電極２０は、図３に示すようにＴｉおよびＴｉＮからなるバリアメタル層２１、ＡＬ合金からなる反射金属層２２、Ｔｉからなる注入効率調整層２３を含む積層であっても良い。次に、これらの金属膜を、フォトリソグラフィ法およびエッチング法により所望の形状にパターニングして、下部電極２０を形成する。」
「【図４】
〔図省略〕
」
「【００６７】
本実施の形態では、下部電極２０形成のパターニングの際、層間絶縁層１１の表面を同時にエッチングしてもよい。これにより、層間絶縁層１１の、下部電極２０に覆われていない部分がエッチングされ凹部となる。この際のガス種、ガス流量を調整することで、層間絶縁層１１の下部電極２０に覆われていない部分１１ｂの上面を、図２及び図３に示すような、基板側に凸の曲面とすることができる。
…（中略）…
【００６９】
絶縁層３０の傾斜部３１の傾斜は、以下に示すように、絶縁層３０の形成の際に調整してもよく、また、上記層間絶縁層１１の形状で調整してもよく、また、両方を用いてもよい。
【００７０】
エッチング法により金属膜をパターニングする過程で、素子基板１の最上層である層間絶縁層を同時にパターニングしても良い。またエッチング法によるパターニングにより、下部電極２０の側壁および素子基板１の最上層の層間絶縁層の形状を調整することができる。
【００７１】
続いて、図５に示すように、下部電極２０の上に、プラズマＣＶＤ法や高密度プラズマＣＶＤ法もしくはそれらを組み合わせることにより、たとえば酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、の絶縁膜３０を形成する。高密度プラズマ法では、膜を堆積する過程で、たとえばＡｒガスによるスパッタ反応を利用することで、下部電極２０の側面を被覆する絶縁層３０の傾斜を調整することができる。よって、上述の傾斜部３１１、３１２、及び３１３の傾斜角がそれぞれ好ましい範囲の角度となるよう、Ａｒガスの流量を調整して成膜を行う。」
「【図５】
〔図省略〕
」
「【００７２】
次に、絶縁層３０となる上記絶縁層を、フォトリソグラフィ法及びドライエッチング法により、所定の形状にパターニングして、下部電極２０上に対応する開口２４を形成する。この際、同時に図３に示す凹部３６を形成することができる。
…（中略）…
【００７４】
続いて、図６に示すように、例えば真空蒸着法により、有機層４０を形成する、例えば正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層などの有機層の材料を順次堆積する。」
「【図６】
〔図省略〕
」
「【００７５】
引き続き、図７に示すように、減圧雰囲気から大気に開放することなく、真空蒸着法により上部電極５０を形成する。上記の真空蒸着法ではメタルマスクを用いることで、所定の領域に選択的に各材料層を堆積することができる。」
「【図７】
〔図省略〕
」
「【００７９】
発光装置において、発光素子１０が発光色に拠らず同様の構成の有機層を有する場合、本実施の形態で示したように、複数の発光素子１０に渡って連続した有機層４０が配されることがある。このような発光装置では、有機層４０（例えば電荷輸送領域）を介して隣り合う発光素子１０間での電流のリークが発生する可能性がある。発光素子１０間のリーク電流は、意図しない発光の原因となり、発光装置が表示装置に用いられた場合、表示装置の表現性能を表す色域を狭めてしまう。
【００８０】
本実施の形態の発光装置は、下部電極２０の端を覆う絶縁層３０が、下部電極２０の下面に対して平行な面に対し４５°以上９０°以下で傾斜する側面を有する傾斜部３１２を有するため、正孔輸送層４１の膜厚を抑制することができる。よって、有機層４０を介して発光素子１０間での電流のリークを抑制することができる。
【００８１】
一方、絶縁層３０は下部電極２０の下面に対して平行な面に対し０°より大きく４５°未満で傾斜する側面を有する傾斜部３１１及び３１３を有する。更に、傾斜部３１３の、該平行な面に垂直な方向の長さＨ３は、傾斜部３１１の該垂直な方向の長さＨ１より大きい。よって、有機層４０の膜厚が小さくなりすぎることで、下部電極２０と上部電極５０の間でリーク電流が発生するのを抑制することができる。
【００８２】
また、本実施の形態では、表示装置の例で説明したが、絶縁層３０は、機能層として有機光電変換層を有する光電変換素子を複数有する光電変換装置に用いることもできる。有機層を用いた光電変換装置においては、複数の下部電極２０を覆うように連続する有機光電変換層が配される。よって、有機光電変換層を介して複数の下部電極間でリーク電流が生じ、結果として、ノイズが生じる可能性がある。
【００８３】
そこで、有機層を薄くすることによって、隣接する画素間での下部電極におけるリーク電流を抑制することができる。しかし、有機層を薄くすることにより、上部電極と下部電極との間でリーク電流が生じやすくなる。
【００８４】
そこで、本実施の形態で説明した絶縁層３０を有する光電変換素子とすることで、有機層４０の膜厚が小さくなりすぎることによる、下部電極２０と上部電極５０の間でのリーク電流の発生を抑制することができる。」
３ 原査定における拒絶の理由の概要
原査定の拒絶の理由のうち、本願の請求項１に係る発明に対する理由１（新規事項の追加）の概要は、次のとおりである。
請求項１について、「前記機能層の前記第１部分の側面と接する部分の膜厚は、前記第２部分の側面と接する部分の膜厚より小さく、かつ前記第３部分の側面と接する部分の膜厚より小さく」という事項を付加する、令和５年６月６日付け手続補正書でした補正は、以下の(１)及び(２)の点において、出願当初の明細書、特許請求の範囲及び図面（以下、「当初明細書等」という。）に記載された事項の範囲内においてするものではない。
(１) 当初明細書等には、機能層の膜厚について、「傾斜部３１は、少なくとも傾斜部３１１、傾斜部３１２、及び傾斜部３１３を有する。・・・有機層４０は、正孔輸送層４１を含み、傾斜部３１を被覆する箇所において最も薄くなる箇所をもつ。有機層４０が最も薄い部分の厚さは、厚さＨｏである。」（段落【００４７】～【００４９】）と、傾斜部３１１、傾斜部３１２、及び傾斜部３１３を有する傾斜部３１において最も薄い部分となることは記載されているものの、傾斜部３１のうちの第１部分（の側面と接する部分）において最も薄くなることは明記されていない。また、図面が正確な位置関係、大きさ等を示すものではないことに加えて、有機層４０の最も薄い部分の位置がどのような技術的意義を有するのか当初明細書等に記載されていないことに鑑みれば、意見書において補正の根拠として挙げる段落【００４９】、図３から上記事項が自明ともいえない。
そして、上記事項を付加する上記補正により、膜厚に関する新たな技術事項を導入するものである。
(２) 仮に上記(１)が当初明細書等に記載された事項の範囲内であった場合について念のために検討すると、上記事項は、第１部分の側面と接する部分の膜厚について、その全体において、第２，第３部分のものより小さいことを意味すると解されるが、当初明細書等には、「有機層４０は、正孔輸送層４１を含み、傾斜部３１を被覆する箇所において最も薄くなる箇所をもつ。」（段落【００４９】）と、「最も薄くなる箇所をもつ」ことのみが記載されており、前記意味するところの、全体として膜厚が小さくなることは、当初明細書等に記載された事項でも、記載された事項から自明なものでもない。
そして、上記事項を付加する上記補正により、膜厚に関する新たな技術事項を導入するものである。
なお、当該補正がなされた請求項１－１５に記載した事項は、当初明細書等に記載した事項の範囲内にないことが明らかであるから、当該請求項に係る発明については新規性、進歩性等の特許要件についての審査を行っていない。
４ 審査段階における拒絶理由通知の概要
(１) 令和５年４月６日付け拒絶理由通知の有効性について
審査段階において、令和５年４月６日付け拒絶理由通知書により拒絶の理由を通知しているところ、審査においてした手続は、拒絶査定不服審判においても、その効力を有する（特許法１５８条）。
(２) 令和５年４月６日付け拒絶理由通知の内容
令和５年４月６日付けで通知した、請求項１に係る発明についての拒絶の理由３（進歩性欠如）の概要は、次のアに示すとおりである。また、当該拒絶理由通知時の請求項１の記載を後記イに示す。
ア 拒絶の理由３（進歩性欠如）の概要
本願の請求項１に係る発明は、その出願前に発行された下記の引用文献１に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
記
引用文献１．特開２０１９－３２９３９号公報（主たる引用文献）
引用文献１（特に段落【０００９】～【０１０５】、図１－１８）には、素子基板（１００）（段落【００１３】）の上に配される第１電極（１１０）と、前記第１電極の端を覆い、前記素子基板の上に配される絶縁層（１２０）と、前記第１電極及び前記絶縁層の上に配される機能層（１３０）と、前記機能層を挟んで前記第１電極及び前記絶縁層の上に配される第２電極（１４０）と、を有する、半導体装置の発明が記載されている。
引用文献１に記載された発明では、第１電極の下面に平行な平行面に対する、第１部分ないし第３部分の角度について、明記されていないが、前記角度は、引用文献１の図８及び「オーバーハング」（段落【００５６】）から第１、第３部分の角度を有することは明らかであって、第２部分の角度も図８から明らかである。加えて、他に引用例１の図９、１５、１７等からも明らかであるか、仮に明らかとまではいえないとしても設計事項である。
引用文献１に記載された発明では、第２部分の平行面に垂直な方向における長さは、第３部分の垂直な方向における長さより大きい、という事項は明記されていないが、長さをどのようなものとするかは設計事項にすぎない。
また、本願の明細書段落【００５４】等に記載される、リーク電流が生じるのを抑制できるという効果は、上記請求項に、絶縁層上のどの部分の上に、機能層（有機層）をどのような厚みで配置するのか、及び、第１部分ないし第３部分が、上記各請求項に記載される「側面」以外にどのような面を「有する」（あるいは有しない）のか、特定されていないことに鑑みれば、上記請求項に係る発明が必然的に奏するものではない。
イ 令和５年４月６日付け拒絶理由通知時の請求項１の記載
「【請求項１】
素子基板の上に配される第１電極と、
前記第１電極の端を覆い、前記素子基板の上に配される絶縁層と、
前記第１電極及び前記絶縁層の上に配される機能層と、
前記機能層を挟んで前記第１電極及び前記絶縁層の上に配される第２電極と、
を有し、
前記素子基板、前記絶縁層、及び前記機能層を通る断面において、前記絶縁層は、
前記第１電極の下面に平行な平行面に対して４５°以上９０°以下で傾斜する側面を有する第１部分、
前記第１部分より前記素子基板側にあり前記平行面に対して０°より大きく４５°未満で傾斜する側面を有する第２部分、及び
前記第１部分に対して前記素子基板とは反対の側にあり０°より大きく４５°未満で傾斜する側面を有する第３部分
を有し、
前記断面において、前記第２部分の前記平行面に垂直な方向における長さは、前記第３部分の前記垂直な方向における長さより大きい半導体装置。」
５ 当審の判断の概要
当審において、引用文献１を主たる引用文献とする進歩性欠如の拒絶の理由について検討したところ、後述するとおり、本願発明は、引用文献１に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであると判断した。
また、この拒絶の理由は、前記４に示した、令和５年４月６日付け拒絶理由通知における拒絶の理由３と実質的に同じである。
そして、審査においてした手続は、拒絶査定不服審判においても、その効力を有するところ（特許法１５８条）、この拒絶の理由に対して、請求人（出願人）には意見を述べる機会が既に与えられたといえる。
６ 引用文献１の記載事項、引用発明等の認定
(１) 引用文献１に記載された事項
審査段階の拒絶の理由において引用された、本願の出願前に発行された文献である特開２０１９－３２９３９号公報（以下「引用文献１」という。）には、次の記載がある（なお、当合議体により、後記(３)の引用発明の認定に直接用いる記載に下線を付した。）。
ア 【請求項１】～【請求項２】
「【請求項１】
第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置された有機層と、前記第１電極の少なくとも側面を被覆する絶縁膜とを有する表示装置であって、
前記絶縁膜は、前記第１電極の側面の少なくとも一部分を被覆する第１絶縁層と、前記側面を被覆する第２絶縁層とを含み、前記第１絶縁層は、前記側面と前記第２絶縁層との間に配置され、前記第１絶縁層は、第１部分と、前記第１部分よりも密度が低い第２部分とを含む、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第１部分は、前記第１電極の上面における外周部を被覆する部分を含み、
前記第２部分は、前記第１電極の側面の側方に位置する、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。」
イ 段落【０００１】～【０００７】
「【０００１】
本発明は、表示装置およびその製造方法ならびに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光層として有機層を有する表示装置が注目されている。このような表示装置では、陰極から注入された電子と、陽極から注入された正孔とが発光層で再結合することによって光が発生し、その光が陰極または陽極を通して取り出される。特許文献の課題の欄には、下部電極間の間隙および下部電極の端部を被覆する画素規制層をスパッタ法またはＣＶＤ法によって形成した場合に、下部電極の側面が画素規制層によって完全に被覆されず、下部電極と上部電極とが短絡しうることが記載されている。特許文献１には、下部電極の側面が画素規制層によって完全に被覆されない理由として、スパッタ法またはＣＶＤ法のような成膜方法では段差被覆性が不十分であることが挙げられている。このような課題を解決しうる構成として、特許文献１には、反射金属膜とその上に積層された透明電極膜とによって第１電極を構成し、第１電極の端部には、透明電極膜を設けず、反射金属膜を酸化させた金属酸化物膜を設ける構成が開示されている。第１電極の上には、発光層を介して第２電極が配置される。
…（中略）…
【０００４】
特許文献１に記載された発明は、十分な段差被覆性が得られないスパッタ法またはＣＶＤ法によって画素規制層を形成する代わりに、反射金属膜を酸化させる方法によって金属酸化物膜を形成するものである。しかし、特許文献１に記載された発明では、反射金属膜の材料は、酸化工程によって十分な品質の金属酸化膜が得られる必要があり、反射金属膜の材料が制限される。また、特許文献１では、反射金属膜の酸化によって得られる金属酸化膜の品質が十分でない場合に対する考慮がなされていない。ここで、金属酸化膜の品質が十分でないと、第１電極と第２電極とが短絡したり、第１電極の望ましくない部分から発光層への電流パスが形成されたり、発光層に水分が侵入したりしうる。
【０００５】
本発明は、第１電極の側面を被覆するように絶縁膜を有する表示装置において第１電極の構成材料に対する制限を緩和しつつ該絶縁膜の品質を向上させるために有利な技術を提供することを目的とする。
…（中略）…
【０００７】
本発明によれば、第１電極の側面を被覆するように絶縁膜を有する表示装置において第１電極の構成材料に対する制限を緩和しつつ該絶縁膜の品質を向上させるために有利な技術が提供される。」
ウ 段落【００１０】～【００１２】、【図１】、【図２】
「【００１０】
図１には、本発明の第１実施形態の表示装置１の構成が示されている。表示装置１は、画素領域２０および周辺回路領域４０を有する。画素領域２０には、複数の副画素２１が配置されている。各副画素２１は、例えば、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）またはＢ（青色）の副画素でありうる。周辺回路領域４０は、信号線駆動回路４１および走査線駆動回路４２を含みうる。画素領域２０および周辺回路領域４０は、基板１０の上に配置されうる。」
「【図１】
〔図省略〕
」
「…（前略）…
【００１２】
図２には、副画素２１の配列が例示されている。ここで、副画素２１は、Ｒ色の副画素ＰＲ、Ｇ色の副画素ＰＧ、Ｂ色の副画素ＰＢとして示されている。この例では、各副画素は六角形の形状を有するが、他の形状（例えば、四角形または他の多角形）を有してもよい。また、複数の副画素の配列は、マトリクス状であってもよいし、その他の配列でもよい。また、一例において副画素の配列ピッチは約５μｍであり、Ｒ色の副画素ＰＲ、Ｇ色の副画素ＰＧおよびＢ色の副画素ＰＢで構成される画素の配列ピッチ約８μｍである。この実施形態では、３つの副画素で１つの画素が構成される例を説明するが、１つの画素は、４以上の副画素で構成されてもよい。」
「【図２】
〔図省略〕
」
エ 段落【００１３】～【００２１】、【図３】
「【００１３】
図３には、図２のＡ－Ａ’線における断面構造が模式的に示されている。副画素２１の構成要素のうち有機発光素子ＥＬを駆動するための書き込みトランジスタＴｒ１、駆動トランジスタＴｒ２および保持容量Ｃｃは、駆動回路を構成し、駆動回路層１０１に配置されている。駆動回路層１０１には、書き込みトランジスタＴｒ１および駆動トランジスタＴｒ２に対する迷光を遮断する遮光層が配置されうる。駆動回路層１０１は、半導体基板１００を含んでもよく、書き込みトランジスタＴｒ１、駆動トランジスタＴｒ２の活性領域は、半導体基板１００の中に形成されうる。あるいは、書き込みトランジスタＴｒ１および駆動トランジスタＴｒ２は、ガラス基板等の絶縁性基板の上に形成されうる。絶縁性基板は、導電性基板の表面に絶縁膜を有する基板であってもよい。」
「【図３】
〔図省略〕
」
「【００１４】
駆動回路層１０１の上には、層間絶縁層１０２が配置され、層間絶縁層１０２の上には、Ｒ色の副画素ＰＲ、Ｇ色の副画素ＰＧ、Ｂ色の副画素ＰＢの有機発光素子ＥＬが配置される。表示装置１は、複数の第１電極（アノード）１１０、複数の第１電極１１０の少なくとも側面を被覆する絶縁膜１２０、複数の第１電極１１０および絶縁膜１２０の上に配置された有機層１３０を含みうる。また、表示装置１は、有機層１３０の上に配置された第２電極（カソード）１４０を含みうる。各有機発光素子ＥＬは、第１電極１１０、有機層１３０および第２電極１４０で構成され、複数の有機発光素子ＥＬは、絶縁膜１２０によって分離される。第２電極１４０は、複数の有機発光素子ＥＬに対して共有に設けられうる。有機発光素子ＥＬの上には、防湿層１５０、平坦化層１６０およびカラーフィルタ層１７０が配置されうる。
【００１５】
絶縁膜１２０は、複数の第１電極の各々の側面の少なくとも一部分を被覆する第１絶縁層１２１と、複数の第１電極の各々の側面を被覆する第２絶縁層１２２とを含む。第１絶縁層１２１は、複数の第１電極の各々の側面と第２絶縁層１２２との間に配置される。有機層１３０は、複数の第１電極１１０および絶縁膜１２０の上に配置された複数の層を含みうる。図３では、単純化のために、有機層１３０を構成する複数の層として、正孔注入層１３１と、多層膜１３２とが示されている。多層膜１３２は、正孔注入層１３１の側から順に、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を積層した構造を有しうる。
…（中略）…
【００１８】
第１電極１１０は、副画素毎に電気的に個別に設けられる。第１電極１１０は、反射層としての機能も兼ねている。第１電極１１０の反射率を高めることにより、発光素子ＥＬの発光効率を高めることができる。第１電極１１０の厚さは、例えば、３０ｎｍ～１０００ｎｍの範囲内でありうる。第１電極１１０は、下地となる層間絶縁層１０２の上に配置された複数の導電材料層を有しうる。第１電極１１０は、例えば、下地となる層間絶縁層１０２の側から、バリアメタル層１１１、反射金属層１１２、正孔注入効率を調整するための注入効率調整層１１３が順に積層されて構成されうる。バリアメタル層１１１は、単層であってもよいし、積層構造を有していてもよい。バリアメタル１１１は、例えば、層間絶縁層１０２の側から、１０～１００ｎｍの範囲内の厚さを有するＴｉと、１０～１００ｎｍの範囲内の厚さを有するＴｉＮとを積層して構成されうる。反射金属層１１２は、可視光領域における反射率が７０％以上であることが好ましい。反射金属層１１２は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）またはそれらの少なくとも１つを含む合金で構成されうる。また、反射金属層１１２は、高い反射率を得るために５０ｎｍ以上の厚さを有しうる。一方、反射金属層１１２の厚さの上限は、反射金属層１１２の上に形成される有機層１３０および第２電極１４０が第１電極１１０によって形成される段差を十分に被覆することができるように決定されうる。及び、または、反射金属層１１２の厚さの上限は、反射金属層１１２の表面のラフネスを考慮して決定されうる。
【００１９】
例えば、第１電極１１０の厚さは、第１電極１１０と第２電極１４０の間に配置される有機層１３０の厚さよりも薄いことが好ましい。反射金属層１１２をアルミニウムまたはアルミニウム合金を用いる場合には、反射金属層１１２の表面の酸化を防止し、また、正孔注入効率を向上するために、反射金属層１１２の上に注入効率調整層１１３を設けることが好ましい。注入効率調整層１１３は、例えば、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｔａ等の高融点金属およびそれらの少なくとも１つを含む合金、または、ＩＴＯ、ＩＺＯ等の透明電極材料で構成されうる。注入効調整層１１３としてＴｉ等の高融点金属を用いる場合には、第１電極１１０の反射率低下を考慮して、注入効調整層１１３の厚さを５０ｎｍ以下とすることが好ましい。また、第１電極１１０上に設ける正孔注入層１３１は、正孔注入性の観点から、抵抗値が低い材料で構成されることが好ましい。
【００２０】
第１絶縁層１２１は、第１電極１１０の側面の少なくとも一部を被覆するように設けられうる。例えば、第１絶縁層１２１は、１ｎｍ～１００ｎｍの範囲内の厚さを有しうる。第１絶縁層１２１は、例えば、アクリルまたはポリイミド等の有機材料、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）等の無機材料で構成されうる。また、第１絶縁層１２１は、有機層１３０が水分の影響により劣化しないように、含水率が低い材料で構成されることが好ましい。第１絶縁層１２１は、第１電極１１０上の発光領域を規定する。第１絶縁層１２１は、隣接して配列された第１電極１１０の間に延在するように配置され、第１電極１１０の上面の周辺部を被覆する一方で第１電極１１０上の発光領域に対応する部分に開口を有する。
【００２１】
第２絶縁層１２２は、第１絶縁層１２１と有機層１３０との間に設けられる。第２絶縁層１２２は、第１絶縁層１２１を介して第１電極１１０の側面を被覆するように配置されうる。第２絶縁層１２２の厚さは、１ｎｍ～１００ｎｍの範囲内でありうる。第２絶縁層１２２は、例えば、アクリルまたはポリイミド等の有機材料、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）等の無機材料で構成されうる。第２絶縁層１２２は、有機層１３０が水分の影響により劣化しないように、含水率が低い材料から選択される。第２絶縁層１２２は、第１絶縁層１２１を介して、第１電極１１０の上面の周辺部を被覆する一方で第１電極１１０の上の発光領域に対応する部分に開口を有する。」
オ 段落【００２３】～【００２５】、【図４】
「【００２３】
図４は、図３の一部を拡大した断面図である。第１電極１１０は、複数の導電材料層を積層して構成されうる。第１電極１１０は、層間絶縁膜１０２の上面に対する平面視において該複数の導電材料層のうち少なくとも１つの導電材料層の側面が該複数の導電材料層のうち他の導電材料層の側面よりも突出するように構成されうる。例えば、第１電極１１０は、バリアメタル１１１、反射電極層１１２および注入効率調整層１１３等の複数の導電材料層を積層して構成され、少なくとも１つの導電材料層である注入効率調整層１１３が他の導電材料層より突出している。これにより、第１電極１１０の側面に庇状の段差４０１が形成されうる。庇状の段差４０１は、複数の導電材料層をパターニングして第１電極１１０を形成する際に、複数の導電材料層のエッチングレートの違い等によって形成されうる。あるいは、庇状の段差４０１は、複数の導電材料層をパターニングして第１電極１１０を形成する際に複数の導電材料層のエッチングレートの違いを利用して意図的に形成されてもよい。図４に示された例では、注入効率調整層１１３が反射金属層１１２の上面を完全に被覆しつつ庇状に突出している。このような構造は、有機層１３０が局所的に反射金属層１１２に接触することによる局所的な注入効率異常の発生を防ぐために効果的である。」
「【図４】
〔図省略〕
」
「【００２４】
第１絶縁層１２１は、複数の第１電極１１０の少なくとも側面と第２絶縁層１２２との間に配置される。第１絶縁層１２１は、第１部分５０１と、第１部分５０１よりも密度（単位体積当たりの質量）が低い第２部分（低密度部または欠陥含有部とも呼ばれうる）５０２とを含みうる。第１部分５０１は、複数の第１電極１１０の各々の上面における外周部を被覆する部分を含みうる。第２部分５０２は、第１複数の第１電極１１０の各々の側面の側方、例えば、段差４０１の近傍（段差４０１を構成する注入効率調整層１１３の近傍）に配置されうる。第２部分５０２は、段差４０１を構成する注入効率調整層１１３と相関絶縁膜１０２の上面との間に配置されうる。
【００２５】
第２部分５０２は、例えば、空洞、間隙またはクラック等の欠陥を有する部分、または、欠陥自体でありうる。第２部分５０２が、第１電極１１０の望ましくない部分から有機層１３０への電流パスを形成したり、有機層１３０に水分を侵入させたりしうる。第２絶縁層１２２は、第１絶縁層１２１の第２部分５０２を被覆するように配置され、これにより、第２部分５０２が直接に有機層１３０に接触することが抑制される。第１電極１１０の望ましくない部分から有機層１３０への電流パスの形成が抑制されうる。また、第２部分５０２が大きな空洞として形成された場合、第２絶縁層１２２が存在しないと、第１電極１１０と第２電極１４０とが短絡しうるが、第２絶縁層１２２を設けることによって、このような短絡が防止されうる。第２絶縁層１２２は、第１電極１１０の被覆すべき領域の全体を十分に被覆するように配置される。」
カ 段落【００３４】～【００３９】、【図５】
「【００３４】
以下、図５Ａ～５Ｅを参照しながら第１実施形態の表示装置１の製造方法を例示的に説明する。まず、工程Ｓ５０１では、書き込みトランジスタＴｒ１、駆動トランジスタＴｒ２および保持容量Ｃｃ等の回路素子を駆動回路層１０１が形成される。駆動回路層１０１、例えばＭＯＳプロセス等によって形成されうる。次いで、駆動回路層１０１の上に層間絶縁層１０２が形成される。層間絶縁層１０２は、例えば、酸化膜（ＳｉＯｘ）または酸窒化膜（ＳｉＯＮ）等の絶縁膜によって形成されうる。層間絶縁層１０２の上面は、ＣＭＰ法等によって平坦化されうる。次いで、フォトリソグラフィ法およびドライエッチング法により層間絶縁層１０２の所定の位置に複数の接続口が形成され、該複数の接続口に、例えばタングステン（Ｗ）等の導電性材料が充填されるように該導電性材料の膜が形成される。その後、該膜がＣＭＰ法あるいはエッチバック法によって処理されることによって、該導電性材料よりなるプラグ１０３が形成される。
【００３５】
次に、工程Ｓ５０２では、層間絶縁層１０２の上に、例えば、チタン（Ｔｉ）膜、窒化チタン（ＴｉＮ）膜、アルミニウム合金膜、チタン（Ｔｉ）膜からなる積層金属膜が形成される。該積層金属膜は、例えば、スパッタリング法によって形成されうる。次に、工程Ｓ５０３では、工程Ｓ５０２で形成された積層金属膜がフォトリソグラフィ法およびドライエッチング法によってパターニングされて、プラグ１０３に接続された第１電極１１０が形成される。
【００３６】
次に、工程Ｓ５０４では、第１電極１１０の上に、例えば、プラズマＣＶＤ法により、例えば、酸化膜（ＳｉＯｘ）、酸窒化膜（ＳｉＯＮ）または窒化ケイ素膜（ＳｉＮｘ）等の絶縁層が第１絶縁層１２１として形成される。ここで、第１絶縁層１２１は、４００℃以下の温度で形成されることが好ましい。」
「【図５Ａ】 【図５Ｂ】
〔図省略〕
」
「【００３７】
次に、工程Ｓ５０５では、第１絶縁層１２１の上に、例えば、高密度プラズマＣＶＤ法により、例えば酸化膜（ＳｉＯｘ）、酸窒化膜（ＳｉＯＮ）または窒化ケイ素膜（ＳｉＮｘ）等の絶縁層が第２絶縁層１２２として形成されうる。ここで、第２絶縁層１２２を高密度プラズマＣＶＤ法で形成する場合において、例えば、アルゴン（Ａｒ）ガスによるスパッタ反応を利用することで、第１電極１１０の庇状の段差４０１を被覆する第２絶縁層１２２の上面の傾斜を緩和することができる。つまり、第２絶縁層１２１のうち第１電極１１０の側面の段差４０１を被覆している部分の表面に生じる段差は、第１絶縁層１２１のうち第１電極１１０の側面の段差４０１を被覆している部分の表面に生じる段差よりも小さくなる。
【００３８】
次に、工程Ｓ５０６では、第１絶縁層１２１および第２絶縁層１２２がフォトリソグラフィ法およびドライエッチング法によってパターニングされ、第１電極１１０の上に開口部を有する絶縁膜１２０が形成される。この際に、後の工程で形成される第２電極１４０を第１電極１１０と同層の金属層に接続するための接続口も同時に形成されうる。次に、絶縁膜１１０が形成された構造体を洗浄する洗浄工程が実施されることによって構造体の表面の異物が除去される。また、洗浄工程の後に脱水処理が実施され、構造体の表面の水分が除去されうる。
【００３９】
次に、工程Ｓ５０７では、例えば真空蒸着法により、有機発光素子を構成する有機層１３０として、例えば、正孔注入層１３１、正孔輸送層、発光層、電子輸送層（正孔輸送層、発光層、電子輸送層は、多層膜１３２として記載されている。）等の複数の有機層が順次に形成されうる。引き続き、減圧雰囲気から大気に開放されることなく、真空蒸着法により第２電極１４０が形成されうる。真空蒸着法によって有機層１３０を形成する際に、メタルマスクを用いることで所定の領域に選択的に有機層１３０を形成することができる。前述の工程Ｓ５０６では、第２絶縁層１２２は、有機層１３０が形成される領域を包含するように形成されることが好ましい。」
「【図５Ｃ】 【図５Ｄ】
〔図省略〕
」
キ 段落【００７０】～【００７９】、【図１０】、【図１２】
「【００７０】
以下、本発明の第５実施形態について説明する。なお、第５実施形態として言及しない事項は、第１実施形態に従いうる。図１０には、図２のＡ－Ａ’線における断面構造が模式的に示されている。副画素２１の構成要素のうち発光素子ＥＬを駆動するための書き込みトランジスタＴｒ１、駆動トランジスタＴｒ２および保持容量Ｃｃは、駆動回路を構成し、駆動回路層１０１に配置されている。駆動回路層１０１には、書き込みトランジスタＴｒ１、駆動トランジスタＴｒ２に対する迷光を遮断する遮光層が配置されうる。駆動回路層１０１は、半導体基板１００を含んでもよく、書き込みトランジスタＴｒ１、駆動トランジスタＴｒ２の活性領域は、半導体基板１００の中に形成されうる。あるいは、書き込みトランジスタＴｒ１および駆動トランジスタＴｒ２は、ガラス基板等の絶縁性基板の上に形成されうる。」
「【図１０】
〔図省略〕
」
「…（前略）…
【００７２】
第５実施形態の１つの特徴は、絶縁膜１２０の形成方法にある。絶縁膜１２０は、例えば、高密度プラズマＣＶＤ法によって形成されうる酸化シリコンで構成されうる。高密度プラズマＣＶＤ法による絶縁膜１２０の形成方法では、例えば、原料ガスであるＳｉＨ４およびＯ２をプラズマによって分解して、堆積作用とスパッタリング作用とが競合する条件で絶縁膜１２０が形成されうる。スパッタリング作用は、例えば、絶縁膜１２０を形成する対象物（駆動回路層１０１、層間絶縁膜１０２および第１電極１１０を有する構造体（基板））を支持する基板ホルダに備えられたバイアス電極にバイアスパワーを供給することによって引き起こされうる。このバイアスパワーによって、形成途中の絶縁膜１２０にＡｒイオンが衝突し、これによって形成途中の絶縁膜１２０のスパッタリングが起こる。
【００７３】
上記のような高密度プラズマＣＶＤ法は、隣り合う第１電極１１０間のスペースが狭い場合においても高品位の絶縁膜１２０を形成するために有利である。しかしながら、一方で、高密度プラズマＣＶＤ法では、第１電極１１０の上に絶縁膜１２０を形成する処理の初期段階において、Ａｒイオンによって第１電極１１０の表面がスパッタリングされ、これによって第１電極１１０の表面が荒れるという問題がある。第１電極１１０の表面が荒れると、第１電極１１０の表面の反射率が低下しうる。第１電極１１０の上面の荒れは、第１電極１１０の表面に対するＡｒイオンの衝突によって第１電極１１０の上面の温度が急激に上昇し、この温度による第１電極１１０の上面の変形によって引き起こされうる。しかし、第１電極１１０の上面の上にある程度の厚さを有する絶縁膜１２０が形成された後は、第１電極１１０の上面の荒れが発生しにくい傾向が観察された。
【００７４】
このことから、第１電極１１０の上面の熱による変形は、第１電極１１０の上面を被覆する絶縁膜１２０によって抑制されるものと推定される。第１電極１１０の上面の熱による荒れが大きい場合には、第１電極１１０の上面の反射率の低下が無視しえないものとなりうる。ここでの反射率は、可視光領域の波長に対する反射率を意味している。また、反射率の低下を抑えるためには、例えば、第１電極１１０の上面における最大高低差を５０ｎｍ以下にすることが好ましく、２０ｎｍ以下にすることが更に好ましい。ただし、第１電極１１０の上面の荒れの許容値は、第１電極１１０に要求される反射率に応じて変化しうる。
【００７５】
以上より、絶縁膜１２０のうち少なくとも第１電極１１０の上面に接する部分を形成する工程、即ち、絶縁膜１２０の形成の初期段階では、第１電極１１０の表面が荒れないように、スパッタリング作用を制限することが有効である。しかし、スパッタリング作用が制限された条件のままで絶縁膜１２０を形成すると、図１１に例示されるように、絶縁膜１２０のうち第１電極１１０の側面の部分がオーバーハングし、この部分で有機層１３０が不連続になりうる。また、有機層１３０の上に形成される第２電極１４０も不連続になりうる。第１電極１１０の側面における絶縁膜１２０のオーバーハングが過度になると、絶縁膜１２０も不連続になり、第１電極１１０と第２電極１４０とが短絡しうる。
【００７６】
以上のような課題に対して、第５実施形態では、絶縁膜１２０を形成する工程は、第１工程と、該第１工程の後に実施される第２工程とを含む。該第１工程では、堆積作用とスパッタリング作用とが競合する第１条件で絶縁膜１２０の一部が形成される。該第２工程では、堆積作用とスパッタリング作用とが競合する第２条件で絶縁膜１２０の他の一部が形成される。該第１条件におけるスパッタリング作用は、該第２条件におけるスパッタリング作用よりも弱い。これにより、図１２に例示されるように、第１電極１１０の側面の近傍における絶縁膜１２０の上面を緩やかにし、絶縁膜１２０を連続的な形状にすることができる。ここで、第１工程から第２工程への移行は、緩やかになされてもよいし、ステップ状になされてもよい。
【００７７】
スパッタリング作用の程度を調整するパラメータとしては、例えば、絶縁膜１２０を形成する対象物を支持する基板ホルダに備えられたバイアス電極に供給するバイアスパワー、成膜チャンバーに供給するＡｒガス流量等がある。第１例では、成膜ガス条件をＳｉＨ４ガス流量＝１０５ｓｃｃｍ、Ｏ２ガス流量＝１５０ｓｃｃｍ、Ａｒガス流量＝２４０ｓｃｃｍとして、スパッタリング作用を調整する。第１の例で、図１４（ａ）に示されるように、バイアスパワーを０Ｗのまま絶縁膜１２０を厚さが２０ｎｍになるまで成長させる（第１工程）。その後、絶縁膜１２０の厚さが６５ｎｍになるまで、バイアスパワーを０Ｗから１２００Ｗまで線形に増加させる（第２工程）。
【００７８】
第２の例では、ＳｉＨ４ガス流量＝１０５ｓｃｃｍ、Ｏ２ガス流量＝１５０ｓｃｃｍ、バイアスパワー１２００Ｗとして、Ａｒガス流量の調整することによってスパッタリング成分を調整する。第２の例で、図１４（ｂ）に示されるように、Ａｒガス流量を０ｓｃｃｍとして絶縁膜１２０を厚さが２０ｎｍになるまで成長させる（第１工程）。その後、絶縁膜１２０の厚さが６５ｎｍになるまで、Ａｒガス流量を０ｓｃｃｍから２４０ｓｃｃｍまで線形に増加させる（第２工程）。
【００７９】
第１例および第２例において、第１電極１１０の上面の荒れ（第１電極１１０の上面の高低差）は、最大でも１５ｎｍ以下まで抑えられた。一方、絶縁膜１２０の形成の初期段階からスパッタリング作用を有する成膜条件で絶縁膜１２０を形成した比較例では、第１電極１１０の上面の荒れ（第１電極１１０の上面の高低差）は、最大で６５ｎｍであった。第１例および第２例で絶縁膜１２０を形成した場合の第１電極１１０の反射率は、比較例よりも７％向上した。」
「【図１２】
〔図省略〕
」
ク 段落【００８２】～【００８７】、【図１５】
「【００８２】
以下、図１５を参照しながら本発明の第６実施形態を説明する。第６実施形態は、第５実施形態の変形例である。第６実施形態として言及しない事項は、第５実施形態にしたがいうる。第６実施形態では、絶縁膜１２０が第１絶縁層１２１と第２絶縁層１２２とで構成される。第５実施形態（当審注：「第６実施形態」の誤記であると認める。）では、絶縁膜１２０を形成する工程は、第１工程と、該第１工程の後に実施される第２工程とを含む。該第１工程では、第１条件で絶縁膜１２０の一部である第１絶縁層１２１が形成される。該第２工程では、堆積作用とスパッタリング作用とが競合する第２条件で絶縁膜１２０の他の一部である第２絶縁層１２２が形成される。該第１条件では、スパッタリング作用は起こらない。したがって、第１条件におけるスパッタリング作用は、該第２条件におけるスパッタリング作用よりも弱い。」
「【図１５】
〔図省略〕
」
「【００８３】
例えば、第１工程では、第１絶縁層１２１としての酸化シリコン層が平行平板型プラズマＣＶＤ法を使用して形成され、第２工程では、第２絶縁層１２２としての酸化シリコン層が高密度プラズマＣＶＤ法を使用して形成されうる。平行平板型プラズマＣＶＤ法は、高密度プラズマＣＶＤ法と異なり、スパッタリング作用がない成膜方法である。この時、スパッタリング作用が強い条件で成膜された膜は、スパッタリング作用が低い条件で成膜された膜よりも、Ａｒの含有率が高くなる。よって、第２絶縁層１２２のＡｒの含有率は、第１絶縁層１２１のＡｒの含有率より高い。
【００８４】
一例において、第１工程では、第１絶縁層１２１として、厚さが４０ｎｍのＴＥＯＳ膜が平行平板型プラズマＣＶＤ法によってＣＶＤ装置内で形成される。ここで、熱の影響によって第１電極１１０の上面が荒れないように、４００℃以下の温度で第１絶縁層１２１としてのＴＥＯＳ膜が形成されうる。第１電極１１０を形成する際の温度と第１絶縁層１２１を形成する際の温度との差異を１００℃未満にすることが好ましい。これにより、第１絶縁層１２１の形成後の熱応力（ひずみ応力）を抑制することができ、第１電極１１０の上面の平滑性を維持しやすくなる。
【００８５】
平行平板型プラズマＣＶＤ法では、第１電極１１０の上面および側面を被覆するように第１絶縁層１２１が形成される。ここで、第１電極１１０の上面の上に第１絶縁層１２１の厚さを薄くしつつ、第１電極１１０の側面を十分に被覆する観点で、平行平板型プラズマＣＶＤ法は、高密度プラズマＣＶＤ法よりも有利である。
【００８６】
次いで、第２工程では、第２絶縁層１２２として、厚さが２５ｎｍのＴＥＯＳ膜が高密度プラズマＣＶＤ法を使用して高密度プラズマＣＶＤ装置内で形成されうる。高密度プラズマＣＶＤ法では、堆積作用とスパッタリング作用とが競合しながら第２絶縁層１２２が形成される。高密度プラズマＣＶＤ法を使用して形成される第２絶縁層１２２が第１電極１１０の側面を被覆する部分の表面は、平行平板型プラズマＣＶＤ法に使用して形成される第１絶縁層１２１が第１電極１１０の側面を被覆する部分の表面よりも滑らかである。これにより、第１電極１１０の側面を絶縁膜１２０によってより確実に被覆することができる。
【００８７】
ここで、図１５（ａ）に例示されるように、第１絶縁層１２１が絶縁膜１２０の表面の一部を構成してもよいし、図１５（ｂ）に例示されるように、第２絶縁層１２２が絶縁膜１２０の表面を構成してもよい。例えば、第２工程において、バイアスパワーおよび／またはイオン密度を調整することによってスパッタリング作用を調整し、これによって絶縁膜１２０の表面の形状を調整することができる。」
(２) 引用文献１の記載から読み取れる事項の認定
ア 第１、５実施形態を踏まえた第６実施形態の構成
(ア) 引用文献１の段落【００８２】には、「第６実施形態は、第５実施形態の変形例である。第６実施形態として言及しない事項は、第５実施形態にしたがいうる。」と記載されており、段落【００７０】には「第５実施形態として言及しない事項は、第１実施形態に従いうる。」と記載されている。
(イ) そして、引用文献１には、第１実施形態として、段落【００１０】～【００２５】、【図１】～【図４】に表示装置１の画素部の全体構成が示されており、段落【００３４】～【００３９】、【図５】に表示装置１の画素部の製造方法が開示されており、第５実施形態として、段落【００７０】～【００８１】、【図１０】、【図１２】に表示装置１の副画素を構成する発光素子を駆動するための構成とその製造方法が開示されているところ、第６実施形態として、段落【００８２】～【００８７】、【図１５】に第５実施形態の製造方法の変形例が開示されている。
(ウ) 前記(ア)及び(イ)を踏まえると、第６実施形態の構成を認定するに当たって、第１実施形態及び第５実施形態の構成を援用することは、第６実施形態を開示する内容に抵触しない限り、差し支えないというべきであり、具体的には、第６実施形態は、次の構成を備えているものとして認定できる。
「駆動回路層１０１は、半導体基板１００を含み、（【００１３】）
駆動回路層１０１の上には、層間絶縁層１０２が配置され、（【００１４】）
層間絶縁層１０２の上には、Ｒ色の副画素ＰＲ、Ｇ色の副画素ＰＧ、Ｂ色の副画素ＰＢの有機発光素子ＥＬが配置され、（【００１４】）
各有機発光素子ＥＬは、第１電極１１０、有機層１３０および第２電極１４０で構成され、（【００１４】）
有機層１３０は、複数の第１電極１１０及び絶縁膜１２０の上に配置され、（【００１４】）
第２電極１４０は、有機層１３０の上に配置され、（【００１４】）
有機層１３０は、複数の第１電極１１０および絶縁膜１２０の上に配置された複数の層を含み、（【００１５】）
有機層１３０を構成する複数の層として、正孔注入層１３１と、多層膜１３２とが示され、（【００１５】）
多層膜１３２は、正孔注入層１３１の側から順に、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を積層した構造を有し、（【００１５】）
真空蒸着法により、有機層１３０として、正孔注入層１３１、正孔輸送層、発光層、電子輸送層が順次に形成され、（【００３９】）
第２電極１４０は、複数の有機発光素子ＥＬに対して共有に設けられ、（【００１４】）
絶縁膜１２０は、複数の第１電極の各々の側面の少なくとも一部分を被覆する第１絶縁層１２１と、複数の第１電極の各々の側面を被覆する第２絶縁層１２２とを含み、（【００１５】）
第１絶縁層１２１は、複数の第１電極の各々の側面と第２絶縁層１２２との間に配置され、（【００１５】）
第１絶縁層１２１は、第１電極１１０上の発光領域を規定し、第１電極１１０の上面の周辺部を被覆する一方で第１電極１１０上の発光領域に対応する部分に開口を有し、（【００２０】）
第２絶縁層１２２は、第１絶縁層１２１と有機層１３０との間に設けられ、（【００２１】）
第２絶縁層１２２は、第１絶縁層１２１を介して第１電極１１０の側面を被覆するように配置され、（【００２１】）
第２絶縁層１２２は、第１絶縁層１２１を介して、第１電極１１０の上面の周辺部を被覆する一方で第１電極１１０の上の発光領域に対応する部分に開口を有する、（【００２１】）
表示装置１。（【００１０】）」
イ 【図１５(ａ)】から読み取れる事項
引用文献１の第６実施形態を示す【図１５(ａ)】を参照すると、次の事項が見て取れる。
(ア) 認定事項１
「絶縁膜１２０が、層間絶縁層１０２の上に配置されること。」
(イ) 認定事項２
「絶縁膜１２０が、第１電極１１０の側面及び上面の周辺部を覆うこと。」
(ウ) 認定事項３
「層間絶縁層１０２、絶縁膜１２０を通る断面において、絶縁膜１２０は、第１部分、第２部分、及び第３部分を有し、
第３部分、第１部分、及び第２部分は連続しており、
第１部分の側面は、第１電極１１０の下面に平行な平行面に対して所定の角度αで傾斜し、第２部分の側面は、第１部分より層間絶縁層１０２側にあり平行面に対して所定の角度βで傾斜し、第３部分の側面は、第１部分に対して層間絶縁層１０２とは反対の側にあり所定の角度γで傾斜すること。」
(エ) 認定事項４
「所定の角度αは、所定の角度β、所定の角度γよりも大きいこと。」
(オ) 参考図
以下の引用文献１の参考図は、引用文献１の【図１５(ａ)】を拡大した図面において、前記(ウ)において認定した第１部分、第２部分、第３部分、及び、所定の角度α、β、γを示したものである。
＜引用文献１の参考図＞
〔図省略〕
【図１５(ａ)】（再掲）
〔図省略〕
(３) 引用発明の認定
前記(２)において認定した事項及び前記(１)に摘記した引用文献１の記載事項を総合すると、引用文献１には、第６実施形態の製造工程により製造された表示装置（【図１５(ａ)】）に係る次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。なお、認定の根拠となる記載箇所を括弧内に示した。
＜引用発明＞
「第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に配置された有機層と、前記第１電極の少なくとも側面を被覆する絶縁膜とを有する表示装置であって、前記絶縁膜は、前記第１電極の側面の少なくとも一部分を被覆する第１絶縁層と、前記側面を被覆する第２絶縁層とを含み、前記第１絶縁層は、前記側面と前記第２絶縁層との間に配置され、前記第１絶縁層は、第１部分と、前記第１部分よりも密度が低い第２部分とを含み、前記第１部分は、前記第１電極の上面における外周部を被覆する部分を含み、前記第２部分は、前記第１電極の側面の側方に位置する表示装置であって、（【請求項１】、【請求項２】）
駆動回路層１０１は、半導体基板１００を含み、（【００１３】）
駆動回路層１０１の上には、層間絶縁層１０２が配置され、（【００１４】）
層間絶縁層１０２の上には、Ｒ色の副画素ＰＲ、Ｇ色の副画素ＰＧ、Ｂ色の副画素ＰＢの有機発光素子ＥＬが配置され、（【００１４】）
各有機発光素子ＥＬは、第１電極１１０、有機層１３０及び第２電極１４０で構成され、（【００１４】）
有機層１３０は、複数の第１電極１１０及び絶縁膜１２０の上に配置され、（【００１４】）
第２電極１４０は、有機層１３０の上に配置され、（【００１４】）
有機層１３０は、複数の第１電極１１０及び絶縁膜１２０の上に配置された複数の層を含み、（【００１５】）
有機層１３０を構成する複数の層として、正孔注入層１３１と、多層膜１３２とが示され、（【００１５】）
多層膜１３２は、正孔注入層１３１の側から順に、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を積層した構造を有し、（【００１５】）
真空蒸着法により、有機層１３０として、正孔注入層１３１、正孔輸送層、発光層、電子輸送層が順次に形成され、（【００３９】）
複数の有機発光素子ＥＬは、絶縁膜１２０によって分離され、（【００１４】）
絶縁膜１２０は、層間絶縁層１０２の上に配置され、（認定事項１）
絶縁膜１２０は、第１電極１１０の側面及び上面の周辺部を覆い、（認定事項２）
絶縁膜１２０は、複数の第１電極の各々の側面の少なくとも一部分を被覆する第１絶縁層１２１と、複数の第１電極の各々の側面を被覆する第２絶縁層１２２とを含み、（【００１５】）
第１絶縁層１２１は、複数の第１電極の各々の側面と第２絶縁層１２２との間に配置され、（【００１５】）
第１絶縁層１２１は、第１電極１１０上の発光領域を規定し、第１電極１１０の上面の周辺部を被覆する一方で第１電極１１０上の発光領域に対応する部分に開口を有し、（【００２０】）
第２絶縁層１２２は、第１絶縁層１２１と有機層１３０との間に設けられ、（【００２１】）
第２絶縁層１２２は、第１絶縁層１２１を介して第１電極１１０の側面を被覆するように配置され、（【００２１】）
第２絶縁層１２２は、第１絶縁層１２１を介して、第１電極１１０の上面の周辺部を被覆する一方で第１電極１１０の上の発光領域に対応する部分に開口を有し、（【００２１】）
絶縁膜１２０を形成する工程は、第１工程と、該第１工程の後に実施される第２工程とを含み、該第１工程では、第１条件で絶縁膜１２０の一部である第１絶縁層１２１が形成され、該第２工程では、堆積作用とスパッタリング作用とが競合する第２条件で絶縁膜１２０の他の一部である第２絶縁層１２２が形成され、（【００８２】）
例えば、第２工程において、バイアスパワー及び／又はイオン密度を調整することによってスパッタリング作用を調整し、これによって絶縁膜１２０の表面の形状を調整し、（【００８７】）
第１絶縁層１２１が絶縁膜１２０の表面の一部を構成し、（【００８７】）
層間絶縁層１０２、絶縁膜１２０を通る断面において、絶縁膜１２０は、第１部分、第２部分、及び第３部分を有し、
第３部分、第１部分、及び第２部分は連続しており、
第１部分の側面は、第１電極１１０の下面に平行な平行面に対して所定の角度αで傾斜し、第２部分の側面は、第１部分より層間絶縁層１０２側にあり平行面に対して所定の角度βで傾斜し、第３部分の側面は、第１部分に対して層間絶縁層１０２とは反対の側にあり所定の角度γで傾斜し、（認定事項３）
所定の角度αは、所定の角度β、所定の角度γよりも大きい、（認定事項４）
表示装置。（【００１０】）」
７ 本願発明と引用発明の対比
(１) 対比分析
本願発明と引用発明を対比する。
ア 構成Ｘの観点（半導体装置）
(ア) 構成Ｘは、「半導体装置」の発明であることを特定するものである。
(イ) 構成Ｘおける「半導体装置」の意味について検討すると、本願明細書には関連する記載として次の記載がある。なお、下線は当合議体が付したものである。
「【０００２】
有機発光素子は上部電極と下部電極とその間に配置される有機層を有する素子であり、有機層に含まれる有機化合物を励起させることで発光する。半導体装置である発光装置の例として、複数の有機発光素子を有する発光装置がある。」
(ウ) 上記記載から、構成Ｘにおける「半導体装置」には、少なくとも複数の有機発光素子を有する発光装置が含まれることが理解できる。
(エ) 一方、引用発明においては、「表示装置」の「各有機発光素子ＥＬは、第１電極１１０、有機層１３０及び第２電極１４０で構成され」ている。
(オ) また、引用発明においては、「正孔注入層１３１」と「正孔輸送層、発光層、電子輸送層を積層した」「多層膜１３２」から構成される「有機層１３０」が半導体として機能することによって「発光」が行われていることは明らかであるから、引用発明の「表示装置」は、「Ｒ色の副画素ＰＲ、Ｇ色の副画素ＰＧ、Ｂ色の副画素ＰＢ」に対応した複数の「有機発光素子ＥＬ」を有する発光装置であるといえる。
(カ) そうすると、前記(ウ)を踏まえると、引用発明の「表示装置」は本願発明の「半導体装置」に相当するといえる。
(キ) したがって、本願発明と引用発明は、「半導体装置」の発明である点において一致する。
イ 構成Ａの観点（第１電極、絶縁層、機能層、第２電極）
(ア) 構成Ａは、「素子基板の上に配される第１電極と、前記第１電極の端を覆い、前記素子基板の上に配される絶縁層と、前記第１電極及び前記絶縁層の上に配される機能層と、前記機能層を挟んで前記第１電極及び前記絶縁層の上に配される第２電極と、を有[する]」ことである。
(イ) 「第１電極」の観点
ａ 構成Ａおける「素子基板」の意味について検討すると、本願明細書には関連する記載として次の記載がある。なお、下線は当合議体が付したものである。
「【００１９】
図示はしないが、ここで素子基板１は、トランジスタ等の半導体素子、容量部、配線層、及び層間絶縁層などを含み、その最上面は平坦化された層間絶縁層１１である。層間絶縁層１１は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸窒化シリコン（ＳＩＯＮ）などの無機材料、あるいはアクリルやポリイミドなどの有機材料から形成することができる。」
ｂ 上記記載から、構成Ａにおける「素子基板」は、層間絶縁層等を含めた基板を意味していることが理解できる。
ｃ 前記ｂを踏まえると、引用発明の「半導体基板１００を含[む]」「駆動回路層１０１」及び「駆動回路層１０１の上に」「配置され[る]」「層間絶縁層１０２」は、本願発明の「素子基板」に相当する。
ｄ また、引用発明の「第１電極１１０」は、本願発明の「第１電極」に相当する。
ｅ そして、引用発明においては「第１電極１１０」を有する「有機発光素子ＥＬ」が「層間絶縁層１０２の上に」「配置され」るところ、このことは、本願発明において「第１電極」が「素子基板の上に配される」ことに相当する。
ｆ したがって、本願発明と引用発明は、次の点において一致する。
「素子基板の上に配される第１電極」を有する点。
(ウ) 「絶縁層」の観点
ａ 引用発明の「絶縁膜１２０」は、本願発明の「絶縁層」に相当する。
ｂ そして、引用発明においては「絶縁膜１２０」が「第１電極１１０の側面及び上面の周辺部を覆[う]」ところ、このことは、本願発明において「絶縁層」が「第１電極の端を覆[う]」ことに相当する。
ｃ また、引用発明においては「絶縁膜１２０」が「層間絶縁層１０２の上に配置され[る]」ところ、このことは、本願発明において「絶縁層」が「素子基板の上に配される」ことに相当する。
ｄ したがって、本願発明と引用発明は、次の点において一致する。
「前記第１電極の端を覆い、前記素子基板の上に配される絶縁層」を有する点。
(エ) 「機能層」の観点
ａ 構成Ａおける「機能層」の意味について検討すると、本願明細書には関連する記載として次の記載がある。なお、下線は当合議体が付したものである。
「【００１６】
ここでは、半導体装置の一例として発光装置について説明するため、下部電極２０と上部電極５０の間に、機能層として発光層を有する有機層が配される例を示す。しかし、例えば半導体装置が光電変換装置の場合には、下部電極２０と上部電極５０の間には、機能層として有機の光電変換層が配される。」
ｂ 上記記載から、構成Ａにおける「機能層」は、少なくとも発光層を有する有機層を含むことが理解できる。
ｃ そうすると、引用発明の「有機層１３０」は、本願発明の「機能層」に相当するといえる。
ｄ また、引用発明においては「有機層１３０」が「第１電極１１０及び絶縁膜１２０の上に配置され」るところ、このことは、前記ｃ、(イ)ｄ及び(ウ)ａに示した相当関係を踏まえると、本願発明において「機能層」が「前記第１電極及び前記絶縁層の上に配される」ことに相当する。
ｅ したがって、本願発明と引用発明は、次の点において一致する。
「前記第１電極及び前記絶縁層の上に配される機能層」を有する点。
(オ) 「第２電極」の観点
ａ 引用発明の「第２電極１４０」は、本願発明の「第２電極」に相当する。
ｂ 引用発明においては「第２電極１４０」が「有機層１３０の上に配置され」るところ、前記(エ)において検討したとおり、「有機層１３０」は「第１電極１１０及び絶縁膜１２０の上に配置され」ることから、引用発明においては「第１電極１１０及び絶縁膜１２０」、「有機層１３０」、「第２電極１４０」の順に「配置」されている。
ｃ そうすると、引用発明においては、「第２電極１４０」が「有機層１３０」を挟んで「第１電極１１０及び絶縁膜１２０の上に配置され」ているといえる。
ｄ そして、このことは、前記ａ、(イ)ｄ、(ウ)ａ及び(エ)ｃに示した相当関係を踏まえると、本願発明において「第２電極」が「前記機能層を挟んで前記第１電極及び前記絶縁層の上に配される」ことに相当する。
ｅ したがって、本願発明と引用発明は、次の点において一致する。
「前記機能層を挟んで前記第１電極及び前記絶縁層の上に配される第２電極」を有する点。
(カ) 前記(イ)～(オ)の検討結果をまとめると、本願発明と引用発明は、次の点において一致する。
「素子基板の上に配される第１電極と、前記第１電極の端を覆い、前記素子基板の上に配される絶縁層と、前記第１電極及び前記絶縁層の上に配される機能層と、前記機能層を挟んで前記第１電極及び前記絶縁層の上に配される第２電極と、を有[する]」点。
ウ 構成Ｂの観点（機能層）
(ア) 構成Ｂは、「前記機能層は、発光層を有する有機層、または有機光電変換層であ[る]」ことである。
(イ) 引用発明においては、「有機層１３０は、複数の第１電極１１０及び絶縁膜１２０の上に配置された複数の層を含み」、「有機層１３０を構成する複数の層として、正孔注入層１３１と、多層膜１３２とが示され」、「多層膜１３２は、正孔注入層１３１の側から順に、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を積層した構造を有し」ている。
(ウ) そうすると、引用発明の「発光層」を有する「有機層１３０」と、本願発明の「機能層」は、「発光層を有する有機層」である点において一致する。
(エ) したがって、本願発明と引用発明は、次の点において一致する。
「前記機能層は、発光層を有する有機層、または有機光電変換層であ[る]」点。
エ 構成Ｃの観点（絶縁層）
(ア) 構成Ｃは、「前記素子基板、前記絶縁層、及び前記機能層を通る断面において、前記絶縁層は、第１部分、第２部分、及び第３部分を有[する]」ことである。
(イ) 引用発明においては、「層間絶縁層１０２、絶縁膜１２０を通る断面において、絶縁膜１２０は、第１部分、第２部分、及び第３部分を有し」ている。ここで、「有機層１３０」が「絶縁膜１２０の上に配置され」るところ、上記「断面」が、「層間絶縁層１０２」、「絶縁膜１２０」及び「有機層１３０」を通る断面と同義であることは明らかである。
(ウ) また、前記イ(イ)～(エ)において検討したとおり、引用発明の「駆動回路層１０１」及び「層間絶縁層１０２」、「絶縁膜１２０」、「有機層１３０」は、本願発明の「素子基板」、「絶縁層」、「機能層」にそれぞれ相当する。
(エ) したがって、本願発明と引用発明は、次の点において一致する。
「前記素子基板、前記絶縁層、及び前記機能層を通る断面において、前記絶縁層は、第１部分、第２部分、及び第３部分を有[する]」点。
オ 構成Ｄの観点（絶縁層の側面の傾斜角度）
(ア) 構成Ｄは、「前記第１部分の側面は、前記第１電極の下面に平行な平行面に対して４５°以上９０°以下で傾斜し、前記第２部分の側面は、前記第１部分より前記素子基板側にあり前記平行面に対して０°より大きく４５°未満で傾斜し、前記第３部分の側面は、前記第１部分に対して前記素子基板とは反対の側にあり０°より大きく４５°未満で傾斜[する]」ことである。
(イ) 引用発明においては、「第１部分の側面は、第１電極１１０の下面に平行な平行面に対して所定の角度αで傾斜し、第２部分の側面は、第１部分より層間絶縁層１０２側にあり平行面に対して所定の角度βで傾斜し、第３部分の側面は、第１部分に対して層間絶縁層１０２とは反対の側にあり所定の角度γで傾斜」している。
(ウ) 以上の検討結果を踏まえると、本願発明と引用発明の構成Ｄの観点における一致点及び相違点は、次のａ及びｂのとおりである。
ａ 構成Ｄの観点における一致点
「前記第１部分の側面は、前記第１電極の下面に平行な平行面に対して所定の角度θ１で傾斜し、前記第２部分の側面は、前記第１部分より前記素子基板側にあり前記平行面に対して所定の角度θ２で傾斜し、前記第３部分の側面は、前記第１部分に対して前記素子基板とは反対の側にあり所定の角度θ３で傾斜[する]」点。
ｂ 構成Ｄの観点における相違点
本願発明においては、「第１部分の側面」が傾斜する角度θ１が「４５°以上９０°以下」であり（４５°≦θ１≦９０°）、「第２部分の側面」が傾斜する角度θ２、「第３部分の側面」が傾斜する角度θ３が、いずれも「０°より大きく４５°未満」である（０°＜θ２＜４５°、０°＜θ３＜４５°）のに対して、
引用発明においては、
θ１＝α、θ２＝β、θ３＝γであり、α＞βかつα＞γであるものの、α、β、γのとり得る具体的な傾斜角度範囲が明らかではない点。
カ 構成Ｅの観点（第１部分～第３部分の連続）
(ア) 構成Ｅは、「前記第３部分、前記第１部分、及び前記第２部分は連続して[いる]」ことである。
(イ) 引用発明においては、「絶縁膜１２０」の「第３部分、第１部分、及び第２部分は連続して」いる。
(ウ) したがって、本願発明と引用発明は、次の点において一致する。
「前記第３部分、前記第１部分、及び前記第２部分は連続して[いる]」点。
キ 構成Ｆの観点（機能層と第１部分～第３部分）
(ア) 構成Ｆは、「前記機能層は、前記第１部分の側面、前記第２部分の側面、及び前記第３部分の側面と接し[ている]」ことである。
(イ) 引用発明においては、「絶縁膜１２０」の「第１部分の側面」、「第２部分の側面」、「第３部分の側面」がそれぞれ「所定の角度」α、β、γで「傾斜」しており、「有機層１３０」は当該「絶縁膜１２０の上に配置され」ることから、「有機層１３０」が「絶縁膜１２０」の「第１部分の側面」、「第２部分の側面」、「第３部分の側面」と接していることは明らかである。
(ウ) したがって、本願発明と引用発明は、次の点において一致する。
「前記機能層は、前記第１部分の側面、前記第２部分の側面、及び前記第３部分の側面と接し[ている]」点。
ク 構成Ｇの観点（第２電極と第１部分～第３部分）
(ア) 構成Ｇは、「前記第２電極は、前記機能層を挟んで前記第１部分、前記第２部分、及び前記第３部分の上に配され[ている]」ことである。
(イ) 引用発明においては、「第２電極１４０」が「有機層１３０」を挟んで「絶縁膜１２０の上に配置され」ているところ（前記イ(オ)ｃを参照）、「絶縁膜１２０は、第１部分、第２部分、及び第３部分を有し」ていることから、「第２電極１４０」は、「有機層１３０」を挟んで「第１部分、第２部分、及び第３部分」「の上に配置され」ているといえる。
(ウ) したがって、本願発明と引用発明は、次の点において一致する。
「前記第２電極は、前記機能層を挟んで前記第１部分、前記第２部分、及び前記第３部分の上に配され[ている]」点。
ケ 構成Ｈの観点（機能層の膜厚）
(ア) 構成Ｈは、「前記機能層の前記第１部分の側面と接する部分は、膜厚が、前記第２部分の側面と接する部分の膜厚より小さく、かつ前記第３部分の側面と接する部分の膜厚より小さい部分を有[する]」ことである。
(イ) 引用発明は、本願発明の構成Ｈに相当する構成を備えているかが明らかでないから、本願発明と引用発明は、次の点において相違する。
本願発明においては、
「前記機能層の前記第１部分の側面と接する部分は、膜厚が、前記第２部分の側面と接する部分の膜厚より小さく、かつ前記第３部分の側面と接する部分の膜厚より小さい部分を有[する]」のに対して、
引用発明においては、
この点が明らかでない点。
コ 構成Ｉの観点（絶縁層の垂直方向における長さ）
(ア) 構成Ｉは、「前記断面において、前記第２部分の前記平行面に垂直な方向における長さは、前記第３部分の前記垂直な方向における長さより大きい」ことである。
(イ) 引用発明は、本願発明の構成Ｉに相当する構成を備えているかが明らかでないから、本願発明と引用発明は、次の点において相違する。
本願発明においては、
「前記断面において、前記第２部分の前記平行面に垂直な方向における長さは、前記第３部分の前記垂直な方向における長さより大きい」のに対して、
引用発明においては、
この点が明らかでない点。
(２) 一致点及び相違点
前記(１)の対比分析の結果をまとめると、本願発明と引用発明は、次のアに示す一致点において一致し、後記イに示す相違点において相違すると認められる。
ア 一致点
「素子基板の上に配される第１電極と、
前記第１電極の端を覆い、前記素子基板の上に配される絶縁層と、
前記第１電極及び前記絶縁層の上に配される機能層と、
前記機能層を挟んで前記第１電極及び前記絶縁層の上に配される第２電極と、
を有し、
前記機能層は、発光層を有する有機層、または有機光電変換層であり、
前記素子基板、前記絶縁層、及び前記機能層を通る断面において、
前記絶縁層は、第１部分、第２部分、及び第３部分を有し、
前記第１部分の側面は、前記第１電極の下面に平行な平行面に対して所定の角度θ１で傾斜し、
前記第２部分の側面は、前記第１部分より前記素子基板側にあり前記平行面に対して所定の角度θ２で傾斜し、
前記第３部分の側面は、前記第１部分に対して前記素子基板とは反対の側にあり所定の角度θ３で傾斜し、
前記第３部分、前記第１部分、及び前記第２部分は連続しており、
前記機能層は、前記第１部分の側面、前記第２部分の側面、及び前記第３部分の側面と接し、
前記第２電極は、前記機能層を挟んで前記第１部分、前記第２部分、及び前記第３部分の上に配される、
半導体装置。」である点。
イ 相違点
＜部分相違点Ａ＞
絶縁層の傾斜角度θ１、θ２及びθ３について、
本願発明においては、
「第１部分の側面」が傾斜する角度θ１が「４５°以上９０°以下」であり（４５°≦θ１≦９０°）、「第２部分の側面」が傾斜する角度θ２、「第３部分の側面」が傾斜する角度θ３が、いずれも「０°より大きく４５°未満」である（０°＜θ２＜４５°、０°＜θ３＜４５°）のに対して、
引用発明においては、
θ１＝α、θ２＝β、θ３＝γであり、α＞βかつα＞γであるものの、α、β、γのとり得る傾斜角度範囲が明らかではなく（以下「部分相違点Ａ」という。）、
＜部分相違点Ｂ＞
絶縁層の垂直方向における長さについて、
本願発明においては、
「前記断面において、前記第２部分の前記平行面に垂直な方向における長さは、前記第３部分の前記垂直な方向における長さより大きい」のに対して、
引用発明においては、
この点が明らかでなく（以下「部分相違点Ｂ」という。）、
＜部分相違点Ｃ＞
機能層の膜厚について、
本願発明においては、
「前記機能層の前記第１部分の側面と接する部分は、膜厚が、前記第２部分の側面と接する部分の膜厚より小さく、かつ前記第３部分の側面と接する部分の膜厚より小さい部分を有[する]」のに対して、
引用発明においては、
この点が明らかでない点（以下「部分相違点Ｃ」という。）。
８ 判断
(１) 部分相違点Ａ（絶縁層の側面の傾斜角度）について
＜引用文献１の参考図（再掲）＞
〔図省略〕
ア 「第３部分の側面」の傾斜角度について
(ア) 引用文献１の【図１５（ａ）】を基に作成された上記参考図（再掲）は、有機層１３０が形成される前の状態であって第１電極１１０上にある絶縁層１２０（第１絶縁層１２１と第２絶縁層１２２）に開口部が形成された後の状態の断面図を示すものであるところ、開口部を形成する前の絶縁層１２０は、【図５Ｃ】のＳ５０５で示される断面図を参照すると、第１電極１１０上においては概ね平坦に形成されているものと認められる。
（引用文献１の段落【００８２】～【００８７】に記載された実施形態６の絶縁層１２０（第１絶縁層１２１と第２絶縁層１２２）の製造方法をみても、段落【００３６】～【００３７】、【図５Ｃ】に示された実施形態１の第１電極１１０上にある絶縁層１２０（第１絶縁層１２１と第２絶縁層１２２）の製造方法と比べて、平坦性に関し極端な差異が生じているとは考えられない。）
＜引用文献１の【図５Ｃ】（再掲）＞
〔図省略〕
(イ) ここで、引用文献１の段落【００８６】には、「高密度プラズマＣＶＤ法を使用して形成される第２絶縁層１２２が第１電極１１０の側面を被覆する部分の表面は、平行平板型プラズマＣＶＤ法に使用して形成される第１絶縁層１２１が第１電極１１０の側面を被覆する部分の表面よりも滑らかである。」と記載されていることを踏まえると、開口部を形成した後の絶縁層１２０の第３部分の最表面部（絶縁層１２２）に角度γの傾斜があるとしても、当該傾斜角度γは、前記(ア)において述べた第１電極１１０上の概ね平坦な状態から大きくかけ離れたものではないと考えるのが自然である。
(ウ) そうすると、引用発明において、第３の部分の傾斜角度γが、０°＜γ＜４５°の範囲にあることは、絶縁層１２０（第１絶縁層１２１と第２絶縁層１２２）の製造方法からみて、当業者にとって自明な事項である。
イ 「第１部分の側面」の傾斜角度について
(ア) 引用文献１の段落【００２５】の記載を踏まえると、引用発明において、絶縁層１２０（第１絶縁層１２１と第２絶縁層１２２）を設けた趣旨は、第１電極の被覆すべき領域の全体を十分被覆するようにしたことにあると認められる。
(イ) ここで、引用発明において、第１電極１１０の厚さは３０ｎｍ～１０００ｎｍの範囲内を想定しており（段落【００１８】）、第１絶縁層１２１及び第２絶縁層の厚さはいずれも１ｎｍ～１００ｎｍの範囲内を想定しているから（段落【００２０】、【００２１】）、これらの上限同士（１０００ｎｍと１００ｎｍ）及び下限同士（３０ｎｍと１ｎｍ）の数値を比べてみると、第１電極１１０は、絶縁層１２０（第１絶縁層１２１と第２絶縁層１２２を合わせたもの）よりも、かなり厚いものを想定しているといえる。
(ウ) そうすると、第１電極の被覆すべき領域の全体を十分被覆するという要請に応えるように絶縁層１２０を形成したとき、絶縁層１２０の厚みは第１電極１１０の厚みに比べてかなり薄いことを踏まえると、絶縁層１２０（第１絶縁層１２１と第２絶縁層１２２）は、概ね第１電極１１０の形状に倣って形成されているといえるから、絶縁層１２０の第１の部分の傾斜角度αは、実質的には第１電極１１０の傾斜角度にほぼ等しいと考えるのが自然である。
（【図１５】に示された第６実施形態に係る引用発明においては、第１電極１１０の側面に「庇状の段差４０１」（段落【００２３】、【図４】）や、「ステップ状の段差４０２」（段落【００６５】、【図９】）が形成されることを想定していないと認められる。）
(エ) そして、第１電極１１０の傾斜角度は、【図１５】に示された断面図から明らかなように、第１電極の下面に平行な平行面に対してほぼ直角に近いといえるから、絶縁層１２０の第１の部分の傾斜角度αも、それに倣って４５°≦α≦９０°の範囲にあることは明らかである。
ウ 「第２部分の側面」の傾斜角度について
(ア) 引用文献１の段落【００３５】、【００４５】、【図５Ａ】、【図５Ｂ】の記載を踏まえると、引用発明の層間絶縁層１０２の上面は、第１電極１１０を形成するためのパターニング工程（Ｓ５０３）において、平坦な表面に凹形状の窪みが形成されたものになっている。
＜引用文献１の【図５Ａ】（再掲）＞
〔図省略〕
＜引用文献１の【図５Ｂ】（再掲）＞
〔図省略〕
(イ) ここで、引用発明において、層間絶縁層１０２の上面に凹形状の窪みを設けた趣旨は、第１電極１１０の側面最下部も絶縁層１２０で十分被覆されるようにするためであると考えられる。
(ウ) 他方で、層間絶縁層１０２の上面の凹形状の窪みを深く形成しすぎた場合には、絶縁層１２０の厚みは第１電極１１０の厚みに比べてかなり薄いから、その上に有機層１３０及び第２電極１４０を形成しても、有機層１３０及び第２電極１４０は上記凹形状に倣って形成されてしまうため、第２電極１４０は平坦化されず、第２電極１４０の電圧分布を均一化できないという不都合が生じてしまうことは明らかである（段落【００９１】、【図１６】を参照）。
(エ) そうすると、層間絶縁層１０２の上面の凹形状の窪みは、深すぎないことが必要であって、せいぜい第１電極１１０の側面最下部が絶縁層１２０で被覆される程度の深さがあれば足りるから、上記凹形状の窪みは、第１電極１１０の側面最下部から緩やかな傾斜を備えるように形成されていると考えるのが自然である。
(オ) したがって、絶縁層１２０の第１の部分に連続する第２の部分は、上記凹形状の窪みの緩やかな傾斜に沿って形成されているから、その傾斜角度βが０°＜β＜４５°の範囲にあることは、当業者にとって自明な事項である。
エ 傾斜角度の検討のまとめ
前記ア～ウを踏まえると、引用発明において、「絶縁膜１２０」の「第１部分の側面」の傾斜角度である「角度α」が「４５°以上９０°以下」であるようにすることは、当業者が自ずと想起する事項である。
また、引用発明において、「絶縁膜１２０」の「第２部分の側面」の傾斜角度である「角度β」、「絶縁膜１２０」の「第３部分の側面」の傾斜角度である「角度γ」が、いずれも「０°より大きく４５°未満」であるようにすることは、当業者には自明である。
したがって、引用発明において、前記部分相違点Ａに係る構成を備えるようにすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
(２) 部分相違点Ｂ（絶縁層の垂直方向における長さ）について
ア 前記(１)ウ(ウ)において検討したとおり、引用発明においては、層間絶縁層１０２の上面に凹形状の窪みが形成されており、絶縁層１２０の厚みは第１電極１１０の厚みに比べてかなり薄いから、その上に有機層１３０及び第２電極１４０を形成しても、有機層１３０及び第２電極１４０は上記凹形状に倣って形成されてしまうため、第２電極１４０は平坦化されず、第２電極１４０の電圧分布を均一化できないという不都合が生じてしまうことは明らかである（段落【００９１】、【図１６】を参照）。
イ かかる不都合を避けるために、第１電極１１０上に形成される絶縁層１２０の厚みに比べて、層間絶縁層１０２の上面の凹形状の窪みに形成される絶縁層１２０の厚みをできるだけ大きくすることにより、有機層１３０及び第２電極１４０ができるだけ平坦化されるようにすることは、当業者にとって自明の設計指針である。
ウ かかる自明の設計指針に従って、引用発明において、絶縁層１２０の「第２部分」の垂直方向における長さ（層間絶縁層１０２の上面の凹形状の窪みに形成される絶縁層１２０の厚み）を、絶縁層１２０の「第３部分」の垂直方向における長さ（第１電極１１０上に形成される絶縁層１２０の厚み）に対して大きくすることに格別の困難性は認められない。
エ したがって、引用発明において前記部分相違点Ｂに係る構成を備えるようにすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
(３) 部分相違点Ｃ（機能層の膜厚）について
ア 引用発明においては、「所定の角度αは、所定の角度β、所定の角度γよりも大きい」という大小関係が成り立つことから、「絶縁膜１２０」の「第１部分」は「第２部分」、「第３部分」と比較して、相対的に急峻に傾斜しているといえる。
イ また、引用発明においては、「有機層１３０」は「真空蒸着法」により「形成され」、前記アのように傾斜する「絶縁膜１２０の上に配置され」るところ、特段の工夫を施さなければ、「有機層１３０」の膜厚について、傾斜角度の大きい「第１部分」の上に「配置」される部分の膜厚が、「第２部分」及び「第３部分」の上に「配置」される部分の膜厚より小さくなることは自明である。
ウ したがって、引用発明において、前記部分相違点Ｃに係る構成を備えるようにすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
(４) 小括
前記(１)～(３)において検討したとおり、引用発明において、前記相違点に係る本願発明の構成を備えるようにすることは、引用発明に基づいて当業者が容易に想到し得たことである。
また、本願発明が奏する効果としては、当該構成のものとして当業者が予測・発見困難であり、かつ、格別顕著な効果を認めることはできない。
したがって、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
９ 請求人の主張について
審査段階において令和５年４月６日付けで通知された、請求項１に係る発明についての拒絶の理由３（進歩性欠如）に対して、請求人は、令和５年６月６日に提出された意見書において、次のとおり主張している。当該主張を「請求人の主張１」、「請求人の主張２」として、順次検討する。
(１) 請求人の主張１（構成Ｃ～Ｈ及び効果について）
ア 請求人の主張１の内容
請求人の主張１は、次のとおりである。
(ア) 令和５年６月６日に提出された手続補正書により補正された請求項１には、以下ａ～ｆの事項を記載している。
ａ 絶縁層が第１部分、第２部分、及び第３部分を有し、（構成Ｃに対応）
ｂ 前記第１部分の側面は、前記第１電極の下面に平行な平行面に対して４５°以上９０°以下で傾斜し、前記第２部分の側面は、前記第１部分より前記素子基板側にあり前記平行面に対して０°より大きく４５°未満で傾斜し、前記第３部分の側面は、前記第１部分に対して前記素子基板とは反対の側にあり０°より大きく４５°未満で傾斜し、（構成Ｄ）
ｃ 前記第３部分、前記第１部分、及び前記第２部分は連続しており、（構成Ｅ）
ｄ 前記機能層は、前記第１部分の側面、前記第２部分の側面、及び前記第３部分の側面と接し、（構成Ｆ）
ｅ 前記第２電極は、前記機能層を挟んで前記第１部分、前記第２部分、及び前記第３部分の上に配され、（構成Ｇ）
ｆ 前記機能層の前記第１部分の側面と接する部分の膜厚は、前記第２部分の側面と接する部分の膜厚より小さく、かつ前記第３部分の側面と接する部分の膜厚より小さい（構成Ｈに対応）
(イ) 上記請求項１に係る発明は、前記断面において、前記第２部分の前記平行面に垂直な方向における長さが、前記第３部分の前記垂直な方向における長さより大きい（構成Ｉ）ことで、前記絶縁層の上に配される機能層が薄くなるのを抑制でき、前記第１電極と前記第２電極の間のリーク電流を抑制することができるという効果を奏する。補正により、その前提となる構成も明確になり、不当に広い請求項の範囲ではなくなった。
(ウ) 引用文献１には、上記請求項１に係る「絶縁層」の「第２部分」に対応する部分が、明示的には記載されていない。
イ 請求人の主張１についての検討
(ア) 請求人の主張について検討すると、構成Ｃ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、及び、「絶縁層」の「第２部分」については、前記７(１)において説示したとおり、引用文献１に記載された事項である。
(イ) また、構成Ｄ、Ｈ、Ｉについては、前記７(２)イに示した相違点に関する主張であるところ、引用発明において前記相違点に係る構成を備えるようにすることが、当業者が容易に想到し得たことであることは、前記８において説示したとおりである。
(ウ) 請求人の効果に関する主張について検討すると、機能層（有機層）を介した、発光素子間のリーク電流や、下部電極と上部電極の間でのリーク電流が抑制されるという効果は、絶縁層の上に配される機能層の膜厚に依存するところ、本願発明の構成Ｄ、Ｉは機能層の膜厚を直接特定するものではない。
(エ) また、本願発明の構成Ｈは、機能層の膜厚に関する事項を特定しているものの、第１部分に接する部分が、第２部分の側面と接する部分、及び、第３部分の側面と接する部分の膜厚よりも小さい部分を有する点しか特定されておらず、発光素子間や、下部電極と上部電極の間において機能層の膜厚がどの程度であるのかは特定されていない。
(オ) そうすると、請求人が主張する効果が、必ずしも本願発明の構成に基づき奏されるとはいえない。
(カ) また、請求人が主張する効果が本願発明の構成に基づくものであると善解したとしても、前記８(４)において検討したとおり、本願発明が奏する効果としては、当該構成のものとして当業者が予測・発見困難であり、かつ、格別顕著な効果を認めることはできない。
(キ) したがって、請求人の上記主張は採用することができない。
(２) 請求人の主張２（構成Ｉについて）
ア 請求人の主張２の内容
請求人の主張２は、次のとおりである。
(ア) 引用文献１には、上記請求項１に記載の「前記断面において、前記第２部分の前記平行面に垂直な方向における長さが、前記第３部分の前記垂直な方向における長さより大きいこと」（構成Ｉ）は開示も示唆もされておらず、この特徴について、審査官は設計事項にすぎないとしている。
(イ) 引用文献１は、引用発明において本願発明の構成Ｉのように変更する動機を何ら示唆するものではなく、この点を設計事項とするのは妥当でない。
(ウ) 電極材料と層間絶縁層の材料は全く異なることから、通常電極と層間絶縁層のエッチングレートは大きく異なることが予想される。そのため、単に第１電極をエッチングするだけでは層間絶縁層が本願発明のような角度、深さを満たすようにエッチングされることはない。
(エ) 引用発明において、本願発明の構成を満たすような絶縁層の形状とするためには、該構成となるよう何らかの動機に基づき、これを実現するための技術的な実行手段を検討することが必要となる。
(オ) 例えば、本願発明では、「前記断面において、前記第２部分の前記平行面に垂直な方向における長さが、前記第３部分の前記垂直な方向における長さより大きい」（構成Ｉ）ものとするための工夫をして、この要件を満たす構成を実現している。具体的には、一例として、前記第１電極の下の層間絶縁層を、前記第２部分の前記垂直方向の長さが厚くなり、本願発明の構成を満たすような掘り込み角度となるよう、エッチング条件を検討し、この構成を実現している（明細書段落【００５５】を参照）。
(カ) 引用発明においては、層間絶縁層はエッチングされているが、ここでは、第１電極の、第１電極の下面に垂直な方向に沿って、９０度に近い角度でエッチングされている。このため、この上に配されている絶縁層の側面は、４５度以上９０度以下の部分がほとんどであり、本願発明の第２部分に該当する部分は、ない、もしくは、あったとしても非常に小さく、本願発明の構成Ｉの大小関係（「前記断面において、前記第２部分の前記平行面に垂直な方向における長さが、前記第３部分の前記垂直な方向における長さより大きい」）を満たすものではない。
(キ) したがって、引用発明は、本願発明の構成Ｉの大小関係を満たすよう引用発明の構成を変更することを示唆するものでも、その動機を示唆するものでもない。
(ク) よって、たとえ当業者であっても、前記断面において、前記第２部分の前記平行面に垂直な方向における長さが、前記第３部分の前記垂直な方向における長さより大きいということや、そのように構成を変更する動機等について開示も示唆もない引用発明から本願発明の構成に想到することは、容易でない。
イ 請求人の主張２についての検討
(ア) 請求人は、本願発明の構成Ｉを実現する工夫をしており、その一例が層間絶縁層のエッチング条件を検討したことである旨を主張しているが、本願発明においては、上記エッチングの条件や上記エッチングにより形成される層間絶縁層の形状等が何ら特定されていないことから、当該主張は特許請求の範囲の記載に基づくものではない。
(イ) また、請求人は、上記エッチング条件について本願明細書の段落【００５５】が根拠記載である旨を主張しているが、当該段落【００５５】を参照しても、如何なるエッチング条件によって本願発明の構成Ｉを実現したのかが不明である。
(ウ) さらに、請求人は、引用発明においては、「層間絶縁層１０２」が９０度に近い角度でエッチングされており、引用発明における「絶縁膜１２０」が本願発明の構成Ｉの大小関係を満たさない旨を主張しているが、前記８(１)ウにおいて検討したとおり、引用発明においては、層間絶縁層１０２の上面の凹形状の窪みは、深すぎないことが必要であって、せいぜい第１電極１１０の側面最下部が絶縁層１２０で被覆される程度の深さがあれば足りるから、上記凹形状の窪みは、第１電極１１０の側面最下部から緩やかな傾斜を備えるように形成されていると考えるのが自然であり、絶縁層１２０の第１の部分に連続する第２の部分は、上記凹形状の窪みの緩やかな傾斜に沿って形成されていることになり、その傾斜角度βが０°＜β＜４５°の範囲にあることは、当業者にとって自明な事項である。
(エ) そして、請求人の主張は、要するに前記部分相違点Ｂに係る構成についてのものであるところ、前記部分相違点Ｂについては、前記８(２)において説示したとおり、引用発明において、第１電極１１０上に形成される絶縁層１２０の厚みに比べて、層間絶縁層１０２の上面の凹形状の窪みに形成される絶縁層１２０の厚みをできるだけ大きくすることにより、有機層１３０及び第２電極１４０ができるだけ平坦化されるようにすることは、当業者にとって自明の設計指針であり、かかる自明の設計指針に従って、絶縁層１２０の「第２部分」の垂直方向における長さ（層間絶縁層１０２の上面の凹形状の窪みに形成される絶縁層１２０の厚み）を、絶縁層１２０の「第３部分」の垂直方向における長さ（第１電極１１０上に形成される絶縁層１２０の厚み）に対して大きくすることに格別の困難性は認められない。
(オ) したがって、請求人の上記主張は採用することができない。
１０ むすび
以上検討のとおり、本願発明は、特許法２９条２項の規定により、特許を受けることができない。
したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
よって、結論のとおり審決する。
令和７年９月３日
審判長 特許庁審判官 濱野 隆
特許庁審判官 喜々津 徳胤
特許庁審判官 小島 寛史
（行政事件訴訟法第４６条に基づく教示）
この審決に対する訴えは、この審決の謄本の送達があった日から３０日（附加期間がある場合は、その日数を附加します。）以内に、特許庁長官を被告として、提起することができます。
出典：特許庁「審決公報」（令和7年11月28日発行・号数2025-011、公報発行サイト https://www.gazette.jpo.go.jp/scciidl010 ）を加工して作成（加工：TaiLexi AI）
本文は公表資料（PDF 等）から機械的に抽出・整形したもので、改行や記号に誤りを含むことがあります。正確な文言は原本でご確認ください。