令和３年８月１０日判決言渡同日原本領収裁判所書記官
平成３０年(ワ)第２８９２９号特許権侵害差止請求事件
口頭弁論終結日令和３年７月２８日
判決
原告浜松ホトニクス株式会社
同訴訟代理人弁護士設樂隆一
尾関孝彰
寺下雄介
深沢正志
松本直樹
大澤恒夫
同訴訟代理人弁理士長谷川芳樹
柴田昌聰
同訴訟復代理人弁護士佐々木健詞
同補佐人弁理士小曳満昭
今村玲英子
被告株式会社東京精密
同訴訟代理人弁護士半場秀
筬島裕斗志
前田直哉
三縄隆
松村啓
服部誠
中村閑
同訴訟復代理人弁護士柿本祐依
主文
１ 被告は，別紙１被告製品目録記載の各製品を製造し，使用し，譲渡し，貸し渡し，輸出し，又は譲渡若しくは貸渡しの申出をしてはならない。
２ 被告は，前項記載の各製品を廃棄せよ。
３ 訴訟費用は被告の負担とする。
４ この判決は，第１項に限り，仮に執行することができる。ただし，被告が２億５０００万円の担保を供するときは，その仮執行を免れることができる。
事実及び理由
第１ 請求
主文同旨
第２ 事案の概要
１ 事案の要旨
本件は，発明の名称を「レーザ加工装置」とする特許第３９３５１８８号の特許（以下「本件特許１」という。）に係る特許権（以下「本件特許権１」という。）及び発明の名称を「レーザ加工装置」とする特許第３９９０７１１号の特許（以下「本件特許２」という。）に係る特許権（以下「本件特許権２」という。また，本件特許１と本件特許２を併せて「本件各特許」，本件特許権１と本件特許権２を併せて「本件各特許権」という。）の特許権者である原告が，被告に対し，別紙１被告製品目録記載の各製品（以下，同目録記載の各製品を併せて「被告製品」という。）が，本件各特許に係る発明の技術的範囲に属するものであり，被告が，被告製品の製造，譲渡，輸出及び譲渡の申出をすることが，これらの発明の実施をするものとして本件各特許権の侵害に当たると主張し，特許法１００条１項に基づく被告製品の製造，譲渡，輸出及び譲渡の申出等の差止め並びに同条２項に基づく被告製品の廃棄を求める事案である。
２ 前提事実（当事者間に争いがない事実又は後掲の証拠（以下，書証番号は特記しない限り枝番を含む。）及び弁論の全趣旨により容易に認められる事実）
(1) 当事者
ア 原告は，光半導体，光学応用機器等の開発・製造を主たる業務とする株式会社である。
イ 被告は，精密計測機器及び半導体製造装置の製造等を業務とする株式会社である。
(2) 本件各特許
ア 本件特許１
(ｱ) 原告は，平成１２年９月１３日に出願した特願２０００－２７８３０６号に基づく優先権を主張して行った平成１３年９月１３日を出願日とする特許出願（特願２００１－２７８７０７号）の一部を分割して，平成１８年３月１４日，新たに本件特許１の特許出願（特願２００６－６９９１８号。以下「本件出願１」という。）をし，平成１９年３月３０日，本件特許権１の設定登録（請求項の数２）を受けた（甲１の１，１の２。以下，本件出願１の願書に添付した明細書と図面（甲１の２）を併せて「本件明細書１」という。また，明細書の発明の詳細な説明に記載された段落番号及び図面については，単に【０００１】，【図１】などと記載する。）。
(ｲ) 原告は，平成３０年４月２４日，本件出願１の願書に添付した特許請求の範囲を訂正することを求める旨の訂正審判請求（訂正２０１８－３９００７４号事件）をし，同年７月３日，当該訂正を認める旨の審決がされ，同審決は同月１３日に確定した（甲１の１，１の３）。
イ 本件特許２
(ｱ) 原告は，平成１４年３月１２日に出願した特願２００２－６７３４８号に基づく優先権を主張して行った平成１５年３月１１日を出願日とする特許出願（特願２００３－５７４３７３号）の一部を分割して，平成１８年３月１４日，新たに本件特許２の特許出願（特願２００６－６９９３６号。以下「本件出願２」という。）をし，平成１９年７月２７日，本件特許権２の設定登録（請求項の数２）を受けた（甲２の１，２の２。以下，本件出願２の願書に添付した明細書と図面（甲２の２）を併せて「本件明細書２」という。）。
(ｲ) 原告は，平成３０年４月２４日，本件出願２の願書に添付した特許請求の範囲を訂正することを求める旨の訂正審判請求（訂正２０１８－３９００７５号事件）をし，同年７月３日，当該訂正を認める旨の審決がされ，同審決は同月１３日に確定した（甲２の１，２の３）。
(3) 本件各特許の特許請求の範囲
ア 本件特許１
本件特許１の特許請求の範囲の請求項１及び２（いずれも前記(2)ア(ｲ)の訂正後のもの）は以下のとおりである（甲１，７９。これらの請求項１及び２に係る発明を，以下，順に「本件発明１－１」，「本件発明１－２」といい，併せて「本件発明１」という。）。
(ｱ) 【請求項１】（本件発明１－１）
ウェハ状の加工対象物の内部に，切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工装置であって，
前記加工対象物が載置される載置台と，
パルス幅が１μｓ以下のパルスレーザ光を出射するレーザ光源と，前記載置台に載置された前記加工対象物の内部に，前記レーザ光源から出射されたパルスレーザ光を集光し，１パルスのパルスレーザ光の照射により，そのパルスレーザ光の集光点の位置で改質スポットを形成させる集光用レンズと，
隣り合う前記改質スポット間の距離が略一定となるように前記加工対象物の切断予定ラインに沿って形成された複数の前記改質スポットによって前記改質領域を形成するために，パルスレーザ光の集光点を前記加工対象物の内部に位置させた状態で，パルスレーザ光の繰り返し周波数及びパルスレーザ光の集光点の移動速度を略一定にして，前記切断予定ラインに沿ってパルスレーザ光の集光点を直線的に移動させる機能を有する制御部と，を備え，
前記加工対象物はシリコンウェハであることを特徴とするレーザ加工装置。
(ｲ) 【請求項２】（本件発明１－２）
前記制御部は，前記パルスレーザ光の繰り返し周波数と前記パルスレーザ光の集光点の移動速度との少なくとも一方を調節することで，前記改質スポット間の距離を制御する機能を有し，前記載置台及び前記集光用レンズの少なくとも１つの移動を制御することを特徴とする請求項１記載のレーザ加工装置。
イ 本件特許２
本件特許２の特許請求の範囲の請求項１及び２（いずれも前記(2)イ(ｲ)の訂正後のもの）は以下のとおりである（これらの請求項１及び２に係る発明を，以下，順に「本件発明２－１」，「本件発明２－２」といい，併せて「本件発明２」という。また，本件発明１と本件発明２を併せて「本件各発明」という。）。
(ｱ) 【請求項１】（本件発明２－１）
半導体基板の内部に，切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工装置であって，
前記半導体基板が載置される載置台と，
レーザ光を出射するレーザ光源と，
前記載置台に載置された前記半導体基板の内部に，前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し，そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集光用レンズと，
前記改質領域を前記半導体基板の内部に形成するために，レーザ光の集光点を前記半導体基板の内部に位置させた状態で，前記半導体基板の切断予定ラインに沿ってレーザ光の集光点を移動させる制御部と，前記載置台に載置された前記半導体基板を赤外線で照明する赤外透過照明と，
前記赤外透過照明により赤外線で照明された前記半導体基板における前記改質領域を撮像可能な撮像素子と，
を備え，
前記切断予定ラインは，前記半導体基板の内側部分と外縁部との境界付近に始点及び終点が位置する，ことを特徴とするレーザ加工装置。(ｲ) 【請求項２】（本件発明２－２）
半導体基板の内部に，切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工装置であって，
前記半導体基板が載置される載置台と，
レーザ光を出射するレーザ光源と，
前記載置台に載置された前記半導体基板の内部に，前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し，そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集光用レンズと，
前記改質領域を前記半導体基板の内部に形成するために，レーザ光の集光点を前記半導体基板の内部に位置させた状態で，前記半導体基板の切断予定ラインに沿ってレーザ光の集光点を移動させる制御部と，前記載置台に載置された前記半導体基板を赤外線で照明する赤外透過照明と，
前記赤外透過照明により赤外線で照明された前記半導体基板における前記改質領域を撮像可能な撮像素子と，
を備え，
前記半導体基板はシリコン基板であり，
前記制御部は，前記載置台及び前記集光用レンズの少なくとも１つの移動を制御することを特徴とするレーザ加工装置。
(4) 本件各発明の構成要件の分説
本件各発明は，それぞれ，以下のとおり，構成要件に分説することができる（以下，分説に係る各構成要件については頭書の符号に対応させて「構成要件１Ａ」などという。）。
ア 本件発明１
(ｱ) 本件発明１－１
１Ａウェハ状の加工対象物の内部に，切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工装置であって，
１Ｂ前記加工対象物が載置される載置台と，
１Ｃパルス幅が１μｓ以下のパルスレーザ光を出射するレーザ光源と，１Ｄ前記載置台に載置された前記加工対象物の内部に，前記レーザ光源から出射されたパルスレーザ光を集光し，１パルスのパルスレーザ光の照射により，そのパルスレーザ光の集光点の位置で改質スポットを形成させる集光用レンズと，
１Ｅ隣り合う前記改質スポット間の距離が略一定となるように前記加工対象物の切断予定ラインに沿って形成された複数の前記改質スポットによって前記改質領域を形成するために，パルスレーザ光の集光点を前記加工対象物の内部に位置させた状態で，パルスレーザ光の繰り返し周波数及びパルスレーザ光の集光点の移動速度を略一定にして，前記切断予定ラインに沿ってパルスレーザ光の集光点を直線的に移動させる機能を有する制御部と，を備え，
１Ｆ前記加工対象物はシリコンウェハであること
１Ｇを特徴とするレーザ加工装置。
(ｲ) 本件発明１－２
１Ｈ前記制御部は，前記パルスレーザ光の繰り返し周波数と前記パルスレーザ光の集光点の移動速度との少なくとも一方を調節することで，前記改質スポット間の距離を制御する機能を有し，前記載置台及び前記集光用レンズの少なくとも１つの移動を制御すること
１Ｉを特徴とする請求項１記載のレーザ加工装置。
イ 本件発明２
(ｱ) 本件発明２－１
２Ａ半導体基板の内部に，切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工装置であって，
２Ｂ前記半導体基板が載置される載置台と，
２Ｃレーザ光を出射するレーザ光源と，
２Ｄ前記載置台に載置された前記半導体基板の内部に，前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し，そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集光用レンズと，
２Ｅ前記改質領域を前記半導体基板の内部に形成するために，レーザ光の集光点を前記半導体基板の内部に位置させた状態で，前記半導体基板の切断予定ラインに沿ってレーザ光の集光点を移動させる制御部と，
２Ｆ前記載置台に載置された前記半導体基板を赤外線で照明する赤外透過照明と，
２Ｇ前記赤外透過照明により赤外線で照明された前記半導体基板における前記改質領域を撮像可能な撮像素子と，を備え，
２Ｈ前記切断予定ラインは，前記半導体基板の内側部分と外縁部との境界付近に始点及び終点が位置する，
２Ｉことを特徴とするレーザ加工装置。
(ｲ) 本件発明２－２
２Ｊ半導体基板の内部に，切断の起点となる改質領域を形成するレーザ加工装置であって，
２Ｋ前記半導体基板が載置される載置台と，
２Ｌレーザ光を出射するレーザ光源と，
２Ｍ前記載置台に載置された前記半導体基板の内部に，前記レーザ光源から出射されたレーザ光を集光し，そのレーザ光の集光点の位置で前記改質領域を形成させる集光用レンズと，
２Ｎ前記改質領域を前記半導体基板の内部に形成するために，レーザ光の集光点を前記半導体基板の内部に位置させた状態で，前記半導体基板の切断予定ラインに沿ってレーザ光の集光点を移動させる制御部と，
２Ｏ前記載置台に載置された前記半導体基板を赤外線で照明する赤外透過照明と，
（長文のため、ここでは本文の冒頭のみを掲載しています。全文はこのページの表示後に読み込まれます。原本は原本PDFをご覧ください。）
出典：裁判所ウェブサイト「裁判例検索」（https://www.courts.go.jp/hanrei/90786/detail7/index.html）。本文は同サイト掲載の判決書PDFからTaiLexi AIがテキスト化・整形したもの（正確な文言は原本PDFを参照）。判示事項・裁判要旨・参照法条は裁判所の公表どおり。